KR100370842B1 - 칩사이즈패키지 - Google Patents

칩사이즈패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100370842B1
KR100370842B1 KR1019950069097A KR19950069097A KR100370842B1 KR 100370842 B1 KR100370842 B1 KR 100370842B1 KR 1019950069097 A KR1019950069097 A KR 1019950069097A KR 19950069097 A KR19950069097 A KR 19950069097A KR 100370842 B1 KR100370842 B1 KR 100370842B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor chip
lead
compound
chip
size package
Prior art date
Application number
KR1019950069097A
Other languages
English (en)
Inventor
이길진
Original Assignee
앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 filed Critical 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
Priority to KR1019950069097A priority Critical patent/KR100370842B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100370842B1 publication Critical patent/KR100370842B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 칩 사이즈 패키지에 관한 것으로, 특히 기존의 반도체 패키지를 개선하여 경박단소화되도록 한 칩 사이즈 패키지에 관한 것이다. 이것은 반도체 칩(1)과, 상기 반도체 칩(1)에 와이어(2)를 매개체로 연결되는 리드(3)와, 상기 반도체 칩(1)의 저면에 부착되어 있는 히트싱크(4)와, 상기 반도체 칩, 와이어, 리드, 히트싱크를 감싸고 있는 컴파운드(5)로 구성되고, 상기 컴파운드(5)는 반도체 칩(1)과 와이어가 노출되지 않는 범위내에서 최대한 작게 형성되어 있고, 상기 리드(3)는 하향절곡된 후 재차 절곡되어 컴파운드(5)의 저면에 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지이다.

Description

칩 사이즈 패키지
본 발명은 칩 사이즈 패키지(Chip Size Package)에 관한 것으로, 특히 패키지의 크기를 반도체 칩의 크기와 비슷한 크기로 형성하여 경박단소화한 반도체 패키지를 제공하므로서, 적은 패키지의 크기로 고집적화및 고성능화 할수 있도록 한 반도체 패키지에 관한 것이다.
최근에 전자제품, 통신기기, 컴퓨터등 모든 반도체 관련 제품들은 소형화되어 가고 있는 바, 이와같이 전자제품들이 소형화되기 위해서는 먼저 반도체 패키지의 크기를 작게 형성하면서 그 성능은 고기능화 되어야 한다.
그러나, 이와같이 반도체 패키지의 크기를 작게 형성하기에는 종래의 반도체 패키지 제조방법과 구조로는 한계가 있기에 새로운 형태의 반도체 패키지 장치를 요구하게 되었다.
이렇게 되어 출현한 새로운 형태의 반도체 패키지를 CSP(Chip Size Package : 칩 사이즈 패키지)라 하는데, 이는 반도체 패키지의 크기를 반도체 칩의 크기와 비슷한 크기로 반도체 패키지를 형성함은 물론, 그 기능은 다 기능화하므로서 전자제품에 탑재시 그 탑재되는 면적을 최소화하여 제품의 소형화를 이룰수 있도록 한 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 패키지를 CSP(Chip Size Package)의 구조를 갖는 것으로, 반도체 칩에 형성된 칩패드에 직접 신호인출단자를 부착시킬수 있는 구조로 반도체 패키지를 성형하므로서 그 성능을 향상시키고, 반도체 패키지를 경박단소화함은 물론, 고기능을 갖는 칩 사이스 패키지를 제공함에 있다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 칩 사이즈 패키지(Chip Size Package)는 제 1 도에서와 같이 반도체 칩(1)과, 상기 반도체 칩(1)에 와이어(2)를 매개체로 연결되는 리드(3)와 상기반도체 칩(1)의 저면에 부착되어 있는 히트싱크(4)와, 상기 반도체 칩, 와이어, 리드, 히트싱크를 감싸고 있는 컴파운드(5)로 구성되며, 상기 컴파운드(5)는 반도체 칩(1)과 와이어(2)가 노출되지 않는 범위내에서 최대한 작게 형성되어 있고, 상기 리드(3)는 하향절곡된 후 재차 절곡되어 컴파운드(5)의 저면에 접촉되도록 형성된다. 여기서, 상기 히트싱크(4)는 반도체 칩(1)과 동일한 크기를 가지는 것이 바람직하다.
이때, 제 1B 도와 같이 상기 리드(3)의 측면과 하부면이 컴파운드(5)의 모서리에 인접하여 컴파운드(5) 외부로 돌출되어 질수도 있고, 제 1C 도에서와 같이 컴파운드(5)의 외부면과 동일면을 이루어 컴파운드(5) 모서리에 인접할 수도 있다.
제 1D 도에서 점선 부분으로 도시된 부분은 끼움홈(5A)을 도시한 것으로, 상기 리드(3)의 끝단에는 제 1E 도에 도시된 바와 같이 끼움돌기(3A)를 형성하여 컴파운드(5)의 끼움홈(5A)에 끼워지게 하여 주므로서 리드(3)의 절곡 성형상태를 더욱 향상 시킨다.
여기서, 상기 히트싱크(4)는 반도체칩(1)과 동일한 면적을 가지면서 일면은 컴파운드(5)의 저면 외부로 노출되어 있되, 그 두께는 반도체 칩(1) 보다 상당히 작은 것이 바람직하다.
제 2 도는 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 도면으로, 반도체 칩(1)의 저면에 리드프레임의 반도체 칩 탑재판(7)을 구성하고, 리드(3)를 상기 리드 프레임의 반도체 칩 탑재판(7)보다 높은 위치에 형성시켜서 와이어(2)의 높이를 감소시켜 주므로서 컴파운드(5)의 전체 높이를 더욱 감소시켜 결국 패키지의 두께를 더욱 작게 형성할 수 있는 것이다.
이때, 상기 리드(3)는 상방향으로 절곡시킨 다음, 다시 컴파운드(5)의 상면에 접착되도록 수평으로 절곡시킨다. 여기서, 상기 탑재판(7)의 하부면은 컴파운드(5)의 외부로 직접 노출되므로 히트싱크의 역할을 하게 된다.
본 발명의 다른 실시예로서 제 3 도에 도시된 바와 같이 패키지의 저면 즉, 컴파운드(5)의 저면으로 절곡시키는 것도 바람직하다. 또한, 본 발명의 칩 사이즈 패키지는 제 4 도와 같이 반도체 칩(1)과 리드(3)의 연결수단을 와이어(2) 대신 범프(8 ; Bump)를 이용하여 와이어 높이를 없애 주므로서 패키지의 크기를 더욱 축소시킬 수 있다.
즉, 상기 리드(3)는 컴파운드(5)의 저면에서 상방향으로 절곡되고, 다시 외부면에 접하여 연장되어 컴파운드의 상부면 위에서 절곡되어 연장된 상기 리드가 범프(8)로 반도체 칩에 부착된다.
한편, 본 발명에 적용되는 리드프레임의 반도체 칩 탑재판은 제 5 도에 도시된 바와 같이 리드프레임의 반도체 칩 탑재판(7)의 사방 모서리부분(a)과 주앙부분(b)에 일정한 공간을 형성하여 잘라낸 것으로, 반도체 칩(1)과 리드프레임의 반도체 칩 탑재판(7)의 접착면적을 최대한 감소시켜서 상기 반도체 칩(1)과 리드 프레임의 반도체 칩 탑재판(7)의 서로 다른 열팽창으로 인한 크랙(Crack)등을 방지할 수 있다. 여기서 도면의 점선 부분은 반도체 칩(1)이 접하는 부분이다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명의 반도체 패키지는 그 크기를 반도체 칩의 크기와 거의 비슷한 크기로 형성하여 경박단소화한 패키지를 제공하면서, 적은 패키지의 크기로 고집적화및 고성능화 할수 있는 효과가 있다.
제 1A 도 내지 제 1E 도는 본 발명에 따른 칩 사이즈 패키지 및 그 제조과정을 도시한 도면
제 2A 도와 제 2B 도는 본 발명의 다른 일 실시예와 그 제조과정을 도시한 도면
제 3 도는 본 발명의 또 다른 일 실시예를 도시한 도면
제 4 도는 본 발명의 또 다른 일 실시예를 도시한 도면
제 5 도는 본 발명에 적용되는 탑재판의 일 실시예를 도시한 도면
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 ; 반도체 칩 2 ; 와이어
3 ; 리드 4 ; 히트싱크
5 ; 컴파운드 8 ; 범프

Claims (8)

  1. 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩의 외주연 방향으로 일정 길이 연장된 후, 하향 절곡되고, 다시 내측으로 일정 길이 연장되도록 절곡됨으로써, 대략 "ㄷ"자 형태를 하는 다수의 리드와;
    상기 반도체 칩과 상기 리드의 상부면을 상호 전기적으로 연결하는 다수의 도전성 와이어와;
    상기 반도체 칩의 저면에, 상기 반도체 칩의 면적과 동일면적을 가지며 부착된 히트싱크와;
    상기 반도체 칩, 도전성 와이어, 히트싱크 및 리드를 감싸되, 상기 리드의 절곡된 하부면 및 측면이 외부로 노출되도록 하는 컴파운드를 포함하여 이루어진 칩 사이즈 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드는 그 측면과 하부면이 컴파운드의 하부 모서리에 인접하여 컴파운드 외부로 나와 있고, 상기 리드의 상부면이 리드프레임의 반도체 칩 탑재판 상부면과 일치하게 수평으로 연장된 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리드는 그 측면과 하부면이 컴파운드의 외부면과 동일면을 이루어 컴파운드 하부 모서리에 인접하고, 상기 리드의 상부면이 리드프레임의 반도체 칩 탑재판 상부면과 일치하게 수평으로 연장된 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 와이어의 높이를 감소시켜 주므로서 컴파운드의 전체 높이를 더욱 감소시키도록 반도체 칩의 저면에 탑재판을 구성하고, 리드의 측면과 상부면을 컴파운드의 상부 모서리에 인접하도록 하고, 상기 리드의 하부면이 반도체 칩의 상부면 바로 아래 위치하도록 한 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
  5. 제4항에 있어서, 상기 리드는 그 측면과 하부면이 컴파운드의 외부면과 동일면을 이루어 컴파운드 하부 모서리에 인접하고, 상기 리드의 상부면은 반도체 칩의 상부면 바로 아래 위치하도록 한 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
  6. 반도체 칩과;
    상기 반도체 칩의 외주연 방향으로 일정 길이 연장된 후, 하향 절곡되고, 다시 내측으로 일정 길이 연장되도록 절곡됨으로써, 대략 "ㄷ"자 형태를 하는 다수의 리드와;
    상기 반도체 칩과 상기 리드의 상단부를 상호 전기적으로 연결하는 다수의 도전성 범프와;
    상기 반도체 칩의 저면에, 상기 반도체 칩의 면적과 동일면적을 가지며 부착된 히트싱크와;
    상기 반도체 칩, 도전성 와이어, 히트싱크 및 리드를 감싸되, 상기 리드의 절곡된 하부면 및 측부면이 외부로 노출되도록 하는 컴파운드를 포함하여 이루어진 칩 사이즈 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 리드의 끝이 컴파운드의 끼움홈에 끼워지도록 끼움돌기를 형성하는 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 리드프레임의 반도체 칩 탑재판의 중앙부분과 사방 모서리 부분이 일정한 공간을 형성하도록 잘라내어 상기 리드프레임의 칩 탑재판과 반도체 칩의 열팽창으로 인한 크랙을 방지하도록 한 것을 특징으로 하는 칩 사이즈 패키지.
KR1019950069097A 1995-12-30 1995-12-30 칩사이즈패키지 KR100370842B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069097A KR100370842B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 칩사이즈패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950069097A KR100370842B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 칩사이즈패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100370842B1 true KR100370842B1 (ko) 2003-06-19

Family

ID=37416481

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950069097A KR100370842B1 (ko) 1995-12-30 1995-12-30 칩사이즈패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100370842B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06104364A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Sony Corp リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型
JPH06177311A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0722540A (ja) * 1993-07-06 1995-01-24 Dainippon Printing Co Ltd 半導体パッケージ用放熱板
JPH07249707A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体パッケージ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06104364A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Sony Corp リードフレーム、これを用いた半導体チップのモールド方法及びモールド用金型
JPH06177311A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH0722540A (ja) * 1993-07-06 1995-01-24 Dainippon Printing Co Ltd 半導体パッケージ用放熱板
JPH07249707A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体パッケージ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6777819B2 (en) Semiconductor package with flash-proof device
US7994633B2 (en) Substrate for electrical device
US7700404B2 (en) Large die package structures and fabrication method therefor
KR20010037247A (ko) 반도체패키지
JP2002368157A (ja) モノリシック・マイクロ波集積回路パッケージ
US6967395B1 (en) Mounting for a package containing a chip
KR19980032479A (ko) 표면 설치 to-220 패키지 및 그의 제조 공정
JPH08250641A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH03108744A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2003086726A (ja) 高電力モノリシックマイクロ波集積回路パッケージ
US6313519B1 (en) Support for semiconductor bond wires
US5326932A (en) Semiconductor package
JP2001035961A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100370842B1 (ko) 칩사이즈패키지
KR100726762B1 (ko) 반도체 리드프레임과 이를 채용한 반도체 패키지
JPH09330994A (ja) 半導体装置
KR100260996B1 (ko) 리드프레임을 이용한 어레이형 반도체패키지 및 그 제조 방법
US6118173A (en) Lead frame and a semiconductor device
KR100704311B1 (ko) 내부리드 노출형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법
JP2002124597A (ja) プラスチックで取り囲まれた構成素子を製作する方法及びプラスチックで取り囲まれた構成素子
KR100384080B1 (ko) 반도체 패키지
KR100481927B1 (ko) 반도체패키지및그제조방법
KR0141945B1 (ko) 방열판을 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지
KR950008240B1 (ko) 반도체 패키지
KR200313831Y1 (ko) 바텀리드패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130116

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140121

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term