DE8021868U1 - Traegerhorde fuer halbleiterscheiben - Google Patents

Traegerhorde fuer halbleiterscheiben

Info

Publication number
DE8021868U1
DE8021868U1 DE19808021868 DE8021868U DE8021868U1 DE 8021868 U1 DE8021868 U1 DE 8021868U1 DE 19808021868 DE19808021868 DE 19808021868 DE 8021868 U DE8021868 U DE 8021868U DE 8021868 U1 DE8021868 U1 DE 8021868U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rods
carrier tray
quartz glass
slots
semiconductor wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19808021868
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Quarzschmelze GmbH
Original Assignee
Heraeus Quarzschmelze GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Quarzschmelze GmbH filed Critical Heraeus Quarzschmelze GmbH
Priority to DE19808021868 priority Critical patent/DE8021868U1/de
Publication of DE8021868U1 publication Critical patent/DE8021868U1/de
Priority to JP5866081A priority patent/JPS5737826A/ja
Priority to FR8115738A priority patent/FR2488731A1/fr
Priority to GB8124972A priority patent/GB2082388B/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67313Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67316Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by a material, a roughness, a coating or the like
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C30B31/103Mechanisms for moving either the charge or heater
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005Oxydation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Description

- 3 - Hanau, den 4. Juni 1980 ZPL-Dr.Hn/Bö
Heraeus Quarzschmelze GmbH
Gebrauchsmusteranmeldung
"Trägerhorde für Halbleiterscheiben"
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Trägerhorde aus Quarzglas für eine Vielzahl von Halbleiterscheiben, deren Randbereiche in Schlitze von Hordenbauteilen hineinragen, die aus jeweils zwei oberen und zwei unteren mit Schlitzen versehenen, parallel zueinander verlaufenden Stäben bestehen, wobei der Abstand der beiden oberen Stäbe voneinander größer ist als der Abstand der beiden unteren Stäbe voneinander, und wobei die vier Stäbe im Bereich ihrer Enden unverrückbar gehaltert sind.
Trägerhorden der vorcharakterisierten Art sind aus der GB-PS 1 436 503 bekannt. Sie haben sich in der Praxis bewährt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine einfach zu fertigende Trägerhorde zu schaffen, die unter sparsamem Einsatz von teuerem Quarzglas eine sichere Handhabung von mit Halbleiterscheiben beladenen Horden gewährleistet und auch ein schonendes und schnelles Umladen von Halbleiterscheiben von Plastikhorden auf Quarzglashorden sicherstellt. Außerdem soll der Anwendungsbereich dieser Trägerhorden erweitert werden.
Gelöst wird diese Aufgabe für eine Trägerhorde der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch, daß die Halterung aus je einem Quarzglasrohr besteht, das im Endbereich der Stäbe quer zu den Stäben zwischen den oberen und den unteren Stäben angeordnet und mit diesen verschmolzen ist.
Weitere vorteilhafte Merkmale der erfindungsgemäßen Trägerhorde ergeben sich aus den Unteransprüchen.
In der Figur 1 ist in Ansicht ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel dargestellt.
In Figur 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel in Ansicht dargestellt.
In Figur 3 ist ein Ausführungsbeispiel eines geschlitzten Stabes in Ansicht dargestellt.
Die Trägerhorde nach Figur 1 besteht aus sechs Bauteilen, und zwar aus den beiden oberen Stäben 1, den beiden unteren Stäben 2 und den zwischen den Stäben 1 und den Stäben 2 in deren Endbereich angeordneten zwei Quarzglasrohren 3, die jeweils mit den oberen und den unteren Stäben verschmolzen sind an den Stellen 4. Die Stäbe 1 und 2 bestehen aus Quarzglas, und sie sind mit Schlitzen 7 gleicher Breite versehen, in die dann Randbereiche der Halbleiterscheiben, mit denen die Trägerhorde beladen wird, hineinragen. Wie aus Figur 1 ersichtlich, können die Enden der Quarzglasrohre 3 nach unten abgeschrägt sein. Die quer zu den Stäben 1, 2 angeordneten Quarzglasrohre 3 dienen zur Aufnahme der Zinken 6 einer gabelförmigen Handhabung, mit der die beladene oder unbeladene Trägerhorde gehalten und transportiert werden kann. An den Enden der oberen Stäbe 1 sind noch durchgehende Bohrungen 5 vorgesehen, die als Justiermarken beim Umladen
der Halbleiterscheiben von einer Kunststoff-Trägerhorde auf die erfindungsgemäße Trägerhorde und umgekehrt dienen.
Das in Figur 2 dargestellte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Trägerhorde unterscheidet sich von dem in Figur dargestellten dadurch, daß die oberen und unteren Stäbe 1 und 2 in vorgegebenem Abstand von dem jeweiligen Stabende einen ungeschlitzten Bereich 8 aufweisen und jeder dieser Bereiche mit einem quer zu den Stäben 1 und 2 zwischen diesen angeordneten Zusatzhalterungsrohr 9 aus Quarzglas verschmolzen ist. Hierdurch können Trägerhorden geschaffen werden, deren Länge das Doppelte oder ein Vielfaches - in letzterem Fall sind mehrere Zusatzhalterungsrohre in vorgegebenem Abstand voneinander anzuordnen - einer Einzelträgerhorde beträgt.
Anstelle der in den Figuren 1 und 2 verwendeten Stäbe 1 und mit Schlitzen gleicher Breite können auch Stäbe 10 benutzt werden, wie in dem Ausführungsbeispiel nach Figur 3 dargestellt. Dieser Stab 10 weist zum Unterschied gegenüber den Stäben 1 und 2 Schlitze 7 von gleicher Breite und Schlitze auf, deren Breite größer als die der Schlitze 7 ist. Die Schlitze 11 sind in periodisch wiederkehrenden Abständen im Stab 10 angebracht. Sie dienen der Aufnahme von plattenförmig oder anders ausgebildeten Dotierungsmittelquellen, während die Schlitze 7 wieder zur Aufnahme der Halbleiterscheiben dienen. Trägerhorden mit dieser Art ausgebildeten Stäben 10 werden für die Durchführung von Dotierungsverfahren mit Hilfe von Feststoffquellen verwendet, während Trägerhorden mit Stäben 1 und 2 gemäß den Figuren 1 und 2 für andere Behandlungsverfahren für Halbleiterscheiben, wie Oxidationsund Temperprozesse sowie Dotierung aus der Gasphase, eingesetzt werden.
Zusammenfassung
Es wird eine Trägerhorde für Halbleiterscheiben angegeben, die aus vier geschlitzten Quarzglasstäben besteht, die mit einem zwischen den oberen und unteren Stäben angeordnetem Quarzglasrohr unverrückbar verschmolzen sind. Die Stäbe weisen im Endbereich eine durchgehende Bohrung auf und können neben Schlitzen mit gleicher Breite für die Halbleiterscheiben in periodisch wiederkehrenden Abständen Schlitze mit größerer Breite aufweisen.
t t III

Claims (5)

Hanau, den 4. Juni 1980 ZPL-Dr.Hn/Bö Heraeus Quälrzschmelze GmbH Gebrauchsmusteranmeldung "Trägerhorde für Halbleiterscheiben" Schutzansprüche
1) Trägerhorde aus Quarzglas für eine Vielzahl von Halbleiterscheiben, deren Randbereiche in Schlitze von Hordenbauteilen hineinragen, die aus jeweils zwei oberen und zwei unteren mit Schlitzen versehenen, parallel zueinander verlaufenden Stäben bestehen, wobei der Abstand der beiden oberen Stäbe voneinander größer ist als der Abstand der beiden unteren Stäbe voneinander, und wobei die vier Stäbe im Bereich ihrer Enden unverrückbar gehaltert sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung aus je einem Quarzglasrohr besteht, das im Endbereich der Stäbe quer zu den Stäben zwischen den oberen und den unteren Stäben angeordnet und mit diesen verschmolzen ist.
2) Trägerhorde nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß alle Stäbe in vorgegebenem Abstand vom Stabende einen
"'ungeschützten Bereich aufweisen und dieser Bereich mit einem quer zu den Stäben und zwischen den oberen und unteren Stäben angeordneten Zusatzhalterungsrohr aus Quarzglas verschmolzen ist. ·-. ,- {
3) Trägerhorde nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Enden der Quarzglasrohre und des Zusatzhalterungsrohres nach unten abgeschrägt sind.
4) Trägerhorde nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden oberen Stäbe in ihren Endbereichen jeweils eine durchgehende Bohrung aufweisen.
5) Trägerhorde nach einem oder mehreren der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle Stäbe in
periodisch wiederkehrenden Abständen Schlitze mit größerer Breite aufweisen als die Schlitze für die Halbleiterscheiben.
DE19808021868 1980-08-16 1980-08-16 Traegerhorde fuer halbleiterscheiben Expired DE8021868U1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19808021868 DE8021868U1 (de) 1980-08-16 1980-08-16 Traegerhorde fuer halbleiterscheiben
JP5866081A JPS5737826A (en) 1980-08-16 1981-04-20 Carrier enclosure for semiconductor disc
FR8115738A FR2488731A1 (fr) 1980-08-16 1981-08-14 Claie support pour plaquettes semi-conductrices
GB8124972A GB2082388B (en) 1980-08-16 1981-08-14 Improvements in or relating to carrier racks for disc-like objects

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19808021868 DE8021868U1 (de) 1980-08-16 1980-08-16 Traegerhorde fuer halbleiterscheiben

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE8021868U1 true DE8021868U1 (de) 1981-01-29

Family

ID=6718055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19808021868 Expired DE8021868U1 (de) 1980-08-16 1980-08-16 Traegerhorde fuer halbleiterscheiben

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5737826A (de)
DE (1) DE8021868U1 (de)
FR (1) FR2488731A1 (de)
GB (1) GB2082388B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3419866A1 (de) * 1984-05-28 1985-11-28 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Traegerhorde aus quarzglas fuer scheibenfoermige substrate
DE3440111C1 (de) * 1984-11-02 1986-05-15 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Traegerhorde
US4775317A (en) * 1984-11-16 1988-10-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Oven for the heat treatment of semiconductor substrates
DE3829159A1 (de) * 1988-08-27 1990-03-08 Westdeutsche Quarzschmelze Gmb Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5844836U (ja) * 1981-09-21 1983-03-25 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 半導体製造治具
EP0100539A3 (de) * 1982-07-30 1985-05-22 Tecnisco Ltd. Zusammengefügte Anordnung zur Halterung von Halbleiterscheiben oder ähnlichem
EP0267462A3 (de) * 1986-11-12 1990-01-31 Heraeus Amersil, Inc. Ganzschaliger Träger (Horde) zum Behandeln und zum Handhaben von in Massen transportierfähigen Halbleitersubstraten
WO1996007199A2 (en) * 1994-08-31 1996-03-07 Heraeus Quarzglas Gmbh Quartz glass jig for the heat treatment of silicon wafers and method and device for producing same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5068775A (de) * 1973-10-19 1975-06-09
JPS53133366A (en) * 1977-04-27 1978-11-21 Nec Corp Impurity diffusion method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3419866A1 (de) * 1984-05-28 1985-11-28 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Traegerhorde aus quarzglas fuer scheibenfoermige substrate
DE3440111C1 (de) * 1984-11-02 1986-05-15 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Traegerhorde
US4775317A (en) * 1984-11-16 1988-10-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh Oven for the heat treatment of semiconductor substrates
DE3829159A1 (de) * 1988-08-27 1990-03-08 Westdeutsche Quarzschmelze Gmb Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen

Also Published As

Publication number Publication date
GB2082388A (en) 1982-03-03
FR2488731A1 (fr) 1982-02-19
JPS6141128B2 (de) 1986-09-12
JPS5737826A (en) 1982-03-02
FR2488731B3 (de) 1983-06-10
GB2082388B (en) 1984-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0402621B1 (de) Geräteträger
DE3144896C2 (de) Elektroheizgerät
DE3440111C1 (de) Traegerhorde
DE3444271C1 (de) Kabelrechen
EP1820914B1 (de) Sickerblock
DE8021868U1 (de) Traegerhorde fuer halbleiterscheiben
DE3441887C1 (de) Ofen fuer die Waermebehandlung von Halbleiter-Substraten
DE69017941T2 (de) Transportvorrichtung für Topfpflanzen.
DE3024751C2 (de) Trägerhorde aus Quarzglas
DE3527956C2 (de)
DE2342866C2 (de) Bauelementesystem zum Aufbau von Schalttafeln
DE3634935C2 (de)
EP0195844B1 (de) Vorrichtung, Anlage und Verfahren zum Lagern, Transportieren und Umschlagen von zylinderförmigen Materialteilen
DE2751744C2 (de) Vorrichtung zur Halterung eines Rohrbündels
DE69400377T2 (de) Vorrichtung zum Schutz von Brennstäben bei deren Einsetzung
DE2921406A1 (de) Gitterrost fuer die rohre eines rohrbuendel-apparates, z.b. eines waermetauschers
DE3807710C2 (de)
DE2440200C3 (de) Einteiliger Abstandhalter aus Kunststoff
DE69020655T2 (de) Dreiphasiger isolierter Abstandshalter.
DE8415485U1 (de) Traegerhorde fuer plattenfoermige Substrate aus Halbleiterwerkstoffen Glas oder Keramik
DE3439777A1 (de) Kochplatten-stapelvorrichtung
AT244394B (de) Formkabel aus losen Einzeldrähten für Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen
DE677621C (de) Bauruestung zum Aufbau von Flugzeugruempfen, -tragflaechen u. dgl.
DE3322229A1 (de) Unterlage zum transport und einlagern stabfoermiger gueter
DE7016228U (de) Behandlungsmagazin fuer etwa gleichdimensionierte halbleiterscheiben.