CN100383949C - 一种半导体晶片加工的传输平台 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体晶片加工的传输平台，包括片舱开启装载端口、若干反应室和真空传输腔室，其特征在于，所述真空传输腔室为轴对称多边形结构，在真空传输腔室内轴向布置若干真空机械手，轴对称布置若干晶片暂存区，两个真空锁置于多边形的两个相邻的边，若干反应室置于多边形的其他边，离真空锁近的机械手负责晶片在真空锁、离自己最近的反应室及离自己最近的晶片暂存区相互之间的传送，离真空锁远的机械手负责晶片在离自己近的晶片暂存区与离自己近的若干反应室相互之间的传送。本发明增加了可携带反应室的数量，具有多个真空机械手和多个晶片暂存区域，增加了同时进行工艺操作的晶片数量，更具有广泛的工艺应用范围和良好的兼容性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体晶片加工设备，特别涉及半导体晶片加工的传输平台。
背景技术
半导体晶片的加工时，从片舱到反应腔室做工艺反应，完成工艺过程后，再将晶片从反应腔室传递回片舱，真空传输腔室为晶片传输过程中的重要一环，是晶片传输系统的中枢神经，起到交通枢纽的作用。具体传输流程如图1所示。
目前半导体300mm大多数采用如图2、图3的结构。
通过图2可知，真空传输腔室为正多边形结构。真空机械手位于真空腔室正中间。两个真空锁腔室和多个工艺反应室各占据多边形传输腔室的一个边，成放射状分布。大气传输部分、真空锁与各个反应室之间的晶片交换完全通过真空机械手来完成。
通过图3可知，在这种传输系统中，没有真正意义上的真空传输腔室，而是通过真空锁腔室将晶片直接由机械手传递到反应室中。这样，真空锁腔室、真空机械手、反应室为并排排列，一一对应。
在以上传输结构中，一个机械手要负责全部晶片的传输，真空锁腔室内晶片的交换频繁，同时进行工艺处理的晶片数量受到了限制，因此生产效率的难以提高。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种能同时处理较多晶片的半导体加工转输平台。
技术方案
一种半导体晶片加工的传输平台，包括片舱开启装载端口、若干反应室和真空传输腔室，真空传输腔室为轴对称多边形结构，在真空传输腔室内轴向布置若干真空机械手，轴对称布置若干晶片暂存区，若干反应室(1～6)和第一真空锁、第二真空锁分布于多边形的周边，其中第一真空锁传、第二真空锁置于多边形的两个相邻的边，反应室置于多边形的其他边。
离真空锁近的机械手负责晶片在真空锁、离自己最近的反应室及离自己最近的晶片暂存区相互之间的传送，离真空锁远的机械手负责晶片在离自己近的晶片暂存区与离自己近的若干反应室相互之间的传送。
其中，所述轴对称多边形为非正多边形。
其中，所述轴对称多边形为非正六边形，所述机械手为两个，所述晶片暂存区为两个。
其中，所述真空锁所在的相邻的边为轴对称的相邻边。
其中，离真空锁近的机械手负责将未加工晶片从第一真空锁传送到第一反应室或第一晶片暂存区、将晶片从第一反应室传送到第一晶片暂存区、将晶片从最后晶片暂存区传送到最后反应室、将加工完毕的晶片从最后反应室或最后晶片暂存区传送到第二真空锁。
考虑占地空间和前端传输单元的产出率问题，真空传输腔室也可以采用矩形、轴对称非正5～8边形结构。
有益效果
本发明和以往传输系统结构相比，增加了可携带反应室的数量。同时，多个真空机械手同时工作，且在真空腔室内放置多个晶片暂存区域，增加了同时进行工艺操作的晶片数量，减少了真空锁腔室对于晶片的交换频率，大大提高整个系统的产出率。而对于多步骤的半导体晶片加工工艺来说，也为实现在同一机台完成多步工艺提供了更为广泛的解决方案和实施空间。与传统的传输系统相比，更具有广泛的工艺应用范围和良好的兼容性。
附图说明
图1为现有半导体加工传输一般流程图；
图2为一种现有半导体加工传输平台；
图3为另外种现有半导体加工传输平台；
图4为本发明实施例的传输流程图；
图5为本发明实施例的传输平台平面布置图。
图中：1、第一反应室；2、第二反应室；3、第三反应室；4、第四反应定；5、第五反应室；6、第六反应室，最后反应室；7、第一真空锁；8、第二真空锁；9、大气传输单元；10、入片片舱开启装载端口；11、出片片舱开启装载端口；R1、离真空锁近的机械手；R2、离真空锁远的机械手；、P1、第一晶片暂存区；P2、第二晶片暂存区，最后晶片暂存区。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由各项权利要求限定。
如图5所示，一种半导体晶片加工的传输平台，包括两个片舱开启装载端口、第一至第六反应室，一个轴对称六边形结构真空传输腔室，采用轴对称非正六边形结构。在真空传输腔室内多边形轴心线上布置两个真空机械手R1、R2，垂直于轴的中心线上对称布置两个晶片暂存区P1、P2，即两个真空机械手与两个晶片暂存区分别位于多边形腔体的两条中心线向上。两个真空锁置于六边形的轴对称的两个相邻边，六个反应室置于六边形的其余四边。
离真空锁7、8近的机械手R1负责两个真空锁7、8与第一反应室1、第六反应室6、两个晶片暂存区P1、P2相互之间的晶片传递。离真空锁远的机械手R2负责第二反应室2、第三反应室3、第四反应室4、第五反应室5或两个晶片暂存区相互之间的晶片传递。
当从真空锁取进的晶片需要传递到第一反应室1、第六反应室6时，直接通过离真空锁近的机械手R1对目标晶片进行传递。
当晶片需要传递到第二反应室2、第三反应室3、第四反应室4或第五反应室5时，离真空锁近的机械手R1需要将目标晶片通过离真空锁近的机械手R1传递到P1，离真空锁远的机械手R2再从第一晶片暂存区P1取片传递到目标反应室。
当晶片完成工艺返回时，再通过最后晶片暂存区P2实现两个真空机械手对于晶片的转接。
晶片传输的具体流程如图4。
考虑占地空间和前端传输单元的产出率问题，真空传输腔室也可以采用矩形、轴对称非正5～8边形结构，可以起到同样的效果。
本发明和以往传输系统结构相比，增加了可携带反应室的数量。同时，两个真空机械手同时工作，且在真空腔室内放置两个晶片暂存区域，增加了同时进行工艺操作的晶片数量，减少了真空锁腔室对于晶片的交换频率，大大提高整个系统的产出率。而对于多步骤的半导体晶片加工工艺来说，也为实现在同一机台完成多步工艺提供了更为广泛的解决方案和实施空间，更具有广泛的工艺应用范围和良好的兼容性。
Claims (6)
1.一种半导体晶片加工的传输平台，包括片舱开启装载端口(10，11)、若干反应室(1～6)和真空传输腔室(12)，其特征在于，所述真空传输腔室(12)为轴对称多边形结构，在真空传输腔室(12)内轴向布置若干真空机械手(R1，R2)，轴对称布置若干晶片暂存区(P1，P2)，若干反应室(1～6)和第一真空锁(7)、第二真空锁(8)分布于多边形的周边，第一真空锁(7)、第二真空锁(8)所在多边形的两个边相邻。
2.如权利要求1所述的半导体晶片加工的传输平台，其特征在于，所述多边形为非正多边形。
3.如权利要求1所述的半导体晶片加工的传输平台，其特征在于，所述轴对称多边形为六边形，所述机械手为两个，所述晶片暂存区为两个。
4.如权利要求1所述的半导体晶片加工的传输平台，其特征在于，所述真空锁所在的相邻的边为轴对称的相邻边。
5.如权利要求1至4任一权利要求之一所述的半导体晶片加工的传输平台，其特征在于，离真空锁近的机械手(R1)负责将未加工晶片从第一真空锁(7)传送到第一反应室(1)或第一晶片暂存区(P1)、将晶片从第一反应室(1)传送到第一晶片暂存区(P1)、将晶片从最后晶片暂存区(P2)传送到最后反应室(6)、将加工完毕的晶片从最后反应室(6)或最后晶片暂存区(P2)传送到第二真空锁(8)。
6.如权利要求1所述的半导体晶片加工的传输平台，其特征在于，所述真空传输腔室(12)采用矩形或轴对称非正5～8边形结构。
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