JPH05343378A - ウェハ搬送用ホルダ - Google Patents
ウェハ搬送用ホルダInfo
- Publication number
- JPH05343378A JPH05343378A JP15318392A JP15318392A JPH05343378A JP H05343378 A JPH05343378 A JP H05343378A JP 15318392 A JP15318392 A JP 15318392A JP 15318392 A JP15318392 A JP 15318392A JP H05343378 A JPH05343378 A JP H05343378A
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- Japan
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- wafer
- groove
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- silicon
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ表面とウェハ搬送用架体との直接接触
を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗粉
の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェハ
へのダストの移着を防止する。 【構成】 少なくともウェハ搬送用架体１の溝２に接触
する部分がウェハ３の直径より大きな直径を有し、上記
ウェハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送
用架体の溝に挿入保持される。
を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗粉
の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェハ
へのダストの移着を防止する。 【構成】 少なくともウェハ搬送用架体１の溝２に接触
する部分がウェハ３の直径より大きな直径を有し、上記
ウェハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送
用架体の溝に挿入保持される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばシリコンウェ
ハ等の製品を洗浄する時に用いるウェハ搬送用ホルダに
関するものである。
ハ等の製品を洗浄する時に用いるウェハ搬送用ホルダに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のウェハ搬送に供されている
ウェハケースすなわちウェハ搬送用架体の斜視図であ
る。図において、ウェハケース本体１の側面には、シリ
コンウェハ３をチャッキングするための滑り溝２が設け
られている。シリコンウェハ３は向かい合うウェハケー
ス本体１側面の滑り溝２の中に挿入されウェハケース本
体１内に固定され、その後ウェハケース本体１とともに
搬送され洗浄等の処理に供される。
ウェハケースすなわちウェハ搬送用架体の斜視図であ
る。図において、ウェハケース本体１の側面には、シリ
コンウェハ３をチャッキングするための滑り溝２が設け
られている。シリコンウェハ３は向かい合うウェハケー
ス本体１側面の滑り溝２の中に挿入されウェハケース本
体１内に固定され、その後ウェハケース本体１とともに
搬送され洗浄等の処理に供される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハケース１
は前記のような構造となっているので、この中に挿入さ
れるシリコンウェハ３の端部の一部は、必ずウェハケー
ス本体１の滑り溝２側面と接触する。そのため、シリコ
ンウェハ３は滑り溝２側面との接触に伴うダメージを被
るためシリコンウェハ表面に傷の発生を招くという問題
があった。またウェハケース本体１とシリコンウェハ３
表面との接触で磨耗粉が発生したり、あるいは滑り溝２
側面からシリコンウェハ３表面へのダストの移着がある
という問題があった。またウェハケース本体１内にシリ
コンウェハ３を納めた状態で、ＲＣＡ洗浄やＩＰＡ蒸気
乾燥等のウェット処理を行った場合、滑り溝２側面と接
触した部分のシリコンウェハ３表面との間に薬液による
メニスカスが発生するため、薬液等が残りやすく、その
結果シリコンウェハ表面に洗浄斑や染みが発生するとい
う問題があった。なお、ＲＣＡ洗浄については、例えば
文献(Dabid A Puotinen,RCA Review,p.187,June 1970)
等にまたＩＰＡ蒸気乾燥については、例えば特開昭５８
−２０１号公報等に詳細に記載されている。
は前記のような構造となっているので、この中に挿入さ
れるシリコンウェハ３の端部の一部は、必ずウェハケー
ス本体１の滑り溝２側面と接触する。そのため、シリコ
ンウェハ３は滑り溝２側面との接触に伴うダメージを被
るためシリコンウェハ表面に傷の発生を招くという問題
があった。またウェハケース本体１とシリコンウェハ３
表面との接触で磨耗粉が発生したり、あるいは滑り溝２
側面からシリコンウェハ３表面へのダストの移着がある
という問題があった。またウェハケース本体１内にシリ
コンウェハ３を納めた状態で、ＲＣＡ洗浄やＩＰＡ蒸気
乾燥等のウェット処理を行った場合、滑り溝２側面と接
触した部分のシリコンウェハ３表面との間に薬液による
メニスカスが発生するため、薬液等が残りやすく、その
結果シリコンウェハ表面に洗浄斑や染みが発生するとい
う問題があった。なお、ＲＣＡ洗浄については、例えば
文献(Dabid A Puotinen,RCA Review,p.187,June 1970)
等にまたＩＰＡ蒸気乾燥については、例えば特開昭５８
−２０１号公報等に詳細に記載されている。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体
との直接接触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷
付き、磨耗粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側
面からウェハへのダストの移着を防止することを目的と
する。
ためになされたもので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体
との直接接触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷
付き、磨耗粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側
面からウェハへのダストの移着を防止することを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ搬送
用ホルダは、少なくともウェハ搬送用架体の溝に接触す
る部分がウェハの直径より大きな直径を有し、上記ウェ
ハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架
体の溝に挿入保持されるものである。
用ホルダは、少なくともウェハ搬送用架体の溝に接触す
る部分がウェハの直径より大きな直径を有し、上記ウェ
ハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架
体の溝に挿入保持されるものである。
【０００６】
【作用】本発明は、少なくともウェハ搬送用架体の溝に
接触する部分がウェハの直径より大きな直径を有するホ
ルダをウェハ裏面と当接した構成に設けたことで、直接
ウェハ表面とウェハ搬送用架体との接触を避けることが
できるため、直接接触に伴うシリコンウェハ表面への傷
付、磨耗粉の発生あるいは滑り溝側面からのダストの移
着という問題がなくなる。
接触する部分がウェハの直径より大きな直径を有するホ
ルダをウェハ裏面と当接した構成に設けたことで、直接
ウェハ表面とウェハ搬送用架体との接触を避けることが
できるため、直接接触に伴うシリコンウェハ表面への傷
付、磨耗粉の発生あるいは滑り溝側面からのダストの移
着という問題がなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図をもと
に説明する。 実施例１．図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示
すそれぞれ正面図と断面図である。図において、４はシ
リコンウェハ３の裏面と当接した構成で取り付けられた
ウェハ搬送用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホ
ルダ４に保持されたシリコンウェハ３を、図２に斜視図
で示すような形でウェハ搬送用架体１に挿入しても直接
シリコンウェハ３表面とウェハ搬送用架体１との接触を
避けることができるため、結果的にシリコンウェハ表面
への傷付、磨耗粉の発生あるいは滑り溝２側面からのダ
ストの移着という問題がなくなるという効果が得られ
る。
に説明する。 実施例１．図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示
すそれぞれ正面図と断面図である。図において、４はシ
リコンウェハ３の裏面と当接した構成で取り付けられた
ウェハ搬送用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホ
ルダ４に保持されたシリコンウェハ３を、図２に斜視図
で示すような形でウェハ搬送用架体１に挿入しても直接
シリコンウェハ３表面とウェハ搬送用架体１との接触を
避けることができるため、結果的にシリコンウェハ表面
への傷付、磨耗粉の発生あるいは滑り溝２側面からのダ
ストの移着という問題がなくなるという効果が得られ
る。
【０００８】実施例２．図３（ａ）、（ｂ）は本発明の
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、５はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハ３の外形より大
きく、かつその部分がシリコンウェハ３の直径上０度か
ら−１８０度の範囲にのみあるようになったウェハ搬送
用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホルダ５に保
持されたシリコンウェハ３を、図４に示すような形で
（シリコンウェハ３の直径上−９０度の方向を重力加速
度の働く方向とするような形で）ウェハ搬送用架体１に
挿入することで、ウェット洗浄を行った後、薬液から製
品搬送用ホルダ５に取り付けられたシリコンウェハ３を
引き上げても、シリコンウェハ３表面にはウェハ搬送用
ホルダ５から垂れ流れる薬液の悪影響がなくなるという
効果が得られた。
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、５はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハ３の外形より大
きく、かつその部分がシリコンウェハ３の直径上０度か
ら−１８０度の範囲にのみあるようになったウェハ搬送
用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホルダ５に保
持されたシリコンウェハ３を、図４に示すような形で
（シリコンウェハ３の直径上−９０度の方向を重力加速
度の働く方向とするような形で）ウェハ搬送用架体１に
挿入することで、ウェット洗浄を行った後、薬液から製
品搬送用ホルダ５に取り付けられたシリコンウェハ３を
引き上げても、シリコンウェハ３表面にはウェハ搬送用
ホルダ５から垂れ流れる薬液の悪影響がなくなるという
効果が得られた。
【０００９】実施例３．図５（ａ）、（ｂ）は本発明の
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、６はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハの表面とが連続
した平面性を保てるような構成になるよう中央部がへっ
こんだ構造であるウェハ搬送用ホルダである。このよう
なウェハ搬送用ホルダ６に保持されたシリコンウェハ３
は、見掛上シリコンウェハ３とウェハ搬送用ホルダ６と
の間に端面を持たないため、結果的に搬送用ホルダ６の
表面とシリコンウェハ３表面との間に薬液によるメニス
カスが発生しなくなり、薬液等の残りによる洗浄斑や染
みが発生しなくなるという効果が得られた。
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、６はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハの表面とが連続
した平面性を保てるような構成になるよう中央部がへっ
こんだ構造であるウェハ搬送用ホルダである。このよう
なウェハ搬送用ホルダ６に保持されたシリコンウェハ３
は、見掛上シリコンウェハ３とウェハ搬送用ホルダ６と
の間に端面を持たないため、結果的に搬送用ホルダ６の
表面とシリコンウェハ３表面との間に薬液によるメニス
カスが発生しなくなり、薬液等の残りによる洗浄斑や染
みが発生しなくなるという効果が得られた。
【００１０】実施例４．図６（ａ）、（ｂ）は本発明の
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、７はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるウェハ搬送用ホルダで、シリコンウェハ
３の裏面とウェハ搬送用ホルダ７の間の圧力を負圧に保
てるような空洞を持ついわゆるエアーピンセット構造に
なっている。８は圧力を調整できるように取り付けたパ
イプで減圧ポンプにつながっている。このようなウェハ
搬送用ホルダ７に保持されたシリコンウェハ３は、シリ
コンウェハ３の裏面との間の圧力を負圧に保つことで容
易にシリコンウェハ３をウェハ搬送用ホルダ７に固定す
ることができるため、シリコンウェハ３の安定保持とい
う効果が得られる。なお、上記実施例１〜実施例３にお
いてはシリコンウェハ３はウェハ搬送用ホルダ４、５、
６に例えば接着剤により接着保持されている。
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、７はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるウェハ搬送用ホルダで、シリコンウェハ
３の裏面とウェハ搬送用ホルダ７の間の圧力を負圧に保
てるような空洞を持ついわゆるエアーピンセット構造に
なっている。８は圧力を調整できるように取り付けたパ
イプで減圧ポンプにつながっている。このようなウェハ
搬送用ホルダ７に保持されたシリコンウェハ３は、シリ
コンウェハ３の裏面との間の圧力を負圧に保つことで容
易にシリコンウェハ３をウェハ搬送用ホルダ７に固定す
ることができるため、シリコンウェハ３の安定保持とい
う効果が得られる。なお、上記実施例１〜実施例３にお
いてはシリコンウェハ３はウェハ搬送用ホルダ４、５、
６に例えば接着剤により接着保持されている。
【００１１】なお、ウェハ搬送用ホルダを構成する材質
を石英もしくはシリコンあるいはそれらの混合物で構成
することで、製品搬送用ホルダから発生するダストを石
英もしくはシリコンあるいはそれらの混合物とすること
ができるため、新たなコンタミネーションとなる元素の
混入を避ける事ができる。
を石英もしくはシリコンあるいはそれらの混合物で構成
することで、製品搬送用ホルダから発生するダストを石
英もしくはシリコンあるいはそれらの混合物とすること
ができるため、新たなコンタミネーションとなる元素の
混入を避ける事ができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くともウェハ搬送用架体の溝に接触する部分がウェハの
直径より大きな直径を有し、上記ウェハの裏面と接して
ウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架体の溝に挿入保持
されるので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体との直接接
触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗
粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェ
ハへのダスト移着を防止できる。
くともウェハ搬送用架体の溝に接触する部分がウェハの
直径より大きな直径を有し、上記ウェハの裏面と接して
ウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架体の溝に挿入保持
されるので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体との直接接
触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗
粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェ
ハへのダスト移着を防止できる。
【図１】この発明の実施例１を示す正面図および断面図
である。
である。
【図２】実施例１のウェハ搬送用ホルダをウェハ搬送用
架体の溝に挿入した様子を示す斜視図である。
架体の溝に挿入した様子を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例２を示す正面図および断面図
である。
である。
【図４】実施例２のウェハ搬送用ホルダをウェハ搬送用
架体の溝に挿入した様子を示す斜視図である。
架体の溝に挿入した様子を示す斜視図である。
【図５】この発明の実施例３を示す正面図および断面図
である。
である。
【図６】この発明の実施例４を示す正面図および断面図
である。
である。
【図７】従来のウェハ搬送に供されているウェハ搬送用
架体を示す斜視図である。
架体を示す斜視図である。
１ ウェハ搬送用架体 ２ 溝 ３ ウェハ ４ ウェハ搬送用ホルダ ５ ウェハ搬送用ホルダ ６ ウェハ搬送用ホルダ ７ ウェハ搬送用ホルダ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばシリコンウェ
ハや磁気ディスク等の製品を洗浄する時に用いるウェハ
搬送用ホルダに関するものである。
ハや磁気ディスク等の製品を洗浄する時に用いるウェハ
搬送用ホルダに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウェハ搬送
用ホルダは、少なくともウェハ搬送用架体の溝に接触す
る部分がウェハの直径より大きな直径を有し、上記ウェ
ハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架
体の溝に挿入保持されるものである。また、ウェハの直
径より大きな直径を有する部分は、ウェハの直径上で重
力加速度の働く方向をー９０度とした場合にー１８０〜
０度の範囲にある。また、ウェハ表面とウェハ搬送用ホ
ルダの表面とが連続した平面性を保つように構成されて
いる。さらに、ウェハの裏面とウェハ搬送用ホルダとの
間の圧力を負圧に保つことによりウェハを保持するよう
に構成した。
用ホルダは、少なくともウェハ搬送用架体の溝に接触す
る部分がウェハの直径より大きな直径を有し、上記ウェ
ハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架
体の溝に挿入保持されるものである。また、ウェハの直
径より大きな直径を有する部分は、ウェハの直径上で重
力加速度の働く方向をー９０度とした場合にー１８０〜
０度の範囲にある。また、ウェハ表面とウェハ搬送用ホ
ルダの表面とが連続した平面性を保つように構成されて
いる。さらに、ウェハの裏面とウェハ搬送用ホルダとの
間の圧力を負圧に保つことによりウェハを保持するよう
に構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】実施例２．図３（ａ）、（ｂ）は本発明の
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、５はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハ３の外形より大
きく、かつその部分がシリコンウェハ３の直径上−１８
０度から０度の範囲にのみあるようになったウェハ搬送
用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホルダ５に保
持されたシリコンウェハ３を、図４に示すような形で
（シリコンウェハ３の直径上−９０度の方向を重力加速
度の働く方向とするような形で）ウェハ搬送用架体１に
挿入することで、ウェット洗浄を行った後、薬液から製
品搬送用ホルダ５に取り付けられたシリコンウェハ３を
引き上げても、シリコンウェハ３表面にはウェハ搬送用
ホルダ５から垂れ流れる薬液の悪影響がなくなるという
効果が得られた。
他の実施例を示すそれぞれ正面図と断面図である。図に
おいて、５はシリコンウェハ３の裏面と当接した構成で
取り付けられるとともにシリコンウェハ３の外形より大
きく、かつその部分がシリコンウェハ３の直径上−１８
０度から０度の範囲にのみあるようになったウェハ搬送
用ホルダである。このようなウェハ搬送用ホルダ５に保
持されたシリコンウェハ３を、図４に示すような形で
（シリコンウェハ３の直径上−９０度の方向を重力加速
度の働く方向とするような形で）ウェハ搬送用架体１に
挿入することで、ウェット洗浄を行った後、薬液から製
品搬送用ホルダ５に取り付けられたシリコンウェハ３を
引き上げても、シリコンウェハ３表面にはウェハ搬送用
ホルダ５から垂れ流れる薬液の悪影響がなくなるという
効果が得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くともウェハ搬送用架体の溝に接触する部分がウェハの
直径より大きな直径を有し、上記ウェハの裏面と接して
ウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架体の溝に挿入保持
されるので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体との直接接
触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗
粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェ
ハへのダスト移着を防止できる。また、ウェハの直径よ
り大きな直径を有する部分は、ウェハの直径上で重力加
速度の働く方向をー９０度とした場合にー１８０〜０度
の範囲にあるように構成すれば、ウェハ表面にウェハ搬
送用ホルダから垂れ流れる薬液の悪影響がなくなる。ま
た、ウェハ表面とウェハ搬送用ホルダの表面とが連続し
た平面性を保つように構成すれば、ウェハ搬送用ホルダ
の表面とウェハ表面との間に薬液によるメニスカスが発
生しなくなり、薬液等の残りによる洗浄斑や染みが発生
しなくなる。さらに、ウェハの裏面とウェハ搬送用ホル
ダとの間の圧力を負圧に保つことによりウェハを保持す
るように構成すれば、ウェハを容易に安定保持できる。
くともウェハ搬送用架体の溝に接触する部分がウェハの
直径より大きな直径を有し、上記ウェハの裏面と接して
ウェハを保持し、上記ウェハ搬送用架体の溝に挿入保持
されるので、ウェハ表面とウェハ搬送用架体との直接接
触を避け、直接接触に伴うウェハ表面への傷付き、磨耗
粉の発生、あるいはウェハ搬送用架体の溝側面からウェ
ハへのダスト移着を防止できる。また、ウェハの直径よ
り大きな直径を有する部分は、ウェハの直径上で重力加
速度の働く方向をー９０度とした場合にー１８０〜０度
の範囲にあるように構成すれば、ウェハ表面にウェハ搬
送用ホルダから垂れ流れる薬液の悪影響がなくなる。ま
た、ウェハ表面とウェハ搬送用ホルダの表面とが連続し
た平面性を保つように構成すれば、ウェハ搬送用ホルダ
の表面とウェハ表面との間に薬液によるメニスカスが発
生しなくなり、薬液等の残りによる洗浄斑や染みが発生
しなくなる。さらに、ウェハの裏面とウェハ搬送用ホル
ダとの間の圧力を負圧に保つことによりウェハを保持す
るように構成すれば、ウェハを容易に安定保持できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくともウェハ搬送用架体の溝に接触
する部分がウェハの直径より大きな直径を有し、上記ウ
ェハの裏面と接してウェハを保持し、上記ウェハ搬送用
架体の溝に挿入保持されるウェハ搬送用ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318392A JPH05343378A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ウェハ搬送用ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15318392A JPH05343378A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ウェハ搬送用ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343378A true JPH05343378A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15556863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15318392A Pending JPH05343378A (ja) | 1992-06-12 | 1992-06-12 | ウェハ搬送用ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343378A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035484A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| KR100807207B1 (ko) * | 2006-05-12 | 2008-02-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
| CN105960105A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-21 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 真空隔板和包括真空隔板的引线框架料盒 |
-
1992
- 1992-06-12 JP JP15318392A patent/JPH05343378A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006035484A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JPWO2006035484A1 (ja) * | 2004-09-27 | 2008-05-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| CN100405569C (zh) * | 2004-09-27 | 2008-07-23 | 三菱电机株式会社 | 半导体制造装置 |
| JP4597137B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-12-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US7994067B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing equipment with an open-topped cassette apparatus |
| KR100807207B1 (ko) * | 2006-05-12 | 2008-02-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
| CN105960105A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-21 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 真空隔板和包括真空隔板的引线框架料盒 |
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