JPH04307213A - トランスファーモールド型及びトランスファーモールド装置 - Google Patents
トランスファーモールド型及びトランスファーモールド装置Info
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品等の外形成形に
用いるトランスファーモールド型およびトランスファー
モールド装置に関する。
用いるトランスファーモールド型およびトランスファー
モールド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のトランスファーモールド型及びそ
れを用いたトランスファーモールド方法の一実施例を図
２を用いて説明する。トランスファーモールド型は下型
１１と上型１２からなりたっており、下型１１の位置決
めピンにリードフレームの穴をセットし位置決めした状
態で、キャビティ１５に樹脂を溶融して加圧注入して、
リードフレームに固定された半導体素子等を樹脂封入し
ている。
れを用いたトランスファーモールド方法の一実施例を図
２を用いて説明する。トランスファーモールド型は下型
１１と上型１２からなりたっており、下型１１の位置決
めピンにリードフレームの穴をセットし位置決めした状
態で、キャビティ１５に樹脂を溶融して加圧注入して、
リードフレームに固定された半導体素子等を樹脂封入し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のトラン
スファーモールド型及びそれを用いたトランスファーモ
ールド方法によれば、トランスファーモールド型の素材
は、金属等の内部を気体が通過できる素材でないから、
溶融した注型樹脂中に含まれる、空気等の気泡１６は、
型にはばまれ、モールド樹脂１７中に、多数残存してし
まう。
スファーモールド型及びそれを用いたトランスファーモ
ールド方法によれば、トランスファーモールド型の素材
は、金属等の内部を気体が通過できる素材でないから、
溶融した注型樹脂中に含まれる、空気等の気泡１６は、
型にはばまれ、モールド樹脂１７中に、多数残存してし
まう。
【０００４】その結果、樹脂モールドされた製品は、そ
の内部に有する複数の気泡を伝わって、湿気あるいは腐
食性ガス等が侵入し内部の半導体素子等にまで達する結
果、半導体素子等の劣化をきたし、特性劣化や最悪の場
合は動作停止にまで発展する。このように樹脂モールド
中の気泡は、製品の信頼性を極端に低下させるものであ
った。
の内部に有する複数の気泡を伝わって、湿気あるいは腐
食性ガス等が侵入し内部の半導体素子等にまで達する結
果、半導体素子等の劣化をきたし、特性劣化や最悪の場
合は動作停止にまで発展する。このように樹脂モールド
中の気泡は、製品の信頼性を極端に低下させるものであ
った。
【０００５】加えて、最近は、製品の小型化、多機能化
により、従前よりも、高密度実装の必要が増し、樹脂封
止される電子部品は更に小型化し、その結果、半導体素
子等の周辺の樹脂はより薄くなるので、ますます、樹脂
中に混入する気泡の影響は、大きくなってきた。
により、従前よりも、高密度実装の必要が増し、樹脂封
止される電子部品は更に小型化し、その結果、半導体素
子等の周辺の樹脂はより薄くなるので、ますます、樹脂
中に混入する気泡の影響は、大きくなってきた。
【０００６】本発明は、以上の課題を解決するためにな
されたもので、その目的とするところは、樹脂モールド
された電子部品の、樹脂中の気泡を減少させるトランス
ファーモールド型及びトランスファーモールド装置を提
供するものである。
されたもので、その目的とするところは、樹脂モールド
された電子部品の、樹脂中の気泡を減少させるトランス
ファーモールド型及びトランスファーモールド装置を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のトランスファー
モールド型は、多孔体により形成されることを特徴とす
る。
モールド型は、多孔体により形成されることを特徴とす
る。
【０００８】本発明のトランスファーモールド装置は、
モールド型周辺を減圧する減圧装置もしくは加圧する加
圧装置を組込んだことを特徴とする。
モールド型周辺を減圧する減圧装置もしくは加圧する加
圧装置を組込んだことを特徴とする。
【０００９】
【実施例】本発明のトランスファーモールド型及びトラ
ンスファーモールド方法の一実施例を図１により説明す
る。トランスファーモールド型は、下型１と上型２から
なりたっており、形状は、従来のものと同じであるが、
素材が従来と異なり、例えば、内部に気泡を多数有する
気泡金属を用いて形成されている。発泡金属は多孔体で
あり、流体透過性を有している。この素材を、放電加工
等により加工して、溶融樹脂の注入口３、ゲート４、そ
してリードフレームを固定する位置決めピンの固定、キ
ャビティ５の形成が行なわれる。
ンスファーモールド方法の一実施例を図１により説明す
る。トランスファーモールド型は、下型１と上型２から
なりたっており、形状は、従来のものと同じであるが、
素材が従来と異なり、例えば、内部に気泡を多数有する
気泡金属を用いて形成されている。発泡金属は多孔体で
あり、流体透過性を有している。この素材を、放電加工
等により加工して、溶融樹脂の注入口３、ゲート４、そ
してリードフレームを固定する位置決めピンの固定、キ
ャビティ５の形成が行なわれる。
【００１０】樹脂によるトランスファーモールド方法は
、下型に位置決めピンによりＩＣ等の搭載されたリード
フレームをセットし、上型をかぶせた状態で、注入口３
から加熱溶融された、シリコンやエポキシ等の成分とす
る樹脂を加圧注入して、搭載されたＩＣ等の周辺に、キ
ャビティ５により形成される大きさの樹脂封止を行なう
。
、下型に位置決めピンによりＩＣ等の搭載されたリード
フレームをセットし、上型をかぶせた状態で、注入口３
から加熱溶融された、シリコンやエポキシ等の成分とす
る樹脂を加圧注入して、搭載されたＩＣ等の周辺に、キ
ャビティ５により形成される大きさの樹脂封止を行なう
。
【００１１】以上の多孔体により形成されるトランスフ
ァーモールド型を用いたトランスファーモールド方法に
よれば、トランスファーモールドの際、溶融樹脂中に多
量に含まれる空気等の気泡は、モールド型に有する多数
の孔を透過して、逃げてしまうため、成形された樹脂モ
ールドされた製品中の気泡は激減しており、湿気、ある
いは腐食性ガス等の侵入が、なくなり特性劣化のない信
頼性の高い電子部品が得られる。
ァーモールド型を用いたトランスファーモールド方法に
よれば、トランスファーモールドの際、溶融樹脂中に多
量に含まれる空気等の気泡は、モールド型に有する多数
の孔を透過して、逃げてしまうため、成形された樹脂モ
ールドされた製品中の気泡は激減しており、湿気、ある
いは腐食性ガス等の侵入が、なくなり特性劣化のない信
頼性の高い電子部品が得られる。
【００１２】なお以上の説明の中で、上型、下型ともそ
れぞれ全体が、多孔体の金属として説明したが、本発明
は、それに限るものでなく、必要によって上型、下型の
いずれかに、多孔体を用いた型を用いても良い。
れぞれ全体が、多孔体の金属として説明したが、本発明
は、それに限るものでなく、必要によって上型、下型の
いずれかに、多孔体を用いた型を用いても良い。
【００１３】更には、型全体を多孔性とするのでなく、
必要箇所のみ、たとえばキャビティ周辺及びゲート周辺
のみに多孔体を用いて、他は従来のように多孔体を有さ
ない、気体を通過しない金属を用いても良い。
必要箇所のみ、たとえばキャビティ周辺及びゲート周辺
のみに多孔体を用いて、他は従来のように多孔体を有さ
ない、気体を通過しない金属を用いても良い。
【００１４】以上の選択は、型の精度維持や、型の製造
コスト等の諸般の事情を考慮して、最適なものを選択す
れば良い。
コスト等の諸般の事情を考慮して、最適なものを選択す
れば良い。
【００１５】又、多孔体の穴の大きさであるが、いたず
れに大きすぎると、穴中にモールド樹脂が侵入して、め
づまりを起こしてしまうので、加圧々力等を加味して、
最適なものを選択する必要がある。
れに大きすぎると、穴中にモールド樹脂が侵入して、め
づまりを起こしてしまうので、加圧々力等を加味して、
最適なものを選択する必要がある。
【００１６】また、多孔体金属として、鋳鉄等を用いた
際は、使用中に表面が酸化したり、更には、耐摩耗性が
要求されるので、必要によりＮｉやＣｒ等をメッキ等に
より施すと良い。
際は、使用中に表面が酸化したり、更には、耐摩耗性が
要求されるので、必要によりＮｉやＣｒ等をメッキ等に
より施すと良い。
【００１７】更には多孔体の素材として、上記の金属ば
かりでなく、セラミック等の多孔体を用いても良く、必
要により、金属とセラミックを共用しても良い。
かりでなく、セラミック等の多孔体を用いても良く、必
要により、金属とセラミックを共用しても良い。
【００１８】以上、本発明のトランスファーモールド型
及びそれを用いたトランスファーモールド方法について
述べたが、本発明はそれに限るものでなく、以下の応用
例が期待できる。
及びそれを用いたトランスファーモールド方法について
述べたが、本発明はそれに限るものでなく、以下の応用
例が期待できる。
【００１９】以上の実施例において、モールド樹脂中の
気泡を外部に抜く方法として、型は大気圧中で使用され
ていたが、更に気泡を取り除くため、トランスファーモ
ールドの装置自体に真空排気装置を取りつけ、トランス
ファーモールド型周辺を真空にできるようにする。そう
すると、型自体が真空となり、トランスファーモールド
時に型中に流入した樹脂中の気泡は、更に、急激に排出
されるから、大気圧中でのトランスファーモールド方法
に対し、更に、モールド樹脂中の気泡が減少しより高信
頼性の製品が得られる。
気泡を外部に抜く方法として、型は大気圧中で使用され
ていたが、更に気泡を取り除くため、トランスファーモ
ールドの装置自体に真空排気装置を取りつけ、トランス
ファーモールド型周辺を真空にできるようにする。そう
すると、型自体が真空となり、トランスファーモールド
時に型中に流入した樹脂中の気泡は、更に、急激に排出
されるから、大気圧中でのトランスファーモールド方法
に対し、更に、モールド樹脂中の気泡が減少しより高信
頼性の製品が得られる。
【００２０】また本発明の他の応用法としては、トラン
スファーモールド装置に、トランスファーモールド型周
辺の雰囲気を加圧する加圧装置を設けておくと、以上の
トランスファーモールド終了時に逆に型を加圧してやる
と、製品の型離れを良くすることができる。また、必要
により、モールド終了後に加圧することで、型中に侵入
してきた樹脂を吹き飛ばすことが可能となる。
スファーモールド装置に、トランスファーモールド型周
辺の雰囲気を加圧する加圧装置を設けておくと、以上の
トランスファーモールド終了時に逆に型を加圧してやる
と、製品の型離れを良くすることができる。また、必要
により、モールド終了後に加圧することで、型中に侵入
してきた樹脂を吹き飛ばすことが可能となる。
【００２１】更には、モールド樹脂中の気泡の影響がな
い場合には、トランスファーモールド工程のモールド樹
脂注入以前から、型に加圧しておいて、その状態で樹脂
注入を行なうと、モールド樹脂が型に密着せず、樹脂表
面が型に接する場合より自然となる。また型と接触しな
いので、樹脂の急激な温度変化がなく、樹脂表面に微細
なクラックが発生して、完成品の信頼性をおとすことが
なくなる。
い場合には、トランスファーモールド工程のモールド樹
脂注入以前から、型に加圧しておいて、その状態で樹脂
注入を行なうと、モールド樹脂が型に密着せず、樹脂表
面が型に接する場合より自然となる。また型と接触しな
いので、樹脂の急激な温度変化がなく、樹脂表面に微細
なクラックが発生して、完成品の信頼性をおとすことが
なくなる。
【００２２】なお、トランスファーモールド型の特定箇
所から気体の加圧、減圧（真空で吸う）ができるように
、多孔体を流路にそって形成しておくと、以上の効果が
より正確に得られる。
所から気体の加圧、減圧（真空で吸う）ができるように
、多孔体を流路にそって形成しておくと、以上の効果が
より正確に得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上に示す本発明のトランスファーモー
ルド型及び、トランスファーモールド装置によれば、ト
ランスファーモールド型自体が多孔体によって形成され
ているので、モールドされた樹脂中の気泡が減少し、モ
ールドされた製品の、湿気や腐食性ガス等による劣化が
発生しなく、高信頼性が得られる。
ルド型及び、トランスファーモールド装置によれば、ト
ランスファーモールド型自体が多孔体によって形成され
ているので、モールドされた樹脂中の気泡が減少し、モ
ールドされた製品の、湿気や腐食性ガス等による劣化が
発生しなく、高信頼性が得られる。
【００２４】そして、最近の高密度化、薄型化、小型化
される電子部品等の信頼性を確保する上で、よりその役
割は重要となる。
される電子部品等の信頼性を確保する上で、よりその役
割は重要となる。
【図１】本発明のトランスファーモールド型を示す図。
【図２】従来のトランスファーモールド型を示す図。
【図３】従来のモールドされた製品を示す図。
１，１１ 下型
２，１２ 上型
３ 注入口
４ ゲート
５，１５ キャビティ
１６ 気泡
１７ モールド樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】多孔体により形成されることを特徴とする
トランスファーモールド型。 - 【請求項２】モールド型周辺を減圧する減圧装置もしく
は加圧する加圧装置を組込んだことを特徴とするトラン
スファーモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302691A JPH04307213A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | トランスファーモールド型及びトランスファーモールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7302691A JPH04307213A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | トランスファーモールド型及びトランスファーモールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307213A true JPH04307213A (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=13506421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7302691A Pending JPH04307213A (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | トランスファーモールド型及びトランスファーモールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04307213A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713248A2 (en) * | 1994-11-17 | 1996-05-22 | Hitachi, Ltd. | Molding method and apparatus |
| SG81847A1 (en) * | 1994-11-17 | 2001-07-24 | Hitachi Tokyo Electronics | Molding method and apparatus |
| JP2003236843A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-08-26 | Towa Corp | 樹脂成形型及び樹脂成形方法 |
| JP2008072102A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-03-27 | Cree Inc | 液体注入モールド法による半導体発光デバイスパッケージの形成方法、及びモールドされた半導体発光デバイスリボン |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP7302691A patent/JPH04307213A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713248A2 (en) * | 1994-11-17 | 1996-05-22 | Hitachi, Ltd. | Molding method and apparatus |
| EP0713248A3 (en) * | 1994-11-17 | 1997-04-23 | Hitachi Ltd | Molding method and apparatus |
| SG81847A1 (en) * | 1994-11-17 | 2001-07-24 | Hitachi Tokyo Electronics | Molding method and apparatus |
| JP2003236843A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-08-26 | Towa Corp | 樹脂成形型及び樹脂成形方法 |
| JP2008072102A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-03-27 | Cree Inc | 液体注入モールド法による半導体発光デバイスパッケージの形成方法、及びモールドされた半導体発光デバイスリボン |
| US8410491B2 (en) | 2006-08-21 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting device substrate strips and packaged semiconductor light emitting devices |
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