JPH05307064A - 集積回路素子の検査方法 - Google Patents
集積回路素子の検査方法Info
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- JPH05307064A JPH05307064A JP4112534A JP11253492A JPH05307064A JP H05307064 A JPH05307064 A JP H05307064A JP 4112534 A JP4112534 A JP 4112534A JP 11253492 A JP11253492 A JP 11253492A JP H05307064 A JPH05307064 A JP H05307064A
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- Japan
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- terminal
- potential
- terminals
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路の複数の端子間の絶縁状態の
検査を容易にし、検査時間を短縮する。 【構成】 半導体集積回路10の複数の入出力端子1
4,15,16,17を、それぞれCMOS構造を有す
る反転素子18,19,20,21の出力に接続する。
反転素子18,19,20,21の入力は、CPU31
に接続されている。反転素子18,19,20,21を
構成するトランジスタ22,23,24,25,26,
27,28,29は、検査時にCPU31からの出力に
応じて隣り合う入出力端子14,15,16,17から
異なる電位が出力されるように、電源端子12に接続さ
れる電源ライン12a、あるいは接地端子に接続される
接地ライン13aにそれぞれ接続されている。検査装置
11は、電源端子12と接地端子13とに接続され、両
端子12,13間に電圧を印加し、両端子12,13間
に電流が流れるか否かを測定する。
検査を容易にし、検査時間を短縮する。 【構成】 半導体集積回路10の複数の入出力端子1
4,15,16,17を、それぞれCMOS構造を有す
る反転素子18,19,20,21の出力に接続する。
反転素子18,19,20,21の入力は、CPU31
に接続されている。反転素子18,19,20,21を
構成するトランジスタ22,23,24,25,26,
27,28,29は、検査時にCPU31からの出力に
応じて隣り合う入出力端子14,15,16,17から
異なる電位が出力されるように、電源端子12に接続さ
れる電源ライン12a、あるいは接地端子に接続される
接地ライン13aにそれぞれ接続されている。検査装置
11は、電源端子12と接地端子13とに接続され、両
端子12,13間に電圧を印加し、両端子12,13間
に電流が流れるか否かを測定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路素子の検査方
法に関する。
法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路(以下、ICと記
す)1は、高集積化および端子数の増加につれて、端子
間のピッチが狭められる方向にある。ICを製造する工
程で、端子をエッチング形成する際のエッチング不良
や、また端子間になんらかの異物が付着することによっ
て、隣合う端子間に発生した異物などの影響によって端
子間にリークが発生し、不具合を生じる場合が増加して
きている。
す)1は、高集積化および端子数の増加につれて、端子
間のピッチが狭められる方向にある。ICを製造する工
程で、端子をエッチング形成する際のエッチング不良
や、また端子間になんらかの異物が付着することによっ
て、隣合う端子間に発生した異物などの影響によって端
子間にリークが発生し、不具合を生じる場合が増加して
きている。
【0003】図2は、従来のIC1と検査装置2との接
続を説明する平面図である。図2の上から下に向かって
第1から第n端子3がIC1から突出して形成されてい
る。検査装置2は、第1端子3と第2端子3とに接続さ
れており、この状態で第1端子3と第2端子3との間に
電圧を印加し、電流が流れるか否かを判断する。
続を説明する平面図である。図2の上から下に向かって
第1から第n端子3がIC1から突出して形成されてい
る。検査装置2は、第1端子3と第2端子3とに接続さ
れており、この状態で第1端子3と第2端子3との間に
電圧を印加し、電流が流れるか否かを判断する。
【0004】前述のように第1端子3と第2端子3との
間に異物などが付着している場合には、検査装置1によ
って電圧を印加すると、第1端子3と第2端子3との間
に電流が流れる。
間に異物などが付着している場合には、検査装置1によ
って電圧を印加すると、第1端子3と第2端子3との間
に電流が流れる。
【0005】図2に示すように、検査装置2を用いて第
1端子3と第2端子3との間のリーク状態の測定が終わ
ると、次に第2端子と第3端子の間の測定を行い、順次
隣合う端子間のリーク状態が検査され、最終的には第n
−1端子3と第n端子3との間の検査が行われる。
1端子3と第2端子3との間のリーク状態の測定が終わ
ると、次に第2端子と第3端子の間の測定を行い、順次
隣合う端子間のリーク状態が検査され、最終的には第n
−1端子3と第n端子3との間の検査が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述のような検査方法
では、n本の端子がある場合にはn−1回の検査を順次
繰返し行う必要がある。端子数が増加するにつれ検査回
数は増大し、それに伴い検査に要する時間が増大すると
いう問題がある。
では、n本の端子がある場合にはn−1回の検査を順次
繰返し行う必要がある。端子数が増加するにつれ検査回
数は増大し、それに伴い検査に要する時間が増大すると
いう問題がある。
【0007】本発明の目的は、入出力端子の本数に依存
することなく、容易に入出力端子間の絶縁状態を検査す
ることができ、検査時間が短縮される集積回路素子の検
査方法を提供することである。
することなく、容易に入出力端子間の絶縁状態を検査す
ることができ、検査時間が短縮される集積回路素子の検
査方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の入出力
端子を有し、各入出力端子には導電形式が相互に異なる
一対のスイッチング手段の各出力端が共通に接続され、
スイッチング手段の相互に異なる対毎の各スイッチング
手段には、第1電位および第2電位がそれぞれ接続さ
れ、各スイッチング手段の対にわたって第1電位の入力
端は共通に接続されて第1電位入力端子に接続され、第
2電位の入力端は共通に接続されて第2電位入力端子に
接続され、各入出力端子には前記第1電位および第2電
位がその配列方向に沿って交互に現れるように設定され
た集積回路素子の前記入出力端子間の絶縁状態を検査す
る方法において、前記第1電位入力端子と第2電位入力
端子とにそれぞれ第1電位および第2電位を印加する工
程と、前記第1電位入力端子と第2電位入力端子との間
の電流を検出する工程とを含むことを特徴とする集積回
路素子の検査方法である。
端子を有し、各入出力端子には導電形式が相互に異なる
一対のスイッチング手段の各出力端が共通に接続され、
スイッチング手段の相互に異なる対毎の各スイッチング
手段には、第1電位および第2電位がそれぞれ接続さ
れ、各スイッチング手段の対にわたって第1電位の入力
端は共通に接続されて第1電位入力端子に接続され、第
2電位の入力端は共通に接続されて第2電位入力端子に
接続され、各入出力端子には前記第1電位および第2電
位がその配列方向に沿って交互に現れるように設定され
た集積回路素子の前記入出力端子間の絶縁状態を検査す
る方法において、前記第1電位入力端子と第2電位入力
端子とにそれぞれ第1電位および第2電位を印加する工
程と、前記第1電位入力端子と第2電位入力端子との間
の電流を検出する工程とを含むことを特徴とする集積回
路素子の検査方法である。
【0009】
【作用】本発明に従えば、導電形式が相互に異なる一対
のスイッチング手段の各出力端が共通に接続された複数
の入出力端子を集積回路素子が有している。前記スイッ
チング手段の相互に異なる対毎の各スイッチング手段に
は、第1電位および第2電位がそれぞれ接続され、各ス
イッチング手段の対にわたって第1電位の入力端は共通
に接続されて第1電位入力端子に接続され、第2電位の
入力端は共通に接続されて第2電位入力端子に接続され
ている。前記各入出力端子には前記第1電位および第2
電位がその配列方向に沿って交互に現れるように設定さ
れている。以上のような集積回路素子の前記入出力端子
間の絶縁状態を検査する方法において、前記第1電位入
力端子と第2電位入力端子とにそれぞれ第1電位および
第2電位を印加し、その後、前記第1電位入力端子と第
2電位入力端子との間の電流を検出する。
のスイッチング手段の各出力端が共通に接続された複数
の入出力端子を集積回路素子が有している。前記スイッ
チング手段の相互に異なる対毎の各スイッチング手段に
は、第1電位および第2電位がそれぞれ接続され、各ス
イッチング手段の対にわたって第1電位の入力端は共通
に接続されて第1電位入力端子に接続され、第2電位の
入力端は共通に接続されて第2電位入力端子に接続され
ている。前記各入出力端子には前記第1電位および第2
電位がその配列方向に沿って交互に現れるように設定さ
れている。以上のような集積回路素子の前記入出力端子
間の絶縁状態を検査する方法において、前記第1電位入
力端子と第2電位入力端子とにそれぞれ第1電位および
第2電位を印加し、その後、前記第1電位入力端子と第
2電位入力端子との間の電流を検出する。
【0010】前述のように一対のスイッチング手段の第
1電位の入力端は共通に第1電位入力端子に接続されて
おり、第2電位の入力端は第2電位入力端子に接続され
ている。このため複数の入出力端子のどの間隙において
入出力端子間の絶縁状態が破壊されている場合には第1
電位入力端子と第2電位入力端子との間に電流が流れる
ため、第1電位入力端子と第2電位入力端子との間に電
源が流れるか否かを判断するだけで入出力端子間の絶縁
状態を検査することができる。
1電位の入力端は共通に第1電位入力端子に接続されて
おり、第2電位の入力端は第2電位入力端子に接続され
ている。このため複数の入出力端子のどの間隙において
入出力端子間の絶縁状態が破壊されている場合には第1
電位入力端子と第2電位入力端子との間に電流が流れる
ため、第1電位入力端子と第2電位入力端子との間に電
源が流れるか否かを判断するだけで入出力端子間の絶縁
状態を検査することができる。
【0011】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である半導体集積
回路(以下、ICと記す)10と検査装置11との接続
を説明する回路図である。IC10には電源端子12と
接地端子13とが形成されており、電源端子12には電
源ライン12aが、接地端子13には接地ライン13a
がそれぞれ接続されている。電源端子12と接地端子1
3との間に、例として第1入出力端子14、第2入出力
端子15、第3入出力端子16および第4入出力端子1
7が形成されている。また、IC10にはIC10内部
を制御する中央処理装置(以下、CPUと記す)31が
設置されている。
回路(以下、ICと記す)10と検査装置11との接続
を説明する回路図である。IC10には電源端子12と
接地端子13とが形成されており、電源端子12には電
源ライン12aが、接地端子13には接地ライン13a
がそれぞれ接続されている。電源端子12と接地端子1
3との間に、例として第1入出力端子14、第2入出力
端子15、第3入出力端子16および第4入出力端子1
7が形成されている。また、IC10にはIC10内部
を制御する中央処理装置(以下、CPUと記す)31が
設置されている。
【0012】第1入出力端子は、Pチャネルトランジス
タ22とNチャネルトランジスタ23とのドレイン電極
に共通に接続されている。Pチャネルトランジスタ22
とNチャネルトランジスタ23とは、たとえばCMOS
構造を有する反転素子18を形成しており、Pチャネル
トランジスタ22のソース電極は電源ライン12aに、
Nチャネルトランジスタ23のソース電極は接地電位お
よび接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
タ22とNチャネルトランジスタ23とのドレイン電極
に共通に接続されている。Pチャネルトランジスタ22
とNチャネルトランジスタ23とは、たとえばCMOS
構造を有する反転素子18を形成しており、Pチャネル
トランジスタ22のソース電極は電源ライン12aに、
Nチャネルトランジスタ23のソース電極は接地電位お
よび接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
【0013】第2入出力端子15は、Nチャネルトラン
ジスタ24とPチャネルトランジスタ25とのドレイン
電極に共通に接続されている。Nチャネルトランジスタ
24とPチャネルトランジスタ25とは、たとえばCM
OS構造を有する反転素子19を形成しており、Nチャ
ネルトランジスタ24のソース電極は電源ライン12a
に、Pチャネルトランジスタ25のソース電極は接地電
位および接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
ジスタ24とPチャネルトランジスタ25とのドレイン
電極に共通に接続されている。Nチャネルトランジスタ
24とPチャネルトランジスタ25とは、たとえばCM
OS構造を有する反転素子19を形成しており、Nチャ
ネルトランジスタ24のソース電極は電源ライン12a
に、Pチャネルトランジスタ25のソース電極は接地電
位および接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
【0014】第3入出力端子16は、Pチャネルトラン
ジスタ26とNチャネルトランジスタ27とのドレイン
電極に共通に接続されている。Pチャネルトランジスタ
26とNチャネルトランジスタ27とは、たとえばCM
OS構造を有する反転素子20を形成しており、Pチャ
ネルトランジスタ26のソース電極は電源ライン12a
に、Nチャネルトランジスタ27のソース電極は接地電
位および接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
ジスタ26とNチャネルトランジスタ27とのドレイン
電極に共通に接続されている。Pチャネルトランジスタ
26とNチャネルトランジスタ27とは、たとえばCM
OS構造を有する反転素子20を形成しており、Pチャ
ネルトランジスタ26のソース電極は電源ライン12a
に、Nチャネルトランジスタ27のソース電極は接地電
位および接地ライン13aにそれぞれ接続されている。
【0015】同様に第4入出力端子17は、Nチャネル
トランジスタ28とPチャネルトランジスタ29とのド
レイン電極に共通に接続されている。Nチャネルトラン
ジスタ28とPチャネルトランジスタ29とは、たとえ
ばCMOS構造を有する反転素子21を形成しており、
Nチャネルトランジスタ28のソース電極は電源ライン
12aに、Pチャネルトランジスタ29のソース電極は
接地電位および接地ライン13aにそれぞれ形成されて
いる。
トランジスタ28とPチャネルトランジスタ29とのド
レイン電極に共通に接続されている。Nチャネルトラン
ジスタ28とPチャネルトランジスタ29とは、たとえ
ばCMOS構造を有する反転素子21を形成しており、
Nチャネルトランジスタ28のソース電極は電源ライン
12aに、Pチャネルトランジスタ29のソース電極は
接地電位および接地ライン13aにそれぞれ形成されて
いる。
【0016】各反転素子18,19,20,21のPチ
ャネルトランジスタ22,25,26,29およびNチ
ャネルトランジス23,24,27,28のゲート電極
は、各反転素子18,19,20,21内で共通に接続
され、さらにCPU31に接続されている。
ャネルトランジスタ22,25,26,29およびNチ
ャネルトランジス23,24,27,28のゲート電極
は、各反転素子18,19,20,21内で共通に接続
され、さらにCPU31に接続されている。
【0017】検査装置11は、電源端子12と接地端子
13とに接続されている。各反転素子18,19,2
0,21のゲート電極にCPU31からローレベルの信
号を入力すると、Pチャネルトランジスタ22,25,
26,29はオン状態となり、Nチャネルトランジスタ
23,24,27,28はオフ状態となる。
13とに接続されている。各反転素子18,19,2
0,21のゲート電極にCPU31からローレベルの信
号を入力すると、Pチャネルトランジスタ22,25,
26,29はオン状態となり、Nチャネルトランジスタ
23,24,27,28はオフ状態となる。
【0018】検査装置11を用いて電源端子12と接地
端子13との間に電圧を印加した場合、電源端子12と
接地端子13とは接続されていないため、通常は電流は
流れない。しかしながら、たとえば第2端子15と第3
端子16との間に導電性物質である不純物30が付着し
ており、第2入出力端子15と第3入出力端子16との
間がリークしている場合には、電源端子12からPチャ
ネルトランジスタ26、第3入出力端子16、不純物3
0、第2入出力端子15およびPチャネルトランジスタ
25を介して接地端子13まで矢符Aに沿って電流が流
れる。第1入出力端子14と第2入出力端子15との
間、または第3入出力端子16と第4入出力端子17と
の間に不純物30が存在する場合にも、電源端子12と
接地端子13との間に同様な電流が流れる。
端子13との間に電圧を印加した場合、電源端子12と
接地端子13とは接続されていないため、通常は電流は
流れない。しかしながら、たとえば第2端子15と第3
端子16との間に導電性物質である不純物30が付着し
ており、第2入出力端子15と第3入出力端子16との
間がリークしている場合には、電源端子12からPチャ
ネルトランジスタ26、第3入出力端子16、不純物3
0、第2入出力端子15およびPチャネルトランジスタ
25を介して接地端子13まで矢符Aに沿って電流が流
れる。第1入出力端子14と第2入出力端子15との
間、または第3入出力端子16と第4入出力端子17と
の間に不純物30が存在する場合にも、電源端子12と
接地端子13との間に同様な電流が流れる。
【0019】したがって不純物30によるリークが発生
している場合、電源端子12と接地端子13との間に検
査装置11によって電圧を印加することによって、電源
端子12と接地端子13との間に電流が流れ、この電流
を検査装置11で検出することによって、いずれかの端
子間で絶縁状態が破壊され、リークが発生していること
を確認することができる。
している場合、電源端子12と接地端子13との間に検
査装置11によって電圧を印加することによって、電源
端子12と接地端子13との間に電流が流れ、この電流
を検査装置11で検出することによって、いずれかの端
子間で絶縁状態が破壊され、リークが発生していること
を確認することができる。
【0020】以上のように本実施例によれば、電源端子
12と接地端子13との間に電圧を印加して、電源端子
12と接地端子13間に電流が流れるか否かを測定する
ことによって、各端子14,15,16,17間の絶縁
状態を確認することができる。このため、従来のように
隣合う端子間の絶縁状態を1つずつ測定する必要はな
く、1度の操作で全ての端子間の絶縁状態を確認するこ
とができ、絶縁状態の確認が容易に行えるとともに、絶
縁状態を確認する検査時間を大幅に短縮することができ
る。
12と接地端子13との間に電圧を印加して、電源端子
12と接地端子13間に電流が流れるか否かを測定する
ことによって、各端子14,15,16,17間の絶縁
状態を確認することができる。このため、従来のように
隣合う端子間の絶縁状態を1つずつ測定する必要はな
く、1度の操作で全ての端子間の絶縁状態を確認するこ
とができ、絶縁状態の確認が容易に行えるとともに、絶
縁状態を確認する検査時間を大幅に短縮することができ
る。
【0021】本実施例では、各反転素子18,19,2
0,21のゲート電極にはローレベルの信号を入力した
けれども、ハイレベルの信号を入力してもよい。また、
反転素子18,19,20,21にはすべて同じレベル
の信号を入力したけれどもこれには限られず、反転素子
18,19,20,21のゲート電極に入力する信号を
ローレベルとハイレベルとが交互になるように入力する
ようにしても同様の効果が得られるように、反転素子1
8,19,20,21を配置してもよい。
0,21のゲート電極にはローレベルの信号を入力した
けれども、ハイレベルの信号を入力してもよい。また、
反転素子18,19,20,21にはすべて同じレベル
の信号を入力したけれどもこれには限られず、反転素子
18,19,20,21のゲート電極に入力する信号を
ローレベルとハイレベルとが交互になるように入力する
ようにしても同様の効果が得られるように、反転素子1
8,19,20,21を配置してもよい。
【0022】また本実施例では、第1〜第4入出力端子
14,15,16,17という4本の入出力端子がある
場合について説明したけれども、端子数はこれには限ら
れず、3本でも良く、また5本以上の入出力端子に対し
ても、同様の効果が得られる。また、ゲート電極に入力
する信号をCPU31から入力したけれどもこれには限
られず、ゲート電極に接続されるテスト端子を設け、こ
のテスト端子から入力してもよい。
14,15,16,17という4本の入出力端子がある
場合について説明したけれども、端子数はこれには限ら
れず、3本でも良く、また5本以上の入出力端子に対し
ても、同様の効果が得られる。また、ゲート電極に入力
する信号をCPU31から入力したけれどもこれには限
られず、ゲート電極に接続されるテスト端子を設け、こ
のテスト端子から入力してもよい。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、一対のスイッチング手
段の第1電位の入力端は共通に第1電位入力端子に接続
されており、第2電位の入力端は第2電位入力端子に接
続されている。このため複数の入出力端子の間隙におい
て、入出力端子間の絶縁状態が破壊されている場合に
は、第1電位入力端子と第2電位入力端子との間に電流
が流れるため、第1電位入力端子と第2電位入力端子と
の間に電流が流れるか否かを判断するだけで入出力端子
間の絶縁状態を検査することができ、絶縁状態の検査を
容易に行え、また検査時間を短縮することができる。
段の第1電位の入力端は共通に第1電位入力端子に接続
されており、第2電位の入力端は第2電位入力端子に接
続されている。このため複数の入出力端子の間隙におい
て、入出力端子間の絶縁状態が破壊されている場合に
は、第1電位入力端子と第2電位入力端子との間に電流
が流れるため、第1電位入力端子と第2電位入力端子と
の間に電流が流れるか否かを判断するだけで入出力端子
間の絶縁状態を検査することができ、絶縁状態の検査を
容易に行え、また検査時間を短縮することができる。
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路10と
検査装置11との接続を説明する回路図である。
検査装置11との接続を説明する回路図である。
【図2】従来の半導体集積回路1と検査装置2との接続
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
10 半導体集積回路 11 検査装置 12 電源端子 13 接地端子 14 第1入出力端子 15 第2入出力端子 16 第3入出力端子 17 第4入出力端子 18,19,20,21 反転素子 22,25,26,29 Pチャネルトランジスタ 23,24,27,28 Nチャネルトランジスタ
Claims (1)
- 【請求項1】 複数の入出力端子を有し、各入出力端子
には導電形式が相互に異なる一対のスイッチング手段の
各出力端が共通に接続され、スイッチング手段の相互に
異なる対毎の各スイッチング手段には、第1電位および
第2電位がそれぞれ接続され、各スイッチング手段の対
にわたって第1電位の入力端は共通に接続されて第1電
位入力端子に接続され、第2電位の入力端は共通に接続
されて第2電位入力端子に接続され、各入出力端子には
前記第1電位および第2電位がその配列方向に沿って交
互に現れるように設定された集積回路素子の前記入出力
端子間の絶縁状態を検査する方法において、 前記第1電位入力端子と第2電位入力端子とにそれぞれ
第1電位および第2電位を印加する工程と、 前記第1電位入力端子と第2電位入力端子との間の電流
を検出する工程とを含むことを特徴とする集積回路素子
の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4112534A JPH05307064A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 集積回路素子の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4112534A JPH05307064A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 集積回路素子の検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05307064A true JPH05307064A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14589056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4112534A Pending JPH05307064A (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 集積回路素子の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05307064A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022099994A1 (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示背板的检测方法及检测结构 |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP4112534A patent/JPH05307064A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022099994A1 (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种显示背板的检测方法及检测结构 |
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