JPS62241344A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型Info
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- JPS62241344A JPS62241344A JP61084078A JP8407886A JPS62241344A JP S62241344 A JPS62241344 A JP S62241344A JP 61084078 A JP61084078 A JP 61084078A JP 8407886 A JP8407886 A JP 8407886A JP S62241344 A JPS62241344 A JP S62241344A
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パツケージ裏側に熱処理時のガス導出用の開
口部を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法及び同製
造方法の実施に直接使用する成型金型に関するものであ
る。
口部を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法及び同製
造方法の実施に直接使用する成型金型に関するものであ
る。
経済性に優れ、しかも尚密度実装に適した構造の樹脂封
止型半導体装置(以後、樹脂封止ICと称する)は各種
電子機器に幅広く用いられている。
止型半導体装置(以後、樹脂封止ICと称する)は各種
電子機器に幅広く用いられている。
しかしながら、樹脂封止ICは本買的に吸湿し易いとい
う難点を有している。央除、半田付は等の高熱処理を施
すと、吸湿された水分がガス化してその高水蒸気圧から
・ぐツケーソに亀裂が生スルトいう問題が生ずる。この
為、従来は放熱性及びガス導出性を考慮して、パツケー
ソ裏面にガス導出用の開口部を設ける等の工夫がなされ
ていた(特開昭55−77160号公報、実開昭59−
89547号公報、実願昭59−125312号、及び
特願昭59−63178号参照)。
う難点を有している。央除、半田付は等の高熱処理を施
すと、吸湿された水分がガス化してその高水蒸気圧から
・ぐツケーソに亀裂が生スルトいう問題が生ずる。この
為、従来は放熱性及びガス導出性を考慮して、パツケー
ソ裏面にガス導出用の開口部を設ける等の工夫がなされ
ていた(特開昭55−77160号公報、実開昭59−
89547号公報、実願昭59−125312号、及び
特願昭59−63178号参照)。
第2図は、上述したガス導出用の開口部を有する従来の
樹脂封止型ICを示すものである。同図(a)は平面図
、同図(b)は底面図、また同図(C)はこれらの図の
A−A線断面図である。同図に基き、従来の製造方法を
説明する。まずアイランド23に共晶または樹脂ペース
トから成るダイスメンド材27を介・して半導体チップ
24を搭載する。次に金楓細#i25’!r用いて、半
導体チップ24の外部導出バット(図示せず)と、リー
ドフレームの外部導出リード22内万端部とを接続する
。
樹脂封止型ICを示すものである。同図(a)は平面図
、同図(b)は底面図、また同図(C)はこれらの図の
A−A線断面図である。同図に基き、従来の製造方法を
説明する。まずアイランド23に共晶または樹脂ペース
トから成るダイスメンド材27を介・して半導体チップ
24を搭載する。次に金楓細#i25’!r用いて、半
導体チップ24の外部導出バット(図示せず)と、リー
ドフレームの外部導出リード22内万端部とを接続する
。
次いで半導体チップ24の底面にチップコート28を塗
布する。このチップコート28は後述する開口部26、
及び封止樹脂21と外部導出リード22との界面から主
に侵入してくる水分、配線腐食性イオン等から半導体チ
ツプ24を保護する為のものである。しかる後に、後述
する如@g型金型に上記リードフレームを挿着し、キャ
ピテイ部にエポキシ樹脂を加圧注入して樹脂封止型行い
、封止樹脂21の裏面に開口部26を形成するようにす
る。この後リードフレームからの外部導出リード22の
切シ離し、更に折り曲げ加工によるリード折り曲げ部2
2a形成等の工程を経て、樹脂封止型I(1−完成する
。
布する。このチップコート28は後述する開口部26、
及び封止樹脂21と外部導出リード22との界面から主
に侵入してくる水分、配線腐食性イオン等から半導体チ
ツプ24を保護する為のものである。しかる後に、後述
する如@g型金型に上記リードフレームを挿着し、キャ
ピテイ部にエポキシ樹脂を加圧注入して樹脂封止型行い
、封止樹脂21の裏面に開口部26を形成するようにす
る。この後リードフレームからの外部導出リード22の
切シ離し、更に折り曲げ加工によるリード折り曲げ部2
2a形成等の工程を経て、樹脂封止型I(1−完成する
。
第3図は、従来の成型金型にリードフレームを挿着した
様子を示したものである。成型金星は上部金型31と下
部金!32から構成されており、下部金型32にはリー
ドフレーム挿着時にてアイランド23裏面に当接する突
起部33が設けられている。このように、上部金型31
及び下部金星32間に半導体チツプ24の搭載されたリ
ードフレームが挿着された状態において、キャビティ部
34にエポキシ樹脂?加圧注入することによりモールド
を完了する。
様子を示したものである。成型金星は上部金型31と下
部金!32から構成されており、下部金型32にはリー
ドフレーム挿着時にてアイランド23裏面に当接する突
起部33が設けられている。このように、上部金型31
及び下部金星32間に半導体チツプ24の搭載されたリ
ードフレームが挿着された状態において、キャビティ部
34にエポキシ樹脂?加圧注入することによりモールド
を完了する。
しかしながら上述し友従来例においてに、モールディン
グする際に成型金星の突起部がアイランド裏面に十分密
着しなかったり、また加圧注入により封止樹脂が密着部
に侵入する等によって、アイランド裏面の開口部形成領
域には薄い樹脂被膜、所謂フラッシュが形成されてしま
う。このようなフラッシュが一定膜厚以上に形成される
と、高熱処理の際ガス化した吸湿水分の出口が塞がれる
ことにナリ、熱ストレスによりノ9ツケーノが破裂し易
くなるという問題がめった。
グする際に成型金星の突起部がアイランド裏面に十分密
着しなかったり、また加圧注入により封止樹脂が密着部
に侵入する等によって、アイランド裏面の開口部形成領
域には薄い樹脂被膜、所謂フラッシュが形成されてしま
う。このようなフラッシュが一定膜厚以上に形成される
と、高熱処理の際ガス化した吸湿水分の出口が塞がれる
ことにナリ、熱ストレスによりノ9ツケーノが破裂し易
くなるという問題がめった。
従って、本発明は以上述べた問題を解消し、フラッシュ
形成を回避できる樹脂封止型半導体装置の製造方法及び
成型金型を提供することを目的とする。
形成を回避できる樹脂封止型半導体装置の製造方法及び
成型金型を提供することを目的とする。
特許請求の範囲記載の第1の発明の樹脂封止型半導体装
置の製造方法は、半導体チップの装着されたリードフレ
ームを、上記半導体チツプを搭載したアイランドの裏面
に中空部1−[する金型突起部を当接するようにして成
型金をに挟持し、この状態で樹脂封止型行うことによシ
・9ツケーノの裏面に開口部を有する樹脂封止型半導体
装置を形成特許請求の範囲記載の第2の発明は、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法に使用する成型金型でる
って、リードフレームを挾持する際にアイランドの裏面
に当接する高さ及び位置を以って配設された、中空部を
有する金を突起部と、この中空部の形状に対応した形状
を有する挿通用の突き出しピンとを具備するものである
。
置の製造方法は、半導体チップの装着されたリードフレ
ームを、上記半導体チツプを搭載したアイランドの裏面
に中空部1−[する金型突起部を当接するようにして成
型金をに挟持し、この状態で樹脂封止型行うことによシ
・9ツケーノの裏面に開口部を有する樹脂封止型半導体
装置を形成特許請求の範囲記載の第2の発明は、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法に使用する成型金型でる
って、リードフレームを挾持する際にアイランドの裏面
に当接する高さ及び位置を以って配設された、中空部を
有する金を突起部と、この中空部の形状に対応した形状
を有する挿通用の突き出しピンとを具備するものである
。
不発明によれば、半纏体チップの装着されたリードフレ
ームを成型金型に挾持して樹脂封止全行う際、アイラン
ド裏面と金型突起部との間隙に侵入する溶融樹脂は、金
型突起部が中空部を有している為、この中空部の内面に
樹脂パリとなって付着する。この為、モールド工程によ
り得らnるパツケーソ裏面の開口部にフラッシュの形成
されることが回避される。
ームを成型金型に挾持して樹脂封止全行う際、アイラン
ド裏面と金型突起部との間隙に侵入する溶融樹脂は、金
型突起部が中空部を有している為、この中空部の内面に
樹脂パリとなって付着する。この為、モールド工程によ
り得らnるパツケーソ裏面の開口部にフラッシュの形成
されることが回避される。
また上記成型金型は突き出しピンを備える為、上述の如
く金型突起部の中空部内面に付着した樹j′J旨パリは
、リードフレーム取り出し工程において突き出しピンを
中空部に挿通して押l−出すことにより容易に除去でき
る。
く金型突起部の中空部内面に付着した樹j′J旨パリは
、リードフレーム取り出し工程において突き出しピンを
中空部に挿通して押l−出すことにより容易に除去でき
る。
以下、第1−に基き本発明の一実施例をDIP型を例に
とり計則に説明する。
とり計則に説明する。
まず、樹脂ペースト(例えばAPペースト)または共晶
等のダイスボンド材7を用いて、半導体チップ4をリー
ドフレームのアイランド3にダイスボンドする。次いで
半導体チップ4の外部導出バット(図示せず)と、リー
ドフレームの外部導出リード2内方端と金Auワイヤか
ら成る金属細R5を用いてワイヤゲンディングし、この
後半導体チップ4の表面にシリコン系樹脂またはポリイ
ミド系樹脂から成る非透湿性のチップコート材8をポツ
ティング等の方法を用いて塗布する。以上の工程により
、半導体チツプ4の装着を終了する。そして、半導体チ
ップ4の装着されたリードフレームを成型金型9に挿着
する。
等のダイスボンド材7を用いて、半導体チップ4をリー
ドフレームのアイランド3にダイスボンドする。次いで
半導体チップ4の外部導出バット(図示せず)と、リー
ドフレームの外部導出リード2内方端と金Auワイヤか
ら成る金属細R5を用いてワイヤゲンディングし、この
後半導体チップ4の表面にシリコン系樹脂またはポリイ
ミド系樹脂から成る非透湿性のチップコート材8をポツ
ティング等の方法を用いて塗布する。以上の工程により
、半導体チツプ4の装着を終了する。そして、半導体チ
ップ4の装着されたリードフレームを成型金型9に挿着
する。
ここにおいて上記底盤金型9は、第1図(a)に示す如
く上部金型9aと、 Jノ挿着時にアイランド
3&而に当接する高さ及び位wtt以って、中空部10
aを有する円柱形状の金型突起部10の設けられた下部
金型9b、それに中空部10aに挿通される突き出しピ
ン12とで構成されている。このような底型金型9を用
い、アイランド3裏面の開口部形成領域に、中空部10
at−有する金型突起部lOを当接するようにしてリー
ドフレーム全伏持すると成型金型9内には、図示のよう
にキャビティ部11が形成される。このキャビティ部l
lは、上部金型9aとリードフレームとの間の上部キャ
ビティlla、及び下部金型9bとリードフレーム間の
下部中ヤビテイtibとにより成るものである。
く上部金型9aと、 Jノ挿着時にアイランド
3&而に当接する高さ及び位wtt以って、中空部10
aを有する円柱形状の金型突起部10の設けられた下部
金型9b、それに中空部10aに挿通される突き出しピ
ン12とで構成されている。このような底型金型9を用
い、アイランド3裏面の開口部形成領域に、中空部10
at−有する金型突起部lOを当接するようにしてリー
ドフレーム全伏持すると成型金型9内には、図示のよう
にキャビティ部11が形成される。このキャビティ部l
lは、上部金型9aとリードフレームとの間の上部キャ
ビティlla、及び下部金型9bとリードフレーム間の
下部中ヤビテイtibとにより成るものである。
そして、この状態で上部キャビティlla及び下部キャ
ビティttbの封止空間にエポキシ系の溶融樹脂全加圧
注入し、更に硬化させることにより王些部分のモールド
を完了する。なおこのモールド工程にて溶融樹脂を加圧
注入する際、アイラ ゛ノド3裏面と金型突起部lO
との間隙に侵入してくる溶融樹脂は、金型突起部IOが
中空部10mを有している為、アイランド3裏面に被膜
状として付着することはなく、中空部10aの内面上部
に塊状の樹脂パリ13となって付着する。上記樹脂パリ
13は成型金!!!!9を上下に開放する。所謂リード
フレーム取り出し工程において、突き出しピン12を中
空部LOaに挿通して押し出すことにより容易に除去さ
れる。
ビティttbの封止空間にエポキシ系の溶融樹脂全加圧
注入し、更に硬化させることにより王些部分のモールド
を完了する。なおこのモールド工程にて溶融樹脂を加圧
注入する際、アイラ ゛ノド3裏面と金型突起部lO
との間隙に侵入してくる溶融樹脂は、金型突起部IOが
中空部10mを有している為、アイランド3裏面に被膜
状として付着することはなく、中空部10aの内面上部
に塊状の樹脂パリ13となって付着する。上記樹脂パリ
13は成型金!!!!9を上下に開放する。所謂リード
フレーム取り出し工程において、突き出しピン12を中
空部LOaに挿通して押し出すことにより容易に除去さ
れる。
この後、封止樹脂から成るパッケーゾlで封止された主
要部及び外部導出リード2をリードフレームから切り離
し、更に折り曲げ加工によりリード折勺曲げ部14f:
形成する等により、第り図(b)に示す如く・9ツケ一
ソl裏面にガス導出用の開口部6を有するDIP型の樹
脂封止型ICを完成するO ここにおいて上述した金型突起部lOは、円柱形状の外
に角柱形状でも良く、その個数も開口部6の設定数に応
じて複数個とすることができ、また配設位置もアイラン
ド3裏面に当接する位置であれば特に限定されるもので
はない。また、中空部10aの形状も金型突起部IOと
同一形状にできる外、特に限定されないことは勿論であ
る。
要部及び外部導出リード2をリードフレームから切り離
し、更に折り曲げ加工によりリード折勺曲げ部14f:
形成する等により、第り図(b)に示す如く・9ツケ一
ソl裏面にガス導出用の開口部6を有するDIP型の樹
脂封止型ICを完成するO ここにおいて上述した金型突起部lOは、円柱形状の外
に角柱形状でも良く、その個数も開口部6の設定数に応
じて複数個とすることができ、また配設位置もアイラン
ド3裏面に当接する位置であれば特に限定されるもので
はない。また、中空部10aの形状も金型突起部IOと
同一形状にできる外、特に限定されないことは勿論であ
る。
更に、上記実施例ではDIP型について説明したが、本
発明はFLAT型等の樹脂封止型半導体装置に広く適用
することができる。
発明はFLAT型等の樹脂封止型半導体装置に広く適用
することができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体チ
ップが搭載されるアイランFの裏面に成型金車の中空部
を有する金型突起部を当接して樹脂封止全行うようにし
ているので、モール)″後ニ。
ップが搭載されるアイランFの裏面に成型金車の中空部
を有する金型突起部を当接して樹脂封止全行うようにし
ているので、モール)″後ニ。
得られるパッケーゾの上記金型突起部に対応した形状の
開口部にフラッシュの形成される事が回避できる。
開口部にフラッシュの形成される事が回避できる。
従って高熱処理の際には、上記開口部を通してのガス導
出が確実且つ容易となる為、熱ストレスが低減され樹脂
封1ヒ型半導体装置の信頼性を向上できるという効果が
ある。
出が確実且つ容易となる為、熱ストレスが低減され樹脂
封1ヒ型半導体装置の信頼性を向上できるという効果が
ある。
また樹脂封止の際、金型突起部の中空部内面に付着する
樹脂パリは、挿通用の突き出しピンで押し出して藺導に
除去できる為、成型金型の保守を容易にできるという効
果もある。
樹脂パリは、挿通用の突き出しピンで押し出して藺導に
除去できる為、成型金型の保守を容易にできるという効
果もある。
第1図は本発明の一実施例を説明する要部断面図、第2
図は従来の樹脂封止屋半導体装置を説明する概要図、第
3図は同従来の成型金型を説明する挟部断面図である。 ■・・・1ノリケーノ(封止樹脂)%2・・・外部導出
リード、3・・・アイランド、4・・・半導体チップ、
5・・・金属la8.6・・・開口部、7・・・ダイス
メンド材、8・・・テッグコート、9・・・成型金型、
9a・・・上部金型。 9b・・・下部金型、lO・・・金星突起部、10a・
・・中空部、1.1・・・キャビティ部、lla・・・
上部キャピテイ、flb・・・下部キャビティ、12−
1.突き出しピン、13・・・樹脂パリ、14・・・リ
ード折シ曲げ部。 m1図 各を米のへ型ケ鷲!n話明■ 第3凶
図は従来の樹脂封止屋半導体装置を説明する概要図、第
3図は同従来の成型金型を説明する挟部断面図である。 ■・・・1ノリケーノ(封止樹脂)%2・・・外部導出
リード、3・・・アイランド、4・・・半導体チップ、
5・・・金属la8.6・・・開口部、7・・・ダイス
メンド材、8・・・テッグコート、9・・・成型金型、
9a・・・上部金型。 9b・・・下部金型、lO・・・金星突起部、10a・
・・中空部、1.1・・・キャビティ部、lla・・・
上部キャピテイ、flb・・・下部キャビティ、12−
1.突き出しピン、13・・・樹脂パリ、14・・・リ
ード折シ曲げ部。 m1図 各を米のへ型ケ鷲!n話明■ 第3凶
Claims (1)
- (1)半導体チツプが装着されたリードフレームの配線
部と半導体チツプ部とを一体化して封止樹脂で封止する
ようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記半導体チツプの搭載されたアイランドの裏面に中空
部を有する金型突起部を当接して上記リードフレームを
成型金型に挟持し、この状態で樹脂封止を行うことによ
りパツケージ裏面に開口部を形成するようにした事を特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。(2)半導
体チツプが装着されたリードフレームの配線部と半導体
チツプ部とを一体化して封止樹脂で封止するようにした
樹脂封止型半導体装置の製造方法に使用する成型金型に
おいて、 上記リードフレームを挟持する際にアイランド裏面に当
接する高さ及び位置を以つて配設された、中空部を有す
る金型突起部と、この中空部の形状に対応した形状を有
する挿通用の突き出しピンとを具備した事を特徴とする
成型金型。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61084078A JPH07105408B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61084078A JPH07105408B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62241344A true JPS62241344A (ja) | 1987-10-22 |
JPH07105408B2 JPH07105408B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13820452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61084078A Expired - Lifetime JPH07105408B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105408B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0268953A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
JPH0287811A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
EP0789334A2 (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-13 | Harris Corporation | Integrated circuit device having an opening exposing the integrated circuit die and related methods |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5480078A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-26 | Dai Ichi Seiko Co Ltd | Method of forming semiconductor seal |
JPS55134940A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | Resin sealing method for ic |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61084078A patent/JPH07105408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS55134940A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-21 | Citizen Watch Co Ltd | Resin sealing method for ic |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0789334A2 (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-13 | Harris Corporation | Integrated circuit device having an opening exposing the integrated circuit die and related methods |
EP0789334B1 (en) * | 1996-01-26 | 2002-04-17 | Harris Corporation | Integrated circuit device having an opening exposing the integrated circuit die and related methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105408B2 (ja) | 1995-11-13 |
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