JP3011579B2 - 半導体パッケージ用放熱板 - Google Patents
半導体パッケージ用放熱板Info
- Publication number
- JP3011579B2 JP3011579B2 JP19199793A JP19199793A JP3011579B2 JP 3011579 B2 JP3011579 B2 JP 3011579B2 JP 19199793 A JP19199793 A JP 19199793A JP 19199793 A JP19199793 A JP 19199793A JP 3011579 B2 JP3011579 B2 JP 3011579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- heat
- semiconductor package
- package
- heat radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージ用放
熱板に関し、特に、放熱板表面に加工を施し、放熱板の
表面積を増加させた半導体パッケージ用放熱板に関す
る。
熱板に関し、特に、放熱板表面に加工を施し、放熱板の
表面積を増加させた半導体パッケージ用放熱板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高出力化及び高集積化
に伴う発熱に対し、半導体集積回路の放熱特性を向上さ
せるいくつかの方法が考えられてきた。以下に一般的な
半導体集積回路の放熱手段を図２〜６を参照しつつ説明
する。
に伴う発熱に対し、半導体集積回路の放熱特性を向上さ
せるいくつかの方法が考えられてきた。以下に一般的な
半導体集積回路の放熱手段を図２〜６を参照しつつ説明
する。
【０００３】(1) 図２に示されるように、リードフレー
ム一層で放熱特性を向上させたものがある。これは、チ
ップを載せるためのタブ９と一体に複数の放熱用リード
１０を放射状に配置し、かつ、放熱フィンをパッケージ
外に配置することで、半導体集積回路の放熱特性を向上
させたものである。
ム一層で放熱特性を向上させたものがある。これは、チ
ップを載せるためのタブ９と一体に複数の放熱用リード
１０を放射状に配置し、かつ、放熱フィンをパッケージ
外に配置することで、半導体集積回路の放熱特性を向上
させたものである。
【０００４】(2) 図３に示されるように、パッケージに
放熱部材を組み込んだものがある。これは、放熱板３
を、熱良導体であるマウント剤を介してチップ２の下方
に配置し、放熱板１を樹脂モールド層３で封止すること
により、放熱特性、耐衝撃性及び耐湿性を向上させたも
のである。
放熱部材を組み込んだものがある。これは、放熱板３
を、熱良導体であるマウント剤を介してチップ２の下方
に配置し、放熱板１を樹脂モールド層３で封止すること
により、放熱特性、耐衝撃性及び耐湿性を向上させたも
のである。
【０００５】(3) 図４に示されるように、放熱板１の一
面をパッケージの外に露出させたものがある。これは、
樹脂モールド層３内に熱伝導性が良い放熱板１を埋込
み、その一面を樹脂モールド層３外に露出させることに
より、半導体集積回路の放熱特性を向上させたものであ
る。
面をパッケージの外に露出させたものがある。これは、
樹脂モールド層３内に熱伝導性が良い放熱板１を埋込
み、その一面を樹脂モールド層３外に露出させることに
より、半導体集積回路の放熱特性を向上させたものであ
る。
【０００６】(4) 図５に示されるように、放熱板１と放
熱フィン１１とを組み合わせたものがある。これは、パ
ッケージ内に埋め込まれた放熱板１上に放熱フィン１１
を設け、放熱特性を更に向上させたものである。
熱フィン１１とを組み合わせたものがある。これは、パ
ッケージ内に埋め込まれた放熱板１上に放熱フィン１１
を設け、放熱特性を更に向上させたものである。
【０００７】(5) 図６に示されるように、上記（４）の
放熱手段と同様、放熱板１と放熱フィン１１とを組み合
わせたものである。ただし、これは、パッケージの外に
放熱フィン１１を設けた形になっている点で上記（４）
と異なっている。
放熱手段と同様、放熱板１と放熱フィン１１とを組み合
わせたものである。ただし、これは、パッケージの外に
放熱フィン１１を設けた形になっている点で上記（４）
と異なっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た放熱手段は以下のような問題がある。
た放熱手段は以下のような問題がある。
【０００９】(1) の放熱手段に放熱フィンをパッケージ
外に設ける場合は、半導体集積回路の更なる高出力化に
対応するために、より大きな放熱フィンを設ける必要が
ある。しかし、放熱フィンを大きくすると、その反対に
リードのピン数を減少させなければならないという問題
がある。
外に設ける場合は、半導体集積回路の更なる高出力化に
対応するために、より大きな放熱フィンを設ける必要が
ある。しかし、放熱フィンを大きくすると、その反対に
リードのピン数を減少させなければならないという問題
がある。
【００１０】(2) の放熱手段を半導体集積回路の高出力
化に対応させるためには、より大きな放熱部材をパッケ
ージ内に組み込む必要がある。しかし、放熱部材を大き
くしても、空気とパッケージ間の熱伝達は改善されず、
パッケージの形状により放熱部材を組み込むことができ
るサイズに限界があるという問題がある。したがって、
(2) の放熱手段は、２Ｗ程度の出力までしか適用させる
ことができない。
化に対応させるためには、より大きな放熱部材をパッケ
ージ内に組み込む必要がある。しかし、放熱部材を大き
くしても、空気とパッケージ間の熱伝達は改善されず、
パッケージの形状により放熱部材を組み込むことができ
るサイズに限界があるという問題がある。したがって、
(2) の放熱手段は、２Ｗ程度の出力までしか適用させる
ことができない。
【００１１】(3) の放熱手段は、放熱板がパッケージの
外に露出されるため、空気との熱伝達も改善され、２Ｗ
以上の高出力に適応させることができる。しかし、未だ
放熱板からパッケージの外への放熱に限界があり、半導
体集積回路の更なる高出力化に対応させるには問題があ
る。
外に露出されるため、空気との熱伝達も改善され、２Ｗ
以上の高出力に適応させることができる。しかし、未だ
放熱板からパッケージの外への放熱に限界があり、半導
体集積回路の更なる高出力化に対応させるには問題があ
る。
【００１２】(4) の放熱手段は、放熱フィンがパッケー
ジ内部から外部へ突出する形になるため、半導体パッケ
ージに組み立てるための樹脂モールドを施す際に用いら
れる従来の金型を用いることができないという問題があ
る。
ジ内部から外部へ突出する形になるため、半導体パッケ
ージに組み立てるための樹脂モールドを施す際に用いら
れる従来の金型を用いることができないという問題があ
る。
【００１３】(5) の放熱手段は、(4) の放熱手段と異な
り、放熱板を埋め込んだ後に放熱フィンが取り付けられ
るため、従来の金型を用いることができる。しかし、放
熱特性を向上させるには、大型の放熱フィンが必要であ
るためコストがかかり、パッケージ全体の厚みが増すた
め、高密度実装への障害となるという問題がある。
り、放熱板を埋め込んだ後に放熱フィンが取り付けられ
るため、従来の金型を用いることができる。しかし、放
熱特性を向上させるには、大型の放熱フィンが必要であ
るためコストがかかり、パッケージ全体の厚みが増すた
め、高密度実装への障害となるという問題がある。
【００１４】また、上述した(1) 〜(5) を問わず、リー
ドの多ピン化によるリードの強度不足から、放熱板を支
えきれなくなるという問題がある。
ドの多ピン化によるリードの強度不足から、放熱板を支
えきれなくなるという問題がある。
【００１５】したがって、本発明の目的は、半導体集積
回路の高出力化に対応できるコンパクトな半導体パッケ
ージ用放熱板を提供することにある。
回路の高出力化に対応できるコンパクトな半導体パッケ
ージ用放熱板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、放熱板の半導体パッケージ外に露出された
部分に、前記放熱板の板厚を減少させる凹部を有し、そ
の凹部の表面に所定サイズの多数の凹凸を有することを
特徴とする半導体パッケージ用放熱板を提供する。
決するため、放熱板の半導体パッケージ外に露出された
部分に、前記放熱板の板厚を減少させる凹部を有し、そ
の凹部の表面に所定サイズの多数の凹凸を有することを
特徴とする半導体パッケージ用放熱板を提供する。
【００１７】上記所定サイズの多数の凹凸は、ディンプ
ル形状を有するものであっても良い。また、この多数の
凹凸を表面に有する凹部は、放熱板が半導体パッケージ
に接する付近を除いて設けられるようにしても良い。
ル形状を有するものであっても良い。また、この多数の
凹凸を表面に有する凹部は、放熱板が半導体パッケージ
に接する付近を除いて設けられるようにしても良い。
【００１８】
【作用】半導体パッケージの外に露出された放熱板表面
に所定のサイズの多数の凹凸を設けることにより、放熱
板の表面積が大きくなる。
に所定のサイズの多数の凹凸を設けることにより、放熱
板の表面積が大きくなる。
【００１９】また、放熱板の半導体パッケージ外に露出
された部分には、放熱板の板厚を減少させる凹部を設け
たので、放熱板が軽量化される。更に、所定のサイズの
多数の凹凸は、放熱板が半導体パッケージに接する付近
を除いて設けるようにすると、これらの凹凸を有する放
熱板の表面にモールド加工による樹脂が流れ込むことを
防止できる。
された部分には、放熱板の板厚を減少させる凹部を設け
たので、放熱板が軽量化される。更に、所定のサイズの
多数の凹凸は、放熱板が半導体パッケージに接する付近
を除いて設けるようにすると、これらの凹凸を有する放
熱板の表面にモールド加工による樹脂が流れ込むことを
防止できる。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明の第１実施例を図面を参照し
つつ詳細に説明する。図１には、本実施例の半導体パッ
ケージの断面が示されている。この半導体パッケージ
は、樹脂モールド５内に、チップ２と、チップ２上に設
けられ、樹脂モールド５の表面にその一面を露出させた
放熱板１と、絶縁材５上に設けられたインナーリード４
と、チップ２とインナーリード４とを接続するボンディ
ングワイヤ６とを有している。
つつ詳細に説明する。図１には、本実施例の半導体パッ
ケージの断面が示されている。この半導体パッケージ
は、樹脂モールド５内に、チップ２と、チップ２上に設
けられ、樹脂モールド５の表面にその一面を露出させた
放熱板１と、絶縁材５上に設けられたインナーリード４
と、チップ２とインナーリード４とを接続するボンディ
ングワイヤ６とを有している。
【００２１】放熱板１の樹脂モールド５の表面に露出さ
れる部分には、凹部８が形成され、この凹部８の底面に
エンボス加工が施され、放熱板１の表面は波状になって
いる。これにより、放熱板３の空気に対する伝熱面積が
増加し、チップ２の冷却効率が向上すると共に、凹部８
を設けることにより、モールドの際、樹脂がエンボス部
に流れ込むことがなく、従来の半導体パッケージの組立
工程がそのまま利用で きる。また、凹部８を設けること
により、放熱板の板厚が減少して軽量化されるため、リ
ードの多ピン化が進みリードのピンピッチが減少して
も、リードの強度が不足するようなことはなくなる。放
熱板１の表面処理は、エンボス加工に代えて、ディンプ
ル加工、その他これに類する処理を施しても良いことは
いうまでもない。
れる部分には、凹部８が形成され、この凹部８の底面に
エンボス加工が施され、放熱板１の表面は波状になって
いる。これにより、放熱板３の空気に対する伝熱面積が
増加し、チップ２の冷却効率が向上すると共に、凹部８
を設けることにより、モールドの際、樹脂がエンボス部
に流れ込むことがなく、従来の半導体パッケージの組立
工程がそのまま利用で きる。また、凹部８を設けること
により、放熱板の板厚が減少して軽量化されるため、リ
ードの多ピン化が進みリードのピンピッチが減少して
も、リードの強度が不足するようなことはなくなる。放
熱板１の表面処理は、エンボス加工に代えて、ディンプ
ル加工、その他これに類する処理を施しても良いことは
いうまでもない。
【００２２】なお、放熱板１の高さｈは、従来の放熱板
の高さ、例えば、上述した図４中に示されたｈ’と同様
にする。これにより、従来の金型を用いて樹脂モールド
を行うことができ経済的である。
の高さ、例えば、上述した図４中に示されたｈ’と同様
にする。これにより、従来の金型を用いて樹脂モールド
を行うことができ経済的である。
【００２３】なお、本実施例の半導体パッケージによれ
ば、２Ｗの出力によって発生したチップの発熱であって
も、放熱板１の放熱で５℃程度しか温度が上昇せず、凹
部８を有しないものに比べて放熱特性が遥かに向上し
た。また、本実施例の放熱板１を使用すると、放熱板を
使用していない場合におけるチップの発熱により上昇し
た温度から５０℃程度下げることができる。
ば、２Ｗの出力によって発生したチップの発熱であって
も、放熱板１の放熱で５℃程度しか温度が上昇せず、凹
部８を有しないものに比べて放熱特性が遥かに向上し
た。また、本実施例の放熱板１を使用すると、放熱板を
使用していない場合におけるチップの発熱により上昇し
た温度から５０℃程度下げることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体パッケー
ジ用放熱板においては、放熱板に凹部を設けて放熱板の
板厚を薄くし、この凹部の底面にエンボス加工を施した
ので、放熱性を維持しつつ、放熱板を軽量化することが
できる。したがって、より高出力化、高集積化された半
導体集積回路に対応することができる。
ジ用放熱板においては、放熱板に凹部を設けて放熱板の
板厚を薄くし、この凹部の底面にエンボス加工を施した
ので、放熱性を維持しつつ、放熱板を軽量化することが
できる。したがって、より高出力化、高集積化された半
導体集積回路に対応することができる。
【００２５】また、放熱板の半導体パッケージに接する
部分が凹部を画定する部分として残されるため、樹脂の
流れ込みを防止でき、従来の組立設備及び工程をそのま
ま利用することができる。
部分が凹部を画定する部分として残されるため、樹脂の
流れ込みを防止でき、従来の組立設備及び工程をそのま
ま利用することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】従来の放熱手段を示す平面図である。
【図３】従来の放熱手段を示す断面図である。
【図４】従来の放熱手段を示す断面図である。
【図５】従来の放熱手段を示す断面図である。
【図６】従来の放熱手段を示す断面図である。
１ 放熱板 ２ チップ ３ 樹脂モールド ４ インナーリード ５ 絶縁材 ６ ボンディングワイヤ ７ 平面部 ８ 凹部 ９ タブ １０ リード １１ 放熱フィン
フロントページの続き (72)発明者 香川 学 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 大場 誠 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (56)参考文献 実開 昭61−65754（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−172139（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 H01L 23/29
Claims (3)
- 【請求項１】半導体パッケージ内に埋め込まれ、少なく
とも一面が前記半導体パッケージ外に露出された半導体
パッケージ用放熱板において、前記放熱板の半導体パッ
ケージ外に露出された部分に、前記放熱板の板厚を減少
させた凹部を有し、その凹部の底面に所定サイズの多数
の凹凸を有することを特徴とする半導体パッケージ用放
熱板。 - 【請求項２】前記所定サイズの多数の凹凸は、ディンプ
ル形状を有する請求項１記載の半導体パッケージ用放熱
板。 - 【請求項３】前記凹部は、前記放熱板が前記半導体パッ
ケージに接する付近を除いて設けられる請求項１又は２
記載の半導体パッケージ用放熱板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19199793A JP3011579B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体パッケージ用放熱板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19199793A JP3011579B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体パッケージ用放熱板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722540A JPH0722540A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3011579B2 true JP3011579B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=16283898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19199793A Expired - Fee Related JP3011579B2 (ja) | 1993-07-06 | 1993-07-06 | 半導体パッケージ用放熱板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011579B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370842B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 칩사이즈패키지 |
| KR19990035568A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 패키지 |
| JP3280004B2 (ja) | 1999-10-18 | 2002-04-30 | エスエムシー株式会社 | 給電機構付き電磁弁マニホールド |
| JP2004349347A (ja) | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2012124409A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Elite Trading Co Ltd | Ｌｅｄ光源の反射及び放熱構造 |
| JP6710800B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2020-06-17 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| JP6357847B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-07-18 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-06 JP JP19199793A patent/JP3011579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722540A (ja) | 1995-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0578411B1 (en) | Plastic integrated circuit package with integral heat sink | |
| US5155579A (en) | Molded heat sink for integrated circuit package | |
| EP0712160B1 (en) | Leadframe with steps, semiconductor device incorporating such a leadframe, and methd for the manufacture of such a leadframe | |
| US7477520B2 (en) | Memory module | |
| US6700783B1 (en) | Three-dimensional stacked heat spreader assembly for electronic package and method for assembling | |
| JPH0613477A (ja) | 露出したダイ面を有する半導体パッケージ | |
| JP3011579B2 (ja) | 半導体パッケージ用放熱板 | |
| JP2845833B2 (ja) | ヒートシンク | |
| JPH04291750A (ja) | 放熱フィンおよび半導体集積回路装置 | |
| JPH02307251A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0547963A (ja) | パツケージ | |
| JPH0521665A (ja) | ヒートシンク付半導体パツケージ | |
| JPH05144983A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3058142B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JP2765242B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS62224049A (ja) | 電子装置 | |
| KR100213453B1 (ko) | 고방열용 반도체칩 패키지 | |
| JPH10335571A (ja) | メモリモジュールおよびメモリシステム | |
| JPH0621283A (ja) | ヒートシンク付半導体パッケージ | |
| JPH10294403A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0521666A (ja) | ヒートシンク付半導体パツケージ | |
| KR100202676B1 (ko) | 열방출용 버텀 리드 패키지 | |
| JPH04254359A (ja) | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置の実装構造 | |
| JPH07130932A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH11163229A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |