JPH0533007Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0533007Y2 JPH0533007Y2 JP1986155887U JP15588786U JPH0533007Y2 JP H0533007 Y2 JPH0533007 Y2 JP H0533007Y2 JP 1986155887 U JP1986155887 U JP 1986155887U JP 15588786 U JP15588786 U JP 15588786U JP H0533007 Y2 JPH0533007 Y2 JP H0533007Y2
- Authority
- JP
- Japan
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- tablet
- transfer pot
- chase
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- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 101100298222 Caenorhabditis elegans pot-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000013351 cheese Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、トランスフア成形プレスを用いて樹
脂成形する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
脂成形する半導体装置の樹脂封止装置に関する。
一般に、半導体装置の従来封止装置は、トラン
スフア成形プレスに装着した上下２つの型板を型
締めした後、プランジヤーによつてトランスフア
ポツト内のレジンタブレツトをキヤビテイ内に圧
送し成形を行うものとして知られている。
スフア成形プレスに装着した上下２つの型板を型
締めした後、プランジヤーによつてトランスフア
ポツト内のレジンタブレツトをキヤビテイ内に圧
送し成形を行うものとして知られている。
従来、この種の半導体装置の樹脂封止装置に
は、その中央部にタブレツト加圧用のプランジヤ
ーが進退するトランスフアポツトおよび一方のパ
ツケージを形成するキヤビテイを有する上側の型
板と、この型板の下方に進退自在に設けられ他方
のパツケージを形成するキヤビテイを有する下側
の型板と、この型板および上側の型板内に各々収
納され各キヤビテイの内部に進退するエジエクタ
ーピンを有する突き出し機構とを備えたものが使
用されている。
は、その中央部にタブレツト加圧用のプランジヤ
ーが進退するトランスフアポツトおよび一方のパ
ツケージを形成するキヤビテイを有する上側の型
板と、この型板の下方に進退自在に設けられ他方
のパツケージを形成するキヤビテイを有する下側
の型板と、この型板および上側の型板内に各々収
納され各キヤビテイの内部に進退するエジエクタ
ーピンを有する突き出し機構とを備えたものが使
用されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装
置においては、トランスフアポツトが外部に開口
する構造であるため、プランジヤー挿入時にトラ
ンスフアポツト内に流入する空気がプランジヤー
の加圧によつて溶融した樹脂内に混入し、半導体
チツプを樹脂封止するパツケージ内にボイド（空
隙部）が形成されていた。
置においては、トランスフアポツトが外部に開口
する構造であるため、プランジヤー挿入時にトラ
ンスフアポツト内に流入する空気がプランジヤー
の加圧によつて溶融した樹脂内に混入し、半導体
チツプを樹脂封止するパツケージ内にボイド（空
隙部）が形成されていた。
そこで、この種の半導体装置の樹脂封止装置に
おいては、樹脂封止時に吸気装置を駆動してトラ
ンスフアポツトおよびキヤビテイの内部を減圧状
態にすることにより、パツケージ内への空気混入
を阻止することが行われている。
おいては、樹脂封止時に吸気装置を駆動してトラ
ンスフアポツトおよびキヤビテイの内部を減圧状
態にすることにより、パツケージ内への空気混入
を阻止することが行われている。
ところが、従来の半導体装置の樹脂封止装置に
おいては、トランスフアポツトが上側の型板内に
取り付けられているため、レジンタブレツトの投
入時にプランジヤーヘツドをトランスフアポツト
の外部に一旦出さなければならず、それだけプラ
ンジヤーの移動ストロークが大きくなつていた。
この結果、トランスフアポツトの内部を所定の減
圧状態にするに多大の時間を費やすという問題が
あつた。
おいては、トランスフアポツトが上側の型板内に
取り付けられているため、レジンタブレツトの投
入時にプランジヤーヘツドをトランスフアポツト
の外部に一旦出さなければならず、それだけプラ
ンジヤーの移動ストロークが大きくなつていた。
この結果、トランスフアポツトの内部を所定の減
圧状態にするに多大の時間を費やすという問題が
あつた。
本考案はこのような事情に鑑みなされたもの
で、レジンタブレツトの投入時におけるプランジ
ヤーの移動ストロークを小さくすることができ、
もつてトランスフアポツトの内部を所定の減圧状
態にするための所要時間を短縮することができる
半導体装置の樹脂封止装置を提供するものであ
る。
で、レジンタブレツトの投入時におけるプランジ
ヤーの移動ストロークを小さくすることができ、
もつてトランスフアポツトの内部を所定の減圧状
態にするための所要時間を短縮することができる
半導体装置の樹脂封止装置を提供するものであ
る。
本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置は、半
導体チツプ封止用パツケージのキヤビテイを形成
するチエイスブロツクを有する上下２つの型板
と、これら両型板におけるチエイスブロツクの周
囲に、これらチエイスブロツクとは隙間を介して
配設されこれらチエイスブロツク間のキヤビテイ
およびパーテイング面部分の気密性を保つととも
に吸気装置に接続される排気孔を有する環状のシ
ールブロツクとを備え、両型板のうち下側の型板
内に、タブレツト加工用のプランジヤーがその内
部を進退するトランスフアポツトを取り付け、か
つこのトランスフアポツトのタブレツト投入口
を、下側の型板におけるチエイスブロツクのパー
テイング面に開口させると共にこのタブレツト投
入口と隙間とを連通する溝をチエイスブロツクの
パーテイング面に配設させるように構成したもの
である。
導体チツプ封止用パツケージのキヤビテイを形成
するチエイスブロツクを有する上下２つの型板
と、これら両型板におけるチエイスブロツクの周
囲に、これらチエイスブロツクとは隙間を介して
配設されこれらチエイスブロツク間のキヤビテイ
およびパーテイング面部分の気密性を保つととも
に吸気装置に接続される排気孔を有する環状のシ
ールブロツクとを備え、両型板のうち下側の型板
内に、タブレツト加工用のプランジヤーがその内
部を進退するトランスフアポツトを取り付け、か
つこのトランスフアポツトのタブレツト投入口
を、下側の型板におけるチエイスブロツクのパー
テイング面に開口させると共にこのタブレツト投
入口と隙間とを連通する溝をチエイスブロツクの
パーテイング面に配設させるように構成したもの
である。
本考案によれば、下側の型板内に取り付けたト
ランスフアポツト内にプランジヤーヘツドを挿入
したままの状態でレジンタブレツトを投入するこ
とができ、かつこの状態で両型板を型締めし、シ
ールブロツクにより機密性を保つて囲まれた両型
板内部を吸気装置によつて減圧した状態で、前記
レジンタブレツトをプランジヤーの加圧によつて
溶融させてキヤビテイ内に圧送することにより、
半導体チツプを樹脂封止するパツケージを成形し
得るものである。
ランスフアポツト内にプランジヤーヘツドを挿入
したままの状態でレジンタブレツトを投入するこ
とができ、かつこの状態で両型板を型締めし、シ
ールブロツクにより機密性を保つて囲まれた両型
板内部を吸気装置によつて減圧した状態で、前記
レジンタブレツトをプランジヤーの加圧によつて
溶融させてキヤビテイ内に圧送することにより、
半導体チツプを樹脂封止するパツケージを成形し
得るものである。
図は本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置を
示す断面図である。同図において、符号１で示す
ものは上側の型板で、ベース２上に保持されヒー
タ（図示せず）を内蔵する定盤３と、この定盤３
上に固定され半導体チツプ封止用の上側パツケー
ジ（図示せず）を形成するキヤビテイ４を有する
チエイスブロツク５とからなり、プレスプラテン
（図示せず）に取り付けられている。そして、こ
の型板１のパーテイング面には、前記キヤビテイ
４にランナ６を介して連通するカル７が形成され
ている。８は下側の型板で、ベース９上に保持さ
れヒータ（図示せず）を内蔵する定盤１０と、こ
の定盤１０上に固定され半導体チツプ封止用の下
側パツケージ（図示せず）を形成するキヤビテイ
１１を有するチエイスブロツク１２とからなり、
プレススライドフレーム（図示せず）に取り付け
られている。この下側の型板８の内部には、プラ
ンジヤーヘツド１３ａおよびプランジヤーロツド
１３ｂからなるタブレツト加圧用のプランジヤー
１３がその内部を進退するトランスフアポツト１
４が取り付けられている。このトランスフアポツ
ト１４のタブレツト投入口１４ａはパーテイング
面側に開口されている。１５および１６はパーテ
イング面と同一の面上にシール面１５ａ，１６ａ
をもつ環状のシールブロツクで、前記両チエイス
ブロツク５，１２の周囲に各々配設され、かつ前
記定盤３，１０に各々取り付けられている。これ
ら両シールブロツク１５，１６のうち下側のシー
ルブロツク１６のシール面１６ａにはＯリング１
７を装着する環状溝１８が形成されている。ま
た、上側のシールブロツク１５には吸気装置（図
示せず）に接続する排気孔１９が設けられてい
る。なお、図中符号Ａ，Ｂは各々パーテイングラ
インとレジンタブレツトを示す。
示す断面図である。同図において、符号１で示す
ものは上側の型板で、ベース２上に保持されヒー
タ（図示せず）を内蔵する定盤３と、この定盤３
上に固定され半導体チツプ封止用の上側パツケー
ジ（図示せず）を形成するキヤビテイ４を有する
チエイスブロツク５とからなり、プレスプラテン
（図示せず）に取り付けられている。そして、こ
の型板１のパーテイング面には、前記キヤビテイ
４にランナ６を介して連通するカル７が形成され
ている。８は下側の型板で、ベース９上に保持さ
れヒータ（図示せず）を内蔵する定盤１０と、こ
の定盤１０上に固定され半導体チツプ封止用の下
側パツケージ（図示せず）を形成するキヤビテイ
１１を有するチエイスブロツク１２とからなり、
プレススライドフレーム（図示せず）に取り付け
られている。この下側の型板８の内部には、プラ
ンジヤーヘツド１３ａおよびプランジヤーロツド
１３ｂからなるタブレツト加圧用のプランジヤー
１３がその内部を進退するトランスフアポツト１
４が取り付けられている。このトランスフアポツ
ト１４のタブレツト投入口１４ａはパーテイング
面側に開口されている。１５および１６はパーテ
イング面と同一の面上にシール面１５ａ，１６ａ
をもつ環状のシールブロツクで、前記両チエイス
ブロツク５，１２の周囲に各々配設され、かつ前
記定盤３，１０に各々取り付けられている。これ
ら両シールブロツク１５，１６のうち下側のシー
ルブロツク１６のシール面１６ａにはＯリング１
７を装着する環状溝１８が形成されている。ま
た、上側のシールブロツク１５には吸気装置（図
示せず）に接続する排気孔１９が設けられてい
る。なお、図中符号Ａ，Ｂは各々パーテイングラ
インとレジンタブレツトを示す。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装
置においては、トランスフアポツト１４内にプラ
ンジヤーヘツド１３ａを挿入したままレジンタブ
レツトＢを投入することができる。
置においては、トランスフアポツト１４内にプラ
ンジヤーヘツド１３ａを挿入したままレジンタブ
レツトＢを投入することができる。
この場合、型開き時にトランスフアポツト１４
内にプランジヤー１３を挿入した後、タブレツト
投入口１４ａからプランジヤーヘツド１３ａ上に
レジンタブレツトＢが載置される。
内にプランジヤー１３を挿入した後、タブレツト
投入口１４ａからプランジヤーヘツド１３ａ上に
レジンタブレツトＢが載置される。
したがつて、タブレツト投入時にプランジヤー
ヘツド１３ａをトランスフアポツト１４の外部に
出す必要がなくなり、それだけプランジヤーの移
動ストロークを小さくすることができる。
ヘツド１３ａをトランスフアポツト１４の外部に
出す必要がなくなり、それだけプランジヤーの移
動ストロークを小さくすることができる。
以上説明したように本考案に係る半導体装置の
樹脂封止装置によれば、半導体チツプ封止用パツ
ケージのキヤビテイを形成するチエイスブロツク
を有する上下２つの型板と、これら両型板におけ
るチエイスブロツクの周囲に、これらチエイスブ
ロツクとは隙間を介して配設されこれらチエイス
ブロツク間のキヤビテイおよびパーテイング面部
分の気密性を保つとともに吸気装置に接続される
排気孔を有する環状のシールブロツクとを備え、
下側の型板内に、タブレツト加工用のプランジヤ
ーがその内部を進退するトランスフアポツトを取
り付け、かつこのトランスフアポツトのタブレツ
ト投入口を、下側の型板におけるチエイスブロツ
クのパーテイング面側に開口させると共にこのタ
ブレツト投入口と隙間とを連通する溝をチエイス
ブロツクのパーテイング面に配設させるように構
成したので、トランスフアポツト内にプランジヤ
ーヘツドを挿入したままの状態で、これを取り外
すことなく、レジンタブレツトの投入を行なえ、
これによりレジンタブレツトの投入時におけるプ
ランジヤーの移動ストロークを小さくすることが
できるばかりでなく、吸気装置によつてこのトラ
ンスフアポツトの内部を所定の減圧状態にするた
めの所要時間を確実に短縮することができ、半導
体チツプの真空モールドをきわめて容易に行うこ
とができる。
樹脂封止装置によれば、半導体チツプ封止用パツ
ケージのキヤビテイを形成するチエイスブロツク
を有する上下２つの型板と、これら両型板におけ
るチエイスブロツクの周囲に、これらチエイスブ
ロツクとは隙間を介して配設されこれらチエイス
ブロツク間のキヤビテイおよびパーテイング面部
分の気密性を保つとともに吸気装置に接続される
排気孔を有する環状のシールブロツクとを備え、
下側の型板内に、タブレツト加工用のプランジヤ
ーがその内部を進退するトランスフアポツトを取
り付け、かつこのトランスフアポツトのタブレツ
ト投入口を、下側の型板におけるチエイスブロツ
クのパーテイング面側に開口させると共にこのタ
ブレツト投入口と隙間とを連通する溝をチエイス
ブロツクのパーテイング面に配設させるように構
成したので、トランスフアポツト内にプランジヤ
ーヘツドを挿入したままの状態で、これを取り外
すことなく、レジンタブレツトの投入を行なえ、
これによりレジンタブレツトの投入時におけるプ
ランジヤーの移動ストロークを小さくすることが
できるばかりでなく、吸気装置によつてこのトラ
ンスフアポツトの内部を所定の減圧状態にするた
めの所要時間を確実に短縮することができ、半導
体チツプの真空モールドをきわめて容易に行うこ
とができる。
また、トランスフアポツトの空気を排気すると
き、型板のパーテイング面に設けた溝から、直接
排気できるので排気速度が向上する。
き、型板のパーテイング面に設けた溝から、直接
排気できるので排気速度が向上する。
さらに、チエイスブロツクとシールブロツクと
は分離されていて、チエイスブロツクには真空を
シールする機能や特別な排気経路が不必要である
から、減圧樹脂封止装置用の特別な金型が不要で
あると共に、従来の大気圧下での樹脂封止装置か
ら減圧樹脂封止装置へ容易に改造できる。
は分離されていて、チエイスブロツクには真空を
シールする機能や特別な排気経路が不必要である
から、減圧樹脂封止装置用の特別な金型が不要で
あると共に、従来の大気圧下での樹脂封止装置か
ら減圧樹脂封止装置へ容易に改造できる。
図は本考案に係る半導体装置の樹脂封止装置を
示す断面図である。 １……上側の型板、３……定盤、４……キヤビ
テイ、５……チエイスブロツク、８……下側の型
板、１０……定盤、１１……キヤビテイ、１２…
…チエイスブロツク、１３……プランジヤー、１
４……トランスフアポツト、１４ａ……タブレツ
ト投入口、１５，１６……シールブロツク、Ｂ…
…レジンタブレツト。
示す断面図である。 １……上側の型板、３……定盤、４……キヤビ
テイ、５……チエイスブロツク、８……下側の型
板、１０……定盤、１１……キヤビテイ、１２…
…チエイスブロツク、１３……プランジヤー、１
４……トランスフアポツト、１４ａ……タブレツ
ト投入口、１５，１６……シールブロツク、Ｂ…
…レジンタブレツト。
Claims (1)
- 半導体チツプ封止用パツケージのキヤビテイが
形成されたチエイスブロツクを有する上下２つの
型板と、これら両型板におけるチエイスブロツク
の周囲に、これらチエイスブロツクとは隙間を介
して配設されこれらチエイスブロツク間のキヤビ
テイおよびパーテイング面部分の気密性を保つと
ともに吸気装置に接続される排気孔を有する環状
のシールブロツクとを備え、前記両型板のうち下
側の型板内に、タブレツト加圧用のプランジヤー
がその内部を進退するトランスフアポツトを取り
付け、かつこのトランスフアポツトのタブレツト
投入口を、下側の型板におけるチエイスブロツク
のパーテイング面に開口させると共にこのタブレ
ツト投入口と前記隙間とをチエイスブロツクのパ
ーテイング面に配設された溝を介して連通させた
ことを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986155887U JPH0533007Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986155887U JPH0533007Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6361130U JPS6361130U (ja) | 1988-04-22 |
| JPH0533007Y2 true JPH0533007Y2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=31076995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986155887U Expired - Lifetime JPH0533007Y2 (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533007Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032619A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 低圧トランスフア成形法 |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP1986155887U patent/JPH0533007Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6032619A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 低圧トランスフア成形法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6361130U (ja) | 1988-04-22 |
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