JPH03296243A - 半導体ウエハの取扱い用治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体ウェハの取扱い用治具、詳細にはウェ
ハの把持用ピンセット、ウェハの収納ケース、ウェハの
真空吸着器等に関する。

［従来の技術］ 半導体ウェハは、エピタキシャル成長などの半導体素子
の製造工程において、このウェハに所定の専用治具が直
接触れる場合、汚損などで半導体特性が損なわれたりし
ないようにすることが極めて大切であり、このためにウ
エノ＼の取扱いに際しては、その純度維持に高度の慎重
さが要求される。

従って、この種のウェハの取扱いに際しては、例えば、
エピタキシャル成長処理の前後におけるウェハの取扱い
を例にとると、プラスチック製のウェハ収納ケースに収
納されている半導体ウエノ＼を、成長装置などへの移載
のために、このウェハ収納ケースから取り出す場合には
、ウエノ１の取扱い専用のピンセットなどにより把持し
て慎重に取扱うようにしている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記のようになされる従来のウェハの取
扱いにおいては、ウエノ１の把持用ピンセット、ウェハ
の収納ケース、ウェハの真空吸着器自体、又はウェハ自
体が静電気などにより帯電され易い。例えば、プラスチ
ック製のウエノ＼の収納ケースに収納されるウェハにつ
いては、このウエハの収納ケースを通してウェハが帯電
し、あるいはウェハの把持用ピンセット、ウェハの真空
吸着器で把持、真空吸着された時点でウェハが帯電する
。このようにウェハが一旦帯電されてしまうと、その電
荷のために取扱い中に空気中の微細な塵埃を吸着してウ
ェハが汚損されるという問題がある。このために、従来
は、１回の取扱い毎に窒素（Ｎ２）ガスを吹き付けるこ
とによって、吸着された塵埃を吹き飛ばして除去するよ
うにしており、このガスの吹き付は作業自体もまた、極
めて面倒で手間がかかるものであった。

本発明は、従来のこのような問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、ウェハの取扱いに際し
て、ウェハに静電荷を帯電させないようにし、または何
らかの理由でウェハに帯電された静電荷を除去し得るよ
うにした半導体ウェハの取扱い用治具を提供することに
ある。

［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、前記目的は、半導体ウェハの取扱い用
治具であって、前記ウェハとの接触部の一部または全部
が導電性材料で作られていると共にアースされている治
具によって達成される。

［作　用］ 本発明の半導体ウェハの取扱い用治具は、ウェハとの接
触部が導電性材料で作られていると共にアースされてい
るので、ウェハの取扱いに際して、ウェハの取扱い用治
具自体が帯電されたり、この治具自体からのウェハへの
帯電がなく、同時に、何らかの理由でウェハが帯電され
ていても、その静電荷を速やかに除去し得、帯電に基づ
くウェハへの微細な塵埃の吸着を容易に解消し得るもの
であり、従って、従来のように取扱いの度毎に窒素ガス
の吹付けによる付着塵埃の除去作業を実施する必要がな
くなるほか、常にウェハの純度を良好に維持し得、製造
される半導体素子の特性向上を図り得るなどの優れた特
徴がある。

本発明の治具に係る導電性材料としては、炭化珪素（Ｓ
ＩＣ）、カーボン（Ｃ）、又はガラス状カーボン等のウ
ェハ汚損の少ない導電性材料が好ましく、特にガラス状
カーボンが好ましい。

ここで、炭化珪素については、一般に高価であることと
、硬度が高くてウェハを傷付は易いことから、これらの
点に留意して用いればよい。また、ガラス状カーボンに
ついては、安価であるほかに、精密な加工が可能であり
、かつ表面が滑らかでウェハを傷付けるおそれがなく、
シかもテフロンなどに比較して純化が極めて容易である
ことから、このガラス状カーボンを用いることが好まし
い。

なお、ウェハ汚損の少ない導電性材料であれば、その他
の材料を用いることを妨げない。

また、本発明の治具に係る接触部をアースするための手
段としては、任意であってよいが、治具自体の使い勝手
を十分に考慮して実施することが肝要である。

本発明の治具としては、ウェハの把持用ピンセットであ
ってもよく、ウェハの収納ケースであってもよい。

［実施例］ 以下、本発明に係る半導体ウェハの取扱い用治具の好ま
しい実施例を、図面に基づいて詳細に説明する。

第１図に示す半導体ウェハの把持用ピンセット１０は、
金属製のピンセット本体１１と、ピンセット本体１１の
２つの先端部に設けられており、ウェハに直接接触する
ウェハ把持部１２とを備える。把持部１２は、ウェハ汚
損の少ない導電性材料のガラス状カーボンで作られてい
る。把持部１２は適宜アース１３されている。

第２図に示す半導体ウニ／’ｔの真空吸着器２０は、吸
着器本体２１と、吸着器本体２１の先端部に設けられて
おり、ウェハに直接接触する吸着器２２と、吸着器本体
２１に管２３を介して接続された真空ポンプ２４とを備
える。吸着部２２は、ウエノ＼汚損の少ない導電性材料
のガラス状カーボンで作られている。

吸着部２２は、適宜にアース２５されている。

第３図に示す半導体ウエノ＼の収納〆ケース３０は、蓋
（図示しない）付のウニ／Ｓケース本体３１と、ウェハ
の収納凹部３２と、ウニ／Ｓを受容する溝部３３とを備
える。ウェハケース本体３１はプラスチック製であり、
凹部３２及び溝部３３のウエノ１との接触部が、ウェハ
汚損の少ない導電性材料のガラス状カーボンで被覆され
ている。この被覆された導電性材料がアース３４されて
いる。

ウェハケース本体３１の全体がガラス状カーボンで作ら
れてもよい。この場合は、ウニ／Ｓケース本体３１の適
宜な部位がアースされている。

具自体が帯電されたり、この治具自体からのウェハへの
帯電がなく、同時に、何らかの理由でウェハが帯電され
ていても、その静電荷を速やかに除去し得、帯電に基づ
くウェハへの微細な塵埃の吸着を容易に解消し得るので
あり、従って、従来のように取扱いの度毎に窒素ガスの
吹付けによる付着塵埃の除去作業を実施する必要がなく
なるほか、常にウェハの純度を良好に維持し得、製造さ
れる半導体素子の特性向上を図り得るなどの優れた特徴
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は本発明の
他の実施例の斜視図、及び第３図は本発明のさらに他の
実施例の斜視図である。 １０・・・・・ウェハの把持用ピンセット、１２・・・
・・・ウェハ１把持部、　２０・・・・・・ウェハの真
空吸着器、３０・・・・・・ウェハの収納ケース、１３
２５３４・・・・・・アース。 出〒貢べ　東芝セラミック欠株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハの取扱い用治具であって、前記ウェハと
   の接触部が、導電性材料で作られていると共にアースさ
   れている治具。