JPH0541407A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- JPH0541407A JPH0541407A JP21658991A JP21658991A JPH0541407A JP H0541407 A JPH0541407 A JP H0541407A JP 21658991 A JP21658991 A JP 21658991A JP 21658991 A JP21658991 A JP 21658991A JP H0541407 A JPH0541407 A JP H0541407A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
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- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ウエハ上１１に封止樹脂１５を均一に形成し
て、その後、ウエハ１１を個々の半導体装置１９に分割
し、その後、基板３３に半導体装置１９を圧接して、半
導体装置１９と基板３３との接続と、封止樹脂１５によ
る樹脂封止とを同時に行う。 【効果】 封止樹脂の半導体装置外周からのはみ出し量
を適切に制御することが可能となる。このため、隣接す
る半導体装置の接続を阻害することがなくなる。さら
に、封止樹脂が液晶等の表示装置のシール部に浸入する
ことも防止することが可能で、表示装置の表示品質が劣
化することを防ぐことができる。
て、その後、ウエハ１１を個々の半導体装置１９に分割
し、その後、基板３３に半導体装置１９を圧接して、半
導体装置１９と基板３３との接続と、封止樹脂１５によ
る樹脂封止とを同時に行う。 【効果】 封止樹脂の半導体装置外周からのはみ出し量
を適切に制御することが可能となる。このため、隣接す
る半導体装置の接続を阻害することがなくなる。さら
に、封止樹脂が液晶等の表示装置のシール部に浸入する
ことも防止することが可能で、表示装置の表示品質が劣
化することを防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を基板に接続
し、樹脂封止を行う半導体装置の実装方法に関する。
し、樹脂封止を行う半導体装置の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を基板に接続し、樹脂封止を
行う半導体装置の実装方法における従来例としては、デ
ィップ方法、滴下方法、含浸方法の３つの方法に、ほぼ
分類できる。以下上記３つの各方法に関して図３を用い
て説明する。なお以下の説明において突起電極は、半導
体装置側に設ける例で説明するが、半導体装置を接続す
る基板側に突起電極を設けても良い。
行う半導体装置の実装方法における従来例としては、デ
ィップ方法、滴下方法、含浸方法の３つの方法に、ほぼ
分類できる。以下上記３つの各方法に関して図３を用い
て説明する。なお以下の説明において突起電極は、半導
体装置側に設ける例で説明するが、半導体装置を接続す
る基板側に突起電極を設けても良い。
【０００３】ディップ方法は、図３（ａ）に示すよう
に、突起電極１３を形成した半導体装置１９を、突起電
極１３を下面側に向けて、封止樹脂１５の樹脂だめに漬
け、半導体装置１９の下面全面に封止樹脂１５を転写塗
布する。その後、基板３３に形成した配線回路３１の対
応する位置に半導体装置１９を配置し、さらに突起電極
１３と配線回路３１とを位置合わせし、圧力を加えなが
ら光照射や加熱して、突起電極１３と配線回路３１とを
接続する方法である。以下の説明においては、位置合わ
せして、圧力を加えながら光照射や加熱する方法を圧接
と呼ぶことにする。
に、突起電極１３を形成した半導体装置１９を、突起電
極１３を下面側に向けて、封止樹脂１５の樹脂だめに漬
け、半導体装置１９の下面全面に封止樹脂１５を転写塗
布する。その後、基板３３に形成した配線回路３１の対
応する位置に半導体装置１９を配置し、さらに突起電極
１３と配線回路３１とを位置合わせし、圧力を加えなが
ら光照射や加熱して、突起電極１３と配線回路３１とを
接続する方法である。以下の説明においては、位置合わ
せして、圧力を加えながら光照射や加熱する方法を圧接
と呼ぶことにする。
【０００４】滴下方法は、図３（ｂ）に示すように、封
止樹脂１５は基板３３に形成した配線回路３１上に、デ
ィスペンサ等を使用して滴下する。その後、突起電極１
３を形成した半導体装置１９を、配線回路３１を形成し
た基板３３に圧接する方法である。
止樹脂１５は基板３３に形成した配線回路３１上に、デ
ィスペンサ等を使用して滴下する。その後、突起電極１
３を形成した半導体装置１９を、配線回路３１を形成し
た基板３３に圧接する方法である。
【０００５】含浸方法は、図３（ｃ）に示すように、ま
ず半導体装置１９を基板３３に形成した配線回路３１に
接続する。その後、半導体装置１９と基板３３との隙間
に封止樹脂１５を流し込む方法である。封止樹脂１５を
半導体装置１９と基板３３との隙間に流し込む際には、
ディスペンサ１７で半導体装置１９の端部近傍に封止樹
脂１５を滴下する。
ず半導体装置１９を基板３３に形成した配線回路３１に
接続する。その後、半導体装置１９と基板３３との隙間
に封止樹脂１５を流し込む方法である。封止樹脂１５を
半導体装置１９と基板３３との隙間に流し込む際には、
ディスペンサ１７で半導体装置１９の端部近傍に封止樹
脂１５を滴下する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】基板３３に形成する配
線回路３１は、年々、高精細、高密度になっており、し
かも小型化、薄型化が図られている。それに伴い、駆動
する半導体装置１９の出力数も増加している。
線回路３１は、年々、高精細、高密度になっており、し
かも小型化、薄型化が図られている。それに伴い、駆動
する半導体装置１９の出力数も増加している。
【０００７】しかし、１つの半導体装置１９の出力数で
は、基板３３の配線回路３１から要求される数には足り
ず、そのため、半導体装置１９を基板３３に複数個取り
付ける必要がある。そのうえ配線回路３１が、高密度、
高精細なため、図４（ａ）に示すように、半導体装置１
９端面と半導体装置１９端面との間の隙間１の寸法を、
２ｍｍ以下と非常に狭くし、複数の半導体装置１９を接
近して取り付けなければならない。
は、基板３３の配線回路３１から要求される数には足り
ず、そのため、半導体装置１９を基板３３に複数個取り
付ける必要がある。そのうえ配線回路３１が、高密度、
高精細なため、図４（ａ）に示すように、半導体装置１
９端面と半導体装置１９端面との間の隙間１の寸法を、
２ｍｍ以下と非常に狭くし、複数の半導体装置１９を接
近して取り付けなければならない。
【０００８】また、基板３３が液晶等の表示装置２１の
場合、基板３３自体の大きさを、表示領域の大きさ、す
なわち表示装置２１の基板３３の画素領域の大きさに近
づけるため、半導体装置１９の実装面積を小さくする必
要がある。このため、図４（ｂ）に示すように、表示装
置２１の基板３３のシール部３５である基板３３の端部
と半導体装置１９の端面との隙間２の寸法を、少なくと
も２ｍｍ以下という非常に狭くして、表示装置２１の基
板３３に半導体装置１９を接近して取り付けなければな
らない。
場合、基板３３自体の大きさを、表示領域の大きさ、す
なわち表示装置２１の基板３３の画素領域の大きさに近
づけるため、半導体装置１９の実装面積を小さくする必
要がある。このため、図４（ｂ）に示すように、表示装
置２１の基板３３のシール部３５である基板３３の端部
と半導体装置１９の端面との隙間２の寸法を、少なくと
も２ｍｍ以下という非常に狭くして、表示装置２１の基
板３３に半導体装置１９を接近して取り付けなければな
らない。
【０００９】図４（ａ）に示す複数の半導体装置１９同
志、あるいは図４（ｂ）に示す半導体装置１９端部と表
示装置２１のシール部３５の基板３３端部とが、２ｍｍ
以下の寸法と非常に接近させた場合、図３を用いて説明
した各方法において以下に記載する問題を生じる。
志、あるいは図４（ｂ）に示す半導体装置１９端部と表
示装置２１のシール部３５の基板３３端部とが、２ｍｍ
以下の寸法と非常に接近させた場合、図３を用いて説明
した各方法において以下に記載する問題を生じる。
【００１０】図３（ａ）に示すディップ方法の場合、デ
ィップ方法により形成した封止樹脂１５の液量制御が難
しい。したがって、半導体装置１９外周に封止樹脂１５
が不均一にはみ出す。このため図４（ａ）に示すよう
に、隣接する半導体装置１９の接続領域の配線回路３１
上に封止樹脂１５が形成され、隣に形成する半導体装置
１９の接続が困難になる。
ィップ方法により形成した封止樹脂１５の液量制御が難
しい。したがって、半導体装置１９外周に封止樹脂１５
が不均一にはみ出す。このため図４（ａ）に示すよう
に、隣接する半導体装置１９の接続領域の配線回路３１
上に封止樹脂１５が形成され、隣に形成する半導体装置
１９の接続が困難になる。
【００１１】また、液晶等の表示装置２１の基板３３に
おいては、ディップ方法により形成し、半導体装置１９
の外周からはみ出した封止樹脂１５が、図４（ｂ）に示
すシール部３５に浸入して、封止樹脂１５の硬化時の収
縮により表示装置２１の適切なギャップ３７の値が変化
してしまい、表示装置２１の表示品質が劣化するという
現象が発生する。
おいては、ディップ方法により形成し、半導体装置１９
の外周からはみ出した封止樹脂１５が、図４（ｂ）に示
すシール部３５に浸入して、封止樹脂１５の硬化時の収
縮により表示装置２１の適切なギャップ３７の値が変化
してしまい、表示装置２１の表示品質が劣化するという
現象が発生する。
【００１２】図３（ｂ）に示す滴下方法では、滴下した
封止樹脂１５の形状が円形になる。このため、滴下した
封止樹脂１５の形状が、一般的に四角形の形状を有する
半導体装置１９の形状に対応しない。このために、半導
体装置１９を封止樹脂１５により封止した場合、封止樹
脂１５のはみ出し量が多くなり、前述したディップ方法
と同様に、隣接する半導体装置１９の接続を阻害した
り、表示装置２１のシール部３５に封止樹脂１５が浸入
して、ギャップ３７値が変化するという問題が生じる。
封止樹脂１５の形状が円形になる。このため、滴下した
封止樹脂１５の形状が、一般的に四角形の形状を有する
半導体装置１９の形状に対応しない。このために、半導
体装置１９を封止樹脂１５により封止した場合、封止樹
脂１５のはみ出し量が多くなり、前述したディップ方法
と同様に、隣接する半導体装置１９の接続を阻害した
り、表示装置２１のシール部３５に封止樹脂１５が浸入
して、ギャップ３７値が変化するという問題が生じる。
【００１３】図３（ｃ）に示す含浸方法は、始めの半導
体装置１９の接続後、封止樹脂１５を流し込むときの滴
下領域が必要であり、封止樹脂１５を滴下した領域が隣
接する半導体装置１９の接続領域にまたがり、次の半導
体装置１９の接続を困難にする。また、ディップ方法と
同様に、含浸方法は液晶等の表示装置２１の基板３３の
場合においては、滴下した封止樹脂１５が、図４（ｂ）
に示すシール部３５に浸入して、封止樹脂１５の硬化収
縮により表示装置２１の適切なギャップ３７が、変化し
て表示装置２１の表示品質が劣化する。
体装置１９の接続後、封止樹脂１５を流し込むときの滴
下領域が必要であり、封止樹脂１５を滴下した領域が隣
接する半導体装置１９の接続領域にまたがり、次の半導
体装置１９の接続を困難にする。また、ディップ方法と
同様に、含浸方法は液晶等の表示装置２１の基板３３の
場合においては、滴下した封止樹脂１５が、図４（ｂ）
に示すシール部３５に浸入して、封止樹脂１５の硬化収
縮により表示装置２１の適切なギャップ３７が、変化し
て表示装置２１の表示品質が劣化する。
【００１４】本発明の目的は上記課題を解決して、半導
体装置からの封止樹脂のはみ出し量を適切に制御するこ
とが可能な半導体装置の実装方法を提供することにあ
る。
体装置からの封止樹脂のはみ出し量を適切に制御するこ
とが可能な半導体装置の実装方法を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
めに本発明における半導体装置の実装方法では、以下に
記載の工程を採用する。ウエハの全面に、絶縁性の封止
樹脂、あるいは絶縁性の封止樹脂に導電性粒子を混入し
た封止樹脂を塗布する工程と、このウエハを分割して半
導体装置を形成する工程と、この半導体装置を基板に接
続する工程とを有する。
めに本発明における半導体装置の実装方法では、以下に
記載の工程を採用する。ウエハの全面に、絶縁性の封止
樹脂、あるいは絶縁性の封止樹脂に導電性粒子を混入し
た封止樹脂を塗布する工程と、このウエハを分割して半
導体装置を形成する工程と、この半導体装置を基板に接
続する工程とを有する。
【００１６】
【作用】本発明においては、ウエハ状態で封止樹脂をこ
のウエハ上に塗布し、その後ウエハを分割して半導体装
置を形成し、この半導体装置を基板に接続している。こ
のために、封止樹脂の半導体装置からのはみ出し量を適
切に制御することが可能となり、隣接する半導体装置の
接続を阻害することがなくなる。また、基板が液晶等の
表示装置の場合、封止樹脂が表示装置のシール部に浸入
することを防止することができるので、ギャップ量の変
化に起因する表示装置の表示品質の劣化を防ぐことが可
能となる。
のウエハ上に塗布し、その後ウエハを分割して半導体装
置を形成し、この半導体装置を基板に接続している。こ
のために、封止樹脂の半導体装置からのはみ出し量を適
切に制御することが可能となり、隣接する半導体装置の
接続を阻害することがなくなる。また、基板が液晶等の
表示装置の場合、封止樹脂が表示装置のシール部に浸入
することを防止することができるので、ギャップ量の変
化に起因する表示装置の表示品質の劣化を防ぐことが可
能となる。
【００１７】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。まず図１（ａ）に示すように、ウエハ１１上に金
（Ａｕ）、あるいは銅、あるいは半田からなる高さ２〜
５０μｍの突起電極１３をウエハ１１に形成する。この
突起電極１３は、上記のほかに他の導電性材料でも構わ
ない。突起電極１３の形成方法としては、メッキ法や、
突起電極の形成領域に開口を設けた金属マスクを用いた
真空蒸着法を用いる。その後、封止樹脂１５をディスペ
ンサ１７により、ウエハ１１上に２〜１０ｇ滴下する。
封止樹脂１５をウエハ１１上に滴下後、ウエハ１１を一
定回転数で回転させて、封止樹脂１５をウエハ１１全面
に均一の厚さに広げる。
る。まず図１（ａ）に示すように、ウエハ１１上に金
（Ａｕ）、あるいは銅、あるいは半田からなる高さ２〜
５０μｍの突起電極１３をウエハ１１に形成する。この
突起電極１３は、上記のほかに他の導電性材料でも構わ
ない。突起電極１３の形成方法としては、メッキ法や、
突起電極の形成領域に開口を設けた金属マスクを用いた
真空蒸着法を用いる。その後、封止樹脂１５をディスペ
ンサ１７により、ウエハ１１上に２〜１０ｇ滴下する。
封止樹脂１５をウエハ１１上に滴下後、ウエハ１１を一
定回転数で回転させて、封止樹脂１５をウエハ１１全面
に均一の厚さに広げる。
【００１８】次に図１（ｂ）に示すように、ウエハ１１
全面に形成した封止樹脂１５を４０〜８０℃の温度で加
熱処理して、封止樹脂１５を半硬化状態にする。半硬化
させた後の封止樹脂１５の厚さは、突起電極１３の高さ
の５〜２００％増しの厚さが望ましい。
全面に形成した封止樹脂１５を４０〜８０℃の温度で加
熱処理して、封止樹脂１５を半硬化状態にする。半硬化
させた後の封止樹脂１５の厚さは、突起電極１３の高さ
の５〜２００％増しの厚さが望ましい。
【００１９】封止樹脂１５の厚さが突起電極１３の高さ
の５％増しより薄い場合は、以下の工程で説明する、半
導体装置１９を接続した後の本硬化で発生する封止樹脂
１５の硬化収縮により、封止樹脂１５の厚さが減少する
ため、突起電極１３の高さより封止樹脂１５厚さが薄く
なる。このため、封止樹脂１５の剥がれを招き好ましく
ない。
の５％増しより薄い場合は、以下の工程で説明する、半
導体装置１９を接続した後の本硬化で発生する封止樹脂
１５の硬化収縮により、封止樹脂１５の厚さが減少する
ため、突起電極１３の高さより封止樹脂１５厚さが薄く
なる。このため、封止樹脂１５の剥がれを招き好ましく
ない。
【００２０】封止樹脂１５の厚さが突起電極１３の高さ
の２００％増しよりも厚い場合は、以下の工程で説明す
る半導体装置１９を接続した後の工程において、半導体
装置１９からの封止樹脂１５のはみ出し量が大きくなり
すぎる。このために、隣接した半導体装置１９の接続領
域にまで封止樹脂１５がはみ出して形成され、好ましく
ない。
の２００％増しよりも厚い場合は、以下の工程で説明す
る半導体装置１９を接続した後の工程において、半導体
装置１９からの封止樹脂１５のはみ出し量が大きくなり
すぎる。このために、隣接した半導体装置１９の接続領
域にまで封止樹脂１５がはみ出して形成され、好ましく
ない。
【００２１】次に図１（ｃ）に示すように、封止樹脂１
５をウエハ１１上に形成後、このウエハ１１をダイシン
グ装置を用いて切断し、封止樹脂１５を形成したウエハ
１１を個々の半導体装置１９に分割する。
５をウエハ１１上に形成後、このウエハ１１をダイシン
グ装置を用いて切断し、封止樹脂１５を形成したウエハ
１１を個々の半導体装置１９に分割する。
【００２２】その後、図１（ｄ）に示すように、半導体
装置１９に形成した突起電極１３を下面側に向け、表示
装置２１を構成する基板３３に形成した、配線回路３１
上に半導体装置１９を配置し、さらに突起電極１９と配
線回路３１との位置合わせを行う。
装置１９に形成した突起電極１３を下面側に向け、表示
装置２１を構成する基板３３に形成した、配線回路３１
上に半導体装置１９を配置し、さらに突起電極１９と配
線回路３１との位置合わせを行う。
【００２３】次に図１（ｅ）に示すように、加熱加圧ヘ
ッド２３を使って半導体装置１９の上から押し当てて圧
接することにより、半導体装置１９と基板３３との接続
と、封止樹脂１５による樹脂封止とを同時に行う。この
圧接作業の際は、表示装置２１の基板３３の圧接箇所の
下側に加熱台２５を設け、基板３３を加熱すると、より
効果的に封止樹脂１５を硬化させることが可能である。
半導体装置１９と突起電極１３との圧接の際の圧力は、
突起電極１３の高さを０〜５０％潰す力とする。突起電
極１３の高さが５０％以上潰れる圧力を印加すると、突
起電極１３の根元の半導体装置１９にひび割れが発生
し、好ましくない。上記実施例では、半導体装置１９を
表示装置２１の基板３３に接続する例で説明したが、表
示装置以外の他の基板でも構わない。
ッド２３を使って半導体装置１９の上から押し当てて圧
接することにより、半導体装置１９と基板３３との接続
と、封止樹脂１５による樹脂封止とを同時に行う。この
圧接作業の際は、表示装置２１の基板３３の圧接箇所の
下側に加熱台２５を設け、基板３３を加熱すると、より
効果的に封止樹脂１５を硬化させることが可能である。
半導体装置１９と突起電極１３との圧接の際の圧力は、
突起電極１３の高さを０〜５０％潰す力とする。突起電
極１３の高さが５０％以上潰れる圧力を印加すると、突
起電極１３の根元の半導体装置１９にひび割れが発生
し、好ましくない。上記実施例では、半導体装置１９を
表示装置２１の基板３３に接続する例で説明したが、表
示装置以外の他の基板でも構わない。
【００２４】本発明で使用する封止樹脂１５は、吸水率
が０〜０．５％のもので、かつ絶縁性を有し、熱硬化す
るものであれば材質は問わない。吸水率が０．５％より
高い場合、浸入した水により封止樹脂１５が膨潤し、突
起電極１３と接続する配線回路３１との電気的機械的な
接続箇所が剥がれ、接続不良となり、好ましくない。
が０〜０．５％のもので、かつ絶縁性を有し、熱硬化す
るものであれば材質は問わない。吸水率が０．５％より
高い場合、浸入した水により封止樹脂１５が膨潤し、突
起電極１３と接続する配線回路３１との電気的機械的な
接続箇所が剥がれ、接続不良となり、好ましくない。
【００２５】また、封止樹脂１５としては、熱硬化性の
樹脂だけでなく光硬化性の樹脂でも構わない。光硬化す
る封止樹脂１５を用いた場合は、図２に示すように、台
２７の中にランプ２９を配置して、表示装置２１のガラ
スからなる基板３３の下側から光を照射しながら、半導
体装置１９の上側から加熱加圧ヘッド２３を押し当てる
ことにより圧接し、封止樹脂１５を硬化させる。この図
２を用いて説明した光硬化型の封止樹脂１５を用いた実
装方法では、半導体装置１９を接続する基板３３として
表示装置２１の基板３３で説明したが、他の基板でも構
わない。また、基板３３が不透明の場合は、ランプ２９
からの光は基板３３を透過しないので、ランプ２９は半
導体装置１９の斜め上側に配置して封止樹脂１５を硬化
させれば良い。
樹脂だけでなく光硬化性の樹脂でも構わない。光硬化す
る封止樹脂１５を用いた場合は、図２に示すように、台
２７の中にランプ２９を配置して、表示装置２１のガラ
スからなる基板３３の下側から光を照射しながら、半導
体装置１９の上側から加熱加圧ヘッド２３を押し当てる
ことにより圧接し、封止樹脂１５を硬化させる。この図
２を用いて説明した光硬化型の封止樹脂１５を用いた実
装方法では、半導体装置１９を接続する基板３３として
表示装置２１の基板３３で説明したが、他の基板でも構
わない。また、基板３３が不透明の場合は、ランプ２９
からの光は基板３３を透過しないので、ランプ２９は半
導体装置１９の斜め上側に配置して封止樹脂１５を硬化
させれば良い。
【００２６】さらに、以上の実施例では封止樹脂１５と
しては、絶縁性を有するもので説明したが、封止樹脂１
５としては、０．２〜２μｍの平均粒径を有する銀（Ａ
ｇ）からなる導電性粒子を、絶縁性樹脂に１０〜５０ｗ
ｔ％混入したものを使用しても良い。絶縁性じゅしに混
入する導電性粒子は、銀以外でも導電性を有する金属で
あれば適用できる。また、導電性粒子としては、金属の
替わりに、ポリスチレンやポリメチルメタクリレート等
の有機材料からなる粒径１〜２０μｍのビーズ表面に導
電性膜を形成したものを使用しても良い。
しては、絶縁性を有するもので説明したが、封止樹脂１
５としては、０．２〜２μｍの平均粒径を有する銀（Ａ
ｇ）からなる導電性粒子を、絶縁性樹脂に１０〜５０ｗ
ｔ％混入したものを使用しても良い。絶縁性じゅしに混
入する導電性粒子は、銀以外でも導電性を有する金属で
あれば適用できる。また、導電性粒子としては、金属の
替わりに、ポリスチレンやポリメチルメタクリレート等
の有機材料からなる粒径１〜２０μｍのビーズ表面に導
電性膜を形成したものを使用しても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、半導体装置上に均
一に封止樹脂を形成し、その後、液晶の表示装置などの
基板へ半導体装置を接続し、封止を行う本発明の実装方
法においては、封止樹脂のはみ出し量を適切に制御する
ことが可能となる。したがって隣接する半導体装置の接
続を阻害することがなくなる。また、封止樹脂が液晶等
の表示装置のシール部に浸入することを防止することが
でき、表示装置の表示品質が劣化することを防ぐことが
できる。
一に封止樹脂を形成し、その後、液晶の表示装置などの
基板へ半導体装置を接続し、封止を行う本発明の実装方
法においては、封止樹脂のはみ出し量を適切に制御する
ことが可能となる。したがって隣接する半導体装置の接
続を阻害することがなくなる。また、封止樹脂が液晶等
の表示装置のシール部に浸入することを防止することが
でき、表示装置の表示品質が劣化することを防ぐことが
できる。
【図１】本発明の半導体装置の実装方法を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体装置の実装方法荷おける他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の実装方法を示す断面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体装置の実装方法を示す断面図であ
る。
る。
１１ ウエハ １３ 突起電極 １５ 封止樹脂 １９ 半導体装置 ２１ 表示装置 ２３ 加熱加圧ヘッド ２５ 加熱台 ３３ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハの全面に、絶縁性を有する封止樹
脂、あるいは絶縁性を有する封止樹脂に導電性粒子を混
入した封止樹脂を塗布する工程と、該ウエハを分割して
半導体装置を形成する工程と、該半導体装置を基板に接
続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の実
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21658991A JPH0541407A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21658991A JPH0541407A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541407A true JPH0541407A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16690791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21658991A Pending JPH0541407A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541407A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1991
- 1991-08-02 JP JP21658991A patent/JPH0541407A/ja active Pending
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