JPH0350841A - 半導体樹脂封止用金型装置 - Google Patents

半導体樹脂封止用金型装置

Info

Publication number
JPH0350841A
JPH0350841A JP1186636A JP18663689A JPH0350841A JP H0350841 A JPH0350841 A JP H0350841A JP 1186636 A JP1186636 A JP 1186636A JP 18663689 A JP18663689 A JP 18663689A JP H0350841 A JPH0350841 A JP H0350841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal mold
mold
resin
press machine
another
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1186636A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0572102B2 (ja
Inventor
Masamichi Shindo
進藤 政道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1186636A priority Critical patent/JPH0350841A/ja
Priority to KR1019900010954A priority patent/KR930006590B1/ko
Publication of JPH0350841A publication Critical patent/JPH0350841A/ja
Publication of JPH0572102B2 publication Critical patent/JPH0572102B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、リードフレームにマウントされた半導体チッ
プ回りを樹脂相Iにするための半導体+5t 11’8
封1i二用金型装置に関する。
(従来の技術) 従来、リードフレームにマウントされた半導体チップお
よびこの配線部の回りを樹脂封+Iユするため、第3図
に示すような半導体樹脂封止用金型装置が用いられてい
る。
この金型装置16は、第3図に示すように、上金型17
と下金型18とからなっている。そして、この上金型1
7と下金型18との間の同一平面上に、半導体チップ(
図示せず)がマウントされたリードフレーム5が複数、
例えば8枚配置されている。
このような状態で、プレス機(図示せず)によって上金
型17と下金型18との間でリードフレーム5を押圧し
、上金型17の注入口17aから樹脂を注入して、半導
体チップおよび配線部回りを樹脂封止している。
(発明が解決しようとする課題) 上述のように、従来の金型装置16は、下金型17と下
金型18との間の同一平面上にリードフレーム5を曵数
並へるため、金型装置16の同面積およびプレス圧力は
非常に大きくなる。このため、金型装置16の重量およ
び使用するプレス機の能力は、非常に大きなものか要求
され、製造コストが増加している。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、
金型装置の軽琶化を図ることができるとともに、使用す
るプレス機の能力を小さく押えることかできる半導体樹
脂封止用金型装置を提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は、リードフレームの上下方向に配置された上金
型と下金型とからなる金型体と、セパレータとを順次積
層してなり、前記セパレータに前記金型体の樹脂空間と
連通ずる連通孔を形成したことを特徴とする半導体樹脂
封止用金型装置である。
(作 用) 本発明によれば、金型体とセパレータとを順次積層して
構成したので、多数のリードフレームを樹脂封止する場
合、プレス機による型締力を軽減することができる。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
第1図および第2図は本発明による半導体樹脂封止用金
型装置の一実施例を示す図であり、第1図はその側断面
図、第2図はその分解斜硯図である。
第1図および第2図に示すように、半導体樹脂封止用金
型装置1は、リードフレーム5の上下方向に配置された
上金型3および下金型4からなる金型体2を、セパレー
タ9を介して順次積層して構成されている。
このうち、リードフレーム5には、予め半導体チップ6
がマウントされ、配線部7により必要な配線が施されて
いる。また、上金型3および下金型4は、それぞれ貫通
孔3aおよび4aを有し、これら貫通孔3aおよび4a
によって金型体2の樹脂空間が形成されている。さらに
セパレータ9には、金型体2の樹脂空間と連通ずる連通
孔10が形成されている。
次にこのような構成からなる本実施例の作用について説
明する。
まず敷板12上に、下金型4、リードフレーム5、およ
び上金型3が順次積み上げられて、最下層の金型体2が
形成される。続いて、最下層の金型体2にセパレータ9
を介して次の金型体2が同様に積み上げられる。このよ
うに金型体2を順次積み上げていき、最後に最上層の金
型体2にセパレータ9を介してモールド樹脂をセットす
るポット部11が設けられる。
このように、下金型4、リードフレーム5、および上金
型3等を順次積み上げる場合、各部材3゜4.5.9に
予め位置決めマーク(図示せず)を設けることにより、
正確に積み上げることができる。
次に、このように積層してなる金型装置1をプレス機に
装管し、ポット部11の投入穴11aにモールド樹脂を
投入する。続いてプレス機で型締めを行なった後、プレ
ス機に設置されている注入機構により、モールド樹脂を
金型装置1内に注入する。モールド樹脂は、投入穴11
aから最上部のセパレータ9の連通孔10を経て最上層
の金型体2の樹脂空間に注入され、続いて次のセパレー
タ9の連結孔10を経て次の金型体2の樹脂空間に注入
される。そして、このようにして、すべての層の金型体
2の樹脂空間にモールド樹脂か充填される。
本実施例によれば、上金型3および下金型4からなる金
型体2を、セパレータ9を介して順次積層して半導体樹
脂封止用金型装置を構成したので、金型装置の板面積お
よびプレス圧力を小さくすることができる。
例えば16pinのDual In Line Pac
kage (D TP)において、一つの金型装置当り
のリードフレーム処理量は20枚程度である。同一平面
にリードフレームを20枚並べる従来の金型装置を用い
ると、板面積が600mmX400mm程度、型締圧は
200 ton程度となる。一方、積層型の本発明の金
型装置を用いると処理量20枚の場合、板面積は約1/
20の50mmX250+nm程度、型締圧は10to
n程度となる。このため、金型装置の軽量化を図ること
ができるとともに、使用するプレス機の能力を低く抑え
ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、多数のリードフ
レームを樹脂封止する場合、プレス機による型締力を軽
減することができるので小型プレス機の使用が可能とな
る。また金型装置全体を軽量化することができるので、
製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による半導体樹脂封止用金型装置の一実
施例を示す側断面図、第2図はその分解斜視図、第3図
は従来の半導体樹脂封止用金型装置の分解斜視図である
。 1・・・半導体樹脂封止用金型装置、2・・・金型体、
3・・・上金型、4・・・下金型、5・・・リードフレ
ーム、6・・・半導体チップ、7・・・配線部、9・・
・セパレータ、10・・・連通孔。 某 ■ 第 図 /7a 奈 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームの上下方向に配置された上金型と下金型
    とからなる金型体と、セパレータとを順次積層してなり
    、前記セパレータに前記金型体の樹脂空間と連通する連
    通孔を形成したことを特徴とする半導体樹脂封止用金型
    装置。
JP1186636A 1989-07-19 1989-07-19 半導体樹脂封止用金型装置 Granted JPH0350841A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1186636A JPH0350841A (ja) 1989-07-19 1989-07-19 半導体樹脂封止用金型装置
KR1019900010954A KR930006590B1 (ko) 1989-07-19 1990-07-19 반도체 수지봉합용 금형장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1186636A JPH0350841A (ja) 1989-07-19 1989-07-19 半導体樹脂封止用金型装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0350841A true JPH0350841A (ja) 1991-03-05
JPH0572102B2 JPH0572102B2 (ja) 1993-10-08

Family

ID=16192054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1186636A Granted JPH0350841A (ja) 1989-07-19 1989-07-19 半導体樹脂封止用金型装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0350841A (ja)
KR (1) KR930006590B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047174A1 (fr) * 1997-04-16 1998-10-22 Hitachi, Ltd. Moule, dispositif et procede pour mouler un element stratifie
JP2007095802A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2007095804A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2008235489A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Fujitsu Ltd 樹脂封止方法、樹脂封止用金型、及び樹脂封止装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047174A1 (fr) * 1997-04-16 1998-10-22 Hitachi, Ltd. Moule, dispositif et procede pour mouler un element stratifie
JP2007095802A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2007095804A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP2008235489A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Fujitsu Ltd 樹脂封止方法、樹脂封止用金型、及び樹脂封止装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0572102B2 (ja) 1993-10-08
KR930006590B1 (ko) 1993-07-21
KR910003790A (ko) 1991-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7378300B2 (en) Integrated circuit package system
CN101681903B (zh) 电子封装及其制作方法
JPH0350841A (ja) 半導体樹脂封止用金型装置
US20120225150A1 (en) Molding apparatus for semiconductor package
CN103238213B (zh) 倾斜裸芯堆叠体
US5897883A (en) Mold having projections for inhibiting the formation of air pockets
US10099411B2 (en) Method and apparatus for simultaneously encapsulating semiconductor dies with layered lead frame strips
US6858474B1 (en) Wire bond package and packaging method
KR100618541B1 (ko) 다층 반도체 칩 패키지 제작 방법
CN211135854U (zh) 多层芯片焊接模具
US6596212B1 (en) Method and apparatus for increasing thickness of molded body on semiconductor package
JP2013115325A (ja) 焼結構造体の製造方法
JPH0412561A (ja) Ic用リードフレーム
JP3246037B2 (ja) 半導体チップのトランスファーモールド用金型
CN202766286U (zh) Mems封装结构
CN213583768U (zh) 一种耐冲击性引线框架
CN206584925U (zh) 多芯片堆叠封装结构
CN214753654U (zh) 一种半导体芯片塑封装置
CN211555882U (zh) 一种多芯片堆叠结构
CN218004934U (zh) 一种七合一膜电极封装治具
CN213056002U (zh) 一种用于电池模组侧板可消除热压痕的热压工装
JP3516719B2 (ja) 片面樹脂モールド製品の製造方法及び樹脂モールド装置
JP6683330B1 (ja) 樹脂封止装置
JP5006844B2 (ja) 樹脂封止方法および樹脂封止装置
KR20000011664A (ko) 반도체장치및그제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081008

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091008

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term