JPH09174477A - 真空ツィーザ - Google Patents
真空ツィーザInfo
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- JPH09174477A JPH09174477A JP16022496A JP16022496A JPH09174477A JP H09174477 A JPH09174477 A JP H09174477A JP 16022496 A JP16022496 A JP 16022496A JP 16022496 A JP16022496 A JP 16022496A JP H09174477 A JPH09174477 A JP H09174477A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空ツィーザの半導体ウェハ吸着力が低下し
ないように改善し、チップの曲がりによる真空状態の破
壊および、ほこりなどの汚染物質により詰まった場合に
も半導体ウェハが充分に吸着でき、大口径はもちろん小
口径の半導体ウェハの運搬にも適合できるようにした真
空ツィーザを提供すること。 【解決手段】 真空ポンプのポンピングライン２０に接
続され扁平な前面を有する胴体とこの胴体から延長され
ている扁平な二つの延長部１０ｂ，１０ｃとを有するＹ
形状の真空チップ１０と、この真空チップ１０の扁平な
前面部に設けられた少なくとも三つの吸着部４０、５
０、６０とを設ける。このような構造によりウェハの吸
着力を向上させ、チップの曲がりに起因して一部の吸着
部で真空状態が破壊されても半導体ウェハが充分に吸着
できるようにする。
ないように改善し、チップの曲がりによる真空状態の破
壊および、ほこりなどの汚染物質により詰まった場合に
も半導体ウェハが充分に吸着でき、大口径はもちろん小
口径の半導体ウェハの運搬にも適合できるようにした真
空ツィーザを提供すること。 【解決手段】 真空ポンプのポンピングライン２０に接
続され扁平な前面を有する胴体とこの胴体から延長され
ている扁平な二つの延長部１０ｂ，１０ｃとを有するＹ
形状の真空チップ１０と、この真空チップ１０の扁平な
前面部に設けられた少なくとも三つの吸着部４０、５
０、６０とを設ける。このような構造によりウェハの吸
着力を向上させ、チップの曲がりに起因して一部の吸着
部で真空状態が破壊されても半導体ウェハが充分に吸着
できるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程で半
導体ウェハの運搬用に用いられる真空ツィーザに係り、
詳しくは半導体ウェハの運搬が安定にできるように半導
体ウェハの吸着部分を改善した真空ツィーザに関する。
導体ウェハの運搬用に用いられる真空ツィーザに係り、
詳しくは半導体ウェハの運搬が安定にできるように半導
体ウェハの吸着部分を改善した真空ツィーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造作業、特に大規
模集積回路の製造作業においては、清浄度が非常に高い
環境が必要であり、その清浄度のレベルによって半導体
装置の収率、信頼度または品質などが決められることは
よく知られている。このように半導体分野では微細加工
プロセスが実行されるため、ほこりに関する配慮も充分
にしなければならない。また各種プロセスの条件を安定
させるために温度および湿度の調節が必要であるが、実
質的にはそれだけに限るものではない。このように作業
環境がそのデバイスの性能と信頼性までも左右するの
で、半導体装置の各製造プロセスに適合した作業環境を
作ることは非常に重要である。
模集積回路の製造作業においては、清浄度が非常に高い
環境が必要であり、その清浄度のレベルによって半導体
装置の収率、信頼度または品質などが決められることは
よく知られている。このように半導体分野では微細加工
プロセスが実行されるため、ほこりに関する配慮も充分
にしなければならない。また各種プロセスの条件を安定
させるために温度および湿度の調節が必要であるが、実
質的にはそれだけに限るものではない。このように作業
環境がそのデバイスの性能と信頼性までも左右するの
で、半導体装置の各製造プロセスに適合した作業環境を
作ることは非常に重要である。
【０００３】反面、半導体装置の製造プロセスで一番大
きい汚染源は間違いなく人間である。人間は半導体装置
の作業環境で絶えず汚染物質を放出するためそのプロセ
スの作業環境では清浄服を着用している。さらに、半導
体ウェハを汚染させる恐れがあるのは、操作者の手また
は指である。操作者の肌に常に存在する塩分と脂肪分と
は素子に悪影響を与える。従って、人が直接接触しない
で半導体ウェハを運搬するために、従来はステンレスツ
ィーザまたは半導体ウェハの特定個所だけをつかみ運搬
するツィーザなどを用いたことがあった。しかし前者の
ツィーザは半導体ウェハを持つ際、その上に成形された
感光膜などが破れるという不具合がある。また後者のツ
ィーザもやはり半導体ウェハの周辺部に損傷を与える
等、致命的な不具合があった。このように従来のツィー
ザの問題点を解決するため真空ツィーザが使用されてお
り、この真空ツィーザは半導体ウェハを持たなくても吸
着力により運搬ができるように改善されている。この種
の装置は、たとえば特開平８−４６０１４号公報または
実開平４−１０２７８８号公報などに記載がある。
きい汚染源は間違いなく人間である。人間は半導体装置
の作業環境で絶えず汚染物質を放出するためそのプロセ
スの作業環境では清浄服を着用している。さらに、半導
体ウェハを汚染させる恐れがあるのは、操作者の手また
は指である。操作者の肌に常に存在する塩分と脂肪分と
は素子に悪影響を与える。従って、人が直接接触しない
で半導体ウェハを運搬するために、従来はステンレスツ
ィーザまたは半導体ウェハの特定個所だけをつかみ運搬
するツィーザなどを用いたことがあった。しかし前者の
ツィーザは半導体ウェハを持つ際、その上に成形された
感光膜などが破れるという不具合がある。また後者のツ
ィーザもやはり半導体ウェハの周辺部に損傷を与える
等、致命的な不具合があった。このように従来のツィー
ザの問題点を解決するため真空ツィーザが使用されてお
り、この真空ツィーザは半導体ウェハを持たなくても吸
着力により運搬ができるように改善されている。この種
の装置は、たとえば特開平８−４６０１４号公報または
実開平４−１０２７８８号公報などに記載がある。
【０００４】図２は従来の真空ツィーザの構造を示す平
面図である。図２に示すように、従来の真空ツィーザは
外部に設けた真空ポンプ（図示せず）と本体である真空
チップ７０とがポンピングライン２０により接続されて
おり、この真空チップ７０はプラスチックまたはテフロ
ンの材質により形成されている。また、真空チップ７０
の扁平な前面には０．１ｍｍの凹部を有する吸着部１１
と、この吸着部１１の凹部底面部に平行に配列された長
方形の支持台１２ａ、１２ｂおよび吸入口１３とを設け
てある。この吸入口１３は支持台１２ａおよび１２ｂの
間隔に相応する大きさの開口部を有している。支持台１
２ａおよび１２ｂは吸着部１１の凹部の深さと同じ高さ
に設けてあり真空チップ７０の扁平な前面まで突設され
ている。この支持台１２ａおよび１２ｂにより半導体ウ
ェハの吸着の際、強い吸着力により発生する半導体ウェ
ハの損傷を防止することができる。
面図である。図２に示すように、従来の真空ツィーザは
外部に設けた真空ポンプ（図示せず）と本体である真空
チップ７０とがポンピングライン２０により接続されて
おり、この真空チップ７０はプラスチックまたはテフロ
ンの材質により形成されている。また、真空チップ７０
の扁平な前面には０．１ｍｍの凹部を有する吸着部１１
と、この吸着部１１の凹部底面部に平行に配列された長
方形の支持台１２ａ、１２ｂおよび吸入口１３とを設け
てある。この吸入口１３は支持台１２ａおよび１２ｂの
間隔に相応する大きさの開口部を有している。支持台１
２ａおよび１２ｂは吸着部１１の凹部の深さと同じ高さ
に設けてあり真空チップ７０の扁平な前面まで突設され
ている。この支持台１２ａおよび１２ｂにより半導体ウ
ェハの吸着の際、強い吸着力により発生する半導体ウェ
ハの損傷を防止することができる。
【０００５】図３は、図２に示す従来の真空ツィーザを
利用し半導体ウェハの背面を吸着させ運搬する状態を示
す斜視図である。図３および図２において共通する構成
要素には同一番号が付されている。図３に示すように、
真空ツィーザを利用し半導体ウェハ３０を運搬する場
合、真空ツィーザの真空チップ７０の吸着部１１を半導
体ウェハ３０の背面に付けた後、真空ツィーザに配設さ
れたスイッチ（図示せず）により吸着を開始すると、吸
着部１１の凹部内は徐々に真空になる。このように真空
ポンプ（図示せず）によりポンピングライン２０と真空
チップ７０内とを通じ吸入口１３から空気が吸入され
る。これにより吸着部１１の凹部内は真空状態になり半
導体ウェハ３０は吸着面に吸着するようになる。半導体
ウェハ３０の吸着後、所定の場所に半導体ウェハ３０を
移送し真空チップ７０に配設されたスイッチ（図示せ
ず）により吸着を解除することにより半導体ウェハ３０
に触れることなく容易に運搬できる。このように従来の
真空ツィーザは吸着部１１の凹部内を真空にすることに
より半導体ウェハを吸着し運搬していた。
利用し半導体ウェハの背面を吸着させ運搬する状態を示
す斜視図である。図３および図２において共通する構成
要素には同一番号が付されている。図３に示すように、
真空ツィーザを利用し半導体ウェハ３０を運搬する場
合、真空ツィーザの真空チップ７０の吸着部１１を半導
体ウェハ３０の背面に付けた後、真空ツィーザに配設さ
れたスイッチ（図示せず）により吸着を開始すると、吸
着部１１の凹部内は徐々に真空になる。このように真空
ポンプ（図示せず）によりポンピングライン２０と真空
チップ７０内とを通じ吸入口１３から空気が吸入され
る。これにより吸着部１１の凹部内は真空状態になり半
導体ウェハ３０は吸着面に吸着するようになる。半導体
ウェハ３０の吸着後、所定の場所に半導体ウェハ３０を
移送し真空チップ７０に配設されたスイッチ（図示せ
ず）により吸着を解除することにより半導体ウェハ３０
に触れることなく容易に運搬できる。このように従来の
真空ツィーザは吸着部１１の凹部内を真空にすることに
より半導体ウェハを吸着し運搬していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の真
空ツィーザでは、真空チップがプラスチックまたはテフ
ロンの素材により形成されているため、チップ本体が使
用不注意により曲がってしまうなどの可能性があった。
このように真空チップが曲がってしまった場合には、真
空チップ前面の吸着面が扁平にならないため、半導体ウ
ェハを吸着する際、真空状態を保てず吸着度が著しく低
下するなどの不具合があった。また吸着度が低下してい
る真空ツィーザを使用することにより、運搬途中で半導
体ウェハを落してしまい半導体ウェハが破壊されるとい
う不具合があった。
空ツィーザでは、真空チップがプラスチックまたはテフ
ロンの素材により形成されているため、チップ本体が使
用不注意により曲がってしまうなどの可能性があった。
このように真空チップが曲がってしまった場合には、真
空チップ前面の吸着面が扁平にならないため、半導体ウ
ェハを吸着する際、真空状態を保てず吸着度が著しく低
下するなどの不具合があった。また吸着度が低下してい
る真空ツィーザを使用することにより、運搬途中で半導
体ウェハを落してしまい半導体ウェハが破壊されるとい
う不具合があった。
【０００７】従来の真空ツィーザには図２に示すような
吸着部を１ヵ所だけ設けたものと、実開平４−１０２７
８８号公報の記載にあるような吸着部を３カ所設けてあ
るものもある。しかしこの吸着部は、ポンピングライン
を通じ真空チップ内部から空気を吸入する一つの吸入ラ
インからなり、この一つの吸入ラインが破損または、ほ
こりなどの汚染物質によって詰まった場合に吸着力が著
しく低下する。従って、半導体製造プロセスで半導体ウ
ェハを運搬する際、落下による破損等を頻繁に発生する
ため安定した運搬工程を期待することは不可能になる。
吸着部を１ヵ所だけ設けたものと、実開平４−１０２７
８８号公報の記載にあるような吸着部を３カ所設けてあ
るものもある。しかしこの吸着部は、ポンピングライン
を通じ真空チップ内部から空気を吸入する一つの吸入ラ
インからなり、この一つの吸入ラインが破損または、ほ
こりなどの汚染物質によって詰まった場合に吸着力が著
しく低下する。従って、半導体製造プロセスで半導体ウ
ェハを運搬する際、落下による破損等を頻繁に発生する
ため安定した運搬工程を期待することは不可能になる。
【０００８】また従来の真空ツィーザには特開平８−４
６０１４号公報の記載のＴ形状の構造を有する真空チッ
プを開示したものもあるが、Ｔ形状の真空チップの構造
は大口径の半導体ウェハのみが移送可能であり小口径の
半導体ウェハを移送するには適してないという不具合が
あった。本発明はこのような従来技術の欠点を解決し、
真空ツィーザの半導体ウェハ吸着力が低下しないように
改善し、チップの曲がりによる真空状態の破壊および、
ほこりなどの汚染物質により詰まった場合にも半導体ウ
ェハが充分に吸着でき、大口径はもちろん小口径の半導
体ウェハの運搬にも好適な真空ツィーザを提供すること
である。
６０１４号公報の記載のＴ形状の構造を有する真空チッ
プを開示したものもあるが、Ｔ形状の真空チップの構造
は大口径の半導体ウェハのみが移送可能であり小口径の
半導体ウェハを移送するには適してないという不具合が
あった。本発明はこのような従来技術の欠点を解決し、
真空ツィーザの半導体ウェハ吸着力が低下しないように
改善し、チップの曲がりによる真空状態の破壊および、
ほこりなどの汚染物質により詰まった場合にも半導体ウ
ェハが充分に吸着でき、大口径はもちろん小口径の半導
体ウェハの運搬にも好適な真空ツィーザを提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の真空ツィーザ
は、本体を人手により把持する把持部を有する胴体と前
記胴体から二つに分岐し設けた延長部とによりＹ形状に
形成するとともに、本体は扁平な前面を有し、この本体
の扁平な前面には少なくとも三つの吸着部を設け、この
吸着部は凹部を有しており、この凹部底面には少なくと
も二つの支持台と一つの吸入口とを有している。この支
持台は前記吸着部の凹部の深さに相応する高さを備え、
本体の扁平な前面まで突設されている。また本体に少な
くとも三つ設けた吸着部はＹ形状本体の胴体と延長部と
にそれぞれ対応して設け、本体はテフロンまたはプラス
チックの材質により形成する。
は、本体を人手により把持する把持部を有する胴体と前
記胴体から二つに分岐し設けた延長部とによりＹ形状に
形成するとともに、本体は扁平な前面を有し、この本体
の扁平な前面には少なくとも三つの吸着部を設け、この
吸着部は凹部を有しており、この凹部底面には少なくと
も二つの支持台と一つの吸入口とを有している。この支
持台は前記吸着部の凹部の深さに相応する高さを備え、
本体の扁平な前面まで突設されている。また本体に少な
くとも三つ設けた吸着部はＹ形状本体の胴体と延長部と
にそれぞれ対応して設け、本体はテフロンまたはプラス
チックの材質により形成する。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる真空ツィーザの実施の形態を詳細に説明する。図１
は本発明の実施の形態による真空ツィーザの構造を示す
平面図である。図１に示すように、本発明の実施の形態
による真空ツィーザは真空チップ１０の胴体１０ａと、
この胴体１０ａからＹ形状に延長部１０ｂおよび１０ｃ
に分岐した構造を有しており、この真空チップ１０の前
面部には扁平な吸着面を設け、この吸着面に三つの吸着
部４０、５０、および６０が設けられている。真空チッ
プ１０はポンピングライン２０の一端に接続されてお
り、ポンピングライン２０の他端は外部に設けられてい
る真空ポンプ（図示せず）に接続されている。この真空
チップ１０はテフロンまたはプラスチックの材質により
形成されている。
よる真空ツィーザの実施の形態を詳細に説明する。図１
は本発明の実施の形態による真空ツィーザの構造を示す
平面図である。図１に示すように、本発明の実施の形態
による真空ツィーザは真空チップ１０の胴体１０ａと、
この胴体１０ａからＹ形状に延長部１０ｂおよび１０ｃ
に分岐した構造を有しており、この真空チップ１０の前
面部には扁平な吸着面を設け、この吸着面に三つの吸着
部４０、５０、および６０が設けられている。真空チッ
プ１０はポンピングライン２０の一端に接続されてお
り、ポンピングライン２０の他端は外部に設けられてい
る真空ポンプ（図示せず）に接続されている。この真空
チップ１０はテフロンまたはプラスチックの材質により
形成されている。
【００１１】また、吸着部４０、５０、６０は約０．１
ｍｍの深さの凹部を有し、この凹部は楕円形の形状をし
ている。このそれぞれの吸着部４０、５０、６０の凹部
底面には長方形の二つの支持台が平行に設けられてい
る。吸着部４０には支持台４２ａ，４２ｂを設け、吸着
部５０には支持台５２ａ、５２ｂを設け、また吸着部６
０には支持台６２ａ、６２ｂが設けてある。この各々の
支持台は吸着部４０、５０、６０の凹部の深さと同じ高
さに設けられており、真空チップ１０の扁平な前面まで
突設されている。吸着部４０、５０、６０の凹部底面に
は、平行に設けた支持台間の間隔と同じ直径を有する吸
入口が設けられている。吸着部４０には吸入口４４を設
け、吸着部５０には吸入口５４を設け、また吸着部６０
には吸入口６４が設けてある。
ｍｍの深さの凹部を有し、この凹部は楕円形の形状をし
ている。このそれぞれの吸着部４０、５０、６０の凹部
底面には長方形の二つの支持台が平行に設けられてい
る。吸着部４０には支持台４２ａ，４２ｂを設け、吸着
部５０には支持台５２ａ、５２ｂを設け、また吸着部６
０には支持台６２ａ、６２ｂが設けてある。この各々の
支持台は吸着部４０、５０、６０の凹部の深さと同じ高
さに設けられており、真空チップ１０の扁平な前面まで
突設されている。吸着部４０、５０、６０の凹部底面に
は、平行に設けた支持台間の間隔と同じ直径を有する吸
入口が設けられている。吸着部４０には吸入口４４を設
け、吸着部５０には吸入口５４を設け、また吸着部６０
には吸入口６４が設けてある。
【００１２】次に本発明の実施の形態による真空ツィー
ザの動作について図１を参照して詳細に説明する。
ザの動作について図１を参照して詳細に説明する。
【００１３】図１に示すように本発明の実施の形態によ
る真空ツィーザを利用し半導体ウェハを運搬する場合、
真空チップ１０に設けた三つの吸着部４０、５０、６０
を半導体ウェハ背面に付けた後、真空ツィーザに配設さ
れたスイッチ（図示せず）により吸着を開始し吸着部４
０、５０、６０の凹部内を徐々に真空にし半導体ウェハ
を吸着する。このように吸着部４０、５０、６０各々の
凹部底面に設けた吸入口４４、５４、６４が真空チップ
１０の胴体内とポンピングライン２０とを通じて真空ポ
ンプ（図示せず）に接続されているため空気が吸入さ
れ、吸着部４０、５０、６０の凹部内を真空にし半導体
ウェハが吸着される。吸着された半導体ウェハは凹部内
に設けた、吸着部４０の支持台４２ａ、４２ｂまた吸着
部５０の支持台５２ａ、５２ｂおよび吸着部６０の支持
台６２ａ、６２ｂにより支持されるため強い吸引力にお
いても安全に吸着することが可能である。このように真
空ツィーザに吸着した半導体ウェハを所定の位置まで運
搬した後、真空チップ１０に配設されたスイッチ（図示
せず）により吸着を解除させることで容易に半導体ウェ
ハを運搬することができる。
る真空ツィーザを利用し半導体ウェハを運搬する場合、
真空チップ１０に設けた三つの吸着部４０、５０、６０
を半導体ウェハ背面に付けた後、真空ツィーザに配設さ
れたスイッチ（図示せず）により吸着を開始し吸着部４
０、５０、６０の凹部内を徐々に真空にし半導体ウェハ
を吸着する。このように吸着部４０、５０、６０各々の
凹部底面に設けた吸入口４４、５４、６４が真空チップ
１０の胴体内とポンピングライン２０とを通じて真空ポ
ンプ（図示せず）に接続されているため空気が吸入さ
れ、吸着部４０、５０、６０の凹部内を真空にし半導体
ウェハが吸着される。吸着された半導体ウェハは凹部内
に設けた、吸着部４０の支持台４２ａ、４２ｂまた吸着
部５０の支持台５２ａ、５２ｂおよび吸着部６０の支持
台６２ａ、６２ｂにより支持されるため強い吸引力にお
いても安全に吸着することが可能である。このように真
空ツィーザに吸着した半導体ウェハを所定の位置まで運
搬した後、真空チップ１０に配設されたスイッチ（図示
せず）により吸着を解除させることで容易に半導体ウェ
ハを運搬することができる。
【００１４】以上、本発明によってなされた発明の実施
の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可
能である。たとえば、吸着部の凹部底面に平行に設けた
支持台は二つに限定するのではなくその吸着部の面積に
より支持台が二つ以上であってもよい。また、吸着部の
凹部の深さは０．１ｍｍに限定されるものではない。ま
た、吸着部は楕円形に限定されるのではなく、吸着部の
形状が略円形または長方形のいずれの形態でもよい。ま
た、吸着部は三つに限定されるものではなく真空ツィー
ザの扁平な前面部に三つ以上設けてもよい。
の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可
能である。たとえば、吸着部の凹部底面に平行に設けた
支持台は二つに限定するのではなくその吸着部の面積に
より支持台が二つ以上であってもよい。また、吸着部の
凹部の深さは０．１ｍｍに限定されるものではない。ま
た、吸着部は楕円形に限定されるのではなく、吸着部の
形状が略円形または長方形のいずれの形態でもよい。ま
た、吸着部は三つに限定されるものではなく真空ツィー
ザの扁平な前面部に三つ以上設けてもよい。
【００１５】
【発明の効果】このように本発明の実施の形態による真
空ツィーザによれば、真空チップがＹ形状の構造を有し
ているため、その真空チップの曲がりに起因し一部真空
状態が破壊されても半導体ウェハが充分に吸着できる。
空ツィーザによれば、真空チップがＹ形状の構造を有し
ているため、その真空チップの曲がりに起因し一部真空
状態が破壊されても半導体ウェハが充分に吸着できる。
【００１６】また、吸着部が三つ以上設けられているた
め半導体ウェハの吸着力が向上できる。さらに三つの吸
着部の一部吸着部が汚染物質によって詰まった場合でも
他の吸着部で充分に半導体ウェハを吸着し落とさないで
運搬することができる。
め半導体ウェハの吸着力が向上できる。さらに三つの吸
着部の一部吸着部が汚染物質によって詰まった場合でも
他の吸着部で充分に半導体ウェハを吸着し落とさないで
運搬することができる。
【００１７】また本発明の真空チップはＹ形状の構造を
有し扁平な前面部で吸着するため大口径の半導体ウェハ
はもちろん小口径の半導体ウェハの移送にも好適であ
る。
有し扁平な前面部で吸着するため大口径の半導体ウェハ
はもちろん小口径の半導体ウェハの移送にも好適であ
る。
【図１】本発明の実施の形態による真空ツィーザの構造
を示している平面図。
を示している平面図。
【図２】従来の真空ツィーザの構造を示す平面図。
【図３】図２に示す従来の真空ツィーザを利用し半導体
ウェハの背面を吸着させ運搬する状態を示す斜視図。
ウェハの背面を吸着させ運搬する状態を示す斜視図。
１０ 真空チップ １０ａ 胴体 １０ｂ，１０ｃ 延長部 ２０ ポンピングライン ４０，５０，６０ 吸着部 ４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂ，６２ａ，６２ｂ
支持台 ４４，５４，６４ 吸入口
支持台 ４４，５４，６４ 吸入口
Claims (5)
- 【請求項１】 本体の扁平な前面に半導体ウェハを真空
吸着し運搬する真空ツィーザにおいて、 前記本体を人手により把持する把持部を有する胴体と前
記胴体から二つに分岐する延長部とによりＹ形状に形成
するとともに、前記本体の扁平な前面には少なくとも三
つの吸着部を設けたことを特徴とする真空ツィーザ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の真空ツィーザにおい
て、 前記吸着部は凹部を有し前記凹部底面には少なくとも二
つの支持台と一つの吸入口とを有することを特徴とする
真空ツィーザ。 - 【請求項３】 請求項２に記載の真空ツィーザにおい
て、 前記支持台は前記吸着部の凹部の深さに相応する高さを
有し、前記本体の扁平な前面まで突設されていることを
特徴とする真空ツィーザ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の真空ツィーザおいて、 前記本体に少なくとも三つ設けた吸着部は前記Ｙ形状本
体の胴体と延長部とにそれぞれ対応して設けられている
ことを特徴とする真空ツィーザ。 - 【請求項５】 請求項１に記載の真空ツィーザにおい
て、 前記本体はテフロンまたはプラスチックの材質により形
成されていることを特徴とする真空ツィーザ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995P-51500 | 1995-12-18 | ||
| KR1019950051500A KR0163548B1 (ko) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 진공튀저 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09174477A true JPH09174477A (ja) | 1997-07-08 |
Family
ID=19441100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16022496A Pending JPH09174477A (ja) | 1995-12-18 | 1996-06-20 | 真空ツィーザ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09174477A (ja) |
| KR (1) | KR0163548B1 (ja) |
| CN (1) | CN1152534A (ja) |
| DE (1) | DE19625846A1 (ja) |
| GB (1) | GB2308347B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104540641A (zh) * | 2012-05-02 | 2015-04-22 | 拉维尔私人有限公司 | 用于清洁和处理天然提取物的装置和方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457339B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2005-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 이송암 |
| KR100492993B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-08-05 | 삼성전자주식회사 | 슬라이딩을방지할수있는웨이퍼이동장치 |
| CN102233548B (zh) * | 2010-04-29 | 2013-04-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 真空吸笔 |
| CN101894783A (zh) * | 2010-06-03 | 2010-11-24 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 用于半导体专用设备的晶片吸附翻转装置 |
| CN102601798B (zh) * | 2012-03-15 | 2015-02-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种真空吸持装置及真空吸持方法 |
| CN105619433A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-01 | 苏州倍特罗智能科技有限公司 | 一种三吸盘结构 |
| CN105619432A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-06-01 | 苏州倍特罗智能科技有限公司 | 一种三耐用吸盘结构 |
| CN109904103B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-09-03 | 新美光(苏州)半导体科技有限公司 | 一种硅片转移装置及硅片测试装置 |
| DE102020103411A1 (de) | 2020-02-11 | 2021-08-12 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Handhabungsvorrichtung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4773687A (en) * | 1987-05-22 | 1988-09-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. | Wafer handler |
| FR2656598B1 (fr) * | 1989-12-29 | 1992-03-27 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de chargement et de dechargement d'objets plats dans une cassette de rangement. |
| US5280979A (en) * | 1991-06-20 | 1994-01-25 | Recif, S.A. | Tip for a vacuum pipette with improved electrostatic discharge properties |
-
1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051500A patent/KR0163548B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-05-23 CN CN96105164A patent/CN1152534A/zh active Pending
- 1996-06-04 GB GB9611634A patent/GB2308347B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-20 JP JP16022496A patent/JPH09174477A/ja active Pending
- 1996-06-27 DE DE19625846A patent/DE19625846A1/de not_active Withdrawn
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| CN104540641A (zh) * | 2012-05-02 | 2015-04-22 | 拉维尔私人有限公司 | 用于清洁和处理天然提取物的装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2308347A (en) | 1997-06-25 |
| KR970053297A (ko) | 1997-07-31 |
| CN1152534A (zh) | 1997-06-25 |
| GB9611634D0 (en) | 1996-08-07 |
| KR0163548B1 (ko) | 1999-02-01 |
| GB2308347B (en) | 1997-11-12 |
| DE19625846A1 (de) | 1997-06-19 |
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