DE3829159A1 - Vorrichtung zur aufnahme von halbleiterscheibchen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen (Wafer) während einer thermischen Behandlung, beispielsweise in einem Quarzglasrohr, umfas­ send einen sich im wesentlichen auf einem Untergrund am Behandlungsort über Stützen abstützenden Trägerkörper, auf dem im wesentlichen flächenparallel voneinander beab­ standet die Halbleiterscheiben aufnehmbar sind, wobei die Stützen im wesentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in Längsrichtung begrenzenden Endplatten verlaufend angeord­ net sind.

Halbleiterscheibchen bzw.Wafer, aus denen Halbleiterbau­ elemente wie integrierte Schaltkreise in späteren Her­ stellungsvorgängen gefertigt werden, müssen vor bzw. zwi­ schen einzelnen Fertigungsschritten einer thermischen Behandlung unterzogen werden, bei der Temperaturen bis zu 1200°C auf die Wafer einwirken. Die thermische Behand­ lung muß zudem in einer fremdstoffreien, hochreinen Atmo­ sphäre stattfinden, um jeglichen unkontrollierten Einbau von Fremdatomen und Fremdmolekülen in die zu behandelnden Wafer zu vermeiden. Aus diesem Grund eignen sich in der Regel keine anderen Materialien zum Aufbau der Vorrich­ tungen zur Aufnahme von Wafern der hier beschriebenen Art als Quarzglas.

Es ist bekannt, daß Quarzglas mit zunehmender Temperatur seine Viskosität verändert und das sich infolge des be­ trächtlichen Gewichtes, den beispielsweise eine Vielzahl von Wafern auf eine Vorrichtung zur Aufnahme dieser Wafer aus Quarzglas ausüben, die Vorrichtung erheblich verfor­ men kann, wenn beispielsweise eine zur Behandlung der Wafer bestimmungsgemäß erreichte Temperatur von 1200°C erreicht worden ist.

Eine Vorrichtung der eingangs beschriebenen Art zur Auf­ nahme von Wafern, die aus Quarzglas besteht, weist zwi­ schen zwei den eigentlichen Trägerkörper der Vorrichtung in Längsrichtung begrenzenden Endflächen zwei U-Profile auf, wobei diese beiden U-Profile im wesentlichen stumpf mit den dazu jeweils quer angeordneten Endplatten durch Schweißen verbunden sind. Die zwischen beiden Endplatten längs verlaufenden U-Profile sind jeweils an ihren beiden Schenkeln mit Schlitzen versehen, die im wesentlichen vertikal und im wesentlichen parallel zu den Endplatten ausgerichtet eine bestimmte Zahl von Wafern aufnehmen können. Die vorstehend beschriebene bekannte Vorrichtung weist den Nachteil auf, daß bei hohen Behandlungstempera­ turen infolge der Zunahme der Viskosität des Quarzglases, aus dem die Vorrichtung besteht, die Wafer durch Verfor­ mung der U-Profile in den Schlitzen klemmen, so daß bei der thermischen Behandlung die Wafer beschädigt werden können, was zu erheblichen Ausschußraten während der thermischen Behandlung führen kann. Ein weiterer kon­ struktionsbedingter Nachteil der bekannten Vorrichtung liegt darin, daß aufgrund der Ausgestaltung der Halte­ streben in Form der beschriebenen U-Profile ebenfalls infolge der Viskositätsänderung des Quarzglases bei Tem­ peraturerhöhung die Positionierung der Wafer untereinan­ der unexakt wird, so daß sich die Wafer ggf. während der thermischen Behandlung berühren können. Schließlich ist es bei der bekannten Vorrichtung nachteilig, daß nach Abschluß der thermischen Behandlung infolge der thermisch bedingten Verformung der U-Profile die darin aufgenomme­ nen Wafer festgeklemmt sind, so daß es auch zu Beschädi­ gungen der Wafer kommen kann, wenn diese aus den Schlit­ zen der U-Profile entfernt werden.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Vorrich­ tung aus Quarzglas zur Aufnahme von Wafern zu schaffen, die eine zuverlässige Positionierbarkeit der Wafer ohne gegenseitige Berührung und Beschädigung während der ther­ mischen Behandlung gestattet, die es darüber hinaus er­ möglicht, daß die Wafer nach Abschluß der thermischen Behandlung ohne jede Schwierigkeit und Beschädigung ent­ fernt werden können, so daß eine weitgehend ausschußfreie thermische Behandlung möglich ist, und die leicht und kostengünstig herstellbar ist.

Gelöst wird die Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch, daß zwischen den beiden Endplatten wenigstens ein stangenför­ miges Verbindungselement vorgesehen ist, das ebenso wie die Stützen mit einer Mehrzahl im wesentlichen zueinander paralleler Schlitze zur stützenden Aufnahme der Halblei­ terscheibchen versehen ist.

Der Vorteil der erfindungsgemäßen Ausbildung der Vor­ richtung liegt im wesentlichen darin, daß neben den Stüt­ zen wenigstens ein stangenförmiges Verbindungselement vorgesehen ist, das zwar über seine auf ihm ausgebildeten Schlitze zur Aufnahme der Wafer dient, das jedoch selbst nicht, wie bei der bekannten Vorrichtung, Teil der Stütze ist. Bei der bekannten Vorrichtung stützt sich der untere Steg der U-Profile über eine Stütze auf einem Untergrund, beispielsweise auf der Innenfläche eines Quarzglasrohres, ab. Infolge des Gewichts der Vorrichtung wird somit bei Temperaturerhöhung und gleichzeitiger Zunahme der Visko­ sität der mit den Stützen direkt verbundenen U-Profile aus Quarzglas eine plastische Verformung des U-Profils selbst, das als einzige Stütze bei der bekannten Vorrich­ tung vorgesehen ist, einhergehen. Bei der erfindungsgemä­ ßen Vorrichtung hingegen kann infolge des mit den Stützen nicht unmittelbar verbundenen stangenförmigen Verbin­ dungselements von diesem die von den Wafern ausgeübte Kraft aufgenommen werden, so daß es nicht zu einer Ver­ klemmung der Wafer in den Schlitzen der erfindungsgemäß gesondert ausgebildeten Stützen kommt. Die in den Stützen der Erfindung ausgebildeten Schlitzen haben lediglich eine die eingestellten Wafer abfangende Aufgabe, so daß eine geringfügige plastische Verformung der Stützen in­ folge der thermischen Behandlung der Wafer nicht zu einem Festklemmen der Wafer in den Schlitzen der Stützen führt.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weisen die im stangenförmigen Verbindungselement und an den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stützen ausgebil­ deten Schlitze eine im wesentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Halbleiterscheibchens auf. Bei dieser Ausgestaltung der Vorrichtung wird die von den Wafern infolge ihres Gewichts auf die Vorrichtung ausge­ übte Kraft nicht nur in das Verbindungselement eingelei­ tet, sondern auch in die beiden Stützen. Diese Ausge­ staltung der Vorrichtung gestattet aber eine sichere Auf­ nahme kreisförmig ausgebildeter Wafer.

Vorteilhafterweise weist das Verbindungselement einen im wesentlichen kreisförmigen Querschnitt auf, es sei aber darauf hingewiesen, daß grundsätzlich jede beliebige an­ dere Querschnittsform, falls es beispielsweise konstruk­ tionsbedingt nötig ist, verwendet werden kann.

Um der infolge der Erhöhung der Viskosität bei hohen Tem­ peratur zunehmenden Labilität der Vorrichtung noch stär­ ker entgegenwirken zu können und auch dabei eine hinrei­ chend stabile Konstruktion zu erhalten, ist vorteilhaft­ erweise zwischen den beiden Endplatten eine Mehrzahl von die Stützen und das Verbindungselement im wesentlichen quer verbindenden Querriegeln vorgesehen. Die Querriegel können dabei, das oder die Verbindungselemente zwischen sich in einem Abstand einschließend, im wesentlichen in Richtung eines Kreisumfanges im wesentlichen parallel zu einem durch die Vorrichtung aufgenommenen Wafer gebogen sein. Es ist aber auch möglich, die einzelnen Abschnitte des Querriegels zwischen der Stütze und einem Verbin­ dungselement, zwischen zwei benachbarten Verbindungsele­ menten und dem auf der anderen Seite anschließenden Ab­ schnitt des Querriegels zwischen einem Verbindungselement und einer Stütze jeweils durch im wesentlichen ebene Flächen aufweisende Querriegelabschnitte zu bilden.

Der Querriegel selbst ist gemäß einer weiteren vorteil­ haften Ausgestaltung der Erfindung aus einer Flachmateri­ alstrebe ausgebildet, wobei eine beliebige, geeignet wählbare Mehrzahl an Querriegeln, je nach Abhängigkeit von der Länge der Vorrichtung insgesamt, zwischen den Stützen und dem Verbindungselement bzw. den Verbindungs­ elementen angeordnet sein kann.

Vorzugsweise weisen die Stützen ein im Querschnitt im wesentlichen rechteckiges Profil auf, wobei die zu einem Abstütz-Untergrund weisenden Seiten der Stützen im Quer­ schnitt abgerundet sein können, was beispielsweise dann sinnvoll ist, wenn die Vorrichtung in ein Quarzglasrohr eingeschoben sich auf der konvexen Innenfläche des Quarz­ glasrohres abstützt und diese nicht beschädigt werden soll. Es sei auch darauf hingewiesen, daß es grundsätz­ lich möglich ist, die Stützen in einer beliebigen Form auszubilden, die im Querschnitt rechteckige Ausbildung mit den schmalen Querschnittseiten auf einem Untergrund abgestützt schafft jedoch verhältnismäßig hohe Stabilität auch bei einer hohen Behandlungstemperatur der Wafer.

Die Schlitze in den Verbindungselementen und in den Stüt­ zen werden nach ihrer Fertigstellung mittels spanabheben­ der Bearbeitung eingebracht, z.B. durch Fräsen oder Schleifen. Zwangsweise bildet sich dabei ein gewisser Grat an den Kanten der Schlitze. Einher mit dem Schleifen der Schlitze geht eine verhältnismäßig rauhe Ausbildung der Oberfläche der Schlitze nach ihrer Fertigstellung. Um den Grat und die rauhe Oberfläche, die infolge der Be­ schädigungsmöglichkeit sehr nachteilig für die Halterung der Wafer in den Schlitzen wäre, zu beseitigen, weisen die Schlitze im Verbindungselement bzw. in den Verbin­ dungselementen und in den Stützen eine flammenpolierte Oberfläche auf, wobei im Zuge des Flammenpolierverfahrens die scharfen Kanten der Schlitze zur Oberfläche des Ver­ bindungselements bzw. zur Stütze und der sich daran ur­ sprünglich befindliche Grat gebrochen bzw. entfernt wer­ den. Gleichzeitig wird auch die Oberfläche der Schlitze durch geringfügiges Anschmelzen des Glases poliert.

In typischen thermischen Behandlungsöfen für Wafer ist zur Schaffung einer hochreinen Quarzglasatmosphäre in der Regel ein Quarzglasrohr mit kreisförmigem Durchmesser vorhanden, in das die hier beschriebenen Vorrichtung zu­ sammen mit den darauf angeordneten Wafern hineingesetzt wird. Für das Hineinsetzen der Vorrichtung sind unter­ schiedliche Einfahrsysteme vorhanden, die in vertikaler Richtung zum Anheben und Absenken der Vorrichtung im Quarzglasrohr geeignet sind. Zu diesem Zweck dient bei einer weiteren Ausgestaltung der Vorrichtung zu ihrer Unterstützung für die Oberführung an einen Behandlungsort die Unterseite von wenigstens zwei voneinander beab­ standeten Verbindungselementen, an die sich bei­ spielsweise eine vertikal bewegbare Trägereinrichtung eines Einfahrsystems anschmiegen kann.

Bei einer weiteren anderen Ausgestaltung der Vorrichtung weisen zu ihrer Unterstützung für die Überführung an ei­ nen Behandlungsort die Endplatten an ihrer unteren Stirn­ seite zwei seitliche Vorsprünge auf, zwischen denen sich eine Trägereinrichtung, die auch in diesem Fall im we­ sentlichen vertikal hin und her bewegbar ist, abstützen kann.

Die Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die nachfol­ genden schematischen Zeichnungen anhand eines Ausfüh­ rungsbeispieles beschrieben. Darin zeigen:

Fig. 1 einen Schnitt entlang der Linie A-A durch eine sich in einem kreisförmigen Quarzglasrohr befindliche Vorrichtung in der Ansicht auf eine Endplatte der Vorrichtung,

Fig. 2 eine Darstellung wie in Fig. 1 im Ausschnitt mit einer gegenüber der Darstellung von Fig. 1 unterschiedlich ausgebildeten Trägereinrichtung eines Einfahrsystems,

Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in einem gegenüber der Darstellung von Fig. 1 und 2 ver­ kleinerten Maßstab,

Fig. 4 einen Teilschnitt entlang der Linie B-B von Fig. 1 und

Fig. 5 im Schnitt eine Detailansicht der Schlitze zur Aufnahme der Wafer.

Die Vorrichtung 10, vgl. insbesondere dazu Fig. 3, be­ steht im wesentlichen aus zwei voneinander parallel beabstandeten Endplatten 16, 17 und, bei der hier be­ schriebenen Ausführungsform, aus zwei stangenförmigen Verbindungselementen 18, 19, die im wesentlichen vonein­ ander beabstandet und im wesentlichen rechtwinklig mit ihren Stirnseiten mit den Endplatten 16 und 17 verbunden sind. Darüber hinaus besteht die Vorrichtung 10 aus zwei jeweils dem einen und dem anderen Verbindungselement 18, 19 benachbarten Stützen 14, 15, die ebenfalls stangenför­ mig ausgebildet sind und, ebenso wie die Verbindungsele­ mente 18, 19, im wesentlichen rechtwinklig mit ihren Stirnflächen an die Endplatten 16, 17 angeschlossen sind.

Sowohl die Verbindungselemente 18, 19 als auch die Stüt­ zen 14, 15 sind mit einer Mehrzahl von Schlitzen 20, 21 versehen, wobei jeweils ein zueinander gehöriges Schlitz­ quartett, bestehend aus zwei Schlitzen 20 in den beiden Stützen 14, 15 und Schlitzen 21 in den beiden Verbin­ dungselementen 18, 19, zu den Endplatten 16, 17 einen gleichen Abstand haben, vgl. dazu auch die Darstellung von Fig. 4. Auf diese Weise wird eine jeweils aus dem vorbezeichneten Schlitzquartett bestehende Mehrzahl von Aufnahmen für Halbleiterscheibchen 11 (Wafer) geschaffen, die im wesentlichen parallel zueinander beabstandet dann auf der Vorrichtung 10 angeordnet werden können. Die An­ zahl der Schlitzquartette pro Vorrichtung 10 wird im we­ sentlichen durch die Länge des thermischen Behandlungs­ ofens bzw. durch die Länge des darin aufgenommenen Quarz­ glasrohres 12 bestimmt und kann auf geeignete Weise be­ liebig lang festgelegt werden.

Die Wafer 11 sind in der Regel in Form von Kreisscheiben ausgebildet, wie es in den Fig. 1 und 2 dargestellt ist. Bei kreisförmig ausgebildeten Wafern 11 weisen die beiden stangenförmigen Verbindungselemente 18, 19 eine im we­ sentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittel­ punkt 22 eines darin aufgenommenen kreisförmig ausgebil­ deten Wafers 11 auf. Ebenso sind die beiden den stangenförmigen Verbindungselementen 18, 19 außen benach­ barten Stützen 14, 15 mit Schlitzen einer Schlitztiefe versehen, die gerechnet vom Mittelpunkt 22 des kreisför­ mig ausgebildeten Wafers 11 eine gleiche Schlitztiefe aufweisen. Bei dem in den Figuren dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiel ist die Schlitztiefe der Stützen 14, 15 dabei geringfügig größer als die Schlitztiefe der stan­ genförmigen Verbindungselemente 18, 19. Dadurch wird er­ reicht, daß ein in die Schlitze 21 der Verbindungsele­ mente 18, 19 eingestellter Wafer 11 sich mit seinem Ge­ wicht voll auf den Verbindungselementen 18, 19 abstützen kann, während die in den beiden benachbarten Stützen 14, 15 ausgebildeten Schlitze den Wafer 11 lediglich seitlich stabilisieren, ohne daß in die Stützen 14, 15 eine vom Gewicht des Wafers 11 herrührende relevante Kraft einge­ leitet wird. Bei einer plastischen Verformung infolge der hohen Behandlungstemperatur dient die geringere Schlitz­ eindringtiefe des Wafers 11 in die Schlitze 20 der Stüt­ zen 14, 15 zudem als Toleranzpuffer.

Zwischen den beiden Endplatten 16, 17 ist eine Mehrzahl von die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19 im wesentlichen quer verbindenden Querriegeln 23 vorgese­ hen. Die Querriegel sind dabei als Flachmaterialstreben ausgebildet und, vgl. Fig. 1, geringfügig in ihrer Fläche um einen gedachten Mittelpunkt 22 eines von der Vorrich­ tung 10 aufgenommenen kreisförmigen Wafers gewölbt. Die Verbindungselemente 18, 19 sind dabei derart mit den Querriegeln 23 verbunden, daß ein bestimmter Bereich ei­ ner Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 in vertikaler Richtung, vgl. Fig. 1, frei bleibt. Die Quer­ riegel 23 sind an die im wesentlichen mit rechteckigem Querschnitt ausgebildeten Stützen 14, 15 seitlich ange­ schlossen, und zwar an die breite Seite des Querschnitts der jeweiligen Stütze. Die Stützen 14, 15 sind dabei mit ihrer im Querschnitt schmalen Seite, die einem Abstützun­ tergrund 13 gegenübersteht, abgerundet. Von einer gedachten, im wesentlichen durch den Mittelpunkt 22 eines in die Vorrichtung 10 eingestellten kreisförmig ausgebil­ deten Wafers 11 durchgehenden Vertikallinie sind die Stützen 14, 15 mit ihren breiten Längsseiten in einem spitzen Winkel nach unten auseinandergehend geneigt.

Es sei hervorgehoben, daß die Schlitze 20, 21 auch darauf ausgebildet sein können, daß die Wafer 11 mit ihren Flächen unter verschiedenen geeigneten Winkeln darin auf­ genommen werden können, die von einem rechten Winkel re­ lativ zur Stütze 14, 15 bzw. zum Verbindungselement 18, 19 abweichen.

1n den Fig. 1 und 2 sind zwei unterschiedliche Möglich­ keiten der Abstützung der Vorrichtung 10 auf einem Ein­ fahrsystem in einem Quarzglasrohr 12 kreisförmigen Quer­ schnitts gezeigt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Ausfüh­ rungsform stützt sich eine im wesentlichen vertikal hin und her bewegbare, im Querschnitt gebogene plattenförmige Trägereinrichtung 30 auf der querriegelfreien Unterseite 24, 25 der Verbindungselemente 18, 19 ab, vgl. die ge­ strichelte Trägereinrichtung 30 in vertikal angehobener Stellung. In dieser angehobenen Stellung wird die Vor­ richtung 10 in das Quarzglasrohr 12 hineintransportiert und dann abgesenkt, wenn sie an geeigneter Stelle im Quarzglasrohr 12 positioniert ist.

Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 stützt sich die im Querschnitt gebogenen plattenförmige Trägereinrichtung 30 des Einfahrsystems 30 an Vorsprüngen 28, 29 ab, die an den in vertikaler Richtung unteren Stirnseiten 26, 27 der Endplatten ausgebildet sind.

Die Stützen 14, 15 und die Verbindungselemente 18, 19, können zwischen den sie beidseitig begrenzenden Endplat­ ten 16, 17 zudem mit einer Mehrzahl querverlaufender Streben 31 zur Vergrößerung der Stabilität versehen sein.

Alle Elemente der Vorrichtung 10 bestehen aus Quarzglas. Alle Elemente, die die Vorrichtung 10 bilden, sind zudem durch Schweißverbindungen miteinander verbunden. Auf die­ se Weise wird eine Vorrichtung 10 zur Aufnahme von Wafern 11 geschaffen, die selbst bezüglich ihres dazu verwende­ ten Werkstoffs Halbleiterqualität aufweist. Auf diese Weise wird eine bei thermischen Behandlung von Wafern 11 geforderte hochreine Quarzglasatmosphäre sichergestellt.

Bezugszeichenliste

10 Vorrichtung
11 Halbleiterscheibchen (Wafer)
12 Quarzrohr
13 Untergrund
14 Stütze
15 Stütze
16 Endplatte
17 Endplatte
18 Verbindungselement
19 Verbindungselement
20 Schlitz (Stütze)
21 Schlitz (Verbindungselement)
22 Mittelpunkt (Halbleiterscheibchen)
23 Querriegel
24 Unterseite
25 Unterseite
26 Stirnseite der Endplatte
27 Stirnseite der Endplatte
28 Vorsprung
29 Vorsprung
30 Trägereinrichtung
31 Strebe

Claims (9)

1. Vorrichtung zur Aufnahme von Halbleiterscheibchen (Wafer) während einer thermischen Behandlung, beispiels­ weise in einem Quarzglasrohr, umfassend einen sich im wesentlichen auf einem Untergrund am Behandlungsort über Stützen abstützenden Trägerkörper, auf dem im wesentli­ chen flächenparallel voneinander beabstandet die Halblei­ terscheibchen aufnehmbar sind, wobei die Stützen im we­ sentlichen zwischen zwei den Trägerkörper in Längsrich­ tung begrenzenden Endplatten verlaufend angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Endplat­ ten (16, 17) wenigstens ein stangenförmiges Verbindungs­ element (18; 19) vorgesehen ist, das ebenso wie die Stüt­ zen (14, 15) mit einer Mehrzahl im wesentlichen zueinan­ der paralleler Schlitze (20, 21) zur stützenden Aufnahme der Halbleiterscheibchen (11) versehen ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die im stangenförmigen Verbindungselement (18, 19) und den beiden beidseitig dazu verlaufenden Stützen (14, 15) ausgebildeten Schlitze (20, 21) eine im wesentlichen gleiche Schlitztiefe, gerechnet vom Mittelpunkt (22) ei­ nes darin aufgenommenen kreisförmig ausgebildeten Halb­ leiterscheibchens (11), aufweisen.

3. Vorrichtung nach einem oder beiden der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungsele­ ment (18) einen im wesentlichen kreisförmigen Querschnitt aufweist.

4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den beiden Endplatten (16, 17) eine Mehrzahl von die Stützen (14, 15) und das Verbindungselement (18; 19) im wesentlichen quer verbindenden Querriegeln (23) vorgesehen sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Querriegel (23) aus einer Flachmaterialstrebe gebildet wird.

6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stützen (14, 15) ein im Querschnitt im wesentlichen rechteckiges Profil aufweisen, wobei die zu einem Abstütz-Untergrund (13) weisende Seite der Stützen (14, 15) im Querschnitt abge­ rundet ist.

7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schlitze (20, 21) im Verbindungselement (18; 19) und in den Stützen (14, 15) eine flammenpolierte Oberfläche aufweisen.

8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zu ihrer Unterstützung für die Überführung an einen Behandlungsort die Unter­ seite (24, 25) von wenigstens zwei voneinander beabstan­ deten Verbindungselementen (18, 19) dient.

9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß zu ihrer Unterstützung für die Überführung an einen Behandlungsort die Endplat­ ten (16, 17) an ihrer unteren Stirnseite (26, 27) zwei seitliche Vorsprünge (28, 29), zwischen denen sich eine Trägereinrichtung (30) abstützen kann, aufweisen.