JPH0530304B2 - - Google Patents
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- JPH0530304B2 JPH0530304B2 JP60183969A JP18396985A JPH0530304B2 JP H0530304 B2 JPH0530304 B2 JP H0530304B2 JP 60183969 A JP60183969 A JP 60183969A JP 18396985 A JP18396985 A JP 18396985A JP H0530304 B2 JPH0530304 B2 JP H0530304B2
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 67
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は一部に位置決め指標としての実質的に
V字状の微小切欠きを有する半導体ウエハ等の円
形板状物体を測定装置、検査装置または露光装置
に配置するとき該物体を常に所定の方向に位置決
めする円形板状物体の角度位置決め装置に係るも
のである。
V字状の微小切欠きを有する半導体ウエハ等の円
形板状物体を測定装置、検査装置または露光装置
に配置するとき該物体を常に所定の方向に位置決
めする円形板状物体の角度位置決め装置に係るも
のである。
[発明の背景]
従来の半導体ウエハの位置決め装置の一例(特
開昭58−18937)を第7図に示す。従来の位置決
め装置は、同図に示すように半導体ウエハ6(以
下単に「ウエハ」という)をのせて回転する回転
台3、この回転台3の回転中心から等距離を保ち
つつ回転中心に向つて収斂するように動き、また
回転中心から拡散するように動く往復部材2a,
2b,2c,2d,2e、光電素子C、およびこ
の光電素子Cに対しウエハを挾んで対向する位置
に配置した光源Lを備えている。
開昭58−18937)を第7図に示す。従来の位置決
め装置は、同図に示すように半導体ウエハ6(以
下単に「ウエハ」という)をのせて回転する回転
台3、この回転台3の回転中心から等距離を保ち
つつ回転中心に向つて収斂するように動き、また
回転中心から拡散するように動く往復部材2a,
2b,2c,2d,2e、光電素子C、およびこ
の光電素子Cに対しウエハを挾んで対向する位置
に配置した光源Lを備えている。
このウエハの位置決め装置は、回転台3の上に
自由に動ける状態でのせられているウエハ6の周
辺から往復部材2a〜2eが回転台3の中心に向
つてウエハ6を押しつつむようにして進み、ウエ
ハ6を動かしてウエハ6の中心と回転台3の中心
とを一致させる。その後、往復部材2a〜2eは
回転中心から離れる方向に外方へ後退する。この
センターリングが終了すると、ウエハ6を回転台
3に吸着固定し、回転台3を回転して光電素子C
への光源からの入射光量の変化の形でウエハ6の
周辺を読みとり、ウエハ6の切欠き6a(この場
合はオリエンテーシヨンフラツト)を検出する。
さらに第8図に示すように、この切欠きの微小な
傾きを修正するためレバー5により基準部材とし
ての固定ローラ4a,4b,4cにウエハ6を押
しつけて最終的にウエハを位置決めする。
自由に動ける状態でのせられているウエハ6の周
辺から往復部材2a〜2eが回転台3の中心に向
つてウエハ6を押しつつむようにして進み、ウエ
ハ6を動かしてウエハ6の中心と回転台3の中心
とを一致させる。その後、往復部材2a〜2eは
回転中心から離れる方向に外方へ後退する。この
センターリングが終了すると、ウエハ6を回転台
3に吸着固定し、回転台3を回転して光電素子C
への光源からの入射光量の変化の形でウエハ6の
周辺を読みとり、ウエハ6の切欠き6a(この場
合はオリエンテーシヨンフラツト)を検出する。
さらに第8図に示すように、この切欠きの微小な
傾きを修正するためレバー5により基準部材とし
ての固定ローラ4a,4b,4cにウエハ6を押
しつけて最終的にウエハを位置決めする。
ところで、この従来のウエハ位置決め装置では
往復部材をウエハに強制的に押しつけねばなら
ず、それによりウエハを損傷することがある。ま
た、このような方法では位置精度があまりよくな
く、そのため最終位置決め操作を必要とし、その
ときもウエハ強制押しつけを行なわなければなら
ないという不都合がある。
往復部材をウエハに強制的に押しつけねばなら
ず、それによりウエハを損傷することがある。ま
た、このような方法では位置精度があまりよくな
く、そのため最終位置決め操作を必要とし、その
ときもウエハ強制押しつけを行なわなければなら
ないという不都合がある。
一方、従来の位置決め装置として非接触型式の
ものも知られている(特開昭57−198642)。これ
はウエハを固定保持した回転台をパルスモーター
により間欠的に回転させ、ウエハの周辺にウエハ
を挾んで配置した光源と光電変換素子とによりウ
エハの周辺を読取り、光電変換素子からの電気信
号の極値点からウエハの切欠部を検出する。この
場合、非接触型式であるのでウエハを損傷するお
それはないが、ウエハの半径方向に複数個並設し
た光電変換素子によりウエハ回転中心のウエハの
輪郭の変化を比較する方法であるため、回転によ
り輪郭の変化は見られるが静止したウエハで高精
度の検出をすることは困難であつた。
ものも知られている(特開昭57−198642)。これ
はウエハを固定保持した回転台をパルスモーター
により間欠的に回転させ、ウエハの周辺にウエハ
を挾んで配置した光源と光電変換素子とによりウ
エハの周辺を読取り、光電変換素子からの電気信
号の極値点からウエハの切欠部を検出する。この
場合、非接触型式であるのでウエハを損傷するお
それはないが、ウエハの半径方向に複数個並設し
た光電変換素子によりウエハ回転中心のウエハの
輪郭の変化を比較する方法であるため、回転によ
り輪郭の変化は見られるが静止したウエハで高精
度の検出をすることは困難であつた。
[発明の目的]
本発明は、上述の従来装置の問題点を解消し、
更に近年ウエハの大口径化に伴ない切欠き量の多
いオリエンテーシヨンフラツトでなく微小な切欠
きを有するウエハが出現していることに鑑みこの
ような微小切欠きを有するウエハのような円形板
状物体の場合にも精度良く非接触で切欠きを検出
しその円形板状物体の角度位置決めできる装置を
提供することを目的としている。
更に近年ウエハの大口径化に伴ない切欠き量の多
いオリエンテーシヨンフラツトでなく微小な切欠
きを有するウエハが出現していることに鑑みこの
ような微小切欠きを有するウエハのような円形板
状物体の場合にも精度良く非接触で切欠きを検出
しその円形板状物体の角度位置決めできる装置を
提供することを目的としている。
[発明の構成]
この目的を達成するため本発明の位置決め装置
は、周辺の一部に実質的にV字状の微小切欠きを
有する円形板状物体を保持して回転させる回転台
と、前記回転台に保持された前記物体の周辺付近
に存在し、前記回転台に保持された前記物体の半
径方向に所定の幅を有する第1センサと、前記回
転台に保持された前記物体の周辺付近で前記第1
センサと異なる位置に存在し、前記回転台に保持
された前記物体の接線方向に実質平行に並んでい
る複数の検出画素を有する第2センサを有し、前
記物体を前記回転台により回転させながら前記第
1センサで前記微小切欠きを光電検出することに
より、前記微小切欠きが前記第2センサの付近と
なるように前記回転台の回転を制御した後、前記
第2センサで前記微小切欠きを通過してきた光を
光電検出し、前記微小切欠きを通過してきた光の
中心を前記第2センサの各検出画素の出力を利用
して求めることにより、前記回転台による前記微
小切欠きの回転方向における位置決めを行なうこ
とを特徴とする。
は、周辺の一部に実質的にV字状の微小切欠きを
有する円形板状物体を保持して回転させる回転台
と、前記回転台に保持された前記物体の周辺付近
に存在し、前記回転台に保持された前記物体の半
径方向に所定の幅を有する第1センサと、前記回
転台に保持された前記物体の周辺付近で前記第1
センサと異なる位置に存在し、前記回転台に保持
された前記物体の接線方向に実質平行に並んでい
る複数の検出画素を有する第2センサを有し、前
記物体を前記回転台により回転させながら前記第
1センサで前記微小切欠きを光電検出することに
より、前記微小切欠きが前記第2センサの付近と
なるように前記回転台の回転を制御した後、前記
第2センサで前記微小切欠きを通過してきた光を
光電検出し、前記微小切欠きを通過してきた光の
中心を前記第2センサの各検出画素の出力を利用
して求めることにより、前記回転台による前記微
小切欠きの回転方向における位置決めを行なうこ
とを特徴とする。
前記第2センサは、例えばリニアイメージセン
サであり、その所定画素に前記微小切欠きを通過
してきた光の中心が一致するように前記微小切欠
きの回転方向における位置決めが行なわれる。
サであり、その所定画素に前記微小切欠きを通過
してきた光の中心が一致するように前記微小切欠
きの回転方向における位置決めが行なわれる。
[実施例]
本発明の実施例を以下に添付図を参照して説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例に係るウエハの位置
決め装置の斜視図である。図に示すようにこのウ
エハの位置決め装置は、回転台8、この回転台8
に解放できるよう固定され、そして解放されると
X方向とY方向とに動くことができる載置台7、
この載置台7にのせられるウエハ6の周辺付近で
ウエハ6の接線方向に平行にウエハを挾んで配置
した切欠き検出用リニアイメージセンサCθと光
源Lθとを備えている。Ca,Cb,Cc,CdとLa,
Lb,Lc,LdはXY偏位検出用リニアイメージセ
ンサと光源である。
決め装置の斜視図である。図に示すようにこのウ
エハの位置決め装置は、回転台8、この回転台8
に解放できるよう固定され、そして解放されると
X方向とY方向とに動くことができる載置台7、
この載置台7にのせられるウエハ6の周辺付近で
ウエハ6の接線方向に平行にウエハを挾んで配置
した切欠き検出用リニアイメージセンサCθと光
源Lθとを備えている。Ca,Cb,Cc,CdとLa,
Lb,Lc,LdはXY偏位検出用リニアイメージセ
ンサと光源である。
更に第2,3,5図も参照して詳しく説明すれ
ば、V字形の微小切欠き6aを有するウエハ6は
第3図に示すように吸着溝7aを有する載置台7
に吸着支持されるようになつており、更にこの載
置台7は回転台8に吸着溝8aによつて吸着支持
されるようになつている。また回転台8はXY方
向に動き得るステージ9,10上に載置されてい
る。また、回転台8の回転中心に対するウエハ6
の偏心を検出するリニアイメージセンサCa〜Cd
は、第2図に示すようにウエハ6の直径方向で対
向するように配置し、そしてそれらのリニアイメ
ージセンサを照射する光源La〜Ldをウエハ6の
下側に配置する。また切欠き検出を行なうリニア
イメージセンサCθをウエハ6の接線方向と平行
な方向に配置し、これを光源Lθにより照射する
ように構成する。
ば、V字形の微小切欠き6aを有するウエハ6は
第3図に示すように吸着溝7aを有する載置台7
に吸着支持されるようになつており、更にこの載
置台7は回転台8に吸着溝8aによつて吸着支持
されるようになつている。また回転台8はXY方
向に動き得るステージ9,10上に載置されてい
る。また、回転台8の回転中心に対するウエハ6
の偏心を検出するリニアイメージセンサCa〜Cd
は、第2図に示すようにウエハ6の直径方向で対
向するように配置し、そしてそれらのリニアイメ
ージセンサを照射する光源La〜Ldをウエハ6の
下側に配置する。また切欠き検出を行なうリニア
イメージセンサCθをウエハ6の接線方向と平行
な方向に配置し、これを光源Lθにより照射する
ように構成する。
この実施例の動作を説明する。まず、回転台8
の上に吸着支持された載置台7の上面にウエハ6
を吸着固定し、これを回転させる。微小切欠き6
aをリニアイメージセンサCθが検出した位置で
回転台8の回転を停止する。この状態ではまだウ
エハ6は回転台8の回転中心に対して偏心してい
る。この偏心量を第5a図に示すようにウエハ6
の半径方向に90°ずつずらして4個配置したリニ
アイメージセンサCa〜Cdによつて読込む。例え
ば、X方向の偏心量をリニアイメージセンサCa,
Ccのデジタル出力差に応じてΔx、Y方向はリニ
アイメージセンサCb,CdによりΔyであると測定
する。次に回転台8の吸着を解除し、それにより
移動可能となつた載置台7を偏心量の測定値に基
づいてX方向にΔx、Y方向にΔy移動させ、第5
b図に示すように回転中心Oに対するウエハの偏
心を修正する。載置台7を移動させるのでウエハ
6を直接に圧接することはなくこの偏心調整は非
接触で行なえる。修正終了後、載置台7は再び回
転台8に吸着固定される。
の上に吸着支持された載置台7の上面にウエハ6
を吸着固定し、これを回転させる。微小切欠き6
aをリニアイメージセンサCθが検出した位置で
回転台8の回転を停止する。この状態ではまだウ
エハ6は回転台8の回転中心に対して偏心してい
る。この偏心量を第5a図に示すようにウエハ6
の半径方向に90°ずつずらして4個配置したリニ
アイメージセンサCa〜Cdによつて読込む。例え
ば、X方向の偏心量をリニアイメージセンサCa,
Ccのデジタル出力差に応じてΔx、Y方向はリニ
アイメージセンサCb,CdによりΔyであると測定
する。次に回転台8の吸着を解除し、それにより
移動可能となつた載置台7を偏心量の測定値に基
づいてX方向にΔx、Y方向にΔy移動させ、第5
b図に示すように回転中心Oに対するウエハの偏
心を修正する。載置台7を移動させるのでウエハ
6を直接に圧接することはなくこの偏心調整は非
接触で行なえる。修正終了後、載置台7は再び回
転台8に吸着固定される。
微少切欠き6aの回転方向のずれはリニアイメ
ージセンサCθにより検出する。第4a,4b図
に示すようにリニアイメージセンサCθの所定の
中心画素CMに対して微少切欠き6aからの透過
光の中心MがΔθずれていることをウエハ6の静
止状態で検出し(第4a図)、回転台8をΔθだけ
回転させて、透過光の中心Mと所定の中心画素
CMを一致させ回転方向のずれを精確に修正する
(第4b図)。第6図に実施例の動作をフローチヤ
ートで示す。なお、第9図に従来のウエハ位置決
め装置の検出信号を本発明の場合(第4a,4b
図)と対比して示す。
ージセンサCθにより検出する。第4a,4b図
に示すようにリニアイメージセンサCθの所定の
中心画素CMに対して微少切欠き6aからの透過
光の中心MがΔθずれていることをウエハ6の静
止状態で検出し(第4a図)、回転台8をΔθだけ
回転させて、透過光の中心Mと所定の中心画素
CMを一致させ回転方向のずれを精確に修正する
(第4b図)。第6図に実施例の動作をフローチヤ
ートで示す。なお、第9図に従来のウエハ位置決
め装置の検出信号を本発明の場合(第4a,4b
図)と対比して示す。
最初の状態で回転中心のウエハ6の切欠き6a
をリニアイメージセンサCθが検出し回転を停止
させるが、その際のリニアイメージセンサCθの
応答、処理時間を短縮してスループツトを向上さ
せるためアナログ光電変換素子Pを使用してウエ
ハ6を高速回転させリニアイメージセンサCθの
位置で停止させるようにしてもよい。
をリニアイメージセンサCθが検出し回転を停止
させるが、その際のリニアイメージセンサCθの
応答、処理時間を短縮してスループツトを向上さ
せるためアナログ光電変換素子Pを使用してウエ
ハ6を高速回転させリニアイメージセンサCθの
位置で停止させるようにしてもよい。
また偏心を修正した後のウエハ6をリニアイメ
ージセンサCa〜Cdにより計測してウエハ6の半
径を測定することもできる。この半径測定は次の
ように利用することができる。例えば本装置を使
用しないで他のウエハ位置決め装置により位置決
めされ露光工程を経たウエハは異なる位置決め基
準により焼付けされているが、このウエハを本装
置で位置決めする場合に、計測された半径情報に
基づいて位置決め基準の隔りを演算し、回転台8
の下に設置したXステージ9およびYステージ1
0を必要量だけ位置修正することにより、位置決
め基準の異なる装置との混合使用を可能とさせる
のである。また偏心を検出するリニアイメージセ
ンサCa〜Cdはデジタル出力でなくアナログ出力
の光電変換素子でもよく、実施例では4個のリニ
アイメージセンサを使用したが1個のリニアイメ
ージセンサでX方向の偏位を検出しその後、ウエ
ハを90°回転させてY方向の偏位を検出するよう
にしてもよい。またリニアイメージセンサに二次
元イメージセンサを使用して偏心量の検出と切欠
きの検出とに併用することもできる。
ージセンサCa〜Cdにより計測してウエハ6の半
径を測定することもできる。この半径測定は次の
ように利用することができる。例えば本装置を使
用しないで他のウエハ位置決め装置により位置決
めされ露光工程を経たウエハは異なる位置決め基
準により焼付けされているが、このウエハを本装
置で位置決めする場合に、計測された半径情報に
基づいて位置決め基準の隔りを演算し、回転台8
の下に設置したXステージ9およびYステージ1
0を必要量だけ位置修正することにより、位置決
め基準の異なる装置との混合使用を可能とさせる
のである。また偏心を検出するリニアイメージセ
ンサCa〜Cdはデジタル出力でなくアナログ出力
の光電変換素子でもよく、実施例では4個のリニ
アイメージセンサを使用したが1個のリニアイメ
ージセンサでX方向の偏位を検出しその後、ウエ
ハを90°回転させてY方向の偏位を検出するよう
にしてもよい。またリニアイメージセンサに二次
元イメージセンサを使用して偏心量の検出と切欠
きの検出とに併用することもできる。
以上のように、本実施例ではリニアイメージセ
ンサのデジタル出力に基づいて検出するので、光
源の光量の経時変化による影響を受けず、またウ
エハとリニアイメージセンサの間にレンズを挿入
してウエハの像を拡大すれば検出精度を更に向上
させることもできる。
ンサのデジタル出力に基づいて検出するので、光
源の光量の経時変化による影響を受けず、またウ
エハとリニアイメージセンサの間にレンズを挿入
してウエハの像を拡大すれば検出精度を更に向上
させることもできる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば所定の回
転中心に非接触で精度良く円形板状物体例えばウ
エハの角度位置決めすることができる。
転中心に非接触で精度良く円形板状物体例えばウ
エハの角度位置決めすることができる。
さらに、従来の位置決め装置のように切欠きの
検出をウエハの回転中に行なつてその信号に基づ
いてウエハの回転を所定量回して停止するのでな
く、ウエハの静止した状態で切欠きの位置を検出
するため高精度の位置決めが可能となる。また角
度修正後も常にウエハの位置にずれがないかを確
認する機能も有している。また、本発明の円形板
状物体の角度位置決め装置は、微少切欠きが異形
な場合でも正確に角度位置決めすることができ
る。
検出をウエハの回転中に行なつてその信号に基づ
いてウエハの回転を所定量回して停止するのでな
く、ウエハの静止した状態で切欠きの位置を検出
するため高精度の位置決めが可能となる。また角
度修正後も常にウエハの位置にずれがないかを確
認する機能も有している。また、本発明の円形板
状物体の角度位置決め装置は、微少切欠きが異形
な場合でも正確に角度位置決めすることができ
る。
第1〜3図は、本発明の円形板状物体の角度位
置決め装置の実施例を示す、それぞれ斜視図、平
面図および側面図、第4図は、本発明の実施例に
おける、微小切欠きの位置と切欠き検出信号との
関係を示す模式図、第5図は、本発明の実施例に
おいてウエハの偏心を検出する様子を示す図、第
6図は、本発明の実施例の動作を説明するフロー
チヤート、第7および8図は、従来のウエハ位置
決め装置の斜視図および平面図、そして第9図
は、従来のウエハ位置決め装置におけるオリエン
テーシヨンフラツトの検出信号を示す模式図であ
る。 図中、6……ウエハ、6a……微少切欠、Ca,
Cb,Cc,Cd,Cθ……リニアイメージセンサ、7
……載置台、8……回転台、La,Lb,Lc,Ld,
Lθ,Lp……光源、9,10……Xステージ、Y
ステージ、P……アナログ光電変換素子。
置決め装置の実施例を示す、それぞれ斜視図、平
面図および側面図、第4図は、本発明の実施例に
おける、微小切欠きの位置と切欠き検出信号との
関係を示す模式図、第5図は、本発明の実施例に
おいてウエハの偏心を検出する様子を示す図、第
6図は、本発明の実施例の動作を説明するフロー
チヤート、第7および8図は、従来のウエハ位置
決め装置の斜視図および平面図、そして第9図
は、従来のウエハ位置決め装置におけるオリエン
テーシヨンフラツトの検出信号を示す模式図であ
る。 図中、6……ウエハ、6a……微少切欠、Ca,
Cb,Cc,Cd,Cθ……リニアイメージセンサ、7
……載置台、8……回転台、La,Lb,Lc,Ld,
Lθ,Lp……光源、9,10……Xステージ、Y
ステージ、P……アナログ光電変換素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 周辺の一部に実質的にV字状の微小切欠きを
有するする円形板状物体を保持して回転させる回
転台と、前記回転台に保持された前記物体の周辺
付近に存在し、前記回転台に保持された前記物体
の半径方向に所定の幅を有する第1センサと、前
記回転台に保持された前記物体の周辺付近で前記
第1センサと異なる位置に存在し、前記回転台に
保持された前記物体の接線方向に実質平行に並ん
でいる複数の検出画素を有する第2センサを有
し、前記物体を前記回転台により回転させながら
前記第1センサで前記微小切欠きを光電検出する
ことにより、前記微小切欠きが前記第2センサの
付近となるように前記回転台の回転を制御した
後、前記第2センサで前記微小切欠きを通過して
きた光を光電検出し、前記微小切欠きを通過して
きた光の中心を前記第2センサの各検出画素の出
力を利用して求めることにより、前記回転台によ
る前記微小切欠きの回転方向における位置決めを
行なうことを特徴とする位置決め装置。 2 前記第2センサがリニアイメージセンサであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
位置決め装置。 3 前記リニアイメージセンサの所定画素に前記
微小切欠きを通過してきた光の中心が一致するよ
うに前記微小切欠きの回転方向における位置決め
を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の位置決め装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396985A JPS6245039A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 円形板状物体の角度位置決め装置 |
US07/222,297 US4887904A (en) | 1985-08-23 | 1988-07-22 | Device for positioning a semi-conductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396985A JPS6245039A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 円形板状物体の角度位置決め装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6245039A JPS6245039A (ja) | 1987-02-27 |
JPH0530304B2 true JPH0530304B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=16144990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18396985A Granted JPS6245039A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 円形板状物体の角度位置決め装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6245039A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2729297B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1998-03-18 | 株式会社ダイヘン | 半導体ウエハのセンタ合せ装置 |
JP3009243B2 (ja) * | 1991-04-18 | 2000-02-14 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | Vノッチウエハの位置決め機構 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57198642A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Wafer position detection device |
JPS5818713A (ja) * | 1981-07-25 | 1983-02-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 円板物体の位置決め装置 |
JPS5864043A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 円板形状体の位置決め装置 |
JPS5946029A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Hitachi Ltd | ウエハのプリアライメント装置 |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18396985A patent/JPS6245039A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57198642A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Wafer position detection device |
JPS5818713A (ja) * | 1981-07-25 | 1983-02-03 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 円板物体の位置決め装置 |
JPS5864043A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 円板形状体の位置決め装置 |
JPS5946029A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Hitachi Ltd | ウエハのプリアライメント装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6245039A (ja) | 1987-02-27 |
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