JPH0572102B2 - - Google Patents
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- JPH0572102B2 JPH0572102B2 JP1186636A JP18663689A JPH0572102B2 JP H0572102 B2 JPH0572102 B2 JP H0572102B2 JP 1186636 A JP1186636 A JP 1186636A JP 18663689 A JP18663689 A JP 18663689A JP H0572102 B2 JPH0572102 B2 JP H0572102B2
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- JP
- Japan
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- mold
- resin
- separator
- hole
- lead frame
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレームにマウントされた半
導体チツプ回りを樹脂封止するための半導体樹脂
封止用金型装置に関する。
導体チツプ回りを樹脂封止するための半導体樹脂
封止用金型装置に関する。
（従来の技術）
従来、リードフレームにマウントされた半導体
チツプおよびこの配線部の回りを樹脂封止するた
め、第３図に示すような半導体樹脂封止用金型装
置が用いられている。
チツプおよびこの配線部の回りを樹脂封止するた
め、第３図に示すような半導体樹脂封止用金型装
置が用いられている。
この金型装置１６は、第３図に示すように、上
金型１７と下金型１８とからなつている。そし
て、この上金型１７と下金型１８との間の同一平
面上に、半導体チツプ（図示せず）がマウントさ
れたリードフレーム５が複数、例えば８枚配置さ
れている。
金型１７と下金型１８とからなつている。そし
て、この上金型１７と下金型１８との間の同一平
面上に、半導体チツプ（図示せず）がマウントさ
れたリードフレーム５が複数、例えば８枚配置さ
れている。
このような状態で、プレス機（図示せず）によ
つて上金型１７と下金型１８との間でリードフレ
ーム５を押圧し、上金型１７の注入口１７ａから
樹脂を注入して、半導体チツプおよび配線部回り
を樹脂封止している。
つて上金型１７と下金型１８との間でリードフレ
ーム５を押圧し、上金型１７の注入口１７ａから
樹脂を注入して、半導体チツプおよび配線部回り
を樹脂封止している。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように、従来の金型装置１６は、上金型
１７と下金型１８との間の同一平面上にリードフ
レーム５を複数並べるため、金型装置１６の板面
積およびプレス圧力は非常に大きくなる。このた
め、金型装置１６の重量および使用するプレス機
の能力は、非常に大きなものが要求され、製造コ
ストが増加している。
１７と下金型１８との間の同一平面上にリードフ
レーム５を複数並べるため、金型装置１６の板面
積およびプレス圧力は非常に大きくなる。このた
め、金型装置１６の重量および使用するプレス機
の能力は、非常に大きなものが要求され、製造コ
ストが増加している。
本発明はこのような点を考慮してなされたもの
であり、金型装置の軽量化を図ることができると
ともに、使用するプレス機の能力を小さく押える
ことができる半導体樹脂封止用金型装置を提供す
ることを目的とする。
であり、金型装置の軽量化を図ることができると
ともに、使用するプレス機の能力を小さく押える
ことができる半導体樹脂封止用金型装置を提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、リードフレームの上方に配置され内
部に貫通孔を有する上金型と、前記リードフレー
ムの下方に配置され内部に貫通孔を有する下金型
とからなり、上下方向に複数設けられた金型体
と、各金型体の間に設けられ、前記上金型の貫通
孔および前記下金型の貫通孔を密封して樹脂封止
空間を形成するセパレータとを備え、前記セパレ
ータに、前記樹脂封止空間に直接的に連通する連
通孔を形成したことを特徴とする半導体樹脂封止
金型装置である。
部に貫通孔を有する上金型と、前記リードフレー
ムの下方に配置され内部に貫通孔を有する下金型
とからなり、上下方向に複数設けられた金型体
と、各金型体の間に設けられ、前記上金型の貫通
孔および前記下金型の貫通孔を密封して樹脂封止
空間を形成するセパレータとを備え、前記セパレ
ータに、前記樹脂封止空間に直接的に連通する連
通孔を形成したことを特徴とする半導体樹脂封止
金型装置である。
（作用）
本発明によれば、セパレータが上金型の貫通孔
および下金型の貫通孔を密封して樹脂封止空間を
形成するとともに、セパレータに設けられた連通
孔が樹脂封止空間と直接的に連通しているので、
ある樹脂封止空間に注入されたモールド樹脂をセ
パレータの連通孔から迅速かつ容易に上方または
下方に位置する樹脂封止空間に流すことができ
る。
および下金型の貫通孔を密封して樹脂封止空間を
形成するとともに、セパレータに設けられた連通
孔が樹脂封止空間と直接的に連通しているので、
ある樹脂封止空間に注入されたモールド樹脂をセ
パレータの連通孔から迅速かつ容易に上方または
下方に位置する樹脂封止空間に流すことができ
る。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第１図および第２図は本発明による半導体樹脂
封止用金型装置の一実施例を示す図であり、第１
図はその側断面図、第２図はその分解斜視図であ
る。
封止用金型装置の一実施例を示す図であり、第１
図はその側断面図、第２図はその分解斜視図であ
る。
第１図および第２図に示すように、半導体樹脂
封止用金型装置１は、リードフレーム５の上下方
向に配置された上金型３および下金型４からなる
金型体２を、セパレータ９を介して順次積層して
構成されている。
封止用金型装置１は、リードフレーム５の上下方
向に配置された上金型３および下金型４からなる
金型体２を、セパレータ９を介して順次積層して
構成されている。
このうち、リードフレーム５には、予め半導体
チツプ６がマウントされ、配線部７により必要な
配線が施されている。また、上金型３および下金
型４は、それぞれ貫通孔３ａおよび４ａを有し、
これら貫通孔３ａおよび４ａをセパレータ９で密
閉することによつて金型体２の樹脂空間が形成さ
れている。さらにセパレータ９には、金型体２の
樹脂封止空間と直接的に連通する連通孔１０が形
成されている。
チツプ６がマウントされ、配線部７により必要な
配線が施されている。また、上金型３および下金
型４は、それぞれ貫通孔３ａおよび４ａを有し、
これら貫通孔３ａおよび４ａをセパレータ９で密
閉することによつて金型体２の樹脂空間が形成さ
れている。さらにセパレータ９には、金型体２の
樹脂封止空間と直接的に連通する連通孔１０が形
成されている。
次にこのような構成からなる本実施例の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず敷板１２上に、下金型４、リードフレーム
５、および上金型３が順次積み上げられて、最下
層の金型体２が形成される。続いて、最下層の金
型体２にセパレータ９を介して次の金型体２が同
様に積み上げられる。このように金型体２を順次
積み上げていき、最後に最上層の金型体２にセパ
レータ９を介してモールド樹脂をセツトするポツ
ト部１１が設けられる。
５、および上金型３が順次積み上げられて、最下
層の金型体２が形成される。続いて、最下層の金
型体２にセパレータ９を介して次の金型体２が同
様に積み上げられる。このように金型体２を順次
積み上げていき、最後に最上層の金型体２にセパ
レータ９を介してモールド樹脂をセツトするポツ
ト部１１が設けられる。
このように、下金型４、リードフレーム５、お
よび上金型３等を順次積み上げる場合、各部材
３，５，９に予め位置決めマーク（図示せず）を
設けることにより、正確に積み上げることができ
る。
よび上金型３等を順次積み上げる場合、各部材
３，５，９に予め位置決めマーク（図示せず）を
設けることにより、正確に積み上げることができ
る。
次に、このように積層してなる金型装置１をプ
レス機に装着し、ポツト部１１の投入穴１１ａに
モールド樹脂を投入する。続いてプレス機で型締
めを行なつた後、プレス機に設置されている注入
機構により、モールド樹脂を金型装置１内に注入
する。モールド樹脂は、投入穴１１ａから最上部
のセパレータ９の連通孔１０を経て最上層の金型
体２の樹脂空間に注入され、続いて次のセパレー
タ９の連結孔１０を経て次の金型体２の樹脂空間
に注入される。そして、このようにして、すべて
の層の金型体２の樹脂空間にモールド樹脂が充填
される。
レス機に装着し、ポツト部１１の投入穴１１ａに
モールド樹脂を投入する。続いてプレス機で型締
めを行なつた後、プレス機に設置されている注入
機構により、モールド樹脂を金型装置１内に注入
する。モールド樹脂は、投入穴１１ａから最上部
のセパレータ９の連通孔１０を経て最上層の金型
体２の樹脂空間に注入され、続いて次のセパレー
タ９の連結孔１０を経て次の金型体２の樹脂空間
に注入される。そして、このようにして、すべて
の層の金型体２の樹脂空間にモールド樹脂が充填
される。
本実施例によれば、上金型３および下金型４か
らなる金型体２を、セパレータ９を介して順次積
層して半導体樹脂封止用金型装置を構成したの
で、金型装置の板面積およびプレス圧力を小さく
することができる。
らなる金型体２を、セパレータ９を介して順次積
層して半導体樹脂封止用金型装置を構成したの
で、金型装置の板面積およびプレス圧力を小さく
することができる。
例えば16pinのDual In Line Package（DIP）
において、一つの金型装置当りのリードフレーム
処理量は20枚程度である。同一平面にリードフレ
ームを20枚並べる従来の金型装置を用いると、板
面積が600mm×400mm程度、型締圧は200ton程度と
なる。一方、積層型の本発明の金型装置を用いる
と処理量20枚の場合、板面積は約1/20の50mm×
250mm程度、型締圧は10ton程度となる。このた
め、金型装置の軽量化を図ることができるととも
に、使用するプレス機の能力を低く抑えることが
できる。
において、一つの金型装置当りのリードフレーム
処理量は20枚程度である。同一平面にリードフレ
ームを20枚並べる従来の金型装置を用いると、板
面積が600mm×400mm程度、型締圧は200ton程度と
なる。一方、積層型の本発明の金型装置を用いる
と処理量20枚の場合、板面積は約1/20の50mm×
250mm程度、型締圧は10ton程度となる。このた
め、金型装置の軽量化を図ることができるととも
に、使用するプレス機の能力を低く抑えることが
できる。
以上説明したように、本発明によれば、セパレ
ータが上金型の貫通孔および下金型の貫通孔を密
閉して樹脂封止空間を形成するとともに、セパレ
ータに設けられた連通孔が樹脂封止空間と直接的
に連通しているので、ある樹脂封止空間に注入さ
れたモールド樹脂をセパレータの連通孔から迅速
かつ容易に上方または下方に位置する樹脂封止空
間に流すことができる。このため、モールド樹脂
の注入作業を容易か迅速に行なうことができる。
また、金型体とセパレータとを順次積層したの
で、多数のリードフレームを樹脂封止する際、プ
レス機による型締力を軽減することができ、小型
プレス機の使用が可能となる。また金型装置全体
を計量化することができるので、製造コストの低
減を図ることができる。
ータが上金型の貫通孔および下金型の貫通孔を密
閉して樹脂封止空間を形成するとともに、セパレ
ータに設けられた連通孔が樹脂封止空間と直接的
に連通しているので、ある樹脂封止空間に注入さ
れたモールド樹脂をセパレータの連通孔から迅速
かつ容易に上方または下方に位置する樹脂封止空
間に流すことができる。このため、モールド樹脂
の注入作業を容易か迅速に行なうことができる。
また、金型体とセパレータとを順次積層したの
で、多数のリードフレームを樹脂封止する際、プ
レス機による型締力を軽減することができ、小型
プレス機の使用が可能となる。また金型装置全体
を計量化することができるので、製造コストの低
減を図ることができる。
第１図は本発明による半導体樹脂封止用金型装
置の一実施例を示す側断面図、第２図はその分解
斜視図、第３図は従来の半導体樹脂封止用金型装
置の分解斜視図である。 １……半導体樹脂封止用金型装置、２……金型
体、３……上金型、４……下金型、５……リード
フレーム、６……半導体チツプ、７……配線部、
９……セパレータ、１０………連通孔。
置の一実施例を示す側断面図、第２図はその分解
斜視図、第３図は従来の半導体樹脂封止用金型装
置の分解斜視図である。 １……半導体樹脂封止用金型装置、２……金型
体、３……上金型、４……下金型、５……リード
フレーム、６……半導体チツプ、７……配線部、
９……セパレータ、１０………連通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リードフレームの上方に配置され内部に貫通
孔を有する上金型と、前記リードフレームの下方
に配置され内部に貫通孔を有する下金型とからな
り、上下方向に複数設けられた金型体と、 各金型体の間に設けられ、前記上金型の貫通孔
および前記下金型の貫通孔を密封して樹脂封止空
間を形成するセパレータとを備え、 前記セパレータに、前記樹脂封止空間に直接的
に連通する連通孔を形成したことを特徴とする半
導体樹脂封止金型装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186636A JPH0350841A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体樹脂封止用金型装置 |
| KR1019900010954A KR930006590B1 (ko) | 1989-07-19 | 1990-07-19 | 반도체 수지봉합용 금형장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1186636A JPH0350841A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体樹脂封止用金型装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0350841A JPH0350841A (ja) | 1991-03-05 |
| JPH0572102B2 true JPH0572102B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=16192054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1186636A Granted JPH0350841A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 半導体樹脂封止用金型装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0350841A (ja) |
| KR (1) | KR930006590B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998047174A1 (fr) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Hitachi, Ltd. | Moule, dispositif et procede pour mouler un element stratifie |
| JP2007095804A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP4855026B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2012-01-18 | Ｔｏｗａ株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
| JP2008235489A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 樹脂封止方法、樹脂封止用金型、及び樹脂封止装置 |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1186636A patent/JPH0350841A/ja active Granted
-
1990
- 1990-07-19 KR KR1019900010954A patent/KR930006590B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930006590B1 (ko) | 1993-07-21 |
| JPH0350841A (ja) | 1991-03-05 |
| KR910003790A (ko) | 1991-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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