JPH0547963A - パツケージ - Google Patents
パツケージInfo
- Publication number
- JPH0547963A JPH0547963A JP23413191A JP23413191A JPH0547963A JP H0547963 A JPH0547963 A JP H0547963A JP 23413191 A JP23413191 A JP 23413191A JP 23413191 A JP23413191 A JP 23413191A JP H0547963 A JPH0547963 A JP H0547963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- heat
- heat dissipation
- semiconductor chip
- mold layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップから発せられる熱を効率よく放熱
しうるようにする。 【構成】半導体チップをモールドする樹脂モールド層２
０の表面に放熱用の凹凸部を設ける。この凹凸部は、直
線状の凹部７０及び凸部８０を樹脂モールド層２０の上
面に複数設けることにより構成する。
しうるようにする。 【構成】半導体チップをモールドする樹脂モールド層２
０の表面に放熱用の凹凸部を設ける。この凹凸部は、直
線状の凹部７０及び凸部８０を樹脂モールド層２０の上
面に複数設けることにより構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパッケージに関するもの
である。更に詳しくは、半導体集積回路，パワートラン
ジスタ等の半導体電子部品用のパッケージに関するもの
である。
である。更に詳しくは、半導体集積回路，パワートラン
ジスタ等の半導体電子部品用のパッケージに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の中には多くの素子が入
っているため、電力消費に伴う発熱も大きい。そこで、
従来より半導体集積回路からの放熱を行うために、様々
な構造のパッケージが提案されている。
っているため、電力消費に伴う発熱も大きい。そこで、
従来より半導体集積回路からの放熱を行うために、様々
な構造のパッケージが提案されている。
【０００３】なかでも、リードフレームを通じて放熱を
行うパッケージが主流となっている。最近の半導体集積
回路の小型化，高集積化に伴い、半導体集積回路の放熱
効果をより高めるために、例えば、金属製(通常、銅製)
の放熱板や放熱フィン，ヒートスプレッダ等を用いて放
熱させるパッケージが知られている。
行うパッケージが主流となっている。最近の半導体集積
回路の小型化，高集積化に伴い、半導体集積回路の放熱
効果をより高めるために、例えば、金属製(通常、銅製)
の放熱板や放熱フィン，ヒートスプレッダ等を用いて放
熱させるパッケージが知られている。
【０００４】図６に示すパッケージは、半導体チップが
搭載されたリードフレームの一部を放熱フィン９０とし
て、リードピン４５と同様に樹脂モールド層２０外に導
出させることによって、放熱を行うものである。
搭載されたリードフレームの一部を放熱フィン９０とし
て、リードピン４５と同様に樹脂モールド層２０外に導
出させることによって、放熱を行うものである。
【０００５】また、ＳＭＤ(Surface Mount Device)のパ
ッケージに関しては、図７に示すように樹脂モールド層
２０の内部に設けられているアイランド５０上にヒート
スプレッダという金属製の放熱板９５が設けられたもの
もある。この放熱板９５は、半導体チップ１０が搭載さ
れた面の裏面に位置し、樹脂モールド層２０から一部露
出することによって放熱効果を上げている。
ッケージに関しては、図７に示すように樹脂モールド層
２０の内部に設けられているアイランド５０上にヒート
スプレッダという金属製の放熱板９５が設けられたもの
もある。この放熱板９５は、半導体チップ１０が搭載さ
れた面の裏面に位置し、樹脂モールド層２０から一部露
出することによって放熱効果を上げている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６及び図７
に示す従来例では、放熱板や放熱フィンとパッケージに
用いられている樹脂との熱膨張係数の差によって、内部
ストレスが発生し、放熱板等と樹脂モールド層とが界面
で剥離してしまうといった問題がある。その結果、剥離
した部分から空気中の水分が進入しやすくなるため、耐
湿性が大きく劣化してしまうことになる。
に示す従来例では、放熱板や放熱フィンとパッケージに
用いられている樹脂との熱膨張係数の差によって、内部
ストレスが発生し、放熱板等と樹脂モールド層とが界面
で剥離してしまうといった問題がある。その結果、剥離
した部分から空気中の水分が進入しやすくなるため、耐
湿性が大きく劣化してしまうことになる。
【０００７】また、図７の従来例では、金属製の放熱板
やそれを製造するための特殊な金型等が必要となるた
め、大幅なコストアップとなる。更に、放熱板を取り付
ける工程も必要となるので、製造行程数が増加してしま
うといった問題もある。
やそれを製造するための特殊な金型等が必要となるた
め、大幅なコストアップとなる。更に、放熱板を取り付
ける工程も必要となるので、製造行程数が増加してしま
うといった問題もある。
【０００８】このような問題点から、従来のパッケージ
によれば、パッケージの大きさ，材料，リードフレーム
の材質，形状等でパッケージパワーが決まってしまうこ
とになる。
によれば、パッケージの大きさ，材料，リードフレーム
の材質，形状等でパッケージパワーが決まってしまうこ
とになる。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みなされたもの
であって、行程数の増加，コストアップ及び耐湿性の劣
化を伴うことなく、半導体チップから発せられる熱を効
率よく放熱しうるパッケージを提供することを目的とし
ている。
であって、行程数の増加，コストアップ及び耐湿性の劣
化を伴うことなく、半導体チップから発せられる熱を効
率よく放熱しうるパッケージを提供することを目的とし
ている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のパッケージは、半導体チップをモールドする樹
脂モールド層の表面に放熱用の凹凸部を設けたことを特
徴としている。
本発明のパッケージは、半導体チップをモールドする樹
脂モールド層の表面に放熱用の凹凸部を設けたことを特
徴としている。
【００１１】
【作用】樹脂モールド層の表面に放熱用の凹凸部が設け
られているので、外気とパッケージとの接触面積が拡大
され、熱交換がより速やかに行われる。
られているので、外気とパッケージとの接触面積が拡大
され、熱交換がより速やかに行われる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１の斜視図で示す本発明の第１実施例は、リー
ドピン４５が四方側面に設けられたプラスチックＱＦＰ
(Quad Flat Package)において、半導体チップ(図示せ
ず)をモールドする樹脂モールド層２０の上側表面の全
面に放熱用の凹凸部を設けたものである。この凹凸部
は、凹部７０と凸部８０とから成っている。従来のパッ
ケージは表面が平坦な形に形成されているので、従来品
の上面に直線状の断面がコの字形状の溝を複数設けるこ
とにより、図１に示す形状に構成することができる。
する。図１の斜視図で示す本発明の第１実施例は、リー
ドピン４５が四方側面に設けられたプラスチックＱＦＰ
(Quad Flat Package)において、半導体チップ(図示せ
ず)をモールドする樹脂モールド層２０の上側表面の全
面に放熱用の凹凸部を設けたものである。この凹凸部
は、凹部７０と凸部８０とから成っている。従来のパッ
ケージは表面が平坦な形に形成されているので、従来品
の上面に直線状の断面がコの字形状の溝を複数設けるこ
とにより、図１に示す形状に構成することができる。
【００１３】尚、樹脂モールド層２０を構成する樹脂と
しては、従来より一般的に用いられている溶融シリカ樹
脂等を用いることができるが、結晶シリカ樹脂等の高熱
伝導樹脂を用いることによって放熱効果を更に向上させ
ることができる。
しては、従来より一般的に用いられている溶融シリカ樹
脂等を用いることができるが、結晶シリカ樹脂等の高熱
伝導樹脂を用いることによって放熱効果を更に向上させ
ることができる。
【００１４】図２は、本発明の第２実施例の縦断面を示
す端面図であり、凹部７０及び凸部８０から成る凹凸部
が、樹脂モールド層２０の上側及び下側の面に設けられ
ているほかは、前記第１実施例と同様の構成となってい
る。樹脂モールド層２０内には、リードフレームで構成
されたアイランド５０上に半導体チップ１０がマウント
されている。半導体チップ１０は、リードフレームで構
成されたリードピン４５とボンディングワイヤ３０で接
続されている。また、リードピン４５は、基板６０上に
平面実装されている。
す端面図であり、凹部７０及び凸部８０から成る凹凸部
が、樹脂モールド層２０の上側及び下側の面に設けられ
ているほかは、前記第１実施例と同様の構成となってい
る。樹脂モールド層２０内には、リードフレームで構成
されたアイランド５０上に半導体チップ１０がマウント
されている。半導体チップ１０は、リードフレームで構
成されたリードピン４５とボンディングワイヤ３０で接
続されている。また、リードピン４５は、基板６０上に
平面実装されている。
【００１５】図３は、本発明の第３実施例の斜視図であ
り、凹凸部が波状の凹部７１及び凸部８１から成ってい
るほかは、前記第１実施例と同様の構成となっている。
即ち、本実施例における樹脂モールド層２０の上面は、
同図に示すように曲面で構成されており、断面が波状構
造となっている。従って、温度変化や樹脂の硬化等によ
って樹脂モールド層２０に生じる内部ストレスが緩和さ
れやすくなり、クラックの発生原因となる応力集中を回
避しやすくなる。
り、凹凸部が波状の凹部７１及び凸部８１から成ってい
るほかは、前記第１実施例と同様の構成となっている。
即ち、本実施例における樹脂モールド層２０の上面は、
同図に示すように曲面で構成されており、断面が波状構
造となっている。従って、温度変化や樹脂の硬化等によ
って樹脂モールド層２０に生じる内部ストレスが緩和さ
れやすくなり、クラックの発生原因となる応力集中を回
避しやすくなる。
【００１６】また、上記第１〜第３実施例の凹凸部を構
成する溝として、例えば断面がくの字形状の溝，断面が
台形状の溝等を用いてもよく、様々な形状の溝を組み合
わせて用いてもよい。
成する溝として、例えば断面がくの字形状の溝，断面が
台形状の溝等を用いてもよく、様々な形状の溝を組み合
わせて用いてもよい。
【００１７】図４は、本発明の第４実施例の斜視図であ
り、凹凸部が平坦な樹脂モールド層２０の上面に半球状
凸部８５を複数設けることによって形成されているほか
は、前記第１実施例と同様の構成となっている。本実施
例における樹脂モールド層２０上面の凹凸部は、前記第
１〜第３実施例と比べて樹脂モールド層２０の各面に対
する機械的な方向性が小さい。従って、温度変化や樹脂
の硬化等によって樹脂モールド層２０に生じる内部スト
レスが緩和されやすくなり、クラックの発生原因となる
応力集中を回避しやすくなる。
り、凹凸部が平坦な樹脂モールド層２０の上面に半球状
凸部８５を複数設けることによって形成されているほか
は、前記第１実施例と同様の構成となっている。本実施
例における樹脂モールド層２０上面の凹凸部は、前記第
１〜第３実施例と比べて樹脂モールド層２０の各面に対
する機械的な方向性が小さい。従って、温度変化や樹脂
の硬化等によって樹脂モールド層２０に生じる内部スト
レスが緩和されやすくなり、クラックの発生原因となる
応力集中を回避しやすくなる。
【００１８】図５は、本発明の第５実施例の斜視図であ
り、凹凸部が平坦な樹脂モールド層２０の上面に半球状
凹部(ディンプル構造)７５を複数設けることによって形
成されているほかは、前記第４実施例と同様の構成とな
っている。
り、凹凸部が平坦な樹脂モールド層２０の上面に半球状
凹部(ディンプル構造)７５を複数設けることによって形
成されているほかは、前記第４実施例と同様の構成とな
っている。
【００１９】また、第４及び第５実施例の凹凸部を構成
する凹部，凸部として、例えば円錐形の凸部，三角錐形
の凸部，円錐形の凹部，三角錐形の凹部等を用いてもよ
く、それらを組み合わせたものを用いてもよい。
する凹部，凸部として、例えば円錐形の凸部，三角錐形
の凸部，円錐形の凹部，三角錐形の凹部等を用いてもよ
く、それらを組み合わせたものを用いてもよい。
【００２０】従来、樹脂モールド層の表面から積極的に
放熱を行おうとしたパッケージはないが、本来、半導体
集積回路においては、その構造上、半導体チップ１０上
面からの発熱が最も多い。従って、樹脂モールド層２０
の表面、なかでも上面を凹凸形状にすることによりパッ
ケージの表面積が拡大された上記各実施例によれば、パ
ッケージ表面からの放熱効果が高く、熱放散性に優れる
ため、パッケージパワーが向上する。これは、外気とパ
ッケージ表面との接触面積が拡大されることにより、パ
ッケージ内部の半導体チップ１０からの発熱が速やかに
外気への放熱となるからである。
放熱を行おうとしたパッケージはないが、本来、半導体
集積回路においては、その構造上、半導体チップ１０上
面からの発熱が最も多い。従って、樹脂モールド層２０
の表面、なかでも上面を凹凸形状にすることによりパッ
ケージの表面積が拡大された上記各実施例によれば、パ
ッケージ表面からの放熱効果が高く、熱放散性に優れる
ため、パッケージパワーが向上する。これは、外気とパ
ッケージ表面との接触面積が拡大されることにより、パ
ッケージ内部の半導体チップ１０からの発熱が速やかに
外気への放熱となるからである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、半導
体チップをモールドする樹脂モールド層の表面に放熱用
の凹凸部を設けることによって、行程数の増加，コスト
アップ及び耐湿性の劣化を伴うことなく、半導体チップ
から発せられる熱を効率よく放熱しうるパッケージを実
現することができる。
体チップをモールドする樹脂モールド層の表面に放熱用
の凹凸部を設けることによって、行程数の増加，コスト
アップ及び耐湿性の劣化を伴うことなく、半導体チップ
から発せられる熱を効率よく放熱しうるパッケージを実
現することができる。
【００２２】その結果、パッケージの大きさ等で決定さ
れていたパッケージパワーが大幅に改善され、より高集
積化，高速化された半導体集積回路の搭載が可能とな
る。また、ＳＭＤ用パッケージ等については、表面積の
大幅な増加により、製造工程における乾燥時間の短縮が
可能となる。更に、樹脂モールド層の内部応力が分散す
るので、クラックの発生を抑制することができる。
れていたパッケージパワーが大幅に改善され、より高集
積化，高速化された半導体集積回路の搭載が可能とな
る。また、ＳＭＤ用パッケージ等については、表面積の
大幅な増加により、製造工程における乾燥時間の短縮が
可能となる。更に、樹脂モールド層の内部応力が分散す
るので、クラックの発生を抑制することができる。
【図１】本発明の第１実施例の外観を示す斜視図。
【図２】本発明の第２実施例の縦断面の端面図。
【図３】本発明の第３実施例の外観を示す斜視図。
【図４】本発明の第４実施例の外観を示す斜視図。
【図５】本発明の第５実施例の外観を示す斜視図。
【図６】従来例の外観を示す斜視図。
【図７】他の従来例の縦断面の端面図。
１０ …半導体チップ ２０ …樹脂モールド層 ３０ …ボンディングワイヤ ４５ …リードピン ５０ …アイランド ６０ …基板 ７０ …凹部 ７１ …凹部 ７５ …半球状凹部 ８０ …凸部 ８１ …凸部 ８５ …半球状凸部 ９０ …放熱フィン ９５ …放熱板(ヒートスプレッダ）
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップをモールドする樹脂モールド
層の表面に放熱用の凹凸部を設けたことを特徴とする半
導体電子部品用のパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23413191A JPH0547963A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | パツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23413191A JPH0547963A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | パツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547963A true JPH0547963A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16966127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23413191A Pending JPH0547963A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | パツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547963A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6950305B2 (en) * | 2002-05-15 | 2005-09-27 | Bel Fuse, Inc. | Overmolded device with contoured surface |
| JP2006303106A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Denso Corp | 電子回路装置 |
| US7273769B1 (en) | 2000-08-16 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing encapsulating material from a packaged microelectronic device |
| JP2018152533A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2024070331A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Koa株式会社 | 電子部品 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP23413191A patent/JPH0547963A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7273769B1 (en) | 2000-08-16 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing encapsulating material from a packaged microelectronic device |
| US7405487B2 (en) * | 2000-08-16 | 2008-07-29 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing encapsulating material from a packaged microelectronic device |
| US6950305B2 (en) * | 2002-05-15 | 2005-09-27 | Bel Fuse, Inc. | Overmolded device with contoured surface |
| JP2006303106A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Denso Corp | 電子回路装置 |
| JP2018152533A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-27 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2024070331A1 (ja) * | 2022-09-29 | 2024-04-04 | Koa株式会社 | 電子部品 |
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