JPH05317725A - 排ガス処理触媒及び排ガス処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 窒素酸化物、一酸化炭素及び炭化水素を含有
する排気ガスの浄化用触媒及び同排ガスの処理方法。 【構成】 特定のＸ線回折パターンを有し、脱水された
状態において酸化物のモル比で表わして （１±０．８）Ｒ₂ Ｏ・〔ａＭ₂ Ｏ₃ ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 〕・ｙＳｉＯ₂ （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素，希土類元素，チタン，バナジウ
ム，クロム，ニオブ，アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム，ストロンチウム，バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ≧０，２０＞ｂ≧０，
ａ＋ｃ＝１，３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートに、銅とさらにＶｂ族、VIｂ族の元素
を少なくとも１種以上の金属を共存させてなる排ガス処
理触媒及び同触媒を上流に、三元触媒を下流に配置して
排ガスを通して排ガスを処理する方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は窒素酸化物（以後、ＮＯ
ｘと略す）、一酸化炭素及び炭化水素（以下、ＨＣと略
す）を含有する排ガスを浄化する触媒及び上記排ガスの
処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】自動車等の排ガス処理においては、排ガ
ス中のＣＯ，ＨＣを利用して、通称三元触媒と呼ばれる
触媒（組成：Ｐｔ、Ｒｈ／Ａｌ₂ Ｏ₃ 系）を用いて浄化
するのが一般的であるが、理論空燃比付近の極めて狭い
範囲でしかＮＯｘは浄化されない。近年、地球環境問題
の高まりの中で、自動車の低燃費化の要求は強く、理論
空燃比以上で燃焼させるリーンバーンエンジンがキーテ
クノロジーとして注目されている。ただし、自動車の走
行性、加速性を考慮に入れるとリーン領域のみのエンジ
ンは不具合点が多く、実際は理論空燃比（ストイキオ）
付近、リーン領域の双方で燃焼を行わせる必要がある。
最近、リーン領域のＮＯｘの浄化に関しては銅を含有し
た結晶性シリケート触媒が高性能を有する触媒として脚
光をあびている。一方、ストイキオ領域では従来から用
いられているＰｔ、Ｒｈ／Ａｌ₂ Ｏ ₃ 系の三元触媒が高
活性であるため、リーンとストイキオ双方の領域の排ガ
ス条件を有する場合は、上記２種触媒を組み合わせる方
法が提案されている。組み合わせる場合、Ｃｕ／結晶性
シリケートと三元触媒を並列又は直列に配置するが（特
願昭６２−２９６４２３、特願平０２−４１１９６
５）、並列の場合、ガス組成、ガス温度に応じて切換え
バルブによりガス流路を制御する方法を採るが、複雑な
制御となるため多くの困難を要している。一方、Ｃｕ／
結晶性シリケート（前段）と三元触媒（後段）を直列に
適用する場合、リーンからストイキオに排ガスが変化す
る過渡期において三元触媒の脱硝反応が作用しない不具
合が生じている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ／結晶性シリケー
ト触媒と三元触媒を組み合わせる場合、直列の方が技術
的に実用性が大である。直列に配置する場合、三元触媒
が作用しない原因としてリーンからストイキオの過渡期
において三元触媒の脱硝反応の還元剤であるＣＯが前段
のＣｕ／結晶性シリケート触媒において消費されてしま
うため、ストイキオ領域に突入しても脱硝反応が十分に
生じないことがあげられる。

【０００４】本発明は上記技術水準に鑑み、ＣＯの燃焼
活性を抑制しうるＣｕ／結晶性シリケートを提供し、上
記従来技術の課題を解決しようとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は （１）本文で詳記する表１に示されるＸ線回折パターン
を有し、脱水された状態において酸化物のモル比で表わ
して （１±０．８）Ｒ₂ Ｏ・〔ａＭ₂ Ｏ₃ ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 〕・ｙＳｉＯ₂ （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素，希土類元素，チタン，バナジウ
ム，クロム，ニオブ，アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム，ストロンチウム，バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ≧０，２０＞ｂ≧０，
ａ＋ｃ＝１，３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
結晶性シリケートに、銅とさらにＶｂ族、VIｂ族の元素
を少なくとも１種以上の金属を共存させてなることを特
徴とする排ガス処理触媒。

【０００６】（２）上記（１）記載の結晶性シリケート
が、予め合成した結晶性シリケートを母結晶とし、その
母結晶の外表面に母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉ
とＯよりなる結晶性シリケートを成長させた層状複合結
晶性シリケートであることを特徴とする上記（１）記載
の排ガス処理触媒。

【０００７】（３）窒素酸化物，一酸化炭素及び炭化水
素を含有する排ガスを処理するに当り、前段に上記
（１）又は上記（２）記載の排ガス処理触媒を配置し、
後段に酸化触媒を配置し、該排ガスをこれら触媒を通過
させることを特徴とする排ガスの処理方法。である。

【０００８】

【作用】上記本発明の排ガス処理触媒において、銅と共
存させられるＶｂ族、VIｂ族の元素はリン（Ｐ）、ヒ素
（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、イ
オウ（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）である。
これらの元素の添加がＣｕ／結晶性シリケート触媒のＣ
Ｏの燃焼活性の抑制に有効に作用し、三元触媒と直列に
組み合わせた場合に、リーンからストイキオにガス組成
が変化する場合においても十分な脱硝作用を有する。

【０００９】通常、Ｃｕ／結晶性シリケートを用いての
ＮＯｘ，ＣＯ及びＨＣを含有する排ガスの浄化反応式は
下記の通りである。

【化１】 ＊１）炭化水素（ＨＣ）の例としてＣ₃ Ｈ₆ を代表とし
て示した。 ＊２）含酸素炭化水素の例としてＣＨ₂ Ｏを代表として
示した。

【００１０】上記反応式において、（１）はＨＣの活性
化、（２）はＨＣの燃焼、（３）は脱硝反応、（４）は
ＣＯの燃焼を意味しており、Ｖｂ、VIｂ族の元素をＣｕ
／結晶性シリケート触媒に添加することにより上記
ｋ₁ ，ｋ₂ ，ｋ₃ の反応速度定数はほとんど変化せず、
ｋ₄ の反応速度定数を低下させる。Ｖｂ、VIｂ族の元素
がＣＯの燃焼活性の抑制に有効に作用する理由として、
これら元素は全て非共有電子対を有するものであり、触
媒と安定な配位結合を形成することによりＣＯの吸着が
阻害されてＣＯの燃焼活性が抑制されるものと考えられ
る。

【００１１】本発明で使用される結晶性シリケートは下
記表１に示されるＸ線回折パターンを有し、脱水された
状態において、酸化物のモル比で表わして （１±０．８）Ｒ₂ Ｏ・〔ａＭ₂ Ｏ₃ ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
ｌ₂ Ｏ₃ 〕・ｙＳｉＯ₂ （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
オン、ＭはVIII族元素，希土類元素，チタン，バナジウ
ム，クロム，ニオブ，アンチモン及びガリウムからなる
群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
はマグネシウム、カルシウム，ストロンチウム，バリウ
ムのアルカリ土類金属イオン、ａ≧０，２０＞ｂ≧０，
ａ＋ｃ＝１，３０００＞ｙ＞１１）の化学式を有する。

【００１２】

【表１】 ＶＳ：非常に強い Ｓ：強い Ｍ：中級 Ｗ：弱い

【００１３】また上記結晶性シリケートが予め合成した
結晶性シリケートを母結晶とし、その母結晶の外表面に
母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯよりなる結晶
性シリケートを成長させた層状複合結晶性シリケートを
使用してもよい。この層状複合結晶性シリケートは外表
面に成長したＳｉとＯよりなる結晶性シリケート（シリ
カライトと呼ぶ）の疎水性作用により、Ｈ₂ Ｏだけが該
結晶性シリケート内部まで浸透しにくくなり、触媒の反
応活性点の回りにはＨ₂ Ｏの濃度が低くなる効果を有
し、脱メタル作用を抑制する作用を奏する。そのため、
高温スチーム雰囲気においても触媒の劣化が抑制され
る。

【００１４】触媒は上記結晶性シリケートに銅とＶｂ
族，VIｂ族塩の水溶液に浸漬し、イオン交換法によって
金属イオンを担持するか、又、塩化物、硝酸塩、硫酸塩
等の金属塩水溶液にて含浸法にて担持する方法が挙げら
れる。さらに、銅を担持後、上記Ｖｂ族，VIｂ族の酸化
物及び塩化物を気相状態で供給に担持する方法も可能で
ある。

【００１５】

【実施例】

（実施例１） 〇（母結晶Ａの合成）水ガラス１号（ＳｉＯ₂ ：３０
％）５６１６ｇを水５４２９ｇに溶解し、この溶液を溶
液Ａとする。一方、水４１７５ｇに硫酸アルミニウム７
１８．９ｇ、塩化第２鉄１１０ｇ、酢酸カルシウム４
７．２ｇ、塩化ナトリウム２６２ｇ、濃塩酸２０２０ｇ
を溶解し、この溶液を溶液Ｂとする。溶液Ａと溶液Ｂを
一定割合で供給し、沈殿を生成させ、十分攪拌してｐＨ
＝８．０のスラリーを得る。このスラリーを２０リット
ルのオートクレーブに仕込み、さらにテトラプロピルア
ンモニウムブロマイドを５００ｇ添加し、１６０℃にて
７２時間水熱合成を行い、合成後水洗して乾燥させ、さ
らに５００℃、３時間焼成させ結晶性シリケート１を得
る。この結晶性シリケートは酸化物のモル比で（結晶水
を省く）下記の組成式で表され、結晶構造はＸ線回折で
前記表１にて表示されるものである。０．５ＮａＯ₂ ・
０．５Ｈ₂ Ｏ・〔０．８Ａｌ₂ Ｏ₃ ・０．２Ｆｅ₂ Ｏ₃
・０．２５ＣａＯ〕・２５ＳｉＯ₂

【００１６】〇（層状複合結晶性シリケート１の合成）
微粉砕した上記母結晶１（結晶性シリケート１）１００
０ｇを水２１６０ｇに添加し、さらにコロイダルシリカ
（ＳｉＯ₂ ：２０％）４５９０ｇを添加し、十分攪拌を
行い、この溶液を溶液ａとする。一方、水２００８ｇに
水酸化ナトリウム１０５．８ｇを溶解させ溶液ｂを得
る。溶液ａを攪拌しながら溶液ｂを徐々に滴下し、沈殿
を生成させてスラリーを得る。このスラリーをオートク
レーブに入れ、テトラプロピルアンモニウムブロマイド
５６８ｇを水２１０６ｇに溶解させた溶液を上記オート
クレーブに添加する。このオートクレーブで１６０℃、
７２時間水熱合成を行い（２００ｒｐｍにて攪拌）、攪
拌後、洗浄して乾燥後、５００℃、３時間焼成を行い層
状複合結晶性シリケート１を得る。

【００１７】上記層状複合結晶性シリケート１を４Ｎの
ＮＨ₄ Ｃｌ水溶液４０℃に３時間攪拌してＮＨ₄ イオン
交換を実施した。イオン交換後洗浄して１００℃、２４
時間乾燥させた後、４００℃３時間焼成してＨ型の層状
複合結晶性シリケート１を得た。

【００１８】〇（触媒化）次に、上記１００部のＨ型の
層状複合結晶性シリケート１に対してバインダーとして
アルミナゾル３部、シリカゾル５５部（ＳｉＯ₂ ：２０
％）に水を２００部加え、充分攪拌を行いウォッシュコ
ート用スラリーとした。次にコージェライト用モノリス
基材（４００セルの格子目）を上記スラリーに浸漬し、
取り出した後余分なスラリーを吹きはらい２００℃で乾
燥させた。コート量は基材１リットルあたり２００ｇ担
持し、このコート物をハニカムコート物１とする。

【００１９】次に、塩化第一銅、りん酸塩酸溶液（Ｃｕ
Ｃｌ：２６．８ｇ，Ｈ₃ ＰＯ₄ ：２１．５ｇ／２００ｃ
ｃＨＣｌ）に上記ハニカムコート物１を浸漬し１時間含
浸した後、基材の壁の付着した液をふきとり２００℃で
乾燥させた。次いで５００℃で窒素雰囲気で１２時間パ
ージ処理を行い、ハニカム触媒１を得た。

【００２０】（実施例２）実施例１の母結晶１の合成法
において塩化第２鉄の代わりに塩化コバルト、塩化ルテ
ニウム、塩化ロジウム、塩化ランタン、塩化セリウム、
塩化チタン、塩化バナジウム、塩化クロム、塩化アンチ
モン、塩化ガリウム及び塩化ニオブを各々酸化物換算で
Ｆｅ₂ Ｏ₃ と同じモル数だけ添加した以外は母結晶１と
同様の操作を繰り返して母結晶２〜１２を調製した。こ
れらの母結晶の結晶構造はＸ線回折で前記表１に表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして０．５Ｎａ₂ Ｏ・０．５Ｈ₂ Ｏ・
（０．２Ｍ₂ Ｏ₃ ・０．８Ａｌ ₂ Ｏ₃ ・０．２５Ｃａ
Ｏ）・２５ＳｉＯ₂ である。ここでＭはＣｏ，Ｒｕ，Ｒ
ｈ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｎｂで
母結晶２〜１２である。

【００２１】また、塩化第２鉄及び酢酸カルシウムの代
わりに何も添加せず母結晶１と同様の方法において、母
結晶１３を得た。

【００２２】これらの母結晶２〜１３を微粉砕し、実施
例１の層状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方法
にて、母結晶１の代わりに母結晶２〜１３を用い、オー
トクレーブを用いて水熱合成させた結果、層状複合結晶
性シリケート２〜１３を得た。

【００２３】上記層状複合結晶性シリケート２〜１３を
用いて実施例１と同様の方法でＨ型の層状複合結晶性シ
リケート２〜１３を得、このシリケートをさらに実施例
１の触媒の調製と同様の工程にてコージェライトモノリ
ス基材にコートしてハニカムコート物２〜１３を得、次
に、塩化第一銅、リン酸塩酸溶液に浸漬し、実施例１と
同様の処理にてハニカム触媒２〜１３を得た。

【００２４】また、母結晶１だけを実施例１と同様にＨ
型にし、さらにハニカム基材にコートし、ハニカム物１
４を得た。このコート物１４を実施例１と同様に塩化第
一銅、りん酸塩酸溶液に浸漬し、ハニカム触媒１４を得
た。

【００２５】（実施例３）実施例１の母結晶１の合成法
において酢酸カルシウムの代わりに酢酸マグネシウム、
酢酸ストロンチウム、酢酸バリウムを各々酸化物換算で
ＣａＯと同じモル数だけ添加した以外は母結晶１と同様
の操作を繰り返して母結晶１５〜１７を調製した。これ
らの母結晶の結晶構造はＸ線回折で前記表１にて表示さ
れるものであり、その組成は酸化物のモル比（脱水され
た形態）で表わして０．５Ｎａ₂ Ｏ・０．５Ｈ₂ Ｏ・
（０．２Ｆｅ₂ Ｏ₃ ・０．８Ａｌ₂ Ｏ₃ ・０．２５Ｍｅ
Ｏ）・２５ＳｉＯ₂ である。ここでＭｅはＭｇ，Ｓｒ，
Ｂａである。これらの母結晶１５〜１７を微粉砕して実
施例１の層状複合結晶性シリケート１の合成と同様の方
法にてオートクレーブを用いて水熱合成を行い層状複合
結晶性シリケート１５〜１７を得た。さらに上記シリケ
ート１５〜１７を実施例１と同様の方法でハニカム触媒
１５〜１７を得た。

【００２６】（実施例４）実施例１で得たＨ型の層状複
合結晶性シリケート１をコートしたハニカムコート物１
を用いて、塩化第一銅とヒ素酸｛ＣｕＣｌ：２６．８
ｇ，ヒ素酸液：１８０ｇ（Ｈ₃ ＡｓＯ₄ ６０％含）／Ｈ
Ｃｌ ２００ｃｃ｝、塩化第一銅と塩化アンチモン（Ｃ
ｕＣｌ：２６．８ｇ，ＳｂＣｌ₃ ：２２．５ｇ／ＨＣｌ
２００ｃｃ）、塩化第一銅と塩化ビスマス（ＣｕＣ
ｌ：２６．８ｇ，ＢｉＣｌ₃ ：２２ｇ／ＨＣｌ ２００
ｃｃ）、塩化第一銅と硫酸（ＣｕＣｌ：２６．８ｇ，Ｈ
₂ ＳＯ₄：７．８ｇ／ＨＣｌ ２００ｃｃ）、塩化第一
銅と四塩化セレン（ＣｕＣｌ：２６．８ｇ，ＳｅＣ
ｌ₄ ：１８ｇ／ＨＣｌ ２００ｃｃ）、塩化第一銅と四
塩化テルル（ＣｕＣｌ：２６．８ｇ，ＴｅＣｌ₄ ：２４
ｇ／ＨＣｌ ２００ｃｃ）の各溶液に浸漬して、実施例
１の触媒化と同様にハニカム触媒１８〜２３を得た。

【００２７】（実施例５）実施例１の層状複合系結晶性
シリケート１を用いて、０．０４Ｍ酢酸銅と０．０４Ｍ
塩化ビスマス水溶液に３０℃で浸漬し攪拌してイオン交
換を実施した。洗浄後乾燥して粉末触媒ａを得た。

【００２８】次に実施例１の触媒化と同様にモノリス基
材に上記粉末触媒ａをコートしてハニカム触媒２４を得
た。

【００２９】（比較例）実施例１で得たハニカムコート
物１に塩化第一銅塩酸溶液（ＣｕＣｌ：２６．８ｇ／Ｈ
Ｃｌ ２００ｃｃ）に浸漬し、あとは実施例１と同様に
ハニカム触媒２５を得た。

【００３０】以上の本発明の実施例触媒及び比較触媒の
構成を下記表２，表３にまとめて示す。

【００３１】

【表２】

【００３２】

【表３】

【００３３】（実験例１）実施例１，２，３，４、比較
例にて調製したハニカム触媒１〜２５の活性評価試験を
実施した。活性評価条件は下記の通り。 〇（ガス組成） ＮＯ：４００ｐｐｍ、ＣＯ：１０００ｐｐｍ、Ｃ
₂ Ｈ₄ ：１０００ｐｐｍ、Ｃ ₃ Ｈ₆ ：３４０ｐｐｍ、Ｏ
₂ ：８％、ＣＯ₂ ：１０％、Ｈ₂ Ｏ：１０％、残：
Ｎ ₂ 、ＧＨＳＶ：３００００ｈ^-1、触媒形状：１５ｍｍ
×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セル数） 反応温度３５０，４５０℃における初期状態の触媒の脱
硝率及びＣＯ転化率を表４，表５に示す。この結果より
ハニカム触媒１〜２５はいずれも高いＮＯｘ転化率を有
するが、本発明のハニカム触媒１〜２４のＣＯ転化率は
いずれも低く抑えられていることがわかる。

【００３４】

【表４】

【００３５】

【表５】

【００３６】（実験例２）第１触媒層として上記ハニカ
ム触媒１〜２４を、第２触媒としてＰｔ−Ｒｈ−ＣｅＯ
₂ ／Ａｌ₂ Ｏ₃ 触媒を図１に示すように直列に接続して
排ガスを第１触媒層→第２触媒層に流した実験を行なっ
た。

【００３７】なお、第２触媒層に用いるＰｔ−Ｒｈ−Ｃ
ｅＯ₂ ／Ａｌ₂ Ｏ₃ 触媒は通常三元触媒と呼ばれるもの
であり、調製法は下記の通りである。まず、比表面積２
００ｍ² ／ｇのアルミナ１００部に対してバインダーと
してアルミナゾル３部、シリカゾル５５部（ＳｉＯ₂ ：
２０％）と水２００部加え、充分攪拌を行ないウォッシ
ュコート用スラリーとした。次にコージェライト用モノ
リス基材（４００セルの格子目）を上記スラリーに浸漬
し、取り出した後、乾燥後７００℃で１時間焼成した。
コート量は基材１リットル当り１００ｇ担持し、コート
物２６を得た。次に、このコート物２６を硝酸セリウム
２．５ｍｏｌ／リットルの水溶液に浸漬し、乾燥後６０
０℃で３時間空気中で焼成し、上記コート物上に酸化セ
リウム（ＣｅＯ₂ ）０．３ｍｏｌ／リットル（コート基
材）を担持した。更に、このものを塩化ロジウム０．０
０２ｍｏｌ／リットルの水溶液に浸漬し乾燥後２００℃
で１時間焼成し、上記コート物上にロジウム（Ｒｈ）を
０．３ｇ／リットル（コート基材）を担持した。更に、
このものを０．００５ｍｏｌ／リットルの濃度のジニト
ロジアミン白金の硝酸酸性水溶液に浸漬し、乾燥後２０
０℃、１時間焼成して、上記コート物上に白金（Ｐｔ）
を１．５ｇ／リットル（コート基材）を担持した。得ら
れた触媒をハニカム触媒２６とする。

【００３８】活性評価条件は下記の通り 〇（活性評価条件Ａ） ＮＯ：４００ｐｐｍ、ＣＯ：１０００ｐｐｍ、Ｃ
₂ Ｈ₄ ：１０００ｐｐｍ、Ｃ ₃ Ｈ₆ ：３４０ｐｐｍ、Ｏ
₂ ：８％、ＣＯ₂ ：１０％、Ｈ₂ Ｏ：１０％、残：Ｎ ₂ ＧＨＳＶ：１５０００ｈ^-1（ガス量：４０５Ｎリットル
／ｍｉｎ） 触媒：第１触媒層：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１
４４セル） 第２触媒層：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セ
ル） 〇（活性評価条件Ｂ） ＮＯ：２０００ｐｐｍ、ＣＯ：１０００ｐｐｍ、Ｃ₂ Ｈ
₄ ：１０００ｐｐｍ、Ｃ₃ Ｈ₆ ：３４０ｐｐｍ、Ｏ₂ ：
０．６％、ＣＯ₂ ：１０％、Ｈ₂ Ｏ：１０％、残：Ｎ₂ ＧＨＳＶ：１５０００ｈ^-1（ガス量：４０５Ｎリットル
／ｍｉｎ） 触媒：第１触媒層：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１
４４セル） 第２触媒層：１５ｍｍ×１５ｍｍ×６０ｍｍ（１４４セ
ル）

【００３９】４５０℃におけるＮＯｘ，ＣＯ，ＨＣの転
化率の結果を表６、表７に示す。この結果よりハニカム
触媒１〜２４と三元触媒であるハニカム触媒２６を直列
に組み合わせた場合、高いＯ₂ 濃度域の活性評価条件Ａ
（リーン領域）でも低いＯ₂濃度域の活性評価条件Ｂ
（ストイキオ領域）のいずれも高い脱硝性能を有するこ
とがわかる。一方、ハニカム触媒２５とハニカム触媒２
６を直列に組み合わせた場合、活性評価条件Ｂにおいて
は高い脱硝率は得られないことがわかる。

【００４０】

【表６】

【００４１】

【表７】

【００４２】

【発明の効果】本発明により、ＣＯ燃焼活性を抑制しう
るＣｕ／結晶性シリケート触媒が提供され、従来の三元
触媒と並用することによりリーン領域でもストイキオ領
域でも排ガスの浄化を十分に行なえる方法が提供され、
ガソリン車のリーンバーンエンジン排ガス用やディーゼ
ルエンジン排ガスの浄化に極めて有効な発明である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実験例２における活性評価方法の説明
図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 本文で詳記する表１に示されるＸ線回折
   パターンを有し、脱水された状態において酸化物のモル
   比で表わして （１±０．８）Ｒ₂ Ｏ・〔ａＭ₂ Ｏ₃ ・ｂＭ′Ｏ・ｃＡ
   ｌ₂ Ｏ₃ 〕・ｙＳｉＯ₂ （上記式中、Ｒはアルカリ金属イオン及び／又は水素イ
   オン、ＭはVIII族元素，希土類元素，チタン，バナジウ
   ム，クロム，ニオブ，アンチモン及びガリウムからなる
   群より選ばれた少なくとも１種以上の元素イオン、Ｍ′
   はマグネシウム、カルシウム，ストロンチウム，バリウ
   ムのアルカリ土類金属イオン、ａ≧０，２０＞ｂ≧０，
   ａ＋ｃ＝１，３０００＞ｙ＞１１）なる化学式を有する
   結晶性シリケートに、銅とさらにＶｂ族、VIｂ族の元素
   を少なくとも１種以上の金属を共存させてなることを特
   徴とする排ガス処理触媒。
2. 【請求項２】 請求項１記載の結晶性シリケートが、予
   め合成した結晶性シリケートを母結晶とし、その母結晶
   の外表面に母結晶と同一の結晶構造を有するＳｉとＯよ
   りなる結晶性シリケートを成長させた層状複合結晶性シ
   リケートであることを特徴とする請求項１記載の排ガス
   処理触媒。
3. 【請求項３】 窒素酸化物，一酸化炭素及び炭化水素を
   含有する排ガスを処理するに当り、前段に請求項１又は
   請求項２記載の排ガス処理触媒を配置し、後段に酸化触
   媒を配置し、該排ガスをこれら触媒を通過させることを
   特徴とする排ガスの処理方法。