JPH0549126B2 - - Google Patents

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JPH0549126B2
JPH0549126B2 JP62146582A JP14658287A JPH0549126B2 JP H0549126 B2 JPH0549126 B2 JP H0549126B2 JP 62146582 A JP62146582 A JP 62146582A JP 14658287 A JP14658287 A JP 14658287A JP H0549126 B2 JPH0549126 B2 JP H0549126B2
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JP
Japan
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bipolar transistor
current
whose
base
collector
Prior art date
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JP62146582A
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English (en)
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JPS63310206A (ja
Inventor
Hiroshi Koga
Junichi Ukai
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP62146582A priority Critical patent/JPS63310206A/ja
Publication of JPS63310206A publication Critical patent/JPS63310206A/ja
Publication of JPH0549126B2 publication Critical patent/JPH0549126B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路における出力駆動回路
に関し、特に出力側を駆動するバイポーラトラン
ジスタのベース電流を負荷電流の変動に対して調
整し一定のドライブ比を得るようにした半導体集
積回路における出力駆動回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の出力駆動回路としては、バイポ
ーラトランジスタを二段に用いて形成したものが
ある。
第5図は従来のかかる一例を示す出力駆動回路
図である。
第5図に示すように、この出力駆動回路は、一
端が第二の電源端子6に且つ他端が節点24に接
続された抵抗21と、一端が第二の電源端子に且
つ他端が節点25に接続された抵抗22と、コレ
クタが節点25に、ベースが節点24に且つエミ
ツタが節点26に接続されたNPN型バイポーラ
トランジスタ20と、一端が節点26に且つ他端
が第一の電源端子5に接続された抵抗23と、コ
レクタが出力端子7に、ベースが節点26に且つ
エミツタが第一電源端子5に接続されたNPN型
バイポーラトランジスタ4とを有している。
この出力駆動回路は抵抗21を介してバイポー
ラトランジスタ20のベース電流が第二の電源端
子6より供給されて能動状態となり、コレクタ電
流が流れる。この時、バイポーラトランジスタ2
0のコレクタ電流は抵抗22により制限されてい
る。このバイポーラトランジスタ20のベース電
流とコレクタ電流の和がエミツタ電流となり、抵
抗23を流れる電流とバイポーラトランジスタ4
のベース電流とに分流する。これにより、バイポ
ーラトランジスタ4は能動状態となり、出力端子
7および第二の電源端子6間に接続されている負
荷の駆動用電流がとりだされる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の出力駆動回路は、出力トランジ
スタ4のベース電流駆動を抵抗23により制限し
ているが、負荷電流の変動に依らずベース電流が
一定となつている。従つて、負荷電流が小さい場
合にはベース電流が過大になり、無駄な電力の消
費となるという欠点がある。
一方、負荷電流が大きい場合にはベース電流が
過少となるので、出力トランジスタ4のエミツ
タ・コレクタ間電圧が大きくなり、コレクタ損失
が大きくなるという欠点がある。
また、出力トランジスタ4のエミツタ・コレク
タ間電圧は出力電圧であるので、負荷電流の変動
に対し出力電圧の変動が大きいという欠点も生ず
る。
本発明の目的は、かかるバイポーラトランジス
タのベース電流を負荷電流の変動に対して調整し
一定のドライブ比を得ること、すなわち出力電圧
の変動を少なくすること、およびベース電流の過
大による消費電力を少なく且つコレクタ損失を抑
制することを実現する半導体装置における出力駆
動回路を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路における出力駆動回路
は、エミツタおよびコレクタをそれぞれ第一の電
源端子および外部出力端子に接続される第一のバ
イポーラトランジスタと、ベースおよびエミツタ
をそれぞれ前記第一のバイポーラトランジスタの
ベースおよびエミツタに接続される第二のバイポ
ーラトランジスタと、第二の電源端子と前記第二
のバイポーラトランジスタのコレクタおよびベー
スとの間に接続されるカレントミラー回路とを有
し、前記カレントミラー回路により前記第二のバ
イポーラトランジスタのコレクタ電流に比例した
電流を前記第一および第二のバイポーラトランジ
スタのベース電流として供給するように構成され
る。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
第1図は本発明の第一の実施例を示す出力駆動
回路図である。
第1図に示すように、点線で示す回路Cは、ソ
ースが第二電源端子6に、ゲートおよびドレイン
がともに節点8に接続されたP型MOSトランジ
スタ1と、ソースが第二電源端子6に、ゲートが
節点8に且つドレインが節点9に接続されたP型
MOSトランジスタ2とからなるカレントミラー
回路である。
本実施例の出力駆動回路は、上記カレントミラ
ー回路Cに加え、コレクタが出力端子7に、ベー
スが節点9に且つエミツタが第一電源端子5に接
続されたNPN型バイポーラトランジスタ(第一
のバイポーラトランジスタ)4と、コレクタが節
点8に、ベースが節点9に且つエミツタが第一電
源端子5に接続されたNPN型バイポーラトラン
ジスタ3(第二のバイポーラトランジスタ)とを
有して構成される。
かかる構成の出力駆動回路においては、あらか
じめP型MOSトランジスタ1に対しP型MOSト
ランジスタ2に流れる電流の大きさに比率を与え
るもので、P型トランジスタ1のドレイン電流の
K倍の電流がP型MOSトランジスタ2のドレイ
ン電流として流れる様にしてある。また、第一の
バイポーラトランジスタ4に対し第二のバイポー
ラトランジスタ3に流れる電流の大きさに比率を
与え、第一のバイポーラトランジスタ4のエミツ
タ電流の1/L倍の電流が第二のバイポーラトラ
ンジスタ3のエミツタ電流として流れる様にして
ある。尚、上述のK、Lは1より大きい数であ
る。
このように構成することにより、第一のバイポ
ーラトランジスタ4のコレクタ電流のK/L倍の
電流がP型MOSトランジスタ2のドレイン電流
として流れる。ここで、Lを十分に大きい値に選
べば、第一のバイポーラトランジスタ4のベース
電流に対する第二のバイポーラトランジスタ3の
ベース電流の比率は小さくなり、P型MOSトラ
ンジスタ2のドレイン電流の全んどが第一のバイ
ポーラトランジスタ4のベース電流となる。
以上により、第一のバイポーラトランジスタ4
には、常時負荷電流と一定の比率にあるベース電
流が流れることになる。尚、負荷は出力端子7と
第二の電源端子6間に接続される。
第2図は本発明の第二の実施例を示す出力駆動
回路図である。
第2図に示すように、カレントミラー回路C
は、エミツタが第二電源端子6に、ベースおよび
コレクタが節点8に接続されたPNP型バイポー
ラトランジスタ10と、エミツタが第二電源端子
6に、ベースが節点8に且つコレクタが節点9に
接続されたPNP型バイポーラトランジスタ11
とから構成される。また、第一のバイポーラトラ
ンジスタはコレクタが出力端子7に、ベースが接
点9に且つエミツタが第一電源端子5に接続され
たNPN型バイポーラトランジスタ4であり、第
二のバイポーラトランジスタはコレクタが節点8
に、ベースが節点9に且つエミツタが第一電源端
子5に接続されたNPN型バイポーラトランジス
タ3である。
かかる構成の出力駆動回路の動作は、第1図に
示したカレントミラー回路CがPNP型バイポー
ラトランジスタ10,11に置換えられている点
を除いては同様の動作を行う。
第3図は本発明の第三の実施例を示す出力駆動
回路図である。
第3図に示すように、カレントミラー回路C
は、ドレインおよびゲートが節点16に、ソース
が第二電源端子6に接続されたN型MOSトラン
ジスタ14と、ドレインが節点17に、ゲートが
節点16に且つソースが第二電源端子6に接続さ
れたN型MOSトランジスタ15とから構成され、
第一のバイポーラトランジスタはエミツタが第一
電源端子5に、ベースが節点17に且つコレクタ
が出力端子7に接続されたPNP型バイポーラト
ランジスタ13からなり、また第二のバイポーラ
トランジスタはエミツタが第一電源端子5に、ベ
ースが節点17に且つコレクタが節点16に接続
されたPNP型バイポーラトランジスタ12から
なる。
本実施例は第1図に示した第一の実施例におけ
るNPN型バイポーラトランジスタ3,4をPNP
型バイポーラトランジスタ12,13に置換え、
同様にカレントミラー回路Cを構成するP型
MOSトランジスタ1,2をN型MOSトランジス
タ14,15に置換えたものであり、回路の動作
原理は前記第一の実施例と同様である。
第4図は本発明の第四の実施例を示す出力駆動
回路図である。
第4図に示すように、カレントミラー回路C
は、コレクタおよびベースが節点16に、エミツ
タが第二電源端子6に接続されたNPN型バイポ
ーラトランジスタ18と、コレクタが節点17
に、ベースが節点16に且つエミツタが第二電源
端子6に接続されたNPN型バイポーラトランジ
スタ19とから構成され、また第一のバイポーラ
トランジスタはエミツタが第一電源端子5に、ベ
ースが節点17に且つコレクタが出力端子7に接
続されたPNP型バイポーラトランジスタ13か
らなり、第二のバイポーラトランジスタはエミツ
タが第一電源端子5に、ベースが節点17に且つ
コレクタが節点16に接続されたPNP型バイポ
ーラトランジスタ12からなる。
本実施例は第2図に示した第二の実施例におけ
るNPN型バイポーラトランジスタ3,4をPNP
型バイポーラトランジスタ12,13に置換え、
同様にカレントミラー回路を構成するPNP型バ
イポーラトランジスタ10,11をNPN型バイ
ポーラトランジスタ18,19に置換えたもので
あり、回路の動作原理は前記第一および前記第二
の実施例と等しいものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は出力端子側を駆
動するバイポーラトランジスタのベース電流が負
荷電流に対し一定の比率となること、即ちドライ
ブ比が負荷電流値に依らず一定となることによ
り、負荷電流が小さい場合にベース電流が過大と
なつて損失が大きくなるということがないという
効果がある。
また、負荷電流が大きい場合にも十分なベース
電流が供給されコレクタ損失の増大とはならない
という効果がある。
更に、負荷変動全体を通じて出力電圧の変動が
小さくなるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例を示す出力駆動
回路図、第2図は本発明の第二の実施例を示す出
力駆動回路図、第3図は本発明の第三の実施例を
示す出力駆動回路図、第4図は本発明の第四の実
施例を示す出力駆動回路図、第5図は従来の一例
を示す出力駆動回路図である。 1,2……P型MOSトランジスタ、3,4,
18,19……NPN型バイポーラトランジスタ、
5……第一電源端子、6……第二電源端子、7…
…出力端子、8,9,16,17……節点、10
〜13……PNP型バイポーラトランジスタ、1
4,15……N型MOSトランジスタ、C……カ
レントミラー回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 エミツタおよびコレクタをそれぞれ第一の電
    源端子および外部出力端子に接続される第一のバ
    イポーラトランジスタと、ベースおよびエミツタ
    をそれぞれ前記第一のバイポーラトランジスタの
    ベースおよびエミツタに接続される第二のバイポ
    ーラトランジスタと、第二の電源端子と前記第二
    のバイポーラトランジスタのコレクタおよびベー
    スとの間に接続されるカレントミラー回路とを有
    し前記カレントミラー回路により前記第二のバイ
    ポーラトランジスタのコレクタ電流に比例した電
    流を前記第一および前記第二のバイポーラトラン
    ジスタのベース電流として供給することを特徴と
    する半導体集積回路における出力駆動回路。 2 第一のバイポーラトランジスタおよび第二の
    バイポーラトランジスタをともにNPN型バイポ
    ーラトランジスタとし、カレントミラー回路をP
    型MOSトランジスタにより構成した特許請求の
    範囲第1項記載の半導体集積回路における出力駆
    動回路。 3 第一のバイポーラトランジスタおよび第二の
    バイポーラトランジスタをともにNPN型バイポ
    ーラトランジスタとし、カレントミラー回路を
    PNP型バイポーラトランジスタにより構成した
    特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路にお
    ける出力駆動回路。 4 第一のバイポーラトランジスタおよび第二の
    バイポーラトランジスタをともにPNP型バイポ
    ーラトランジスタとし、カレントミラー回路をN
    型MOSトランジスタにより構成した特許請求の
    範囲第1項記載の半導体集積回路における出力駆
    動回路。 5 第一のバイポーラトランジスタおよび第二の
    バイポーラトランジスタをともにPNP型バイポ
    ーラトランジスタとし、カレントミラー回路を
    NPN型バイポーラトランジスタにより構成した
    特許請求の範囲第1項に記載の半導体集積回路に
    おける出力駆動回路。
JP62146582A 1987-06-11 1987-06-11 半導体集積回路における出力駆動回路 Granted JPS63310206A (ja)

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JPS63310206A JPS63310206A (ja) 1988-12-19
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60149216A (ja) * 1984-01-14 1985-08-06 Rohm Co Ltd 抵抗値設定回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60149216A (ja) * 1984-01-14 1985-08-06 Rohm Co Ltd 抵抗値設定回路

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