JPS6365929B2 - - Google Patents
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- JPS6365929B2 JPS6365929B2 JP53132247A JP13224778A JPS6365929B2 JP S6365929 B2 JPS6365929 B2 JP S6365929B2 JP 53132247 A JP53132247 A JP 53132247A JP 13224778 A JP13224778 A JP 13224778A JP S6365929 B2 JPS6365929 B2 JP S6365929B2
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- discharge lamp
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 140
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 5
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 1
- 101150105073 SCR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100134054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NTG1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、被写体の明るさを検知して光量を自
動的に制御し得る自動光量制御閃光発光装置に関
するものである。
動的に制御し得る自動光量制御閃光発光装置に関
するものである。
従来、自動光量制御閃光発光装置として、例え
ば第１図の電気回路図に示すような構成のものが
知られている。なお同図に於いて、Xeはクセノ
ン等の稀ガスを充填した放電ランプ、SCR1，
SCR2はフリツプフロツプ回路を構成するシリコ
ン制御整流素子、TFはトリガ用トランス、L1，
L2はその一次コイル及び二次コイル、TEはトリ
ガ電極、Ｓはトリガ用スイツチ、Ne1，Ne2はネ
オン管、CMは放電発光エネルギー蓄積用の主コ
ンデンサ、Cpは転流用コンデンサ、Crはトリガ用
コンデンサ、Cpは測光回路へ電力を供給する測
光用コンデンサ、Csは積算用コンデンサ、Pcは光
電導体、R1〜R7は抵抗、Ｅ，E′は電源端子であ
る。
ば第１図の電気回路図に示すような構成のものが
知られている。なお同図に於いて、Xeはクセノ
ン等の稀ガスを充填した放電ランプ、SCR1，
SCR2はフリツプフロツプ回路を構成するシリコ
ン制御整流素子、TFはトリガ用トランス、L1，
L2はその一次コイル及び二次コイル、TEはトリ
ガ電極、Ｓはトリガ用スイツチ、Ne1，Ne2はネ
オン管、CMは放電発光エネルギー蓄積用の主コ
ンデンサ、Cpは転流用コンデンサ、Crはトリガ用
コンデンサ、Cpは測光回路へ電力を供給する測
光用コンデンサ、Csは積算用コンデンサ、Pcは光
電導体、R1〜R7は抵抗、Ｅ，E′は電源端子であ
る。
同図に示した発光装置に於いて、電源端子Ｅ，
E′に接続した直流電源により主コンデンサCM，
トリガ用コンデンサCr、転流用コンデンサCp及び
測光用コンデンサCpに充分電荷を蓄積した後、
カメラのシヤツタに応動するトリガ用スイツチＳ
をオンすると、トリガ用コンデンサCrに充電され
ていた電荷はトリガ用トランスTFの一次コイル
L1を介して放電し、二次コイルL2には高電圧が
誘起されこの高電圧がトリガ電極TEに印加され
て放電ランプXeの内部稀ガスは電離を開始する。
それと同時に測光用コンデンサCpの充電電荷が
抵抗R2の両端に印加され、シリコン制御整流素
子（以下サイリスタと称す）SCR1のゲートに抵
抗R3、ネオン管Ne1を介して電流が流れ、サイリ
スタSCR1は導通し、放電ランプXeは放電を開始
する。トリガ用スイツチＳをオンした際、同時に
光電導体Pc及び積算用コンデンサCsからなる測光
回路に測光用コンデンサCpの電荷による電圧が
印加されるので、被写体からの反射光（放電ラン
プの閃光によるものと自然光とを合成したものと
なる）を光電導体Pcが受光して自身の抵抗値が受
光量に対応して低下すると、光電導体Pcと積算用
コンデンサCsの時定数によつて積算用コンデンサ
Csに充電が開始される。この積算用コンデンサCs
の充電電圧がネオン管Ne2の放電開始電圧に達す
るとネオン管Ne2は点灯し、その電流はサイリス
タSCR2に対してゲートパルス電流として印加さ
れるのでサイリスタSCR2は導通する。サイリス
タSCR2が導通すると転流用コンデンサCpの電荷
はサイリスタSCR1にその陽極を負にするように
印加されるため、サイリスタSCR1はオーンオフ
して放電ランプXeに流れる電流は遮断され、放
電ランプXeは発光を停止する。
E′に接続した直流電源により主コンデンサCM，
トリガ用コンデンサCr、転流用コンデンサCp及び
測光用コンデンサCpに充分電荷を蓄積した後、
カメラのシヤツタに応動するトリガ用スイツチＳ
をオンすると、トリガ用コンデンサCrに充電され
ていた電荷はトリガ用トランスTFの一次コイル
L1を介して放電し、二次コイルL2には高電圧が
誘起されこの高電圧がトリガ電極TEに印加され
て放電ランプXeの内部稀ガスは電離を開始する。
それと同時に測光用コンデンサCpの充電電荷が
抵抗R2の両端に印加され、シリコン制御整流素
子（以下サイリスタと称す）SCR1のゲートに抵
抗R3、ネオン管Ne1を介して電流が流れ、サイリ
スタSCR1は導通し、放電ランプXeは放電を開始
する。トリガ用スイツチＳをオンした際、同時に
光電導体Pc及び積算用コンデンサCsからなる測光
回路に測光用コンデンサCpの電荷による電圧が
印加されるので、被写体からの反射光（放電ラン
プの閃光によるものと自然光とを合成したものと
なる）を光電導体Pcが受光して自身の抵抗値が受
光量に対応して低下すると、光電導体Pcと積算用
コンデンサCsの時定数によつて積算用コンデンサ
Csに充電が開始される。この積算用コンデンサCs
の充電電圧がネオン管Ne2の放電開始電圧に達す
るとネオン管Ne2は点灯し、その電流はサイリス
タSCR2に対してゲートパルス電流として印加さ
れるのでサイリスタSCR2は導通する。サイリス
タSCR2が導通すると転流用コンデンサCpの電荷
はサイリスタSCR1にその陽極を負にするように
印加されるため、サイリスタSCR1はオーンオフ
して放電ランプXeに流れる電流は遮断され、放
電ランプXeは発光を停止する。
光電導体Pcの抵抗値は、被写体からの反射光強
度即ち被写体までの距離の大小、自然光の強弱に
応じて変化し、且つ前記ネオン管Ne2がオンする
までに積算用コンデンサCsに充電される電荷の量
は、フイルムの露光に対応するように予め定めて
あるから、サイリスタSCR1が導通して放電ラン
プXeが発光を開始してからサイリスタSCR2がカ
ツトオフして放電ランプXeが消灯するまでの時
間は、フイルムの適正露光量に応じて制御される
ものとなり、結局、放電ランプXeが被写体を照
射する光量は被写体までの距離の大小、被写体の
明るさに対応して自動的に増減することになる。
度即ち被写体までの距離の大小、自然光の強弱に
応じて変化し、且つ前記ネオン管Ne2がオンする
までに積算用コンデンサCsに充電される電荷の量
は、フイルムの露光に対応するように予め定めて
あるから、サイリスタSCR1が導通して放電ラン
プXeが発光を開始してからサイリスタSCR2がカ
ツトオフして放電ランプXeが消灯するまでの時
間は、フイルムの適正露光量に応じて制御される
ものとなり、結局、放電ランプXeが被写体を照
射する光量は被写体までの距離の大小、被写体の
明るさに対応して自動的に増減することになる。
ところでこのような構成を有する従来の自動光
量制御閃光発光装置に於いては、測光回路からの
調光信号によつてサイリスタSCR2が導通しサイ
リスタSCR1がカツトオフするとき、転流用コン
デンサCpの放電および再充電電流が放電ランプ
Xeを介して流れるため不用の光輻射が行なわれ、
放電ランプXeの発光光量が瞬間的に増大すると
いう欠点があつた。この不用な光輻射は光量に換
算してガイドナンバー（GNO）３〜５（ただし
フイルム感度はASA100とする）にも達し、例え
ばF2に調光する従来の自動光量制御閃光発光装
置を用いた実験では、距離に対する光量の変化率
即ち調光特性を示す第２図の破線に表わすよう
に、近距離に於いて光量の著しい増加をもたら
し、その光量増加は実用に差し支える程に達する
ものであつた。
量制御閃光発光装置に於いては、測光回路からの
調光信号によつてサイリスタSCR2が導通しサイ
リスタSCR1がカツトオフするとき、転流用コン
デンサCpの放電および再充電電流が放電ランプ
Xeを介して流れるため不用の光輻射が行なわれ、
放電ランプXeの発光光量が瞬間的に増大すると
いう欠点があつた。この不用な光輻射は光量に換
算してガイドナンバー（GNO）３〜５（ただし
フイルム感度はASA100とする）にも達し、例え
ばF2に調光する従来の自動光量制御閃光発光装
置を用いた実験では、距離に対する光量の変化率
即ち調光特性を示す第２図の破線に表わすよう
に、近距離に於いて光量の著しい増加をもたら
し、その光量増加は実用に差し支える程に達する
ものであつた。
本発明は、このような従来の欠点を改善した新
規な発明であり、その目的は、転流時に生ずる不
用な光輻射を防止して近距離に於いても光量を適
正に制御することができる自動光量制御閃光発光
装置、更に詳細には、放電発光エネルギー蓄積用
の主コンデンサ（例えば主コンデンサMC）と、
主コンデンサを充電する電源（例えば直流電源
DC）と、抵抗若しくはインダクタンスであるイ
ンピーダンス素子（例えばインピーダンス素子
Ｌ）及び放電ランプ（例えば放電ランプXe）及
び第１のスイツチング素子SW1が直列に接続され
てなる第１の直列接続回路と、第２のスイツチン
グ素子SW2と転流コンデンサCCとが直列接続さ
れてなる第２の直列接続回路と、転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子（例えばスイ
ツチング素子SW3或いはスイツチング素子SW1）
とが直列接続されてなる第３の直列接続回路と、
を備え、 前記主コンデンサの両端に前記第１の直列接続
回路が並列接続され、該第１の直列接続に於ける
放電ランプ及び第１のスイツチング素子からなる
直列接続回路部分に前記第２の直列接続回路が並
列接続され、該第２の直列接続回路に於ける転流
用コンデンサの両端に前記第３の直列接続回路が
並列接続されて閉回路を構成しているとともに、
転流電荷蓄積用コンデンサは、前記主コンデンサ
を充電する電源により予め前記主コンデンサと同
極性に充電されスイツチング素子の導通に同期し
てその充電電荷の一部を放電して転流用コンデン
サを前記主コンデンサと逆極性に充電するもので
あり、 第２のスイツチング素子は調光制御回路ICか
ら調光信号により導通されることを特徴とする自
動光量制御閃光発光装置、また、前記第３の直列
接続回路に於けるスイツチング素子が第１の直列
接続回路に於ける第１のスイツチング素子である
ことを特徴とする前記自動光量制御閃光発光装置
を提供することにある。以下実施例について詳細
に説明する。
規な発明であり、その目的は、転流時に生ずる不
用な光輻射を防止して近距離に於いても光量を適
正に制御することができる自動光量制御閃光発光
装置、更に詳細には、放電発光エネルギー蓄積用
の主コンデンサ（例えば主コンデンサMC）と、
主コンデンサを充電する電源（例えば直流電源
DC）と、抵抗若しくはインダクタンスであるイ
ンピーダンス素子（例えばインピーダンス素子
Ｌ）及び放電ランプ（例えば放電ランプXe）及
び第１のスイツチング素子SW1が直列に接続され
てなる第１の直列接続回路と、第２のスイツチン
グ素子SW2と転流コンデンサCCとが直列接続さ
れてなる第２の直列接続回路と、転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子（例えばスイ
ツチング素子SW3或いはスイツチング素子SW1）
とが直列接続されてなる第３の直列接続回路と、
を備え、 前記主コンデンサの両端に前記第１の直列接続
回路が並列接続され、該第１の直列接続に於ける
放電ランプ及び第１のスイツチング素子からなる
直列接続回路部分に前記第２の直列接続回路が並
列接続され、該第２の直列接続回路に於ける転流
用コンデンサの両端に前記第３の直列接続回路が
並列接続されて閉回路を構成しているとともに、
転流電荷蓄積用コンデンサは、前記主コンデンサ
を充電する電源により予め前記主コンデンサと同
極性に充電されスイツチング素子の導通に同期し
てその充電電荷の一部を放電して転流用コンデン
サを前記主コンデンサと逆極性に充電するもので
あり、 第２のスイツチング素子は調光制御回路ICか
ら調光信号により導通されることを特徴とする自
動光量制御閃光発光装置、また、前記第３の直列
接続回路に於けるスイツチング素子が第１の直列
接続回路に於ける第１のスイツチング素子である
ことを特徴とする前記自動光量制御閃光発光装置
を提供することにある。以下実施例について詳細
に説明する。
第３図は本発明の一実施例の電気回路図であ
り、同図に於いて、Xeはクセノン等の稀ガスを
充填した放電ランプ、TEはそのトリガ用電極、
SW1〜SW3はスイツチング素子、MCは放電発光
エネルギー蓄積用の主コンデンサ、Cdは転流電
荷蓄積用コンデンサ、CCは転流用コンデンサ、
Ｌはインピーダンス素子、Ｄ１はダイオード、
R8，R9は抵抗、DCは直流電源、TGはトリガ回
路、Ｓはトリガ用スイツチ、ICは調光制御回路
である。
り、同図に於いて、Xeはクセノン等の稀ガスを
充填した放電ランプ、TEはそのトリガ用電極、
SW1〜SW3はスイツチング素子、MCは放電発光
エネルギー蓄積用の主コンデンサ、Cdは転流電
荷蓄積用コンデンサ、CCは転流用コンデンサ、
Ｌはインピーダンス素子、Ｄ１はダイオード、
R8，R9は抵抗、DCは直流電源、TGはトリガ回
路、Ｓはトリガ用スイツチ、ICは調光制御回路
である。
本実施例は、同図に示すように、抵抗若しくは
インダクタンスであるインピーダンス素子Ｌ、放
電ランプXe及びスイツチング素子SW1の直列回
路が主コンデンサMCに並列に接続され、その放
電ランプXeとスイツチング素子SW1の直列回路
にスイツチング素子SW2と転流用コンデンサCC
の直列回路が並列に接続されている。また、転流
用コンデンサCCには抵抗R9及び転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子SW3の直列回
路がそれぞれ並列接続され、且つ転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子SW3との接続
点は抵抗R8を介して直流電源DCのプラス側に接
続されている。更に、放電ランプXeのトリガ用
電極TE及びスイツチング素子SW1のゲート端子
にはトリガ回路TGからそれぞれ高周波のトリガ
電圧及びゲートパルスが印加され、またスイツチ
ング素子SW2には調光制御回路ICから調光信号
が印加されるよう構成されている。
インダクタンスであるインピーダンス素子Ｌ、放
電ランプXe及びスイツチング素子SW1の直列回
路が主コンデンサMCに並列に接続され、その放
電ランプXeとスイツチング素子SW1の直列回路
にスイツチング素子SW2と転流用コンデンサCC
の直列回路が並列に接続されている。また、転流
用コンデンサCCには抵抗R9及び転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子SW3の直列回
路がそれぞれ並列接続され、且つ転流電荷蓄積用
コンデンサCdとスイツチング素子SW3との接続
点は抵抗R8を介して直流電源DCのプラス側に接
続されている。更に、放電ランプXeのトリガ用
電極TE及びスイツチング素子SW1のゲート端子
にはトリガ回路TGからそれぞれ高周波のトリガ
電圧及びゲートパルスが印加され、またスイツチ
ング素子SW2には調光制御回路ICから調光信号
が印加されるよう構成されている。
今、主コンデンサMCに並列接続された直流電
源DCにより、主コンデンサMC及び転流電荷蓄
積用コンデンサCdに図示の如き，の極性で
充分に電荷が蓄積され、転流用コンデンサCCは
抵抗R9により無電荷の状態にあるものとする。
カメラのシヤツタに応動するトリガ用スイツチＳ
が閉成されるとトリガ回路TGが起動され、放電
ランプXeのトリガ用電極TEに高電圧が印加され
て放電ランプXeの内部稀ガスは電離を開始する。
同時にトリガ回路TGからスイツチング素子SW1
にゲートパルスが印加されスイツチング素子SW1
はオンとなり、主コンデンサMCの蓄積電荷によ
り放電ランプXe内の前記電離は促進され発光を
開始しようとする。また機械的スイツチ若しくは
半導体スイツチ等のスイツチング素子SW3は例え
ば外部から前記スイツチング素子SW1の導通とほ
ぼ同タイミングで導通制御されれ、その為転流電
荷蓄積用コンデンサCdの蓄積電荷の一部がこの
スイツチング素子SW3及び転流用コンデンサCC
を介して放電するので、転流用コンデンサCCは
図示の如き極性−，＋に充電される。即ち転流電
荷蓄積用コンデンサCdの一部の電荷が転流用コ
ンデンサCCに移しかえられることになる。そし
て、その時点で放電ランプXeは完全に発光する。
源DCにより、主コンデンサMC及び転流電荷蓄
積用コンデンサCdに図示の如き，の極性で
充分に電荷が蓄積され、転流用コンデンサCCは
抵抗R9により無電荷の状態にあるものとする。
カメラのシヤツタに応動するトリガ用スイツチＳ
が閉成されるとトリガ回路TGが起動され、放電
ランプXeのトリガ用電極TEに高電圧が印加され
て放電ランプXeの内部稀ガスは電離を開始する。
同時にトリガ回路TGからスイツチング素子SW1
にゲートパルスが印加されスイツチング素子SW1
はオンとなり、主コンデンサMCの蓄積電荷によ
り放電ランプXe内の前記電離は促進され発光を
開始しようとする。また機械的スイツチ若しくは
半導体スイツチ等のスイツチング素子SW3は例え
ば外部から前記スイツチング素子SW1の導通とほ
ぼ同タイミングで導通制御されれ、その為転流電
荷蓄積用コンデンサCdの蓄積電荷の一部がこの
スイツチング素子SW3及び転流用コンデンサCC
を介して放電するので、転流用コンデンサCCは
図示の如き極性−，＋に充電される。即ち転流電
荷蓄積用コンデンサCdの一部の電荷が転流用コ
ンデンサCCに移しかえられることになる。そし
て、その時点で放電ランプXeは完全に発光する。
調光制御回路ICは、放電ランプXeの照射光及
び自然光による被写体からの反射光を測光し、反
射光量が所定の値に達したとき調光信号をスイツ
チング素子SW2に出力してこれを導通させる。ス
イツチング素子SW2が導通すると、転流用コンデ
ンサCCに−，＋の極性で充電されていた電荷はス
イツチング素子SW2を介して放電ランプXeとス
イツチング素子SW1の直列回路に逆バイアスを印
加することとなり、その結果、スイツチング素子
SW1はターンオフして放電ランプXeの発光は停
止する。
び自然光による被写体からの反射光を測光し、反
射光量が所定の値に達したとき調光信号をスイツ
チング素子SW2に出力してこれを導通させる。ス
イツチング素子SW2が導通すると、転流用コンデ
ンサCCに−，＋の極性で充電されていた電荷はス
イツチング素子SW2を介して放電ランプXeとス
イツチング素子SW1の直列回路に逆バイアスを印
加することとなり、その結果、スイツチング素子
SW1はターンオフして放電ランプXeの発光は停
止する。
スイツチング素子SW1のターンオフ直後に於い
ては、放電ランプXeは末だイオン化されており
コンダクテイブな状態にあるので、もし電流が流
れると不用な光輻射が起きることになる。しか
し、本実施例の構成から明らかなように、スイツ
チング素子SW1のターンオフ直後に於ける主コン
デンサMCの放電電流は、放電ランプXeより充分
に低インピーダンスなスイツチング素子SW2を介
して、転流用コンデンサCC及び転流電荷蓄積用
コンデンサCdを当初と逆極性に充電するように
流れ、放電ランプXeには全く電流が流れない。
従つて、スイツチング素子SW1のターンオフ時に
放電ランプXeが不用に発光することがない。な
お、スイツチング素子SW2は、転流用コンデンサ
CC及び転流用電荷蓄積用コンデンサCdが主コン
デンサMCの残留電荷により図示の如き極性□＋，
□−に充電され、その電位がほぼ主コンデンサMC
の電位と等しくなつたとき自然消弧するものであ
り、転流用コンデンサCCの蓄積電荷はその後抵
抗R9を介して放電し、ほぼ無電荷の初期状態に
なるものである。
ては、放電ランプXeは末だイオン化されており
コンダクテイブな状態にあるので、もし電流が流
れると不用な光輻射が起きることになる。しか
し、本実施例の構成から明らかなように、スイツ
チング素子SW1のターンオフ直後に於ける主コン
デンサMCの放電電流は、放電ランプXeより充分
に低インピーダンスなスイツチング素子SW2を介
して、転流用コンデンサCC及び転流電荷蓄積用
コンデンサCdを当初と逆極性に充電するように
流れ、放電ランプXeには全く電流が流れない。
従つて、スイツチング素子SW1のターンオフ時に
放電ランプXeが不用に発光することがない。な
お、スイツチング素子SW2は、転流用コンデンサ
CC及び転流用電荷蓄積用コンデンサCdが主コン
デンサMCの残留電荷により図示の如き極性□＋，
□−に充電され、その電位がほぼ主コンデンサMC
の電位と等しくなつたとき自然消弧するものであ
り、転流用コンデンサCCの蓄積電荷はその後抵
抗R9を介して放電し、ほぼ無電荷の初期状態に
なるものである。
このような構成により、放電ランプXeの発光
時間は、スイツチング素子SW1が導通して放電ラ
ンプXeが発光開始してからスイツチング素子
SW2が導通してスイツチング素子SW1がカツトオ
フになるまでの期間にほぼ一致するものとなり、
正確な光量制御が可能となるものである。
時間は、スイツチング素子SW1が導通して放電ラ
ンプXeが発光開始してからスイツチング素子
SW2が導通してスイツチング素子SW1がカツトオ
フになるまでの期間にほぼ一致するものとなり、
正確な光量制御が可能となるものである。
なお第３図に於いて、インピーダンス素子Ｌ
は、放電ランプXeの発光停止直後に主コンデン
サMCの電圧の影響をＡ点に受けないようにし
て、転流用コンデンサCCの放出電荷によりスイ
ツチング素子SW1のターンオフを完全なものにす
る為のものであり、またダイオードＤ１は放電ラ
ンプXeの発光停止によりインピーダンス素子Ｌ
に生じた逆起電力を遮断する為のものである。
は、放電ランプXeの発光停止直後に主コンデン
サMCの電圧の影響をＡ点に受けないようにし
て、転流用コンデンサCCの放出電荷によりスイ
ツチング素子SW1のターンオフを完全なものにす
る為のものであり、またダイオードＤ１は放電ラ
ンプXeの発光停止によりインピーダンス素子Ｌ
に生じた逆起電力を遮断する為のものである。
第４図は本発明に於ける他の実施例の電気回路
図であり、同図に於いて、第３図と同一符号は同
一部分を示し、R8′，R9′は抵抗である。本実施例
と先の実施例の相違するところは、本実施例に於
いては、転流電荷蓄積用コンデンサCdから転流
用コンデンサCCへの電荷の移しかえを、第３図
に示したような特別のスイツチング素子SW3を使
用せず、放電ランプXeの点灯消灯を行なうスイ
ツチング素子SW1で行なつている点にある。その
為に、スイツチング素子SW1には転流電荷蓄積用
コンデンサCdと抵抗R9′の直列回路が並列に接続
され、転流電荷蓄積用コンデンサCdと抵抗R9′と
の接続点はスイツチング素子SW2と転流用コンデ
ンサCCとの接続点に接続され、且つ抵抗R8′が転
流電荷蓄積用コンデンサCdの充電径路として該
コンデンサCdの一端と直流電源DCのプラス側と
の間に接続れる構成となつている。
図であり、同図に於いて、第３図と同一符号は同
一部分を示し、R8′，R9′は抵抗である。本実施例
と先の実施例の相違するところは、本実施例に於
いては、転流電荷蓄積用コンデンサCdから転流
用コンデンサCCへの電荷の移しかえを、第３図
に示したような特別のスイツチング素子SW3を使
用せず、放電ランプXeの点灯消灯を行なうスイ
ツチング素子SW1で行なつている点にある。その
為に、スイツチング素子SW1には転流電荷蓄積用
コンデンサCdと抵抗R9′の直列回路が並列に接続
され、転流電荷蓄積用コンデンサCdと抵抗R9′と
の接続点はスイツチング素子SW2と転流用コンデ
ンサCCとの接続点に接続され、且つ抵抗R8′が転
流電荷蓄積用コンデンサCdの充電径路として該
コンデンサCdの一端と直流電源DCのプラス側と
の間に接続れる構成となつている。
トリガ用スイツチＳが閉成されトリガ回路TG
が起動されると、放電ランプXeのトリガ用電極
TEには高電圧が印加されて該ランプの内部稀ガ
スは電離を開始し、スイツチング素子SW1にはゲ
ートパルスが印加されて該スイツチはオンとなる
ので、主コンデンサMCの蓄積電荷により前記放
電ランプXe内の電離は促進され発光を開始しよ
うとする。同時にスイツチング素子SW1が導通す
ると、転流電荷蓄積用コンデンサCdに図示の如
き極性，に予め充電されていた電荷の一部
は、スイツチング素子SW1及び転流用コンデンサ
CCを介して放電するので、転流用コンデンサCC
は図示の如き極性−，＋に充電される。そして、
その時点で放電ランプXeは完全に発光する。
が起動されると、放電ランプXeのトリガ用電極
TEには高電圧が印加されて該ランプの内部稀ガ
スは電離を開始し、スイツチング素子SW1にはゲ
ートパルスが印加されて該スイツチはオンとなる
ので、主コンデンサMCの蓄積電荷により前記放
電ランプXe内の電離は促進され発光を開始しよ
うとする。同時にスイツチング素子SW1が導通す
ると、転流電荷蓄積用コンデンサCdに図示の如
き極性，に予め充電されていた電荷の一部
は、スイツチング素子SW1及び転流用コンデンサ
CCを介して放電するので、転流用コンデンサCC
は図示の如き極性−，＋に充電される。そして、
その時点で放電ランプXeは完全に発光する。
先の実施例と同様に調光制御回路ICの調光信
号によりスイツチング素子SW2が導通すると、転
流用コンデンサCCに−，＋の極性で充電されてい
た電荷がスイツチング素子SW2を介して放電ラン
プXe及びスイツチング素子SW1の直列回路に逆
バイアスに印加し、その結果、スイツチング素子
SW1がターンオフして放電ランプXeの発光が停
止することになる。
号によりスイツチング素子SW2が導通すると、転
流用コンデンサCCに−，＋の極性で充電されてい
た電荷がスイツチング素子SW2を介して放電ラン
プXe及びスイツチング素子SW1の直列回路に逆
バイアスに印加し、その結果、スイツチング素子
SW1がターンオフして放電ランプXeの発光が停
止することになる。
スイツチング素子SW1のターンオフ直後に於い
ては、放電ランプXeはコンダクテイブな状態に
あるので、主コンデンサMCの残留電荷が放電ラ
ンプXeが転流電荷蓄積用コンデンサCd及び転流
用コンデンサCCの直列回路を充電するように流
れると、不用な光輻射が生じることになる。しか
し、本実施例に於いても、放電ランプXeと並列
にスイツチング素子SW2が設けられているから、
転流用コンデンサCCを当初と逆極性に充電する
主コンデンサMCの放電電流は、そのほとんどが
低インピーダンスなスイツチング素子SW2を流
れ、放電ランプXeにはほとんど電流は流れない。
従つて、スイツチング素子SW1のターワオフ時に
放電ランプXeが不用に発光することがない。な
お、スイツチング素子SW2は、転流用コンデンサ
CCが主コンデンサMCの残留電荷により図示の
極性□＋，□−に充電され、その電位がほぼ主コンデ
ンサMCの電位と等しくなつたとき自然消弧し、
また転流用コンデンサCCの蓄積電荷はその後抵
抗R9′を介して放電し、ほぼ電荷零の初期状態に
なるものである。
ては、放電ランプXeはコンダクテイブな状態に
あるので、主コンデンサMCの残留電荷が放電ラ
ンプXeが転流電荷蓄積用コンデンサCd及び転流
用コンデンサCCの直列回路を充電するように流
れると、不用な光輻射が生じることになる。しか
し、本実施例に於いても、放電ランプXeと並列
にスイツチング素子SW2が設けられているから、
転流用コンデンサCCを当初と逆極性に充電する
主コンデンサMCの放電電流は、そのほとんどが
低インピーダンスなスイツチング素子SW2を流
れ、放電ランプXeにはほとんど電流は流れない。
従つて、スイツチング素子SW1のターワオフ時に
放電ランプXeが不用に発光することがない。な
お、スイツチング素子SW2は、転流用コンデンサ
CCが主コンデンサMCの残留電荷により図示の
極性□＋，□−に充電され、その電位がほぼ主コンデ
ンサMCの電位と等しくなつたとき自然消弧し、
また転流用コンデンサCCの蓄積電荷はその後抵
抗R9′を介して放電し、ほぼ電荷零の初期状態に
なるものである。
このような構成によつても、先の実施例と同
様、放電ランプXeの発光時間は、スイツチング
素子SW1が導通して放電ランプXeが発光開始し
てからスイツチング素子SW2が導通してスイツチ
ング素子SW1がカツトオフになるまでの期間にほ
ぼ一致するものとなるから、正確な光量制御が可
能となるものである。一実験例として本実施例を
例えばF2に調光する自動光量制御閃光発光装置
に適用した結果、例えば第２図の実線で示すよう
に、近距離に於いても光量を適正に制御し得るこ
とが確認された。
様、放電ランプXeの発光時間は、スイツチング
素子SW1が導通して放電ランプXeが発光開始し
てからスイツチング素子SW2が導通してスイツチ
ング素子SW1がカツトオフになるまでの期間にほ
ぼ一致するものとなるから、正確な光量制御が可
能となるものである。一実験例として本実施例を
例えばF2に調光する自動光量制御閃光発光装置
に適用した結果、例えば第２図の実線で示すよう
に、近距離に於いても光量を適正に制御し得るこ
とが確認された。
第５図は、本発明の更に別の実施例の電気回路
図であり、第４図に示した回路をより具体化した
ものであつて、第４図と同一符号は同一部分を示
し、Ｄ２，Ｄ３，Ｄ５はダイオード、Ｄ４は定電
圧素子、Cgは点弧電荷蓄積用のコンデンサ、Cr
はトリガ用コンデンサ、CRは誤点弧防止用のコ
ンデンサ、CIは調光用電圧供給用のコンデンサ、
RLはコイル等のインピーダンス素子、L1，L2は
トリガ用電極の１次コイル及び２次コイル、R10
〜R13は抵抗である。
図であり、第４図に示した回路をより具体化した
ものであつて、第４図と同一符号は同一部分を示
し、Ｄ２，Ｄ３，Ｄ５はダイオード、Ｄ４は定電
圧素子、Cgは点弧電荷蓄積用のコンデンサ、Cr
はトリガ用コンデンサ、CRは誤点弧防止用のコ
ンデンサ、CIは調光用電圧供給用のコンデンサ、
RLはコイル等のインピーダンス素子、L1，L2は
トリガ用電極の１次コイル及び２次コイル、R10
〜R13は抵抗である。
初期状態に於いては、直流電源DCにより主コ
ンデンサMC、転流電荷蓄積用コンデンサCd及び
コンデンサCg，Cr，CIにそれぞれ図示の如き極性
，で充分電荷が蓄積されている。カメラのシ
ヤツタに応動するスイツチＳを閉成すると、コン
デンサCgに蓄積されていた電荷はゲート電流制
限用の抵抗R11を経てサイリスタ等のスイツチン
グ素子SW1のゲート端子に印加され、スイツチン
グ素子SW1は導通する。このスイツチング素子
SW1の導通によりトリガ用コンデンサCrに蓄えら
れた電荷は、トリガ用トランスTFの一次コイル
を介して放電しその二次コイルに高電圧を発生さ
せるので、放電ランプXeはイオン化され、主コ
ンデンサMCの電荷がコイルＬ、放電ランプXe及
びスイツチング素子SW1を介して放電開始する結
果、放電ランプXeは発光を開始する。またスイ
ツチング素子SW1の導通によつて転流電荷蓄積用
コンデンサCdの電荷が、インピーダンス素子RL、
スイツチング素子SW1、ダイオードＤ３を介して
放電し、転流用コンデンサCCには図示の如き極
性−，＋で電荷が蓄積される。この転流用コンデ
ンサCCに蓄積される電荷、即ち転流用コンデン
サCCの充電電圧は、転流電荷蓄積用コンデンサ
Cdと転流用コンデンサCCとの容量比で定まる電
圧配分に依存するが、本実施例では、インピーダ
ンス素子RLとコンデンサCd，CCとの直列共振回
路の電圧増幅作用がある為、前記電圧配分に依る
転流用コンデンサCCに於ける通常の充電電位よ
り高いものとなり、その高電位はダイオードＤ３
により維持されるものとなる。
ンデンサMC、転流電荷蓄積用コンデンサCd及び
コンデンサCg，Cr，CIにそれぞれ図示の如き極性
，で充分電荷が蓄積されている。カメラのシ
ヤツタに応動するスイツチＳを閉成すると、コン
デンサCgに蓄積されていた電荷はゲート電流制
限用の抵抗R11を経てサイリスタ等のスイツチン
グ素子SW1のゲート端子に印加され、スイツチン
グ素子SW1は導通する。このスイツチング素子
SW1の導通によりトリガ用コンデンサCrに蓄えら
れた電荷は、トリガ用トランスTFの一次コイル
を介して放電しその二次コイルに高電圧を発生さ
せるので、放電ランプXeはイオン化され、主コ
ンデンサMCの電荷がコイルＬ、放電ランプXe及
びスイツチング素子SW1を介して放電開始する結
果、放電ランプXeは発光を開始する。またスイ
ツチング素子SW1の導通によつて転流電荷蓄積用
コンデンサCdの電荷が、インピーダンス素子RL、
スイツチング素子SW1、ダイオードＤ３を介して
放電し、転流用コンデンサCCには図示の如き極
性−，＋で電荷が蓄積される。この転流用コンデ
ンサCCに蓄積される電荷、即ち転流用コンデン
サCCの充電電圧は、転流電荷蓄積用コンデンサ
Cdと転流用コンデンサCCとの容量比で定まる電
圧配分に依存するが、本実施例では、インピーダ
ンス素子RLとコンデンサCd，CCとの直列共振回
路の電圧増幅作用がある為、前記電圧配分に依る
転流用コンデンサCCに於ける通常の充電電位よ
り高いものとなり、その高電位はダイオードＤ３
により維持されるものとなる。
即ち、転流用コンデンサCCの充電特性は例え
ば第６図に示すように、インピーダンス素子RL
がない場合の転流用コンデンサCCの充電電位が
破線で示すようにコンデンサCd，CCの容量に逆
比例した関係で決定されるのに対し、インピーダ
ンス素子RLを挿入した場合の転流用コンデンサ
CCの充電電位は、インピーダンス素子RLによる
起電力△Ｅだけ高電位（ただしこの場合は負の高
電位）となり、その高電位がダイオードＤ３によ
りピークホールドされるものとなる。またインピ
ーダンス素子RLは、第５図から明らかなように、
転流用コンデンサCCの急激な充電を阻止するも
のであるから、スイツチング素子SW2の電圧上昇
率（dＶ／dｔ）を下げスイツチング素子SW2が誤
点弧（VBO点弧）することを防ぐ働きもしてい
る。
ば第６図に示すように、インピーダンス素子RL
がない場合の転流用コンデンサCCの充電電位が
破線で示すようにコンデンサCd，CCの容量に逆
比例した関係で決定されるのに対し、インピーダ
ンス素子RLを挿入した場合の転流用コンデンサ
CCの充電電位は、インピーダンス素子RLによる
起電力△Ｅだけ高電位（ただしこの場合は負の高
電位）となり、その高電位がダイオードＤ３によ
りピークホールドされるものとなる。またインピ
ーダンス素子RLは、第５図から明らかなように、
転流用コンデンサCCの急激な充電を阻止するも
のであるから、スイツチング素子SW2の電圧上昇
率（dＶ／dｔ）を下げスイツチング素子SW2が誤
点弧（VBO点弧）することを防ぐ働きもしてい
る。
さて、スイツチング素子SW1の導通によりコン
デンサCIに蓄積されていた電荷もスイツチング素
子SW1、抵抗R13及びツエナダイオード等の定電
圧素子Ｄ４を介して放電することになり、定電圧
素子Ｄ４の端子間に定電圧が発生し、この定電圧
が調光制御回路を駆動する。即ち発光と同時に測
光が開始される所謂同期測光が行なわれる。調光
制御回路ICは所定の光量値に達したことを検出
すると、調光信号を冷陰極サイラトロン等のスイ
ツチング素子SW2に出力し、このスイツチング素
子SW2を導通させる。
デンサCIに蓄積されていた電荷もスイツチング素
子SW1、抵抗R13及びツエナダイオード等の定電
圧素子Ｄ４を介して放電することになり、定電圧
素子Ｄ４の端子間に定電圧が発生し、この定電圧
が調光制御回路を駆動する。即ち発光と同時に測
光が開始される所謂同期測光が行なわれる。調光
制御回路ICは所定の光量値に達したことを検出
すると、調光信号を冷陰極サイラトロン等のスイ
ツチング素子SW2に出力し、このスイツチング素
子SW2を導通させる。
スイツチング素子SW2が導通すると、転流用コ
ンデンサCCの蓄積電荷はそのスイツチング素子
SW2を通して放電するが、本実施例に於いてはこ
の場合、その放電電荷は放電ランプXeとスイツ
チング素子SW1の直列回路にスイツチング素子
SW1を逆バイアスするように印加すると共に、ダ
イオードＤ２及びコンデンサCRの直列回路にも
印加される。スイツチング素子SW1に印加した電
荷は前述したようにスイツチング素子SW1をカツ
トオフする。またダイオードＤ２とコンデンサ
CRの直列回路に印加した電荷は、コンデンサCIを
図示の如き極性−，＋で充電する。その結果負の
電圧が抵抗R12を介してスイツチング素子SW1の
ゲートに印加されることになり、スイツチング素
子SW1の誤点弧による再導通が防止されることに
なる。尚、放電ランプXeと並列にダイオードＤ
５を図示の如き極性で接続すれば、スイツチング
素子SW1のターンオフをより確実に行ない得るも
のとなる。
ンデンサCCの蓄積電荷はそのスイツチング素子
SW2を通して放電するが、本実施例に於いてはこ
の場合、その放電電荷は放電ランプXeとスイツ
チング素子SW1の直列回路にスイツチング素子
SW1を逆バイアスするように印加すると共に、ダ
イオードＤ２及びコンデンサCRの直列回路にも
印加される。スイツチング素子SW1に印加した電
荷は前述したようにスイツチング素子SW1をカツ
トオフする。またダイオードＤ２とコンデンサ
CRの直列回路に印加した電荷は、コンデンサCIを
図示の如き極性−，＋で充電する。その結果負の
電圧が抵抗R12を介してスイツチング素子SW1の
ゲートに印加されることになり、スイツチング素
子SW1の誤点弧による再導通が防止されることに
なる。尚、放電ランプXeと並列にダイオードＤ
５を図示の如き極性で接続すれば、スイツチング
素子SW1のターンオフをより確実に行ない得るも
のとなる。
放電ランプXeがオフすると、主コンデンサMC
の残留電荷はインピーダンス素子Ｌ及びスイツチ
ング素子SW2を介して流れ、転流用コンデンサ
CCを図示の如き極性□＋，□−に充電し、充電され
た電荷はスイツチング素子SW2の自然消弧後、ダ
イオードＤ３及び抵抗R9を介して完全に放電す
る。本実施例に於いては、放電ランプXeを流れ
る電流がコンデンサCd，CCを充電する方向に流
れようとしてもダイオードＤ３がそれを阻止する
方向となるように接続されているから、放電ラン
プXeをわずかでも電流が流れることはない。従
つて放電ランプXeから輻射した光は完全に調光
された量のみとなるものである。
の残留電荷はインピーダンス素子Ｌ及びスイツチ
ング素子SW2を介して流れ、転流用コンデンサ
CCを図示の如き極性□＋，□−に充電し、充電され
た電荷はスイツチング素子SW2の自然消弧後、ダ
イオードＤ３及び抵抗R9を介して完全に放電す
る。本実施例に於いては、放電ランプXeを流れ
る電流がコンデンサCd，CCを充電する方向に流
れようとしてもダイオードＤ３がそれを阻止する
方向となるように接続されているから、放電ラン
プXeをわずかでも電流が流れることはない。従
つて放電ランプXeから輻射した光は完全に調光
された量のみとなるものである。
以上説明したように、本発明は、放電ランプ
Xeの点灯消灯を行なうスイツチング素子のカツ
トオフ直後に転流用コンデンサCCを再充電する
電流を、放電ランプXeと並列に設けたスイツチ
ング素子SW2を流れるように構成した為、従来の
ように不用の光輻射が発生することがなくなり、
近距離の被写体の場合にも光量を適正に制御する
ことが可能となるものである。また、放電ランプ
の点灯消灯を行なう第１のスイツチング素子に逆
バイアス電圧を印加する転流用コンデンサは、主
コンデンサと同一電源によつて予め充電されてい
る転流電荷蓄積用コンデンサから発光スイツチの
操作と同期して放出される電荷により主コンデン
サとは逆極性に充電されるように構成されている
から、主コンデンサを充電する電源とは別電源で
転流用コンデンサを充電しておく場合に比べ、装
置の小型化、低価格化を図ることができる。更
に、コンデンサからコンデンサへの電荷の移し変
えは急速に行なわれるから、発光後直ちに発光停
止動作を開始しなければならない近距離撮影など
の短時間制御を容易且つ確実に行ない得る利点が
ある。
Xeの点灯消灯を行なうスイツチング素子のカツ
トオフ直後に転流用コンデンサCCを再充電する
電流を、放電ランプXeと並列に設けたスイツチ
ング素子SW2を流れるように構成した為、従来の
ように不用の光輻射が発生することがなくなり、
近距離の被写体の場合にも光量を適正に制御する
ことが可能となるものである。また、放電ランプ
の点灯消灯を行なう第１のスイツチング素子に逆
バイアス電圧を印加する転流用コンデンサは、主
コンデンサと同一電源によつて予め充電されてい
る転流電荷蓄積用コンデンサから発光スイツチの
操作と同期して放出される電荷により主コンデン
サとは逆極性に充電されるように構成されている
から、主コンデンサを充電する電源とは別電源で
転流用コンデンサを充電しておく場合に比べ、装
置の小型化、低価格化を図ることができる。更
に、コンデンサからコンデンサへの電荷の移し変
えは急速に行なわれるから、発光後直ちに発光停
止動作を開始しなければならない近距離撮影など
の短時間制御を容易且つ確実に行ない得る利点が
ある。
即ち、例えば特開昭49―54023号公報に見られ
るように、転流用コンデンサCCと別に設けたコ
イルと第１のスイツチング素子SW1とで共振回路
を構成し、第１のスイツチング素子SW1のオン時
に共振作用によつて転流用コンデンサCCの電荷
を逆方向に移し変える構成では、移し変えが終了
するまでにその共振周期のほぼ3/4に相当する時
間が必要となるが、一般に放電管３は第１のスイ
ツチング素子CCの導通と同時にイオン化して発
光を開始するため、このように第１のスイツチン
グ素子SW1の導通時から転流用コンデンサCCの
逆方向充電完了までの期間が長いと、その間制御
不可能となり、発光後直ちに発光停止動作を開始
しなければならない短時間制御が困難となる。こ
れに対し本発明によれば、前述したようにコンデ
ンサからコンデンサへの電荷の移し変えによつて
転流用コンデンサCCを逆極性に充電するもので
あるから転流用コンデンサCCを直ちに逆極性に
充電することができ、その分より短時間制御が可
能となる。本発明では第１のスイツチング素子
SW1の導通時からほぼ20μsec程度で移し変えが終
了するが、共振作用によれば少なくともその倍程
度の時間が必要であり、従つて、本発明によれば
例えば50cmの距離の被写体をF2の絞りで撮影し
ても確実に調光できるが、共振作用を利用した構
成では一絞り程の光量増大を招来する。
るように、転流用コンデンサCCと別に設けたコ
イルと第１のスイツチング素子SW1とで共振回路
を構成し、第１のスイツチング素子SW1のオン時
に共振作用によつて転流用コンデンサCCの電荷
を逆方向に移し変える構成では、移し変えが終了
するまでにその共振周期のほぼ3/4に相当する時
間が必要となるが、一般に放電管３は第１のスイ
ツチング素子CCの導通と同時にイオン化して発
光を開始するため、このように第１のスイツチン
グ素子SW1の導通時から転流用コンデンサCCの
逆方向充電完了までの期間が長いと、その間制御
不可能となり、発光後直ちに発光停止動作を開始
しなければならない短時間制御が困難となる。こ
れに対し本発明によれば、前述したようにコンデ
ンサからコンデンサへの電荷の移し変えによつて
転流用コンデンサCCを逆極性に充電するもので
あるから転流用コンデンサCCを直ちに逆極性に
充電することができ、その分より短時間制御が可
能となる。本発明では第１のスイツチング素子
SW1の導通時からほぼ20μsec程度で移し変えが終
了するが、共振作用によれば少なくともその倍程
度の時間が必要であり、従つて、本発明によれば
例えば50cmの距離の被写体をF2の絞りで撮影し
ても確実に調光できるが、共振作用を利用した構
成では一絞り程の光量増大を招来する。
尚、本発明は前記実施例に限定されることな
く、他に多くの応用をすることができる。例えば
前記調光制御回路は、これをCR時定数手動可変
のタイマに変え、放電ランプ発光後、CR時定数
で定められる所定時間経過時に調光信号を発生し
てスイツチング素子を動作させるようにする等は
任意である。
く、他に多くの応用をすることができる。例えば
前記調光制御回路は、これをCR時定数手動可変
のタイマに変え、放電ランプ発光後、CR時定数
で定められる所定時間経過時に調光信号を発生し
てスイツチング素子を動作させるようにする等は
任意である。
第１図は従来の発光装置の一例を表わす電気回
路図、第２図は調光特性を示す線図、第３図〜第
５図は本発明のそれぞれ異なる実施例を表わす電
気回路図、第６図は第５図の説明に用いる補助図
である。 Xeは放電ランプ、SW1〜SW3はスイツチング
素子、Ｌ，RLはインピーダンス素子、MCは放
電発光エネルギー蓄積用の主コンデンサ、Cdは
転流電荷蓄積用コンデンサ、CCは転流用コンデ
ンサ、TGはトリガ回路、ICは調光制御回路、
DCは直流電源である。
路図、第２図は調光特性を示す線図、第３図〜第
５図は本発明のそれぞれ異なる実施例を表わす電
気回路図、第６図は第５図の説明に用いる補助図
である。 Xeは放電ランプ、SW1〜SW3はスイツチング
素子、Ｌ，RLはインピーダンス素子、MCは放
電発光エネルギー蓄積用の主コンデンサ、Cdは
転流電荷蓄積用コンデンサ、CCは転流用コンデ
ンサ、TGはトリガ回路、ICは調光制御回路、
DCは直流電源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放電発光エネルギー蓄積用の主コンデンサ
と、 主コンデンサを充電する電源と、 抵抗若しくはインダクタンスであるインピーダ
ンス素子及び放電ランプ及び第１のスイツチング
素子が直列に接続されてなる第１の直列接続回路
と、 第２のスイツチング素子と転流コンデンサとが
直列接続されてなる第２の直列接続回路と、 転流電荷蓄積用コンデンサとスイツチング素子
とが直列接続されてなる第３の直列接続回路と、 を備え、前記主コンデンサの両端に前記第１の直
列接続回路が並列接続され、該第１の直列接続に
於ける放電ランプ及び第１のスイツチング素子か
らなる直列接続回路部分に前記第２の直列接続回
路が並列接続され、該第２の直列接続回路に於け
る転流用コンデンサの両端に前記第３の直列接続
回路が並列接続されて閉回路を構成するととも
に、転流電荷蓄積用コンデンサは、前記主コンデ
ンサを充電する電源により予め前記主コンデンサ
と同極性に充電されスイツチング素子の導通に同
期してその充電電荷の一部を放電して転流用コン
デンサを前記主コンデンサと逆極性に充電するも
のであり、 第２のスイツチング素子は、調光制御回路から
の調光信号により導通されることを特徴とする自
動光量制御閃光発光装置。 ２ 前記第３の直列接続回路に於けるスイツチン
グ素子が第１の直列接続回路に於ける第１のスイ
ツチング素子であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の自動光量制御閃光発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13224778A JPS5559446A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Automatic light quantity controlled flash light emission device |
| US06/087,469 US4298826A (en) | 1978-10-27 | 1979-10-22 | Automatic flash unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13224778A JPS5559446A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Automatic light quantity controlled flash light emission device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5559446A JPS5559446A (en) | 1980-05-02 |
| JPS6365929B2 true JPS6365929B2 (ja) | 1988-12-19 |
Family
ID=15076799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13224778A Granted JPS5559446A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Automatic light quantity controlled flash light emission device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5559446A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140726U (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-26 | ||
| JPH0364444U (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-24 | ||
| JPWO2020017514A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2021-08-02 | シチズン時計株式会社 | 工作機械 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5738426A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-03 | Fuji Koeki Kk | Trigger device of flash discharge light emitter |
| JPS57120923A (en) * | 1981-01-19 | 1982-07-28 | Fujimi Koki Kk | Automatic dimming strobe light emitter |
| JPS61248055A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toray Ind Inc | 水なし平版印刷版 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954023A (ja) * | 1972-09-26 | 1974-05-25 |
-
1978
- 1978-10-27 JP JP13224778A patent/JPS5559446A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4954023A (ja) * | 1972-09-26 | 1974-05-25 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140726U (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-26 | ||
| JPH0364444U (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-24 | ||
| JPWO2020017514A1 (ja) * | 2018-07-18 | 2021-08-02 | シチズン時計株式会社 | 工作機械 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5559446A (en) | 1980-05-02 |
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