JPH06177311A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH06177311A JPH06177311A JP34989592A JP34989592A JPH06177311A JP H06177311 A JPH06177311 A JP H06177311A JP 34989592 A JP34989592 A JP 34989592A JP 34989592 A JP34989592 A JP 34989592A JP H06177311 A JPH06177311 A JP H06177311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- metal film
- electrode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Abstract
(57)【要約】
【目的】表面実装型の樹脂封止された半導体装置におい
て、リードの狭ピッチ化（ 0.5mm以下）、多ピン化（ 2
00〜 300本）に対する市場のニーズは大きい。アウター
リードを成型して得られる上記パッケージでは、リード
成型が困難になると共に、リードの浮き等によるリード
平坦性の欠如や、リード曲り等によるリード間の短絡
等、実装時のトラブルが問題となっている。狭ピッチ
化、多ピン化を容易にし、成型の不具合による品質の悪
化を防ぐ。 【構成】本発明は、樹脂表面と等しい面に、端末の断面
が露出するリードと、該リード断面に連接して樹脂表面
に被着される電極引き出し用金属膜とを具備する半導体
装置である。すなわち従来のアウターリードの代わり
に、前記金属膜を電極引き出し用導体として使用するも
のである。
て、リードの狭ピッチ化（ 0.5mm以下）、多ピン化（ 2
00〜 300本）に対する市場のニーズは大きい。アウター
リードを成型して得られる上記パッケージでは、リード
成型が困難になると共に、リードの浮き等によるリード
平坦性の欠如や、リード曲り等によるリード間の短絡
等、実装時のトラブルが問題となっている。狭ピッチ
化、多ピン化を容易にし、成型の不具合による品質の悪
化を防ぐ。 【構成】本発明は、樹脂表面と等しい面に、端末の断面
が露出するリードと、該リード断面に連接して樹脂表面
に被着される電極引き出し用金属膜とを具備する半導体
装置である。すなわち従来のアウターリードの代わり
に、前記金属膜を電極引き出し用導体として使用するも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関するもので、特に樹脂パッケージの、リードピッチ
が狭ピッチ（例えば 0.5mm以下）で多ピンの（例えば 2
00本以上）表面実装型のパッケージに使用されるもので
ある。
に関するもので、特に樹脂パッケージの、リードピッチ
が狭ピッチ（例えば 0.5mm以下）で多ピンの（例えば 2
00本以上）表面実装型のパッケージに使用されるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型パッケージの半導体装置を、
機器に実装する方式は、大別してピン挿入型と表面実装
型（ＳＭＴ）に分けられる。周知のように、表面実装型
は、基板にリード線を通す穴を設けず、基板表面に作ら
れた導体パターンと、基板表面のみを用いて電気的接続
を行なうデバイス搭載方法である。表面実装型は、小型
化、生産性、信頼性等に対し、ピン挿入型より有利であ
り、その応用が拡大されている。
機器に実装する方式は、大別してピン挿入型と表面実装
型（ＳＭＴ）に分けられる。周知のように、表面実装型
は、基板にリード線を通す穴を設けず、基板表面に作ら
れた導体パターンと、基板表面のみを用いて電気的接続
を行なうデバイス搭載方法である。表面実装型は、小型
化、生産性、信頼性等に対し、ピン挿入型より有利であ
り、その応用が拡大されている。
【０００３】このような表面実装型樹脂封止半導体装置
の従来例について説明する。図１０は、 4方向にリード
を持つＱＦＰ（Quad Flat Package ）と呼ばれるフラッ
トパッケージの半導体装置の実装状態を示す斜視図であ
る。樹脂封止体１からアウターリード２が外に向かって
突出し、リードフォーミング装置によってリードの外形
がガルウイング（Gull Wing ）型に成形されている。こ
の半導体装置は、実装用基板３上に形成された導体パタ
ーン４の所定位置に載置され、アウターリード２と導体
パターン４とは、はんだ付け等により固着される。
の従来例について説明する。図１０は、 4方向にリード
を持つＱＦＰ（Quad Flat Package ）と呼ばれるフラッ
トパッケージの半導体装置の実装状態を示す斜視図であ
る。樹脂封止体１からアウターリード２が外に向かって
突出し、リードフォーミング装置によってリードの外形
がガルウイング（Gull Wing ）型に成形されている。こ
の半導体装置は、実装用基板３上に形成された導体パタ
ーン４の所定位置に載置され、アウターリード２と導体
パターン４とは、はんだ付け等により固着される。
【０００４】近年、ＬＳＩ及び超ＬＳＩの時代になっ
て、樹脂パッケージのリードピッチも（ 0.8→0.65→
0.5→ 0.4→ 0.3→）mmと狭ピッチ化され、リードの幅
も0.15mm以下にまで短縮される傾向にある。またピン数
も 200本〜 300本と多ピン化されると共に装置も大型化
されてきた。これによりリードの平坦性（同一平面性で
例えばすべてのリードのはんだ付け面５が同一平面上に
あること）、リードの曲りといった問題がクローズアッ
プされてきた。
て、樹脂パッケージのリードピッチも（ 0.8→0.65→
0.5→ 0.4→ 0.3→）mmと狭ピッチ化され、リードの幅
も0.15mm以下にまで短縮される傾向にある。またピン数
も 200本〜 300本と多ピン化されると共に装置も大型化
されてきた。これによりリードの平坦性（同一平面性で
例えばすべてのリードのはんだ付け面５が同一平面上に
あること）、リードの曲りといった問題がクローズアッ
プされてきた。
【０００５】特にアウターリードピッチＰが 0.5mm以下
になってくると、リード成形が困難になると共に、基板
搭載直前まで細いリードを精度よく保つことは難しく、
実装時、リードの浮きや、リード間の短絡等、種々トラ
ブルが発生し問題になっている。
になってくると、リード成形が困難になると共に、基板
搭載直前まで細いリードを精度よく保つことは難しく、
実装時、リードの浮きや、リード間の短絡等、種々トラ
ブルが発生し問題になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これまで述べたよう
に、ＬＳＩの高集積化、多機能化は日進月歩で、それに
伴い、樹脂封止型パッケージの半導体装置においても、
リードの狭ピッチ化、多ピン化、大型化が要求されてい
る。しかしながら前記のように従来のパッケージ構造で
は、リードの浮きや曲り等を防止しようとすると、管理
する項目が多く、安定した品質の樹脂封止型パッケージ
を実装現場に供給することは困難な問題である。
に、ＬＳＩの高集積化、多機能化は日進月歩で、それに
伴い、樹脂封止型パッケージの半導体装置においても、
リードの狭ピッチ化、多ピン化、大型化が要求されてい
る。しかしながら前記のように従来のパッケージ構造で
は、リードの浮きや曲り等を防止しようとすると、管理
する項目が多く、安定した品質の樹脂封止型パッケージ
を実装現場に供給することは困難な問題である。
【０００７】本発明は、樹脂封止型半導体装置におい
て、前記問題点を改善し、樹脂パッケージのリードの狭
ピッチ化、多ピン化が容易であり、アウターリードの成
型の不具合等が原因で品質が劣化するのを防ぐことので
きる安価なパッケージ構造を持つ半導体装置を提供する
ことを目的とする。
て、前記問題点を改善し、樹脂パッケージのリードの狭
ピッチ化、多ピン化が容易であり、アウターリードの成
型の不具合等が原因で品質が劣化するのを防ぐことので
きる安価なパッケージ構造を持つ半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、樹脂封止され
た半導体装置の樹脂表面と実質的に等しい面に端末の断
面が露出するリードと、該リード断面に連接して樹脂表
面に被着される電極引き出し用金属膜とを具備すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
た半導体装置の樹脂表面と実質的に等しい面に端末の断
面が露出するリードと、該リード断面に連接して樹脂表
面に被着される電極引き出し用金属膜とを具備すること
を特徴とする樹脂封止型半導体装置である。
【０００９】
【作用】この発明のパッケージは、従来の樹脂封止体か
ら外に出でいるリード部分（アウターリードと呼ぶ）
を、その根元から切断除去し、露出する断面に連接する
金属膜を樹脂表面に被着し、この金属膜をアウターリー
ドに代わる電極引き出し用金属膜としたものである。す
なわちこの金属膜は基板実装時は、基板との接点とな
る。
ら外に出でいるリード部分（アウターリードと呼ぶ）
を、その根元から切断除去し、露出する断面に連接する
金属膜を樹脂表面に被着し、この金属膜をアウターリー
ドに代わる電極引き出し用金属膜としたものである。す
なわちこの金属膜は基板実装時は、基板との接点とな
る。
【００１０】この金属膜は、例えばマスクを使用したス
パッタリングにより、あるいはスクリーン印刷法等によ
り形成され、樹脂表面に固着される。
パッタリングにより、あるいはスクリーン印刷法等によ
り形成され、樹脂表面に固着される。
【００１１】これにより、樹脂封止後のアウターリード
の成型が不要となり、アウターリードの成型の不具合に
起因するトラブルは防止される。
の成型が不要となり、アウターリードの成型の不具合に
起因するトラブルは防止される。
【００１２】本発明の電極引き出し用金属膜は、樹脂表
面に固着されているので、従来のアウターリードのよう
に取り扱いに起因するリードの変形等のトラブルは防止
される。
面に固着されているので、従来のアウターリードのよう
に取り扱いに起因するリードの変形等のトラブルは防止
される。
【００１３】また本発明の電極引き出し用金属膜は、そ
のピッチ等の寸法精度は、従来のアウターリードのピッ
チ寸法等に比し高精度でかつ固着されているので、狭ピ
ッチ化、多ピン（リード）化が容易である。
のピッチ等の寸法精度は、従来のアウターリードのピッ
チ寸法等に比し高精度でかつ固着されているので、狭ピ
ッチ化、多ピン（リード）化が容易である。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１５】図１は、本発明の樹脂封止型半導体装置の
第１実施例のパッケージの一部を示す斜視図であり、図
２は、図１に示すＡ−Ｂ−Ｃ線を含む平面により切断し
た要部拡大断面図である。本装置は、 4方向にリードが
出るＱＦＰ型パッケージの装置に本発明を適用したもの
で、リード本数 208本、ピッチ 0.5mmである。
第１実施例のパッケージの一部を示す斜視図であり、図
２は、図１に示すＡ−Ｂ−Ｃ線を含む平面により切断し
た要部拡大断面図である。本装置は、 4方向にリードが
出るＱＦＰ型パッケージの装置に本発明を適用したもの
で、リード本数 208本、ピッチ 0.5mmである。
【００１６】図示してないが、半導体素子は、樹脂封止
体１１により樹脂封止されている。符号１２ａはＦe ／
Ｎi 合金から成るリード（波線で示し、インナーリード
と呼ばれる）で、図示しない一方の端末は、半導体素子
ペレットの電極に接続され、他方の端末の断面１６は、
樹脂表面１７と実質的に等しい面に露出している。符号
１５は、電極引きだし用金属膜で、図２に示すように、
前記リード断面１６に連接し、かつ樹脂表面１７に被着
されたＡu 膜１３と、はんだ１４とから成る積層膜であ
る。
体１１により樹脂封止されている。符号１２ａはＦe ／
Ｎi 合金から成るリード（波線で示し、インナーリード
と呼ばれる）で、図示しない一方の端末は、半導体素子
ペレットの電極に接続され、他方の端末の断面１６は、
樹脂表面１７と実質的に等しい面に露出している。符号
１５は、電極引きだし用金属膜で、図２に示すように、
前記リード断面１６に連接し、かつ樹脂表面１７に被着
されたＡu 膜１３と、はんだ１４とから成る積層膜であ
る。
【００１７】なお、リード１２ａの露出する断面１６と
樹脂表面１７との段差はないことが望ましいが、断面１
６は、後述するようにアウターリードを機械的に切断し
て形成されるので、面だれ等を生じやすい。上記樹脂表
面１７と実質的に等しい面とは、このような面だれを生
じた断面１６等を含むことを意味する。また上記実施例
で金属膜１５は積層膜であるが、単層の金属膜であって
も、あるいは 2層以上の多層から成る積層膜であっても
差し支えない。
樹脂表面１７との段差はないことが望ましいが、断面１
６は、後述するようにアウターリードを機械的に切断し
て形成されるので、面だれ等を生じやすい。上記樹脂表
面１７と実質的に等しい面とは、このような面だれを生
じた断面１６等を含むことを意味する。また上記実施例
で金属膜１５は積層膜であるが、単層の金属膜であって
も、あるいは 2層以上の多層から成る積層膜であっても
差し支えない。
【００１８】次に図１に示す半導体装置の製造方法の概
要について、図１ないし図５を参照して説明する。
要について、図１ないし図５を参照して説明する。
【００１９】図３は、半導体素子を樹脂封止した後の該
装置を示す一部省略斜視図である。樹脂封止体１１の樹
脂表面１７から、外に向かってリード１２ｂ（アウター
リードと呼ばれる）が出ている。
装置を示す一部省略斜視図である。樹脂封止体１１の樹
脂表面１７から、外に向かってリード１２ｂ（アウター
リードと呼ばれる）が出ている。
【００２０】次に図４に示すように、アウターリード１
２ｂを公知の機械的切断により、樹脂表面１７に沿って
切断除去する。これによりリード１２ａの端末断面１６
は樹脂表面１７と実質的に等しい面に露出する。
２ｂを公知の機械的切断により、樹脂表面１７に沿って
切断除去する。これによりリード１２ａの端末断面１６
は樹脂表面１７と実質的に等しい面に露出する。
【００２１】次に図５に示すように、電極引き出し用金
属膜を被着する樹脂表面１７の領域及び端末断面１６に
対し開口する金属製マスク１８（便宜上斜線で示す）で
パッケージを覆う。次にスパッタリングまたは蒸着によ
り、図２に示すようにリード１２ａの端末断面１６及び
樹脂表面１７の開口部分にＡu 膜１３を被着する。
属膜を被着する樹脂表面１７の領域及び端末断面１６に
対し開口する金属製マスク１８（便宜上斜線で示す）で
パッケージを覆う。次にスパッタリングまたは蒸着によ
り、図２に示すようにリード１２ａの端末断面１６及び
樹脂表面１７の開口部分にＡu 膜１３を被着する。
【００２２】次にＰb ／Ｓn 等の溶融液に浸漬（ dip）
してＡu 膜１３上にはんだ１４を付着して、図２に示す
ように、Ａu 膜１３及びはんだ１４から成る積層の電極
引き出し用金属膜１５を形成し、図１に示す樹脂封止型
半導体装置が得られる。
してＡu 膜１３上にはんだ１４を付着して、図２に示す
ように、Ａu 膜１３及びはんだ１４から成る積層の電極
引き出し用金属膜１５を形成し、図１に示す樹脂封止型
半導体装置が得られる。
【００２３】金属膜１５を樹脂表面に被着するのに、ス
クリーン印刷法で行なうこともできる。またホトリソグ
ラフィ技術によることも考えられる。また金属膜１５と
してＡl 等も使用できる。
クリーン印刷法で行なうこともできる。またホトリソグ
ラフィ技術によることも考えられる。また金属膜１５と
してＡl 等も使用できる。
【００２４】図１に示す樹脂封止型半導体装置において
は、電極引き出し用金属膜１５は、従来の装置のアウタ
ーリードと同様の作用をするが、その形成は、前述のよ
うにマスクを使用するスパッタリング、あるいはスクリ
ーン印刷等によりパターニングされるので、高い寸法精
度が得られる。図６は、図５に示す矢線Ｆ方向からみた
模式的な樹脂封止体１１の側面図で、端末断面１６のピ
ッチ（Ｐn ，Ｐn+1 ，Ｐn+2 ，…）と金属膜１５のピッ
チ（Ｐm ，Ｐm+1 ，Ｐm+2 ，…）を示す。一般に端末断
面１６のピッチの変動Ｄn は金属膜１５のピッチの変動
Ｄm に比較して大きい。したがって従来のパッケージの
リードピッチに比較して、本発明では、高い精度のリー
ドピッチが得られる。すなわち端末断面１６のピッチに
多少のばらつきがあっても、金属膜１５を形成すること
によりばらつきは是正される。
は、電極引き出し用金属膜１５は、従来の装置のアウタ
ーリードと同様の作用をするが、その形成は、前述のよ
うにマスクを使用するスパッタリング、あるいはスクリ
ーン印刷等によりパターニングされるので、高い寸法精
度が得られる。図６は、図５に示す矢線Ｆ方向からみた
模式的な樹脂封止体１１の側面図で、端末断面１６のピ
ッチ（Ｐn ，Ｐn+1 ，Ｐn+2 ，…）と金属膜１５のピッ
チ（Ｐm ，Ｐm+1 ，Ｐm+2 ，…）を示す。一般に端末断
面１６のピッチの変動Ｄn は金属膜１５のピッチの変動
Ｄm に比較して大きい。したがって従来のパッケージの
リードピッチに比較して、本発明では、高い精度のリー
ドピッチが得られる。すなわち端末断面１６のピッチに
多少のばらつきがあっても、金属膜１５を形成すること
によりばらつきは是正される。
【００２５】電極引き出し用金属膜１５は樹脂表面に固
着されているので従来技術で問題となったリードの浮き
や曲りは著しく改善され、良好なリードの平坦性が得ら
れ、実装基板に搭載する直前まで高精度を維持できる。
また本発明においては、アウターリード成型金型を省略
できるので、成型の不具合に起因する品質の劣化は防止
され、安価なパッケージを提供できる。
着されているので従来技術で問題となったリードの浮き
や曲りは著しく改善され、良好なリードの平坦性が得ら
れ、実装基板に搭載する直前まで高精度を維持できる。
また本発明においては、アウターリード成型金型を省略
できるので、成型の不具合に起因する品質の劣化は防止
され、安価なパッケージを提供できる。
【００２６】次に、図１に示す本発明の半導体装置にお
いて、端末断面１６に連接する電極引き出し用金属膜１
５近傍（以下要部と略記する）の構造が、図２に示す第
１実施例と異なる例について説明する。
いて、端末断面１６に連接する電極引き出し用金属膜１
５近傍（以下要部と略記する）の構造が、図２に示す第
１実施例と異なる例について説明する。
【００２７】図７は、前記要部構造の第２実施例を示す
もので、同図（ａ）は拡大断面図、同図（ｂ）は要部正
面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜１５の
側面に沿って、樹脂封止体１１にはんだ流れ防止用溝１
９を掘ったものである。実装時等において隣り合う金属
膜１５のはんだによる短絡を防止するものである。
もので、同図（ａ）は拡大断面図、同図（ｂ）は要部正
面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜１５の
側面に沿って、樹脂封止体１１にはんだ流れ防止用溝１
９を掘ったものである。実装時等において隣り合う金属
膜１５のはんだによる短絡を防止するものである。
【００２８】図８は前記要部構造の第３実施例を示す拡
大断面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜１
５ａを樹脂封止体下面まで延在したものである。
大断面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜１
５ａを樹脂封止体下面まで延在したものである。
【００２９】図９は、前記要部構造の第４実施例を示す
拡大断面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜
１５ｂを形成する樹脂表面領域を掘って凹部２０を設
け、金属膜１５ｂの主要部分を凹部２０内に形成する。
なお所望により端末の断面１６に、金属膜１５ｂが被着
しないようにすることも容易にできる。
拡大断面図である。本実施例は、電極引き出し用金属膜
１５ｂを形成する樹脂表面領域を掘って凹部２０を設
け、金属膜１５ｂの主要部分を凹部２０内に形成する。
なお所望により端末の断面１６に、金属膜１５ｂが被着
しないようにすることも容易にできる。
【００３０】前記実施例においては、ＱＦＰ型パッケー
ジについて述べたが、本発明は、ＳＯＰ（Small Outlin
e Package ）等の表面実装型パッケージ全般に適用でき
ることは勿論である。
ジについて述べたが、本発明は、ＳＯＰ（Small Outlin
e Package ）等の表面実装型パッケージ全般に適用でき
ることは勿論である。
【００３１】また、リードの材質もＦe ／Ｎi 合金にか
かわらず、Ｃu 合金などにも応用可能である。
かわらず、Ｃu 合金などにも応用可能である。
【００３２】前記実施例においては、電極引き出し用金
属膜は、樹脂パッケージの下面に向かって形成されてい
るが、所望により樹脂パッケージの上面に出るように形
成されても差し支えない。
属膜は、樹脂パッケージの下面に向かって形成されてい
るが、所望により樹脂パッケージの上面に出るように形
成されても差し支えない。
【００３３】
【発明の効果】これまで述べたように、本発明の樹脂封
止型半導体装置においては、従来のアウターリードに代
えて、樹脂表面に露出するリード断面に連接しかつ樹脂
表面に被着する金属膜を電極引き出し用導体として使用
するので、従来の問題点は改善され、樹脂パッケージの
狭ピッチ化、多ピン化が容易であり、アウターリードの
成型の不具合等が原因で品質が劣化するのを防ぐことが
できる安価なパッケージ構造を持つ半導体装置を提供す
ることができた。
止型半導体装置においては、従来のアウターリードに代
えて、樹脂表面に露出するリード断面に連接しかつ樹脂
表面に被着する金属膜を電極引き出し用導体として使用
するので、従来の問題点は改善され、樹脂パッケージの
狭ピッチ化、多ピン化が容易であり、アウターリードの
成型の不具合等が原因で品質が劣化するのを防ぐことが
できる安価なパッケージ構造を持つ半導体装置を提供す
ることができた。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の樹脂パッケー
ジの一部を示す斜視図である。
ジの一部を示す斜視図である。
【図２】図１に示す樹脂パッケージの要部拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】図１に示す半導体装置の樹脂封止後のパッケー
ジの一部を示す斜視図である。
ジの一部を示す斜視図である。
【図４】図３に続く製造工程を示す斜視図である。
【図５】図４に続く製造工程を示す斜視図である。
【図６】樹脂表面に露出するリード断面と、電極引き出
し用金属膜とのそれぞれのピッチ精度を説明するための
パッケージの側面図である。
し用金属膜とのそれぞれのピッチ精度を説明するための
パッケージの側面図である。
【図７】要部構造の第２実施例を示すもので、同図
（ａ）は拡大断面図、同図（ｂ）は要部の正面図であ
る。
（ａ）は拡大断面図、同図（ｂ）は要部の正面図であ
る。
【図８】要部構造の第３実施例を示す拡大断面図であ
る。
る。
【図９】要部構造の第４実施例を示す拡大断面図であ
る。
る。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の実装状態の一
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
１，１１ 樹脂封止体 ２，１２ｂ アウターリード １２ａ インナーリード １３，１３ａ，１３ｂ Ａu 膜 １４，１４ａ，１４ｂ はんだ １５，１５ａ，１５ｂ 電極引き出し用金属膜 １６ 端末の断面 １７ リード断面が露出する樹脂表面 １８ マスク
Claims (1)
- 【請求項１】樹脂封止された半導体装置の樹脂表面と実
質的に等しい面に端末の断面が露出するリードと、該リ
ード断面に連接して樹脂表面に被着される電極引き出し
用金属膜とを具備することを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34989592A JPH06177311A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34989592A JPH06177311A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177311A true JPH06177311A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18406838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34989592A Withdrawn JPH06177311A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177311A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232498A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| KR20010019659A (ko) * | 1999-08-30 | 2001-03-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 인쇄회로기판 |
| KR100370842B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 칩사이즈패키지 |
| EP2133916A3 (en) * | 2008-05-30 | 2010-03-03 | Jum-Chae Yoon | Semiconductor packages having electromagnetic interference-shielding function, manufacturing method thereof and jig |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP34989592A patent/JPH06177311A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100370842B1 (ko) * | 1995-12-30 | 2003-06-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 칩사이즈패키지 |
| JPH09232498A (ja) * | 1996-02-23 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| KR20010019659A (ko) * | 1999-08-30 | 2001-03-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지용 인쇄회로기판 |
| EP2133916A3 (en) * | 2008-05-30 | 2010-03-03 | Jum-Chae Yoon | Semiconductor packages having electromagnetic interference-shielding function, manufacturing method thereof and jig |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6465734B2 (en) | Resin sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing circuit member | |
| KR960002495B1 (ko) | 개량된 리드를 갖는 반도체장치 | |
| JP3007833B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法 | |
| US5882955A (en) | Leadframe for integrated circuit package and method of manufacturing the same | |
| US5994767A (en) | Leadframe for integrated circuit package and method of manufacturing the same | |
| EP1406300B1 (en) | Method of manufacturing a lead frame | |
| JPS61196564A (ja) | フイルムキヤリヤ集積回路とその製造方法 | |
| US20020086514A1 (en) | Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device | |
| US20060097408A1 (en) | Semiconductor package device and method for fabricating the same | |
| KR100282003B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
| JPH06177311A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR100431307B1 (ko) | 캐패시터 내장형 칩 사이즈 패키지 및 그의 제조방법 | |
| US20030164303A1 (en) | Method of metal electro-plating for IC package substrate | |
| JP2890621B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2784248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03185754A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2933554B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP7408885B2 (ja) | リードフレーム | |
| US6635407B1 (en) | Two pass process for producing a fine pitch lead frame by etching | |
| JPH01223755A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH03171760A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3351878B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06232317A (ja) | 多端子電子部品とその製造方法 | |
| JP3230318B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS622560A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |