JPH08139223A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08139223A JPH08139223A JP6274978A JP27497894A JPH08139223A JP H08139223 A JPH08139223 A JP H08139223A JP 6274978 A JP6274978 A JP 6274978A JP 27497894 A JP27497894 A JP 27497894A JP H08139223 A JPH08139223 A JP H08139223A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性の良好なＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置を提供することを目
的とする。 【構成】 基板の半導体素子搭載面と反対側の面にボー
ル電極がマトリクス状に配置され且つ半導体素子の搭載
面側が樹脂封止されている半導体装置において、前記の
封止樹脂内には、半導体素子に対向する熱伝導体が埋設
されている。
Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置を提供することを目
的とする。 【構成】 基板の半導体素子搭載面と反対側の面にボー
ル電極がマトリクス状に配置され且つ半導体素子の搭載
面側が樹脂封止されている半導体装置において、前記の
封止樹脂内には、半導体素子に対向する熱伝導体が埋設
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関するもので、特にＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）タイプの半導体装置の改良に関するものであ
る。
関するもので、特にＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）タイプの半導体装置の改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等のリードがパッケージの側方から突出
したタイプの半導体装置では、半導体素子がパッケージ
の外部リードを構成する材料に直接搭載されており、半
導体素子から発生する熱はほとんとがこの外部リードを
通して放散されるようになっている。そのため、半導体
素子の上側に金属板などの放熱材を設けてもこれによる
放熱効果の増大はあまり期待できないしその必要性も少
ない。例えば、特開平４−１２７４５６号には、半導体
素子の周囲を覆う無吸湿材料をパッケージのモールド樹
脂内に埋設させた例又はその一部をパッケージの外部に
露出させた例が開示されているが、この無吸湿材料の埋
設は外部からの水分侵入防止という効果があるものの放
熱のための効果はほとんど期待できない。
ａｃｋａｇｅ）等のリードがパッケージの側方から突出
したタイプの半導体装置では、半導体素子がパッケージ
の外部リードを構成する材料に直接搭載されており、半
導体素子から発生する熱はほとんとがこの外部リードを
通して放散されるようになっている。そのため、半導体
素子の上側に金属板などの放熱材を設けてもこれによる
放熱効果の増大はあまり期待できないしその必要性も少
ない。例えば、特開平４−１２７４５６号には、半導体
素子の周囲を覆う無吸湿材料をパッケージのモールド樹
脂内に埋設させた例又はその一部をパッケージの外部に
露出させた例が開示されているが、この無吸湿材料の埋
設は外部からの水分侵入防止という効果があるものの放
熱のための効果はほとんど期待できない。
【０００３】他方、このＱＦＰタイプの半導体装置では
外部リードがパッケージ側面から突出しているため、外
部リード数が増加するとパッケージのサイズが大きくな
り、サイズを小さくしようとするとリードピッチが小さ
くなってパッケージのＰＣＢ等への搭載が困難になるな
どの問題がある。このような問題を解決するものとし
て、最近は、図１４に示すような、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれるタイプのパッケージ
の利用が急増している。図１２において、半導体素子１
は、ＢＴレジンやＦＲ−４等のガラス−エポキシ材の両
面に配線パターン２を形成した基板３の一主面に、樹脂
などの接着剤４で固着されている。また、半導体素子１
の電極と基板３の電極とはＡｕなどのワイヤ５で接続さ
れている。またこれらの基板３の半導体素子１搭載面は
封止樹脂６で覆うようにしている。この基板３には、両
面の配線パターン２を互いに電気的に接続するためのビ
アホール７が設けられ、またこの基板３の半導体素子１
の搭載面と反対側の面には、外部電極としての半田ボー
ル８がマトリクス状に配置されている。
外部リードがパッケージ側面から突出しているため、外
部リード数が増加するとパッケージのサイズが大きくな
り、サイズを小さくしようとするとリードピッチが小さ
くなってパッケージのＰＣＢ等への搭載が困難になるな
どの問題がある。このような問題を解決するものとし
て、最近は、図１４に示すような、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と呼ばれるタイプのパッケージ
の利用が急増している。図１２において、半導体素子１
は、ＢＴレジンやＦＲ−４等のガラス−エポキシ材の両
面に配線パターン２を形成した基板３の一主面に、樹脂
などの接着剤４で固着されている。また、半導体素子１
の電極と基板３の電極とはＡｕなどのワイヤ５で接続さ
れている。またこれらの基板３の半導体素子１搭載面は
封止樹脂６で覆うようにしている。この基板３には、両
面の配線パターン２を互いに電気的に接続するためのビ
アホール７が設けられ、またこの基板３の半導体素子１
の搭載面と反対側の面には、外部電極としての半田ボー
ル８がマトリクス状に配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この図
１４に示すＢＧＡタイプの半導体装置では、外部電極と
しての半田ボール８をマトリクス状に配置するようにし
ているため、前記の外部リードをパッケージ側面から突
出させるＱＦＰタイプのものに比べて、外部電極ピッチ
をある程度確保しながら小さなボディサイズのパッケー
ジとすることが可能となる。しかしながら、その反面、
このＢＧＡタイプの半導体装置では、封止樹脂６の熱伝
導性が悪いため、半導体素子１から発生する熱がビアホ
ール７及び半田ボール８を通してしか放散されず、全体
しての放熱性が悪いという問題があった。
１４に示すＢＧＡタイプの半導体装置では、外部電極と
しての半田ボール８をマトリクス状に配置するようにし
ているため、前記の外部リードをパッケージ側面から突
出させるＱＦＰタイプのものに比べて、外部電極ピッチ
をある程度確保しながら小さなボディサイズのパッケー
ジとすることが可能となる。しかしながら、その反面、
このＢＧＡタイプの半導体装置では、封止樹脂６の熱伝
導性が悪いため、半導体素子１から発生する熱がビアホ
ール７及び半田ボール８を通してしか放散されず、全体
しての放熱性が悪いという問題があった。
【０００５】本発明はこのような従来技術の問題を解決
するためのもので、放熱性の良好なＢＧＡタイプの半導
体装置を提供することを目的とする。
するためのもので、放熱性の良好なＢＧＡタイプの半導
体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、基板の半導体素子搭載面と反対側の面にボール電極
がマトリクス状に配置され且つ半導体素子の搭載面側が
樹脂封止されている半導体装置において、前記の封止樹
脂内には、半導体素子に対向する熱伝導体が埋設されて
いることを特徴としている。
は、基板の半導体素子搭載面と反対側の面にボール電極
がマトリクス状に配置され且つ半導体素子の搭載面側が
樹脂封止されている半導体装置において、前記の封止樹
脂内には、半導体素子に対向する熱伝導体が埋設されて
いることを特徴としている。
【０００７】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は基板上の半導体素子を覆う形状に形成され、さら
に封止樹脂を外部から注入できる開口部を有しているこ
とが望ましい。
導体は基板上の半導体素子を覆う形状に形成され、さら
に封止樹脂を外部から注入できる開口部を有しているこ
とが望ましい。
【０００８】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に露出してい
ることが望ましい。
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に露出してい
ることが望ましい。
【０００９】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は、略長方形状の熱伝導性の板の両端部を折り曲げ
て、この折り曲げた両端部を基板に当接したものである
ことが望ましい。
導体は、略長方形状の熱伝導性の板の両端部を折り曲げ
て、この折り曲げた両端部を基板に当接したものである
ことが望ましい。
【００１０】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に突出してい
ることが望ましい。
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に突出してい
ることが望ましい。
【００１１】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に突出してお
り、さらにこの突出した部分が折り曲げられていること
が望ましい。
導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に突出してお
り、さらにこの突出した部分が折り曲げられていること
が望ましい。
【００１２】また、この半導体装置において、前記熱伝
導体は、その一部が基板に当接され、その当接部分の下
にはビアホールが形成されていることが望ましい。
導体は、その一部が基板に当接され、その当接部分の下
にはビアホールが形成されていることが望ましい。
【００１３】さらに、この半導体装置において、前記熱
伝導体の半導体素子の上面に対向する部分は、半導体素
子に近づくように形成されていることが望ましい。
伝導体の半導体素子の上面に対向する部分は、半導体素
子に近づくように形成されていることが望ましい。
【００１４】
【作用】以上のように、本発明によれば、基板の半導体
素子搭載面側が樹脂封止されており且つ基板の半導体素
子搭載面の反対側の面に半田ボールがマトリクス状に配
置されている半導体装置において、基板の半導体素子搭
載側に半導体素子に対向する熱伝導体を配置するように
したため、半導体素子から発生する熱を、半導体素子搭
載面の反対側からだけではなく、半導体素子搭載面側か
らも放散することが可能となり、半導体装置全体の放熱
効果が著しく改善されるようになる。
素子搭載面側が樹脂封止されており且つ基板の半導体素
子搭載面の反対側の面に半田ボールがマトリクス状に配
置されている半導体装置において、基板の半導体素子搭
載側に半導体素子に対向する熱伝導体を配置するように
したため、半導体素子から発生する熱を、半導体素子搭
載面の反対側からだけではなく、半導体素子搭載面側か
らも放散することが可能となり、半導体装置全体の放熱
効果が著しく改善されるようになる。
【００１５】また、前記熱伝導体に開口部を設けること
により、熱伝導体と半導体素子との間隙への封止樹脂の
注入が容易になる。
により、熱伝導体と半導体素子との間隙への封止樹脂の
注入が容易になる。
【００１６】また、熱伝導体の一部を封止樹脂から露出
させるようにすることにより、半導体素子からの熱は、
この熱伝導体の封止樹脂の外部に露出した部分から半導
体装置の外部へと、より効率的に放散されるようにな
る。
させるようにすることにより、半導体素子からの熱は、
この熱伝導体の封止樹脂の外部に露出した部分から半導
体装置の外部へと、より効率的に放散されるようにな
る。
【００１７】また、略長方形状の熱伝導性の板の一方の
両端部を折り曲げるようにすれば、この折り曲げ部を基
板への当接部とすると共に折り曲げていない他方の両端
部を封止樹脂を注入するための開口部とする熱伝導体が
形成されることになる。よって、略長方形状の熱伝導板
を折り曲げ成形するだけで形状のシンプルな熱伝導体を
形成できるので、製造コストを低下させられるようにな
る。
両端部を折り曲げるようにすれば、この折り曲げ部を基
板への当接部とすると共に折り曲げていない他方の両端
部を封止樹脂を注入するための開口部とする熱伝導体が
形成されることになる。よって、略長方形状の熱伝導板
を折り曲げ成形するだけで形状のシンプルな熱伝導体を
形成できるので、製造コストを低下させられるようにな
る。
【００１８】また、熱伝導体の一部をパッケージ外部に
突出させるようにすれば、半導体素子からの熱は、この
突出部より半導体装置の外部へ効率的に放散されるた
め、半導体装置の放熱性がより一層改善されるようにな
る。
突出させるようにすれば、半導体素子からの熱は、この
突出部より半導体装置の外部へ効率的に放散されるた
め、半導体装置の放熱性がより一層改善されるようにな
る。
【００１９】また、熱伝導体の一部を封止樹脂の外部へ
突出させ、この突出部を折り曲げて放熱フィンの形状に
構成させるようにすれば、半導体素子からの熱はこの熱
伝導体の放熱フィン状の突出部を介して半導体装置の外
部に効率的に放出されるようになる。
突出させ、この突出部を折り曲げて放熱フィンの形状に
構成させるようにすれば、半導体素子からの熱はこの熱
伝導体の放熱フィン状の突出部を介して半導体装置の外
部に効率的に放出されるようになる。
【００２０】また、熱伝導体の基板への当接部の下の位
置にビアホールを配置させるようにすれば、半導体素子
からの熱は、熱伝導体を介して半導体装置の半導体素子
搭載面側から放散されると共に、熱伝導体の当接部から
ビアホールを介して基板の半導体素子搭載面の反対側か
らも放散されるようになるので、半導体装置全体の放熱
性がより一層改善されるようになる。
置にビアホールを配置させるようにすれば、半導体素子
からの熱は、熱伝導体を介して半導体装置の半導体素子
搭載面側から放散されると共に、熱伝導体の当接部から
ビアホールを介して基板の半導体素子搭載面の反対側か
らも放散されるようになるので、半導体装置全体の放熱
性がより一層改善されるようになる。
【００２１】さらに、熱伝導体の半導体素子の上面と対
向する部分を、その下面が他の部分よりも半導体素子に
近づくように構成することにより、半導体素子の上面と
熱伝導体との距離を小さくでき、半導体素子からの熱が
効率的に熱伝導体に伝えられるようになり、放熱効果が
より一層向上されるようになる。
向する部分を、その下面が他の部分よりも半導体素子に
近づくように構成することにより、半導体素子の上面と
熱伝導体との距離を小さくでき、半導体素子からの熱が
効率的に熱伝導体に伝えられるようになり、放熱効果が
より一層向上されるようになる。
【００２２】
実施例１．図１はこの発明の実施例１を示す断面構造図
である。図１において、半導体素子１は、ＢＴレジンや
ＦＲ−４等のガラス−エポキシ材から成りその両面に配
線パターン２が形成されている基板３の一主面に、例え
ば銀等を含むエポキシ等の樹脂等の接着剤４により固着
されている。半導体素子１のＡｌやＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ、またはＡｌ−Ｃｕ等から成る電極と基板３
上の配線パターン２の一部である電極とは、Ａｕ等のワ
イヤ５で接続されている。さらにこの実施例１では、基
板３の半導体素子１の搭載面側に、半導体素子１の上面
及び側面の全体を覆うようにＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａ
ｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等の熱伝導性の良好な材料
から成るキャップ９が搭載されている。このキャップ９
は、基板３に当接した上で接着剤（図示していない）等
で固着してもよいし、また必ずしも固着しないで当接す
るだけでもよい。
である。図１において、半導体素子１は、ＢＴレジンや
ＦＲ−４等のガラス−エポキシ材から成りその両面に配
線パターン２が形成されている基板３の一主面に、例え
ば銀等を含むエポキシ等の樹脂等の接着剤４により固着
されている。半導体素子１のＡｌやＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｃｕ、またはＡｌ−Ｃｕ等から成る電極と基板３
上の配線パターン２の一部である電極とは、Ａｕ等のワ
イヤ５で接続されている。さらにこの実施例１では、基
板３の半導体素子１の搭載面側に、半導体素子１の上面
及び側面の全体を覆うようにＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａ
ｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等の熱伝導性の良好な材料
から成るキャップ９が搭載されている。このキャップ９
は、基板３に当接した上で接着剤（図示していない）等
で固着してもよいし、また必ずしも固着しないで当接す
るだけでもよい。
【００２３】また、基板３の半導体素子１の搭載面側
は、キャップ９全体を覆うようにトランスファモールド
法等の手法によりエポキシ等の樹脂材料６で封止されて
いる。この実施例１における基板３の半導体素子１の搭
載面と反対面側の構成並びに基板３の両面に設けられた
配線パターン２を接続するビアホール７の構成は、図１
４に示した従来例と同様である。
は、キャップ９全体を覆うようにトランスファモールド
法等の手法によりエポキシ等の樹脂材料６で封止されて
いる。この実施例１における基板３の半導体素子１の搭
載面と反対面側の構成並びに基板３の両面に設けられた
配線パターン２を接続するビアホール７の構成は、図１
４に示した従来例と同様である。
【００２４】この実施例１の半導体パッケージでは、半
導体素子１から発生する熱は、ビアホール７及び半田ボ
ール８を通して放散されるだけでなく、キャップ９を介
してパッケージの半導体素子１搭載側の全面からも放散
されるようになるため、従来例に比べて放熱効果を格段
に向上させることができる。
導体素子１から発生する熱は、ビアホール７及び半田ボ
ール８を通して放散されるだけでなく、キャップ９を介
してパッケージの半導体素子１搭載側の全面からも放散
されるようになるため、従来例に比べて放熱効果を格段
に向上させることができる。
【００２５】実施例２．図２は実施例２を示す断面構造
図である。この実施例２では、金属キャップ９に所望の
形状の開口部１０が複数設けられている。これらの開口
部１０は、例えば図３に示す平面が円形の開口部１０ａ
や平面が楕円形の開口部１０ｂなどのように、様々な形
状のものとすることが可能である。
図である。この実施例２では、金属キャップ９に所望の
形状の開口部１０が複数設けられている。これらの開口
部１０は、例えば図３に示す平面が円形の開口部１０ａ
や平面が楕円形の開口部１０ｂなどのように、様々な形
状のものとすることが可能である。
【００２６】前記の実施例１に示す例ではパッケージを
樹脂封止する場合に前記キャップ９が封止樹脂６の良好
な注入の妨げになる可能性があるが、この実施例２で
は、キャップ９に前記の開口部１０を設けているので、
キャップ９と半導体素子１との間隙に封止樹脂６を注入
することが容易になり、封止樹脂６の注入性が大幅に改
善されるようになる。
樹脂封止する場合に前記キャップ９が封止樹脂６の良好
な注入の妨げになる可能性があるが、この実施例２で
は、キャップ９に前記の開口部１０を設けているので、
キャップ９と半導体素子１との間隙に封止樹脂６を注入
することが容易になり、封止樹脂６の注入性が大幅に改
善されるようになる。
【００２７】実施例３．図４及び図５は実施例３の断面
構造図である。この実施例３では、キャップ９の上面の
全面または一部を、封止樹脂６の外部に露出させてい
る。この実施例３では、キャップ９として、例えば図６
に示すようにキャップ９の外周近傍の傾斜を設けた部分
のみに開口部１１を複数設けたものを使用している。ま
たこの実施例３に使用する開口部としては、図３の符号
１０ａで示すような平面が円形のものでもよい。
構造図である。この実施例３では、キャップ９の上面の
全面または一部を、封止樹脂６の外部に露出させてい
る。この実施例３では、キャップ９として、例えば図６
に示すようにキャップ９の外周近傍の傾斜を設けた部分
のみに開口部１１を複数設けたものを使用している。ま
たこの実施例３に使用する開口部としては、図３の符号
１０ａで示すような平面が円形のものでもよい。
【００２８】この実施例３によれば、キャップ９の上面
の一部が封止樹脂６から露出しているので、半導体素子
１からの熱は、キャップ９へ、さらにキャップ９の封止
樹脂６外部に露出した部分からパッケージの外部へと、
より効率的に放散されるようになる。またさらに、この
実施例３においては、キャップ９の封止樹脂６から露出
した部分の上面に例えばヒートシンク等（図示していな
い）を設けることにより、半導体素子搭載面側からの放
熱効果をより一層高めることも可能である。
の一部が封止樹脂６から露出しているので、半導体素子
１からの熱は、キャップ９へ、さらにキャップ９の封止
樹脂６外部に露出した部分からパッケージの外部へと、
より効率的に放散されるようになる。またさらに、この
実施例３においては、キャップ９の封止樹脂６から露出
した部分の上面に例えばヒートシンク等（図示していな
い）を設けることにより、半導体素子搭載面側からの放
熱効果をより一層高めることも可能である。
【００２９】実施例４．図７は本発明の実施例４に使用
されるキャップの構成を示す斜視図である。この実施例
４では、金属板などの熱伝導性の良好な略長方形状の板
を用意し、その長手方向の両端部を図７に示すように折
り曲げることにより、基板３への固着部１２ａを形成す
る。また折り曲げない他方の両端部は、封止樹脂６を注
入できる開口部１２ｂとなる。これにより、半導体素子
１の上面を覆うキャップ１２が形成される。なおその他
の構成は実施例１〜３におけるものと同様である。
されるキャップの構成を示す斜視図である。この実施例
４では、金属板などの熱伝導性の良好な略長方形状の板
を用意し、その長手方向の両端部を図７に示すように折
り曲げることにより、基板３への固着部１２ａを形成す
る。また折り曲げない他方の両端部は、封止樹脂６を注
入できる開口部１２ｂとなる。これにより、半導体素子
１の上面を覆うキャップ１２が形成される。なおその他
の構成は実施例１〜３におけるものと同様である。
【００３０】この実施例４で示す形状のキャップ１２を
用いれば、開口部１２ｂからの封止樹脂６の注入が容易
なので、放熱効果を損なうことなく封止樹脂６の成形性
をより一層改善できる。またこの実施例４では、形状が
シンプルであり略長方形状の熱伝導板を折り曲げ成形す
るだけで開口部１２ｂを有するキャップ１２を製造でき
るので、本発明の熱伝導体の製造コストを下げられると
いう効果が得られる。
用いれば、開口部１２ｂからの封止樹脂６の注入が容易
なので、放熱効果を損なうことなく封止樹脂６の成形性
をより一層改善できる。またこの実施例４では、形状が
シンプルであり略長方形状の熱伝導板を折り曲げ成形す
るだけで開口部１２ｂを有するキャップ１２を製造でき
るので、本発明の熱伝導体の製造コストを下げられると
いう効果が得られる。
【００３１】実施例５．図８は本発明の実施例５を示す
断面構造図である。この実施例５では、キャップ９に、
その上面からほぼ水平な方向に封止樹脂６外部に突出す
る突出部１３が設けられている。この他の構成は、実施
例１〜４におけると同様である。
断面構造図である。この実施例５では、キャップ９に、
その上面からほぼ水平な方向に封止樹脂６外部に突出す
る突出部１３が設けられている。この他の構成は、実施
例１〜４におけると同様である。
【００３２】この実施例５によれば、キャップ９の一部
が封止樹脂６外部に突出した形状を有しており、半導体
素子１からの熱は、この突出部１３より封止樹脂６外部
へ放散されるため、半導体装置の放熱効果がより一層改
善されるようになる。
が封止樹脂６外部に突出した形状を有しており、半導体
素子１からの熱は、この突出部１３より封止樹脂６外部
へ放散されるため、半導体装置の放熱効果がより一層改
善されるようになる。
【００３３】実施例６．図９及び図１０は本発明の実施
例６の断面構造図である。図９に示す例では、キャップ
９は、その一部がほぼ水平な方向にパッケージ外部に突
出して突出部１４を構成しているが、この突出部１４は
さらにその途中部分で図の上方に折り曲げられている。
また図１０に示す例でも、キャップ９は、同様に、その
一部がほぼ水平な方向にパッケージ外部に突出して突出
部１５を構成しているが、この突出部１５はさらにその
途中部分で図の上方に折り曲げられ、その折り曲げられ
た途中部分からさらに半導体装置の中心に近づく略水平
方向に折り曲げられている。その他の構成は、実施例１
〜５と同様である。
例６の断面構造図である。図９に示す例では、キャップ
９は、その一部がほぼ水平な方向にパッケージ外部に突
出して突出部１４を構成しているが、この突出部１４は
さらにその途中部分で図の上方に折り曲げられている。
また図１０に示す例でも、キャップ９は、同様に、その
一部がほぼ水平な方向にパッケージ外部に突出して突出
部１５を構成しているが、この突出部１５はさらにその
途中部分で図の上方に折り曲げられ、その折り曲げられ
た途中部分からさらに半導体装置の中心に近づく略水平
方向に折り曲げられている。その他の構成は、実施例１
〜５と同様である。
【００３４】この実施例６によれば、キャップ９の封止
樹脂６外部へ突出した突出部１４，１５が、折り曲げら
れて放熱フィンと同様の形状に構成されているため、半
導体素子１からの熱はこのキャップ９の突出部１４，１
５を介して封止樹脂６外部に効率的に放出されるように
なる。
樹脂６外部へ突出した突出部１４，１５が、折り曲げら
れて放熱フィンと同様の形状に構成されているため、半
導体素子１からの熱はこのキャップ９の突出部１４，１
５を介して封止樹脂６外部に効率的に放出されるように
なる。
【００３５】実施例７．図１１は本発明の実施例７の断
面構造図の一部を示す。この実施例７では、図１１に示
すように、キャップ９の固着部９ａは、基板３に熱伝導
性の良好な接着剤１６により固着されている。そして基
板３の前記固着部９ａが固着される位置には、ビアホー
ル７が形成されており、これらのビアホール７が形成さ
れた部分の基板３の図示下面には半田ボール８が形成さ
れている。その他の構成は、実施例１〜６と同様であ
る。
面構造図の一部を示す。この実施例７では、図１１に示
すように、キャップ９の固着部９ａは、基板３に熱伝導
性の良好な接着剤１６により固着されている。そして基
板３の前記固着部９ａが固着される位置には、ビアホー
ル７が形成されており、これらのビアホール７が形成さ
れた部分の基板３の図示下面には半田ボール８が形成さ
れている。その他の構成は、実施例１〜６と同様であ
る。
【００３６】この実施例７によれば、半導体素子１から
の熱は、実施例１〜６と同様にキャップ９を介して半導
体装置の半導体素子搭載面側から放散されると共に、キ
ャップ固着部９ａから接着剤１６、ビアホール７、半田
ボール８を介して半導体装置の半導体素子搭載面の反対
側からも放散されるので、半導体装置全体の放熱性がよ
り一層改善されるようになる。
の熱は、実施例１〜６と同様にキャップ９を介して半導
体装置の半導体素子搭載面側から放散されると共に、キ
ャップ固着部９ａから接着剤１６、ビアホール７、半田
ボール８を介して半導体装置の半導体素子搭載面の反対
側からも放散されるので、半導体装置全体の放熱性がよ
り一層改善されるようになる。
【００３７】実施例８．次に図１２及び図１３は本発明
の実施例８を示す構造断面図である。図１２に示す例で
は、半導体素子１の搭載面側にキャップ１９が設けられ
ている。このキャップ１９は図２に示す例と同様に複数
の開口部１０を有している。さらにこの図１２の例で
は、このキャップ１９の半導体素子１の上面に対向する
中央部分１９ａが半導体素子１に近づくように折り曲げ
られている。
の実施例８を示す構造断面図である。図１２に示す例で
は、半導体素子１の搭載面側にキャップ１９が設けられ
ている。このキャップ１９は図２に示す例と同様に複数
の開口部１０を有している。さらにこの図１２の例で
は、このキャップ１９の半導体素子１の上面に対向する
中央部分１９ａが半導体素子１に近づくように折り曲げ
られている。
【００３８】また図１３に示す例では、半導体素子１の
搭載面側にキャップ２０が設けられている。このキャッ
プ２０は図２に示す例とほぼ同様に複数の開口部１０を
有している。さらにこの図１３の例では、このキャップ
２０の半導体素子１の上面に対向する中央部分２０ａ
は、他の部分よりも、その下面が半導体素子１に近づく
ように下方向に厚く形成されている。その他の構成は実
施例１〜７と同様である。
搭載面側にキャップ２０が設けられている。このキャッ
プ２０は図２に示す例とほぼ同様に複数の開口部１０を
有している。さらにこの図１３の例では、このキャップ
２０の半導体素子１の上面に対向する中央部分２０ａ
は、他の部分よりも、その下面が半導体素子１に近づく
ように下方向に厚く形成されている。その他の構成は実
施例１〜７と同様である。
【００３９】以上のようにこれらの図１２又は図１３に
示す実施例８では、キャップ１９，２０の中央部分１９
ａ，２０ａの下面と半導体素子１との距離が小さくなっ
ているので、半導体素子１から発生する熱が効率的にキ
ャップ１９，２０に伝えられるようになり、放熱性がよ
り一層向上されるようになる。
示す実施例８では、キャップ１９，２０の中央部分１９
ａ，２０ａの下面と半導体素子１との距離が小さくなっ
ているので、半導体素子１から発生する熱が効率的にキ
ャップ１９，２０に伝えられるようになり、放熱性がよ
り一層向上されるようになる。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板の
半導体素子搭載面側が樹脂封止されており且つ基板の半
導体素子搭載面の反対側の面に半田ボールがマトリクス
状に配置されている半導体装置において、基板の半導体
素子搭載面側に半導体素子に対向する熱伝導体を配置す
るようにしたため、半導体素子から発生する熱を、半導
体素子搭載面の反対側からだけではなく、半導体素子搭
載面側からも放散することが可能となり、半導体装置全
体の放熱性が著しく改善されるようになる。
半導体素子搭載面側が樹脂封止されており且つ基板の半
導体素子搭載面の反対側の面に半田ボールがマトリクス
状に配置されている半導体装置において、基板の半導体
素子搭載面側に半導体素子に対向する熱伝導体を配置す
るようにしたため、半導体素子から発生する熱を、半導
体素子搭載面の反対側からだけではなく、半導体素子搭
載面側からも放散することが可能となり、半導体装置全
体の放熱性が著しく改善されるようになる。
【００４１】また、前記熱伝導体に開口部を設けること
により、熱伝導体と半導体素子との間隙への封止樹脂の
注入が容易になり、封止樹脂の注入性が大幅に改善され
るようになる。
により、熱伝導体と半導体素子との間隙への封止樹脂の
注入が容易になり、封止樹脂の注入性が大幅に改善され
るようになる。
【００４２】また、熱伝導体の一部を封止樹脂から露出
させるようにすることにより、半導体素子からの熱は、
熱伝導体の封止樹脂の外部に露出した部分から半導体装
置の外部へと、より効率的に放散されるようになる。
させるようにすることにより、半導体素子からの熱は、
熱伝導体の封止樹脂の外部に露出した部分から半導体装
置の外部へと、より効率的に放散されるようになる。
【００４３】また、略長方形状の熱伝導板の一方の両端
部を折り曲げて基板への当接部を形成するようにすれ
ば、折り曲げていない他方の両端部には開口部が形成さ
れることになるので、放熱効果を損なうことなく封止樹
脂の成形性をより一層改善できる。また、形状がシンプ
ルであり略長方形状の熱伝導板を折り曲げ成形するだけ
で熱伝導体を形成できるので、製造コストを低下させら
れるようになる。
部を折り曲げて基板への当接部を形成するようにすれ
ば、折り曲げていない他方の両端部には開口部が形成さ
れることになるので、放熱効果を損なうことなく封止樹
脂の成形性をより一層改善できる。また、形状がシンプ
ルであり略長方形状の熱伝導板を折り曲げ成形するだけ
で熱伝導体を形成できるので、製造コストを低下させら
れるようになる。
【００４４】また、熱伝導体の一部を封止樹脂の外部に
突出させるようにすれば、半導体素子からの熱は、この
突出部より半導体装置の外部へ放散されるため、半導体
装置の放熱効果がより一層改善されるようになる。
突出させるようにすれば、半導体素子からの熱は、この
突出部より半導体装置の外部へ放散されるため、半導体
装置の放熱効果がより一層改善されるようになる。
【００４５】また、熱伝導体の一部を封止樹脂の外部へ
突出させ、この突出部を折り曲げて放熱フィンの形状に
構成させるようにすれば、半導体素子からの熱はこの熱
伝導体の放熱フィン状の突出部を介して半導体装置の外
部に効率的に放出されるようになる。
突出させ、この突出部を折り曲げて放熱フィンの形状に
構成させるようにすれば、半導体素子からの熱はこの熱
伝導体の放熱フィン状の突出部を介して半導体装置の外
部に効率的に放出されるようになる。
【００４６】また、熱伝導体の基板への当接部の下の位
置にビアホールを配置させるようにすれば、半導体素子
からの熱は、熱伝導体を介して半導体素子搭載面側から
放散されるだけでなく、熱伝導体の当接部からビアホー
ルを介して半導体素子搭載面と反対の側からも放散され
るようになるので、半導体装置全体の放熱性がより一層
改善されるようになる。
置にビアホールを配置させるようにすれば、半導体素子
からの熱は、熱伝導体を介して半導体素子搭載面側から
放散されるだけでなく、熱伝導体の当接部からビアホー
ルを介して半導体素子搭載面と反対の側からも放散され
るようになるので、半導体装置全体の放熱性がより一層
改善されるようになる。
【００４７】さらに、熱伝導体の半導体素子の上面と対
向する部分を、その下面が他の部分よりも半導体素子に
近づくように構成することにより、半導体素子の上面と
熱伝導体の下面との間の距離が小さくなり、半導体素子
からの熱が効率的に熱伝導体に伝えられるようになり、
放熱効果がより一層向上されるようになる。
向する部分を、その下面が他の部分よりも半導体素子に
近づくように構成することにより、半導体素子の上面と
熱伝導体の下面との間の距離が小さくなり、半導体素子
からの熱が効率的に熱伝導体に伝えられるようになり、
放熱効果がより一層向上されるようになる。
【図１】この発明の実施例１による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図２】この発明の実施例２による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図３】実施例２に使用するキャップを示す斜視図であ
る。
る。
【図４】この発明の実施例３による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図５】この発明の実施例３による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図６】実施例３に使用するキャップを示す斜視図であ
る。
る。
【図７】この発明の実施例４による樹脂封止型半導体装
置のキャップを示す斜視図である。
置のキャップを示す斜視図である。
【図８】この発明の実施例５による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図９】この発明の実施例６による樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施例６による樹脂封止型半導体
装置の他の例を示す断面図である。
装置の他の例を示す断面図である。
【図１１】この発明の実施例７による樹脂封止型半導体
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施例８による樹脂封止型半導体
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施例８による樹脂封止型半導体
装置の他の例を示す断面図である。
装置の他の例を示す断面図である。
【図１４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図で
ある。
ある。
１ 半導体素子 ２ 配線パターン ３ 基板 ４，１６ 接着剤 ５ ワイヤ ６ 封止樹脂 ７ ビアホール ８ 半田ボール ９，１２，１９，２０ キャップ １０，１０ａ，１０ｂ，１１ 開口部 １３，１４，１５ 突出部 １９ａ，２０ａ キャップの中央部分
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の半導体素子搭載面と反対側の面に
ボール電極がマトリクス状に配置され且つ半導体素子の
搭載面側が樹脂封止されている半導体装置において、前
記の封止樹脂内には、半導体素子に対向する熱伝導体が
埋設されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記熱伝導体は、基板上の半導体素子を覆う形状に形成さ
れ、且つ封止樹脂を外部から注入できる開口部を有して
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２の半導体装置において、
前記熱伝導体は、その一部が前記封止樹脂から外部に露
出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１，２又は３の半導体装置におい
て、前記熱伝導体は、略長方形状の熱伝導性の板の両端
部を折り曲げて、この折り曲げた両端部を基板に当接す
るものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項１，２又は３の半導体装置におい
て、前記熱伝導体は、その一部が前記封止樹脂から外部
に突出していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１，２，３又は５の半導体装置に
おいて、前記熱伝導体は、その一部が前記封止樹脂から
外部に突出しており、さらにこの突出した部分が折り曲
げられていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 請求項１から６までのいずれかに記載の
半導体装置において、前記熱伝導体は、その一部が基板
に当接され、その当接部分の下にはビアホールが形成さ
れていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項１から７までのいずれかに記載の
半導体装置において、前記熱伝導体の半導体素子の上面
に対向する部分は、半導体素子に近づくように形成され
ていることを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274978A JPH08139223A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274978A JPH08139223A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139223A true JPH08139223A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17549219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6274978A Pending JPH08139223A (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139223A (ja) |
Cited By (14)
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1994
- 1994-11-09 JP JP6274978A patent/JPH08139223A/ja active Pending
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