JPS61113256A - 化合物半導体の分割方法 - Google Patents
化合物半導体の分割方法Info
- Publication number
- JPS61113256A JPS61113256A JP59235813A JP23581384A JPS61113256A JP S61113256 A JPS61113256 A JP S61113256A JP 59235813 A JP59235813 A JP 59235813A JP 23581384 A JP23581384 A JP 23581384A JP S61113256 A JPS61113256 A JP S61113256A
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- lines
- scribing
- scribing lines
- blade
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は分割部側面の平面性がよい化合物半導体の分割
方法に関する。
方法に関する。
口）従来の技術
従来、半導体の分割方法は特開昭５２−８９４８８号や
特公昭５５−６２９８号の如く、精密な分割方法として
スクライプ方法がある。即ち、ダイヤモンドカッタブレ
ードを用いて直接素子を切断するダイシング法は切断手
段のブレードに依存して分割部側面が鋭利な刃物で切っ
た如く平坦になる事もあるが概ね荒い凹凸が多数生じる
ので、極めて浅い引掻傷をつけた後加圧するこ，とで、
素子のへき開を利用して分割するスクライプ方法を採用
するというものである。
特公昭５５−６２９８号の如く、精密な分割方法として
スクライプ方法がある。即ち、ダイヤモンドカッタブレ
ードを用いて直接素子を切断するダイシング法は切断手
段のブレードに依存して分割部側面が鋭利な刃物で切っ
た如く平坦になる事もあるが概ね荒い凹凸が多数生じる
ので、極めて浅い引掻傷をつけた後加圧するこ，とで、
素子のへき開を利用して分割するスクライプ方法を採用
するというものである。
しかし乍ら、これらの方法は、例えば光プリンタヘッド
に用いる化合物半導体にはあまシ好ましい方法ではなか
った。即ち、光プリンタヘッド等においては、発光領域
はそのまま印字品質を決定するものとなるので、印字の
解像度のまま、例えば１２ドツト／耀の解像度であれば
８３μｍピッチで５０）１ｍ前後の大きさの発光領域が
整列しており、素子の分割においては±５〜±１０ｐｍ
の精度で分割しなくてはならない。ところが上記スクラ
イプ法によると、スクライブラインを設けた面側につい
ては概ねこの精度に入るが、スクライブラインを設けな
かった面側においては凹凸が生じやすく、はりと呼ばれ
る突出部が生じた場合等にはその大きさは４０〜５０μ
ｍに達することもあり、発光領域が所定ピッチとなるよ
うに基板に並べる事など到底できない、３またダイシン
グ法においては上述した通りで、特に化合物半導体にお
いてはシリコン等よシ結晶が脆いので第３図（ａ）ｆｂ
）に示すように端面においてチッピングと呼ばれる欠け
が生じる。このチッピングは巾は１０）ｔｍ前後である
が深さ方向には４０μｍにもわたるものがあり、いずれ
にしても分割部（平面図上）の直線性も、分割部側面の
平面性も悪く、好ましくない。
に用いる化合物半導体にはあまシ好ましい方法ではなか
った。即ち、光プリンタヘッド等においては、発光領域
はそのまま印字品質を決定するものとなるので、印字の
解像度のまま、例えば１２ドツト／耀の解像度であれば
８３μｍピッチで５０）１ｍ前後の大きさの発光領域が
整列しており、素子の分割においては±５〜±１０ｐｍ
の精度で分割しなくてはならない。ところが上記スクラ
イプ法によると、スクライブラインを設けた面側につい
ては概ねこの精度に入るが、スクライブラインを設けな
かった面側においては凹凸が生じやすく、はりと呼ばれ
る突出部が生じた場合等にはその大きさは４０〜５０μ
ｍに達することもあり、発光領域が所定ピッチとなるよ
うに基板に並べる事など到底できない、３またダイシン
グ法においては上述した通りで、特に化合物半導体にお
いてはシリコン等よシ結晶が脆いので第３図（ａ）ｆｂ
）に示すように端面においてチッピングと呼ばれる欠け
が生じる。このチッピングは巾は１０）ｔｍ前後である
が深さ方向には４０μｍにもわたるものがあり、いずれ
にしても分割部（平面図上）の直線性も、分割部側面の
平面性も悪く、好ましくない。
ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は上記の点を考慮してなされたもので、分割部側
面の平面性のよい化合物半導体の分割方法を提供するも
のである。
面の平面性のよい化合物半導体の分割方法を提供するも
のである。
二）問題点を解決するための手段
本発明は先にスクライブラインを設け、その後そのスク
ライブラインに添ってダイシングするものである。
ライブラインに添ってダイシングするものである。
ホ）作 用
これによｐ分割部側面の平面性は高い再現性を伴って向
上した。
上した。
へ） 実 施 例
第１図（ａＪ（ｂ）は本発明実施例の化合物半導体の分
割方法を説明する工程図、第２図は本発明を適用した化
合物半導体（発光ダイオード）の拡大鏡写真（平面図に
相当する写真ｆａ）と側面図に相当する写真（ｂ））で
ある。
割方法を説明する工程図、第２図は本発明を適用した化
合物半導体（発光ダイオード）の拡大鏡写真（平面図に
相当する写真ｆａ）と側面図に相当する写真（ｂ））で
ある。
まず第１図に示すようにＧａＡｓ基板（１）上にＧａＡ
ｓＰ変成層（２１ＧａＡｓｌ１６ＰＱ１１１（３１をエ
ピタキシャル成長させその主面に選択拡散による発光領
域＋４１ （４１・・・と電極（図示せず）を設けた化
合物半導体（５）を準備する。そしてその化合物半導体
（５）の主面にダイヤモンドスクライプポイント（６）
にょシスクライブライン（７）を段巻する。スクライブ
ライン（７）は深さ０．５乃至数メｍである。続いて、
このスクライブライン（７１（７１をガイドラインとし
てダイヤモンドカッタブレード（８）によシダイシング
を行う。ブレード（８）の厚みはスクライブライン（７
）よりはるかに厚いので、ブレード（８）の−側にスク
ライブライン（７）が沿うようにブレード（８）を進ま
せるか、又はスクライブライン（７）を２列に設けてそ
の間にブレード＋８１ ｔｌ−進ませるかする。
ｓＰ変成層（２１ＧａＡｓｌ１６ＰＱ１１１（３１をエ
ピタキシャル成長させその主面に選択拡散による発光領
域＋４１ （４１・・・と電極（図示せず）を設けた化
合物半導体（５）を準備する。そしてその化合物半導体
（５）の主面にダイヤモンドスクライプポイント（６）
にょシスクライブライン（７）を段巻する。スクライブ
ライン（７）は深さ０．５乃至数メｍである。続いて、
このスクライブライン（７１（７１をガイドラインとし
てダイヤモンドカッタブレード（８）によシダイシング
を行う。ブレード（８）の厚みはスクライブライン（７
）よりはるかに厚いので、ブレード（８）の−側にスク
ライブライン（７）が沿うようにブレード（８）を進ま
せるか、又はスクライブライン（７）を２列に設けてそ
の間にブレード＋８１ ｔｌ−進ませるかする。
これによって得られた分割部は、第２図の写真の如く平
面図的に直線で切断され、断面図的には上から２０μｍ
前後はへき開面すら観察され、全体的に平坦である。こ
れによって分割部は±３ｋｍの平面性が得られている。
面図的に直線で切断され、断面図的には上から２０μｍ
前後はへき開面すら観察され、全体的に平坦である。こ
れによって分割部は±３ｋｍの平面性が得られている。
ト）発明の効果
以上の如くにより、分割は実質的にダイシング法によっ
て行なわれているのでパリは生じず、かつ端面において
はスクライプ法によるのと同等の分割面が得られており
結晶が脆くてもチッピングは皆無という程生じない。こ
れによって発光領域が近接）−ても、そのＰＮ接合等に
歪応力等を加えることなく、かつ直線性もよく分割でき
、その分割歩留りは極めて高い。
て行なわれているのでパリは生じず、かつ端面において
はスクライプ法によるのと同等の分割面が得られており
結晶が脆くてもチッピングは皆無という程生じない。こ
れによって発光領域が近接）−ても、そのＰＮ接合等に
歪応力等を加えることなく、かつ直線性もよく分割でき
、その分割歩留りは極めて高い。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明実施の化合物半導体の分割
方法を説明する工程図、第２図は本発明を適用した化合
物半導体の拡大鏡写真、第３図は従来例による化合物半
導体の拡大鏡写真（第２図、第３図とも（ａ）は平面図
に相当する写真、（ｂ）は側面図に相当する写真）であ
る。 （１） ・＝ Ｇａ Ａ ｓ基板、！２１＝ＧａＡｓＰ
変成層、（３１−ＧａＡｓα６Ｐ［１４ＩＩ、＋４１
（４１・−・−発光領域、＋５１ ・・・化合物半導体
、（６）・・・ダイヤそンドスクライブボイｙト、（７
）・・・スクライブライン、（８）・・・ダイヤモンド
カッタブレード。
方法を説明する工程図、第２図は本発明を適用した化合
物半導体の拡大鏡写真、第３図は従来例による化合物半
導体の拡大鏡写真（第２図、第３図とも（ａ）は平面図
に相当する写真、（ｂ）は側面図に相当する写真）であ
る。 （１） ・＝ Ｇａ Ａ ｓ基板、！２１＝ＧａＡｓＰ
変成層、（３１−ＧａＡｓα６Ｐ［１４ＩＩ、＋４１
（４１・−・−発光領域、＋５１ ・・・化合物半導体
、（６）・・・ダイヤそンドスクライブボイｙト、（７
）・・・スクライブライン、（８）・・・ダイヤモンド
カッタブレード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）化合物半導体の主面にスクライブラインを設ける工
程と、そのスクライブラインに添ってダイシングする工
程とを具備した事を特徴とする化合物半導体の分割方法
。 ２）前記化合物半導体は主面に発光領域を形成してあり
、前記スクライブラインは発光領域の近傍に設けられる
事を特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の化合物
半導体の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235813A JPS61113256A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物半導体の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59235813A JPS61113256A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物半導体の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113256A true JPS61113256A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=16991632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59235813A Pending JPS61113256A (ja) | 1984-11-08 | 1984-11-08 | 化合物半導体の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113256A (ja) |
-
1984
- 1984-11-08 JP JP59235813A patent/JPS61113256A/ja active Pending
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