JPS63197354A - 大量一括移送可能な、半導体基板処理及び取り扱い用完全シェルキャリヤ - Google Patents
大量一括移送可能な、半導体基板処理及び取り扱い用完全シェルキャリヤInfo
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- JPS63197354A JPS63197354A JP62282281A JP28228187A JPS63197354A JP S63197354 A JPS63197354 A JP S63197354A JP 62282281 A JP62282281 A JP 62282281A JP 28228187 A JP28228187 A JP 28228187A JP S63197354 A JPS63197354 A JP S63197354A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大量一括移送可能な（ｍａｓｓｔｒａｎｓｆ
ｅｒａｂｌｅ） 、半導体基板処理及び取り扱い用完全
シェルキャリヤに関するものであり、特には例＾ば酸化
及び或は多結晶拡散管装置における爾後処理のためディ
スク或はプレート状半導体基板を収容しそして保持する
ための叙上のキャリヤに関する。
ｅｒａｂｌｅ） 、半導体基板処理及び取り扱い用完全
シェルキャリヤに関するものであり、特には例＾ば酸化
及び或は多結晶拡散管装置における爾後処理のためディ
スク或はプレート状半導体基板を収容しそして保持する
ための叙上のキャリヤに関する。
え來弦碧
半導体基板用の様々の型式の処理及び取り扱いキャリヤ
が斯界で使用されている。一つの型式は、単一の、透明
溶製石英管部片（完全シェル）にして気体の流通を可能
ならしめるようシェルに穴或はスロットを切り込んだシ
ェルと、このシェル内部に懸架されるセミスタンダード
型ウェハキャリヤから成る。この型式のキャリヤは、ヘ
ラエウスアマーシルインコーボレーテッドの一部門であ
るワーデンブロダクツにより製造されるパーツ番号４６
６８シリーズに於て使用されそしてそのカタログに記載
されている。半導体基板は、セミスタンダード型ウェハ
キャリヤ内に、制限されるわけではないが、三つの充填
様式のうちのいずれか一つに於て充填される。第一の充
填様式は、２６枚の基板が背中合わせに２枚ずつの対を
為して１３個のスロットに挿入される。第二の充填様式
は、２６枚の基板が２６個の別々のスロットに背中合わ
せに挿入され、これは擬背中合わせ様式である。第三の
充填様式は、５２枚の基板を２６個の支持スロットに２
枚ずつ対を為して充填するものである。その後、セミス
タンダード型ウェハキャリヤは、シェルの下半分内に置
かれ、そしてシェルの上半分がウニ八キャリヤを覆って
置かれる。この完全組立て体はその後爾後処理のため拡
散炉管内に装入される。
が斯界で使用されている。一つの型式は、単一の、透明
溶製石英管部片（完全シェル）にして気体の流通を可能
ならしめるようシェルに穴或はスロットを切り込んだシ
ェルと、このシェル内部に懸架されるセミスタンダード
型ウェハキャリヤから成る。この型式のキャリヤは、ヘ
ラエウスアマーシルインコーボレーテッドの一部門であ
るワーデンブロダクツにより製造されるパーツ番号４６
６８シリーズに於て使用されそしてそのカタログに記載
されている。半導体基板は、セミスタンダード型ウェハ
キャリヤ内に、制限されるわけではないが、三つの充填
様式のうちのいずれか一つに於て充填される。第一の充
填様式は、２６枚の基板が背中合わせに２枚ずつの対を
為して１３個のスロットに挿入される。第二の充填様式
は、２６枚の基板が２６個の別々のスロットに背中合わ
せに挿入され、これは擬背中合わせ様式である。第三の
充填様式は、５２枚の基板を２６個の支持スロットに２
枚ずつ対を為して充填するものである。その後、セミス
タンダード型ウェハキャリヤは、シェルの下半分内に置
かれ、そしてシェルの上半分がウニ八キャリヤを覆って
置かれる。この完全組立て体はその後爾後処理のため拡
散炉管内に装入される。
ｌ豆Ω旦り
本発明の主たる目的は、透明な溶製石英製であり、完全
シェルキャリヤの望ましい性質を具備しそして半導体基
板を処理するための拡散設備による指定に応じて完全に
閉成された或は開放された端面いずれをも具備し得る、
半導体基板用大量一括移送或は移し替え可能なホルダを
提供することである。
シェルキャリヤの望ましい性質を具備しそして半導体基
板を処理するための拡散設備による指定に応じて完全に
閉成された或は開放された端面いずれをも具備し得る、
半導体基板用大量一括移送或は移し替え可能なホルダを
提供することである。
光厘図１１１
概略すると、本発明半導体基板処理及び取り扱い用キャ
リヤは、閉成端面を伴なった或は伴わない２部品式外側
完全シェルと、シェル内部に懸架される内部半導体基板
用「セミスタンダード」キャリヤとから成る。シェルは
、上半部分、下半部分或は両方に長手方向ないし横断方
向スロットを具備することが出来る。シェルはまた、上
半部分、下半部分或は両方にまる穴を有し得る。これら
スロット或は穴はシェル内部に気体の流通を許容するよ
う設けられる。キャリヤは、大量一括移送マシンと適合
しつるよう特定の間隔でスロットを切り込んだ４本の透
明な溶製石英製ロッドから構成される。スロットは、限
定されるわけでないが、３つの充填様式のうちの一つに
おいて半導体基板を支持するために設けられる。これら
４本のスロット付きロッドは、両端において端片組立体
により互いに保持される。これら端片組立体は、湾曲し
た透明な溶製石英製ロッド及び透明な溶製石英製チュー
ブから成る。端片組立体におけるチューブはピックアッ
プ（掴み取り）ハンドルによる出し入れ用のものである
。
リヤは、閉成端面を伴なった或は伴わない２部品式外側
完全シェルと、シェル内部に懸架される内部半導体基板
用「セミスタンダード」キャリヤとから成る。シェルは
、上半部分、下半部分或は両方に長手方向ないし横断方
向スロットを具備することが出来る。シェルはまた、上
半部分、下半部分或は両方にまる穴を有し得る。これら
スロット或は穴はシェル内部に気体の流通を許容するよ
う設けられる。キャリヤは、大量一括移送マシンと適合
しつるよう特定の間隔でスロットを切り込んだ４本の透
明な溶製石英製ロッドから構成される。スロットは、限
定されるわけでないが、３つの充填様式のうちの一つに
おいて半導体基板を支持するために設けられる。これら
４本のスロット付きロッドは、両端において端片組立体
により互いに保持される。これら端片組立体は、湾曲し
た透明な溶製石英製ロッド及び透明な溶製石英製チュー
ブから成る。端片組立体におけるチューブはピックアッ
プ（掴み取り）ハンドルによる出し入れ用のものである
。
夫血五辺上Ｉ
半導体基板上に厳密な許容差内の一様なコーティングを
付着するためのある種のプロセスにおいて、完全シェル
ケージ型の透明な溶製石英製ウェハ処理用キャリヤが必
要とされる。セミスタンダードのプラスチックウェハキ
ャリヤから完全シェル透明溶製石英製ウェハキャリヤ内
ヘウエハを大量一括移送することが所望される。この移
行操作は、取り扱いによる損傷及び取扱中に発生する粒
状状物汚染を減少することにより半導体基板当たりのデ
バイスの収率を増大する。
付着するためのある種のプロセスにおいて、完全シェル
ケージ型の透明な溶製石英製ウェハ処理用キャリヤが必
要とされる。セミスタンダードのプラスチックウェハキ
ャリヤから完全シェル透明溶製石英製ウェハキャリヤ内
ヘウエハを大量一括移送することが所望される。この移
行操作は、取り扱いによる損傷及び取扱中に発生する粒
状状物汚染を減少することにより半導体基板当たりのデ
バイスの収率を増大する。
本発明は、プロセスの要件すべてに合いそして多くの大
量一括移送マシンと適合し得る３部品式完全シェル透明
溶製石英製ウェハキャリヤを提供するものである０本発
明は特に、プラスチックキャリヤから透明溶製キャリヤ
への一括移送が所望される、シリコンウェハ上への酸化
物及び多結晶コーティングを生成するのに使用されるシ
ステムに適用し得る。
量一括移送マシンと適合し得る３部品式完全シェル透明
溶製石英製ウェハキャリヤを提供するものである０本発
明は特に、プラスチックキャリヤから透明溶製キャリヤ
への一括移送が所望される、シリコンウェハ上への酸化
物及び多結晶コーティングを生成するのに使用されるシ
ステムに適用し得る。
図面を参照して、本発明を説明する。
セミスタンダードキャリヤは、２つの透明な溶製石英製
ロッド端プレース１と、２つの透明な溶製石英製ピック
アップチューブ２と、４つの透明な溶製石英製スロット
付きロッド３とを備えている。
ロッド端プレース１と、２つの透明な溶製石英製ピック
アップチューブ２と、４つの透明な溶製石英製スロット
付きロッド３とを備えている。
スロット付きロッド３は、半導体基板４が外側シェル半
部分５．６に近接して座直されそして垂直面において支
持されることを可能ならしめるようスロット１１の反対
側の側面において平坦に研磨されている。外側シェル半
部分５．６は、気体の流通を許容するよう長手方向ない
し横断方向スロット或はまる穴８を有している。
部分５．６に近接して座直されそして垂直面において支
持されることを可能ならしめるようスロット１１の反対
側の側面において平坦に研磨されている。外側シェル半
部分５．６は、気体の流通を許容するよう長手方向ない
し横断方向スロット或はまる穴８を有している。
ピックアップチューブ２は、両側でシェル半部分５．６
を僅かに越えて突出し、セミスタンダードボートがシェ
ル下半部分５内部に懸架されることを可能ならしめる。
を僅かに越えて突出し、セミスタンダードボートがシェ
ル下半部分５内部に懸架されることを可能ならしめる。
シェルの下半部分５と上半部分６は、その４隅すべてに
おいて切り込まれたくぼみ７を有している。このくぼみ
７は、ピックアップチューブ２の外径の１／２である。
おいて切り込まれたくぼみ７を有している。このくぼみ
７は、ピックアップチューブ２の外径の１／２である。
完全に組み立てられるとき、ピックアップチューブ２は
、シェル上半部分６が側方にずれるのを防止する。シェ
ル上半部分６にはまた、それが前後方向にずれるのを防
止するために止めタブ９が装備されている。
、シェル上半部分６が側方にずれるのを防止する。シェ
ル上半部分６にはまた、それが前後方向にずれるのを防
止するために止めタブ９が装備されている。
底部の２本のスロット付きロッド３の端からスロット付
きロッド３における第１スロットｌｌａの中心線までの
距離は、指定された距離に合わせられそして±．００３
″ （，０７６２ｍｍ）の許容誤差に指定され、そして
移送マシンに対する基準面として使用される。４本のス
ロット付きロッド３における隣り合うスロット１１の中
心間距離は、指定されそして非累積的に±．００３″（
，０７６２ｍｍ）の許容誤差に指定されている。この距
離すなわち隣り合うスロット１１の中心間距離は、充填
様式及びプロセス適合性により決定される。
きロッド３における第１スロットｌｌａの中心線までの
距離は、指定された距離に合わせられそして±．００３
″ （，０７６２ｍｍ）の許容誤差に指定され、そして
移送マシンに対する基準面として使用される。４本のス
ロット付きロッド３における隣り合うスロット１１の中
心間距離は、指定されそして非累積的に±．００３″（
，０７６２ｍｍ）の許容誤差に指定されている。この距
離すなわち隣り合うスロット１１の中心間距離は、充填
様式及びプロセス適合性により決定される。
ピックアップチューブ２は、ビックアップ工具１０がキ
ャリヤが空であろうと基板で充填されて、いようとキャ
リヤを安全に取り扱うべく使用され得るよう形成されそ
して間隔を決められている。
ャリヤが空であろうと基板で充填されて、いようとキャ
リヤを安全に取り扱うべく使用され得るよう形成されそ
して間隔を決められている。
４、 の、 なｇＩＩＩ
図面は、大量一括移送可能な、半導体基板処理及び取り
扱い用完全シェルキャリヤ並びにキャリヤ取扱のための
二股用具を分解して示す概略斜視図である。
扱い用完全シェルキャリヤ並びにキャリヤ取扱のための
二股用具を分解して示す概略斜視図である。
１：透明な溶製石英製ロッド端プレース２：透明な溶製
石英製ピックアップチューブ３：透明な溶製石英製スロ
ット付きロッド４：半導体基板 ５．６：シエル半部分 ７：くぼみ ８：長手方向ないし横断方向スロット或はよる穴 ９：止めタブ １０：ビックアップ工具 １１：スロット 手続補正書（旗） 昭和６３年３月１日
石英製ピックアップチューブ３：透明な溶製石英製スロ
ット付きロッド４：半導体基板 ５．６：シエル半部分 ７：くぼみ ８：長手方向ないし横断方向スロット或はよる穴 ９：止めタブ １０：ビックアップ工具 １１：スロット 手続補正書（旗） 昭和６３年３月１日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）透明な溶製石英チューブから作成された上及び下半
円筒状半部分を含む２部品式シェルと、基板を支持する
ため軸線方向に形成されるスロットを有する４本の透明
な溶製製石英ロッド、該ロッドの両端に連結される透明
な溶製石英製端プレース及び該端プレースに連結される
透明な溶製石英製ピックアップチューブを含む半導体基
板キャリヤと を包含する大量一括移送可能な、半導体基板処理及び取
り扱い用キャリヤ。 ２）ロッドが各ロッドの端から第１スロットの中心線ま
で指定された寸法を有し且つ±．００３″（．０７６２
ｍｍ）の許容誤差におさめられそして各ロッドの第１ス
ロットがキャリヤ長手方向中心線に直交する共通の中心
線上に整列され、そしてロッドの端部が大量一括移送マ
シンによる使用のための基準面或は割り出し面を形成す
る特許請求の範囲第１項記載のキャリヤ。 ３）スロットが、プロセス及び大量一括移送マシン両者
に適合するよう±．００３″（．０７６２ｍｍ）の非累
積許容誤差の中心線間距離の指定された間隔寸法を有す
る特許請求の範囲第１項記載のキャリヤ。 ４）両方のシェル半部分がピックアップチューブを収容
するため４つ隅角すべてにおいて切り込まれたくぼみを
有して組み立てに際してシェル上半部分の側方へのずれ
を防止する特許請求の範囲第１項記載のキャリヤ。 ５）シェル上半部分がキャリヤ組み立てに際してシェル
上半部分の前後方向へのずれを防止するため止めタブを
有している特許請求の範囲第１項記載のキャリヤ。 ６）ピックアップチューブが取り扱い工具の接近を可能
とするよう平行に配列される特許請求の範囲第１項記載
のキャリヤ。 ７）上及び下半部分が、その少なくとも一方において横
断スロット、長手スロット或はまる穴いずれかを有する
特許請求の範囲第１項記載のキャリヤ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US92996586A | 1986-11-12 | 1986-11-12 | |
| US929965 | 1997-09-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63197354A true JPS63197354A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=25458755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282281A Pending JPS63197354A (ja) | 1986-11-12 | 1987-11-10 | 大量一括移送可能な、半導体基板処理及び取り扱い用完全シェルキャリヤ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0267462A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63197354A (ja) |
| CN (1) | CN87107754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437453B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-08-20 | Seiko Epson Corporation | Wire bonding method, semiconductor device, circuit board, electronic instrument and wire bonding device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| CN100383949C (zh) * | 2005-12-16 | 2008-04-23 | 北京圆合电子技术有限责任公司 | 一种半导体晶片加工的传输平台 |
| US7446284B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-11-04 | Momentive Performance Materials Inc. | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4098923A (en) * | 1976-06-07 | 1978-07-04 | Motorola, Inc. | Pyrolytic deposition of silicon dioxide on semiconductors using a shrouded boat |
| US4256229A (en) * | 1979-09-17 | 1981-03-17 | Rockwell International Corporation | Boat for wafer processing |
| DE3024751C2 (de) * | 1980-06-30 | 1982-06-03 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Trägerhorde aus Quarzglas |
| DE8021868U1 (de) * | 1980-08-16 | 1981-01-29 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Traegerhorde fuer halbleiterscheiben |
| DE47132T1 (de) * | 1980-09-02 | 1983-01-20 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren und geraet zum ueberfuehren von gegenstaenden zwischen traggliedern. |
| US4572101A (en) * | 1983-05-13 | 1986-02-25 | Asq Boats, Inc. | Side lifting wafer boat assembly |
| US4515104A (en) * | 1983-05-13 | 1985-05-07 | Asq Boats, Inc. | Contiguous wafer boat |
-
1987
- 1987-10-20 EP EP87115314A patent/EP0267462A3/en not_active Withdrawn
- 1987-11-10 JP JP62282281A patent/JPS63197354A/ja active Pending
- 1987-11-11 CN CN198787107754A patent/CN87107754A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6437453B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-08-20 | Seiko Epson Corporation | Wire bonding method, semiconductor device, circuit board, electronic instrument and wire bonding device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN87107754A (zh) | 1988-08-17 |
| EP0267462A2 (en) | 1988-05-18 |
| EP0267462A3 (en) | 1990-01-31 |
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