JPH0547814B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0547814B2 JPH0547814B2 JP56149730A JP14973081A JPH0547814B2 JP H0547814 B2 JPH0547814 B2 JP H0547814B2 JP 56149730 A JP56149730 A JP 56149730A JP 14973081 A JP14973081 A JP 14973081A JP H0547814 B2 JPH0547814 B2 JP H0547814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flash
- light emission
- capacitor
- level
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 40
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 8
- 101150105073 SCR1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100134054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NTG1 gene Proteins 0.000 description 8
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 8
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 101000668170 Homo sapiens RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 2 Proteins 0.000 description 5
- 102100039690 RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 2 Human genes 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 101000668165 Homo sapiens RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100039692 RNA-binding motif, single-stranded-interacting protein 1 Human genes 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 102220007331 rs111033633 Human genes 0.000 description 1
- 102220067365 rs143592561 Human genes 0.000 description 1
- 102220012898 rs397516346 Human genes 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は閃光装置、特に被写体からの閃光の反
射光を受光し、該受光光量が所定レベルに達した
時閃光を制御する調光型閃光装置に関する。
射光を受光し、該受光光量が所定レベルに達した
時閃光を制御する調光型閃光装置に関する。
フイルム感度は製造上全く均一にすることは出
来ずある程度感度のバラツキがある。このため、
フイルム感度が実際にどれだけあるかを確認する
ためには、撮影を行つてみる必要があるが、フイ
ルムごとに数コマ撮影し、現像しフイルム感度を
確認することは非常に時間と手間を要し事実上困
難である。この欠点を解決するためには、同一の
被写体を予め露出レベルを若干変えて数コマ撮影
し、その中の適正なフイルムを選ぶことが必要で
ある。
来ずある程度感度のバラツキがある。このため、
フイルム感度が実際にどれだけあるかを確認する
ためには、撮影を行つてみる必要があるが、フイ
ルムごとに数コマ撮影し、現像しフイルム感度を
確認することは非常に時間と手間を要し事実上困
難である。この欠点を解決するためには、同一の
被写体を予め露出レベルを若干変えて数コマ撮影
し、その中の適正なフイルムを選ぶことが必要で
ある。
本発明は前述のような同一被写体を予め所定の
閃光光量シフトしながら数駒撮影する撮影システ
ムに好適な撮影システムを提供するものであり、
特に閃光装置の主コンデンサーの充電が完了して
いる場合のみ、閃光光量シフト動作を許可した撮
影システムを提供するものである。即ち、閃光光
量シフト動作を充電完了状態と無関係に撮影ごと
に実行させた場合、閃光撮影動作とシフト動作が
同期されない様な状況となり、閃光撮影がなされ
ないのに閃光光量シフト動作は実行される様な状
況となる。この場合、その回の撮影で予定してい
た光量制御がスキツプされてしまうこととなる。
この問題を解消するために、本願では閃光光量シ
フト動作を充電完了を条件に実行させ閃光光量シ
フト動作が行なわれた時には確実に閃光光量制御
（閃光撮影）を実行させる様に構成したものであ
る。
閃光光量シフトしながら数駒撮影する撮影システ
ムに好適な撮影システムを提供するものであり、
特に閃光装置の主コンデンサーの充電が完了して
いる場合のみ、閃光光量シフト動作を許可した撮
影システムを提供するものである。即ち、閃光光
量シフト動作を充電完了状態と無関係に撮影ごと
に実行させた場合、閃光撮影動作とシフト動作が
同期されない様な状況となり、閃光撮影がなされ
ないのに閃光光量シフト動作は実行される様な状
況となる。この場合、その回の撮影で予定してい
た光量制御がスキツプされてしまうこととなる。
この問題を解消するために、本願では閃光光量シ
フト動作を充電完了を条件に実行させ閃光光量シ
フト動作が行なわれた時には確実に閃光光量制御
（閃光撮影）を実行させる様に構成したものであ
る。
以下、本発明の実施例を図面について説明す
る。第１図は実施例を示す回路図、第２図はその
回路各部のタイミング関係図で、ａはシンクロ接
点のオン・オフ波形、ｂは閃光放電管の発光波
形、ｃは調光電源の出力波形、ｄはワンシヨツト
マルチバイブレータOSIの出力波形、ｅはキヤパ
シタCIの充電電圧波形、ｆはOS２の入力波形、
ｇはOS２の出力波形、ｈはＣ２の充電電圧波形、
ｉはOS３の入力波形、ｊはOS３の出力波形であ
る。
る。第１図は実施例を示す回路図、第２図はその
回路各部のタイミング関係図で、ａはシンクロ接
点のオン・オフ波形、ｂは閃光放電管の発光波
形、ｃは調光電源の出力波形、ｄはワンシヨツト
マルチバイブレータOSIの出力波形、ｅはキヤパ
シタCIの充電電圧波形、ｆはOS２の入力波形、
ｇはOS２の出力波形、ｈはＣ２の充電電圧波形、
ｉはOS３の入力波形、ｊはOS３の出力波形であ
る。
第１図において、Ｅ１は充電電流制限用抵抗Ｒ
２２を介して主キヤパシタＣ１を充電する高圧電
源である。Neは充電電圧表示用ネオンランプ、
Ｒ１はネオンランプNeの点灯電流制限抵抗、Ｃ
２はネオンランプNeの点灯電流の一部電荷をた
くわえてトリガ回路駆動のエネルギー源として使
用するキヤパシタ、Tr１はトリガスイツチング
用のトランジスタで、そのエミツタは上記ネオン
ランプNeとキヤパシタＣ２の接続点に接続され、
ベースには抵抗Ｒ２とシンクロ接点Ｘとの直列体
が接続されている。
２２を介して主キヤパシタＣ１を充電する高圧電
源である。Neは充電電圧表示用ネオンランプ、
Ｒ１はネオンランプNeの点灯電流制限抵抗、Ｃ
２はネオンランプNeの点灯電流の一部電荷をた
くわえてトリガ回路駆動のエネルギー源として使
用するキヤパシタ、Tr１はトリガスイツチング
用のトランジスタで、そのエミツタは上記ネオン
ランプNeとキヤパシタＣ２の接続点に接続され、
ベースには抵抗Ｒ２とシンクロ接点Ｘとの直列体
が接続されている。
SCR１はトリガ用サイリスタで、そのゲート
は上記トランジスタTr１のコレクタに接続され
ている。Ｃ３はトリガキヤパシタで、一端をサイ
リスタSCR１のアノード、他端をトリガートラ
ンスＴ１の一次巻線に接続している。Ｃ４は調光
回路の電源エネルギーをたくわえるキヤパシタ
で、一端はサイリスタSCR１のアノード、他端
はアースに接続されている。Ｒ４，ZDはキヤパ
シタＣ４の放電経路に直列に挿入された抵抗とツ
エナーダイオードで、抵抗Ｒ４はキヤパシタＣ４
の放電電流制限、抵抗として作用し、ツエナーダ
イオードZDの両端に発生するパルス状の定電圧
Vzは調光回路と電源となる。Ｒ３はキヤパシタ
Ｃ３，Ｃ４およびサイリスタSCR１のアノード
の共通接続点と主キヤパシタＣ１の陽極側との間
に接続され該キヤパシタＣ３，Ｃ４を充電するた
めの抵抗である。
は上記トランジスタTr１のコレクタに接続され
ている。Ｃ３はトリガキヤパシタで、一端をサイ
リスタSCR１のアノード、他端をトリガートラ
ンスＴ１の一次巻線に接続している。Ｃ４は調光
回路の電源エネルギーをたくわえるキヤパシタ
で、一端はサイリスタSCR１のアノード、他端
はアースに接続されている。Ｒ４，ZDはキヤパ
シタＣ４の放電経路に直列に挿入された抵抗とツ
エナーダイオードで、抵抗Ｒ４はキヤパシタＣ４
の放電電流制限、抵抗として作用し、ツエナーダ
イオードZDの両端に発生するパルス状の定電圧
Vzは調光回路と電源となる。Ｒ３はキヤパシタ
Ｃ３，Ｃ４およびサイリスタSCR１のアノード
の共通接続点と主キヤパシタＣ１の陽極側との間
に接続され該キヤパシタＣ３，Ｃ４を充電するた
めの抵抗である。
Xeはキセノン閃光放電管である。主サイリス
タSCR２、副サイリスタSCR３、転流キヤパシ
タＣ６、抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９、キヤパシ
タＣ７は公知の直列制御式自動調光の放電停止ス
イツチング回路を形成する。OSI，OS２，OS３
はワンシヨツトマルチバイブレータ（以下、OS
１，OS２，OS３と略称する。）Ｒ１０，Ｒ１１，
Ｒ１２は調光回路電源としての上記ツエナーダイ
オードZDの両端に発生したパルスをOS１，OS
２，OS３の入力端子Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３に伝達す
る抵抗、Ｒ１３，Ｃ８およびＲ１５，Ｃ９はOS
１，OS２の出力端子Ｑ１，Ｑ２とアース間に直
列に挿入される抵抗とキヤパシタである。Ｄ１・
Ｄ２はダイオードで、その夫々のアノードおよび
カソードはOS２，OS３の入力端子Ｉ２，Ｉ３お
よび抵抗Ｒ１３とキヤパシタＣ８の接続点、同Ｒ
１５と同Ｃ９の接続点に接続されている。
タSCR２、副サイリスタSCR３、転流キヤパシ
タＣ６、抵抗Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９、キヤパシ
タＣ７は公知の直列制御式自動調光の放電停止ス
イツチング回路を形成する。OSI，OS２，OS３
はワンシヨツトマルチバイブレータ（以下、OS
１，OS２，OS３と略称する。）Ｒ１０，Ｒ１１，
Ｒ１２は調光回路電源としての上記ツエナーダイ
オードZDの両端に発生したパルスをOS１，OS
２，OS３の入力端子Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３に伝達す
る抵抗、Ｒ１３，Ｃ８およびＲ１５，Ｃ９はOS
１，OS２の出力端子Ｑ１，Ｑ２とアース間に直
列に挿入される抵抗とキヤパシタである。Ｄ１・
Ｄ２はダイオードで、その夫々のアノードおよび
カソードはOS２，OS３の入力端子Ｉ２，Ｉ３お
よび抵抗Ｒ１３とキヤパシタＣ８の接続点、同Ｒ
１５と同Ｃ９の接続点に接続されている。
Tr２，Tr３はトランジスタで、OS２，OS３
の出力端子Ｑ２，Ｑ３に接続されたベース抵抗Ｒ
１４，Ｒ１６を通じて該OS２，OS３によつて駆
動される。
の出力端子Ｑ２，Ｑ３に接続されたベース抵抗Ｒ
１４，Ｒ１６を通じて該OS２，OS３によつて駆
動される。
Tr４は反射光受光用受光素子、Ｃ１０は受光
素子に流れる光電流を積分するためのキヤパシタ
で、その両端には抵抗Ｒ２１が接続され１回毎の
発光において次の発光が始まる前に該キヤパシタ
Ｃ１０にたくわえられた電荷を完全に放電するよ
うにしている。直列に接続された抵抗Ｒ１７，Ｒ
１８，Ｒ１９，Ｒ２０は調光回路電源電圧Vzを
分割して調光レベルを決定している。IC１は電
圧比較器で、電源としては 前記の調光回路電源Vzを使用し、正入力端子
（＋）は受光素子Tr４と光量積分キヤパシタＣ１
０との接続点、負入力端子（−）は抵抗Ｒ１７，
Ｒ１８の接続点に接続されており、正入力端子の
方が負入力端子よりも高電位の時に出力には高電
圧レベルが発生し逆の場合出力電圧が低電圧レベ
ルになる。この電圧比較器IC１の出力端子は副
サイリスタSCR３のゲートに接続されており、
このIC１の出力が高電圧レベルになつた時のみ
サイリスタSCR３はトリガされターンオンする。
Ｅ２はワンシヨツトマルチバイブレータ駆動用の
低電圧電源で、電源Ｅ１，Ｅ２の負極は共にアー
スに接続されている。尚主として前記ワンシヨツ
トマルチバイブレータDS１，DS２，DS３、ト
ランジスタTr２，Tr３、抵抗Ｒ１９，Ｒ２０が
フイルムの露光量を段階的に下降させる手段に相
当する。
素子に流れる光電流を積分するためのキヤパシタ
で、その両端には抵抗Ｒ２１が接続され１回毎の
発光において次の発光が始まる前に該キヤパシタ
Ｃ１０にたくわえられた電荷を完全に放電するよ
うにしている。直列に接続された抵抗Ｒ１７，Ｒ
１８，Ｒ１９，Ｒ２０は調光回路電源電圧Vzを
分割して調光レベルを決定している。IC１は電
圧比較器で、電源としては 前記の調光回路電源Vzを使用し、正入力端子
（＋）は受光素子Tr４と光量積分キヤパシタＣ１
０との接続点、負入力端子（−）は抵抗Ｒ１７，
Ｒ１８の接続点に接続されており、正入力端子の
方が負入力端子よりも高電位の時に出力には高電
圧レベルが発生し逆の場合出力電圧が低電圧レベ
ルになる。この電圧比較器IC１の出力端子は副
サイリスタSCR３のゲートに接続されており、
このIC１の出力が高電圧レベルになつた時のみ
サイリスタSCR３はトリガされターンオンする。
Ｅ２はワンシヨツトマルチバイブレータ駆動用の
低電圧電源で、電源Ｅ１，Ｅ２の負極は共にアー
スに接続されている。尚主として前記ワンシヨツ
トマルチバイブレータDS１，DS２，DS３、ト
ランジスタTr２，Tr３、抵抗Ｒ１９，Ｒ２０が
フイルムの露光量を段階的に下降させる手段に相
当する。
本発明の実施例は上記の構成からなるもので、
以下その作用を説明する。不図示の電源スイツチ
が投入されると電源Ｅ１により抵抗Ｒ２２を通し
て主キヤパシタＣ１が充電され、この充電電圧が
所定の電圧に達した時点で表示用ネオンランプ
Neが点灯する。このネオンランプに流れる電流
は抵抗Ｒ１によつて制限され、その両端に発生す
る電圧分に相当する電荷がキヤパシタＣ２にたく
わえられる。
以下その作用を説明する。不図示の電源スイツチ
が投入されると電源Ｅ１により抵抗Ｒ２２を通し
て主キヤパシタＣ１が充電され、この充電電圧が
所定の電圧に達した時点で表示用ネオンランプ
Neが点灯する。このネオンランプに流れる電流
は抵抗Ｒ１によつて制限され、その両端に発生す
る電圧分に相当する電荷がキヤパシタＣ２にたく
わえられる。
上記ネオンランプNeが点灯後シンクロ接点Ｘ
をオンすると、トランジスタTr１は抵抗Ｒ２を
通してベース電流が供給されてオンし、トリガ用
サイリスタSCR１のゲートに電流を供給してこ
れをターンオンさせる。サイリスタSCR１がオ
ンすると、トリガキヤパシタＣ３とトリガートラ
ンスＴ１の１次側で形成される単振動回路に振動
電流が流れ、その二次側に高圧を誘起する。キセ
ノン閃光ランプXeはトリガ電極TXeに供給され
た上記高圧によつてイオン化され、それによつて
公知の方法で主サイリスタSCR２がターンオン
し、上記閃光ランプの発光が開始する。また、上
記サイリスタSCR１のオンにより、キヤパシタ
Ｃ４にたくわえられていた電荷は抵抗Ｒ４、ツエ
ナーダイオードZDの直列回路を通して放電され
る。ツエナーダイオードZDの両端電圧Vzは定電
圧性があるので、抵抗Ｒ１７，１８の接続点には
一定の基準電圧がパルス状に発生する。
をオンすると、トランジスタTr１は抵抗Ｒ２を
通してベース電流が供給されてオンし、トリガ用
サイリスタSCR１のゲートに電流を供給してこ
れをターンオンさせる。サイリスタSCR１がオ
ンすると、トリガキヤパシタＣ３とトリガートラ
ンスＴ１の１次側で形成される単振動回路に振動
電流が流れ、その二次側に高圧を誘起する。キセ
ノン閃光ランプXeはトリガ電極TXeに供給され
た上記高圧によつてイオン化され、それによつて
公知の方法で主サイリスタSCR２がターンオン
し、上記閃光ランプの発光が開始する。また、上
記サイリスタSCR１のオンにより、キヤパシタ
Ｃ４にたくわえられていた電荷は抵抗Ｒ４、ツエ
ナーダイオードZDの直列回路を通して放電され
る。ツエナーダイオードZDの両端電圧Vzは定電
圧性があるので、抵抗Ｒ１７，１８の接続点には
一定の基準電圧がパルス状に発生する。
受光素子Tr４は入射された被写体からの閃光
反射光量に応じた光電流を流し、この光電流をキ
ヤパシタＣ１０にて積算してそれが所期の値に達
した時、電圧比較器IC１の出力が高電圧レベル
に変化し、サイリスタSCR２、キヤパシタＣ６、
サイリスタSCR３よりなる公知の転流回路が作
動して閃光ランプXeの発光を停止させる。
反射光量に応じた光電流を流し、この光電流をキ
ヤパシタＣ１０にて積算してそれが所期の値に達
した時、電圧比較器IC１の出力が高電圧レベル
に変化し、サイリスタSCR２、キヤパシタＣ６、
サイリスタSCR３よりなる公知の転流回路が作
動して閃光ランプXeの発光を停止させる。
次に、短い間隔をおいて３回連続発光させた
時、各回の調光レベルが１回毎に規則性をもつて
変化していくことを第１図、第２図によつて説明
する。便宜的に発光間隔をToとする。即ちToの
間隔でシンクロ接点Ｘが３回オンすると仮定す
る。OS１，OS２，OS３はいずれも平常の状態
では入力Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３は低電圧レベルにあ
り、出力端子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３も低電圧レベルに
ある。その状態で入力Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３に正のパ
ルスが入力された場合パルス立上りから一定時間
（OS１の場合Ｔ１，OS２の場合Ｔ２，OS３の場
合Ｔ３とする）だけ出力端子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３が
高電圧レベルになるものとする。また、再トリガ
ーは不可能で、出力が高電圧になつている間に正
の入力パルスがきても無視するものとする。時間
の長さ関係として フル発光時間TF、シンクロ接点Ｘのオン時間
Tx 調光発光時間TA，調光電源供給時間Tz と仮定したばあい、 TA≦TF≪Tx≪Tz≪Tp＜Ｔ２＜Ｔ１ が成り立つとする。
時、各回の調光レベルが１回毎に規則性をもつて
変化していくことを第１図、第２図によつて説明
する。便宜的に発光間隔をToとする。即ちToの
間隔でシンクロ接点Ｘが３回オンすると仮定す
る。OS１，OS２，OS３はいずれも平常の状態
では入力Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３は低電圧レベルにあ
り、出力端子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３も低電圧レベルに
ある。その状態で入力Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３に正のパ
ルスが入力された場合パルス立上りから一定時間
（OS１の場合Ｔ１，OS２の場合Ｔ２，OS３の場
合Ｔ３とする）だけ出力端子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３が
高電圧レベルになるものとする。また、再トリガ
ーは不可能で、出力が高電圧になつている間に正
の入力パルスがきても無視するものとする。時間
の長さ関係として フル発光時間TF、シンクロ接点Ｘのオン時間
Tx 調光発光時間TA，調光電源供給時間Tz と仮定したばあい、 TA≦TF≪Tx≪Tz≪Tp＜Ｔ２＜Ｔ１ が成り立つとする。
抵抗Ｒ１０，Ｒ１１，Ｒ１２及びＲ１３，Ｒ１
５の大きさ、同Ｒ１３，Ｒ１５によるキヤパシタ
Ｃ８，Ｃ９の充電時定数Tdの大きさには次の関
係が成り立つとする。
５の大きさ、同Ｒ１３，Ｒ１５によるキヤパシタ
Ｃ８，Ｃ９の充電時定数Tdの大きさには次の関
係が成り立つとする。
Ｒ１０＝Ｒ１１＝Ｒ１２≫Ｒ１３＝Ｒ１５
Tp≫Td＝Ｒ１３Ｃ８＝Ｒ１５Ｃ９≫Tz
まず、時刻t1において第１回目の発光がなされ
る場合、シンクロ接点Ｘがオンにより調光電源の
出力が立上つた時点ではOS１，OS２の出力はと
もに低電圧レベルにあり、キヤパシタＣ８，Ｃ９
には電荷がたくわえられていない。従つて、抵抗
Ｒ１１，Ｒ１２の高抵抗を通してOS２，OS３に
入力される信号はダイオードＤ１，Ｄ２及びキヤ
パシタＣ８，Ｃ９によつて接地電位に短絡される
ため受けつけられず、OS１のみが信号をうけつ
ける。このためOS１の出力端子Ｑ１は調光電源
の出力電圧Vzの立上りからＴ１の間高電圧レベ
ルになる。上記出力端子Ｑ１によりキヤパシタＣ
８は抵抗Ｒ１３を通して充電が開始されるがその
時定数Td＝Ｒ１３Ｃ８は調光発光時間TA、調光
電源Vzの供給時間Tzに比較して十分長いので、
１回目の発光期間中Ｃ８の充電量は無視できるた
め、１回目の発光に対してOS２は入力を無視し
続ける。そこで１回目の発光に対して光量積分キ
ヤパシタＣ１０のしきい値は V1＝R18＋R19＋R20／R17＋R18＋R19＋R20Vz になる。
る場合、シンクロ接点Ｘがオンにより調光電源の
出力が立上つた時点ではOS１，OS２の出力はと
もに低電圧レベルにあり、キヤパシタＣ８，Ｃ９
には電荷がたくわえられていない。従つて、抵抗
Ｒ１１，Ｒ１２の高抵抗を通してOS２，OS３に
入力される信号はダイオードＤ１，Ｄ２及びキヤ
パシタＣ８，Ｃ９によつて接地電位に短絡される
ため受けつけられず、OS１のみが信号をうけつ
ける。このためOS１の出力端子Ｑ１は調光電源
の出力電圧Vzの立上りからＴ１の間高電圧レベ
ルになる。上記出力端子Ｑ１によりキヤパシタＣ
８は抵抗Ｒ１３を通して充電が開始されるがその
時定数Td＝Ｒ１３Ｃ８は調光発光時間TA、調光
電源Vzの供給時間Tzに比較して十分長いので、
１回目の発光期間中Ｃ８の充電量は無視できるた
め、１回目の発光に対してOS２は入力を無視し
続ける。そこで１回目の発光に対して光量積分キ
ヤパシタＣ１０のしきい値は V1＝R18＋R19＋R20／R17＋R18＋R19＋R20Vz になる。
一方Td＝Ｒ１３Ｃ８は発光間隔Toに比較して
十分短かい（式）から２回目の発光がなされる
までの間にキヤパシタＣ８に対する充電は完了し
ている。
十分短かい（式）から２回目の発光がなされる
までの間にキヤパシタＣ８に対する充電は完了し
ている。
次に時刻ｔ２に第２回目の発光がなされる場
合、時刻ｔ２においてはOS１の出力Ｑ１が高電
圧レベルにあり、OS２，OS３の出力Ｑ２，Ｑ３
は低電圧レベルにある。またキヤパンタＣ８は
OS１の出力により高電圧レベルまでの充電が完
了している。
合、時刻ｔ２においてはOS１の出力Ｑ１が高電
圧レベルにあり、OS２，OS３の出力Ｑ２，Ｑ３
は低電圧レベルにある。またキヤパンタＣ８は
OS１の出力により高電圧レベルまでの充電が完
了している。
このため、OS１，OS３は入力信号を受けつけ
ない。ところがOS１の出力及びＣ８の充電電圧
が高電圧レベルにあるので、OS２の入力がダイ
オードＤ１によつて接地電位に短絡される事はな
いため、OS２だけは入力を受けつけその出力端
子Ｑ２が高電圧レベルになる。上記出力Ｑ２が高
電圧になる事により、キヤパシタＣ９は抵抗Ｒ１
５を通して充電を開始されるがその充電時間が長
いため、OS３の入力は２回目の発光を通して無
視される。またOS２の出力端子Ｑ２が高電圧レ
ベルになると、抵抗Ｒ１４を通してトランジスタ
Tr２にベース電流が流れ、このトランジスタの
オンで分割抵抗Ｒ２０の両端が短絡される。トラ
ンジスタTr２の飽和電圧を無視すると、受光量
積分キヤパシタＣ１０のしきい値は１回目の式
から次のように変化して調光レベルも変化する。
ない。ところがOS１の出力及びＣ８の充電電圧
が高電圧レベルにあるので、OS２の入力がダイ
オードＤ１によつて接地電位に短絡される事はな
いため、OS２だけは入力を受けつけその出力端
子Ｑ２が高電圧レベルになる。上記出力Ｑ２が高
電圧になる事により、キヤパシタＣ９は抵抗Ｒ１
５を通して充電を開始されるがその充電時間が長
いため、OS３の入力は２回目の発光を通して無
視される。またOS２の出力端子Ｑ２が高電圧レ
ベルになると、抵抗Ｒ１４を通してトランジスタ
Tr２にベース電流が流れ、このトランジスタの
オンで分割抵抗Ｒ２０の両端が短絡される。トラ
ンジスタTr２の飽和電圧を無視すると、受光量
積分キヤパシタＣ１０のしきい値は１回目の式
から次のように変化して調光レベルも変化する。
V2＝R18＋R19／R17＋R18＋R19Vz
さらに、３回目の発光が開始されるまでにはＣ
９の充電も完了し、高電圧レベルになつている。
９の充電も完了し、高電圧レベルになつている。
次に時刻ｔ３において３回目の発光がなされる
場合、OS１，OS２はその出力が高電圧レベルに
あるために調光電源からの電圧パルス入力を受け
つけない。一方、キヤパシタＣ９は上述の如く時
刻ｔ３の時点までには高電圧レベルに充電が完了
しているため、OS３は入力を受けつけてその出
力Ｑ３が高電圧レベルに変化する。上記出力端子
Ｑ３が高電圧レベルになると同時に抵抗Ｒ１６を
通してトランジスタTr３にベース電流が流れ、
このトランジスタのオンで抵抗Ｒ１９，Ｒ２０の
両端が短絡される。Tr３の飽和電圧を無視する
と、光量積分キヤパシタＣ１０の充電電圧のしき
い値は２回目の発光の式から次の値に変化して
調光レベルも変化する。
場合、OS１，OS２はその出力が高電圧レベルに
あるために調光電源からの電圧パルス入力を受け
つけない。一方、キヤパシタＣ９は上述の如く時
刻ｔ３の時点までには高電圧レベルに充電が完了
しているため、OS３は入力を受けつけてその出
力Ｑ３が高電圧レベルに変化する。上記出力端子
Ｑ３が高電圧レベルになると同時に抵抗Ｒ１６を
通してトランジスタTr３にベース電流が流れ、
このトランジスタのオンで抵抗Ｒ１９，Ｒ２０の
両端が短絡される。Tr３の飽和電圧を無視する
と、光量積分キヤパシタＣ１０の充電電圧のしき
い値は２回目の発光の式から次の値に変化して
調光レベルも変化する。
V3＝R18／R17＋R18Vz
そこで、OS１，OS２，OS３の時定数素子
（不図示）を適切な値に選んでおけば（例えば、
Ｔ１＝2.1To，Ｔ２＝1.1To，Ｔ３＝0.1To） ３回目の発光後、一定時間（上記例においては
0.1To）経た後、OS１，OS２，OS３の出力が低
電圧レベルに変化する。この変化によりOS１，
OS２，のコンデンサＣ８，Ｃ９に充電された電
荷は、抵抗Ｒ１３，Ｒ１５を通して出力端子Ｑ
１，Ｑ２から吸い込まれるように充電時とは逆向
きに放電し、回路は自動的に１回目の発光以前の
状態に復帰する。この放電時の時定数は充電時と
同じようにTd＝Ｒ１３Ｃ８，Ｒ１５Ｃ９である。
（不図示）を適切な値に選んでおけば（例えば、
Ｔ１＝2.1To，Ｔ２＝1.1To，Ｔ３＝0.1To） ３回目の発光後、一定時間（上記例においては
0.1To）経た後、OS１，OS２，OS３の出力が低
電圧レベルに変化する。この変化によりOS１，
OS２，のコンデンサＣ８，Ｃ９に充電された電
荷は、抵抗Ｒ１３，Ｒ１５を通して出力端子Ｑ
１，Ｑ２から吸い込まれるように充電時とは逆向
きに放電し、回路は自動的に１回目の発光以前の
状態に復帰する。この放電時の時定数は充電時と
同じようにTd＝Ｒ１３Ｃ８，Ｒ１５Ｃ９である。
なお、第１図ににおいては高圧直流電源Ｅ１を
用いているが、公知の昇圧回路を形成して低電圧
電源Ｅ２の単一電源とする事も可能である。
用いているが、公知の昇圧回路を形成して低電圧
電源Ｅ２の単一電源とする事も可能である。
本発明では閃光光量のシフト動作を主コンデン
サーの充電が完了している状態でのみ許可したの
で、閃光発光が実行されずにシフト動作のみが実
行されてしまう様な不都合を防止し、確実に閃光
光量のシフト動作と閃光発光とを同期させること
を可能とするものである。
サーの充電が完了している状態でのみ許可したの
で、閃光発光が実行されずにシフト動作のみが実
行されてしまう様な不都合を防止し、確実に閃光
光量のシフト動作と閃光発光とを同期させること
を可能とするものである。
第１図は本発明調光型閃光装置の実施例を示す
回路図、第２図はその回路各部のタイミング関係
図である。 Ｅ１，Ｅ２は電源、Neはネオンランプ、Xeは
閃光放電管、Ｔ１はトリガトランス、Ｘはシンク
ロ接点、Tr１〜Tr３はトランジスタ、Tr４は受
光素子、SCR１〜SCR３はサイリスタ、OS１〜
OS３はワンシヨツトマルチバイブレータ、IC１
は電圧比較器、Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ６〜Ｃ９はキヤパ
シタ、Ｒ１〜Ｒ４，Ｒ６〜Ｒ２２は抵抗。
回路図、第２図はその回路各部のタイミング関係
図である。 Ｅ１，Ｅ２は電源、Neはネオンランプ、Xeは
閃光放電管、Ｔ１はトリガトランス、Ｘはシンク
ロ接点、Tr１〜Tr３はトランジスタ、Tr４は受
光素子、SCR１〜SCR３はサイリスタ、OS１〜
OS３はワンシヨツトマルチバイブレータ、IC１
は電圧比較器、Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ６〜Ｃ９はキヤパ
シタ、Ｒ１〜Ｒ４，Ｒ６〜Ｒ２２は抵抗。
Claims (1)
- １ 主コンデンサーの充電状態を検知して、充電
状態が所定充電レベル以上の時信号を発生する充
電状態検知手段を有し、該検知手段から信号が発
生している状態での撮影に際して前記主コンデン
サーの充電電荷を閃光管に放電し閃光発光を行な
わせるとともに、前記閃光発光量が所定の発光量
レベルとなつた時に閃光発光を停止させ閃光撮影
を行なわせ、一方前記検知手段から信号が発生し
ていない状態での撮影に際して前記閃光発光を禁
止する閃光撮影装置のための撮影システムにおい
て、前記所定の発光量レベルを設定する設定手段
と、前記設定手段にて設定される発光量レベルを
シフトするレベルシフト手段と、該レベルシフト
手段のシフト動作を前記充電状態検知手段から信
号が発生している状態での撮影に際し許容し、該
信号が発生していない状態におけるシフト手段の
シフト動作を禁止する制御手段を設けたことを特
徴とする撮影システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149730A JPS5850522A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 調光型閃光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56149730A JPS5850522A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 調光型閃光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850522A JPS5850522A (ja) | 1983-03-25 |
| JPH0547814B2 true JPH0547814B2 (ja) | 1993-07-19 |
Family
ID=15481554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56149730A Granted JPS5850522A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 調光型閃光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850522A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2547985B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1996-10-30 | 京セラ株式会社 | 閃光発光装置の調光回路 |
| DE3637645C3 (de) * | 1986-11-05 | 1997-06-05 | Studiotechnik W Hensel Gmbh & | Blitzgerät für fotografische Zwecke, insbesondere Blitzlampe und -generator für Studio- und Außenaufnahmen |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP56149730A patent/JPS5850522A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5850522A (ja) | 1983-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4275335A (en) | Constant light intensity electronic flash device | |
| JPH0547814B2 (ja) | ||
| JPH0449100B2 (ja) | ||
| JPS6365929B2 (ja) | ||
| JPH03237441A (ja) | ストロボ用外部電源 | |
| GB2111697A (en) | Test flash device in flash discharger | |
| JPS5931048B2 (ja) | 閃光放電灯制御装置 | |
| JPS59180530A (ja) | ２灯自動調光閃光装置 | |
| JPS6299734A (ja) | 閃光撮影のためのシステム | |
| KR100706116B1 (ko) | 광량 조절이 가능한 스트로보 장치 | |
| JPS6318008Y2 (ja) | ||
| JPS631569B2 (ja) | ||
| JPS5931935A (ja) | 閃光放電発光器における測光回路 | |
| JPH0715551B2 (ja) | 閃光装置 | |
| KR930002203Y1 (ko) | 플래쉬 회로 | |
| KR0157519B1 (ko) | 자동 충전 완료 플래시 장치 | |
| JPH0680599B2 (ja) | 電子閃光装置 | |
| JPS6314329B2 (ja) | ||
| SU1078675A1 (ru) | Устройство дл импульсного освещени при фотосъемке | |
| JPS60143323A (ja) | 自動調光機能を備えた閃光放電発光器 | |
| JPS6126200B2 (ja) | ||
| JPS647368B2 (ja) | ||
| JPS597369B2 (ja) | 写真用カメラとストロボ装置との組合せ装置 | |
| JPH0695192B2 (ja) | ストロボ装置 | |
| JPH04344622A (ja) | ストロボ発光制御装置 |