JPS6294952A - 円板物体の位置決め装置 - Google Patents

円板物体の位置決め装置

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JPS6294952A
JPS6294952A JP23450785A JP23450785A JPS6294952A JP S6294952 A JPS6294952 A JP S6294952A JP 23450785 A JP23450785 A JP 23450785A JP 23450785 A JP23450785 A JP 23450785A JP S6294952 A JPS6294952 A JP S6294952A
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JP
Japan
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wafer
notch
photoelectric
positioning
disc
Prior art date
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Pending
Application number
JP23450785A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Matsumura
松村 尊
Takahiro Akamatsu
赤松 孝弘
Hiroshi Nakazato
博 中里
Kenji Fukui
健司 福井
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS6294952A publication Critical patent/JPS6294952A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野1 本発明は、シリコンウェハ等の円板状物体の微小切欠き
を検出することによりこの円板状物体を所定の向きに位
置決めする装置に関する。本発明は、特に、マスクアラ
イナ等の露光装置やウエハブローバ等の測定装置、検査
装置等に対してシリコンウェハをa置する際に使用する
位置決め装置に適用して好適なものである。
[従来技術1 従来、この種の装置は、ウェハの周囲の一部に設けられ
た切欠きを用いて位置決めを行なうように構成されてい
る。通常、この切欠きは円板状のウェハの周囲を直線状
に切欠いたもので、オリエンテーションフラット(以下
、オリフラという)と呼ばれている。
オリフラを用いて位置決めする一例として、特開昭58
−18713号「円板物体の位置決め装置」に光電素子
を用いてウェハ端部変化を求め、その微分値によりオリ
フラの中心を求め、位置決めを行なう装置が示されてい
る。また、特開昭57−198642号[ウェハ位置検
出装置」には光電素子によって各回転位置でのウェハ端
部位置を比較し、回転位置変化に対するウェハ端部位置
の極値を求めることによってウェハ位置を検出する装置
が示されている。
ところが、最近ウェハの口径が大きくなるに従い、オリ
フラに加えて微小切欠き(以下、ノツチと呼ぶ)をもっ
たウェハが出てきた。このノツチ(よ、オリフラととも
にウェハに備えられることが多い。第8図は、オリフラ
およびノツチを有するウェハの平面図を示す。同図にお
いて、21はウェハ、22はノツチ、23はオリフラで
ある。その場合、上記の二側の公知例に係る装置では、
ノツチとオリフラを区別することができずノツチ部での
位置決めをすることは困難である。
また、第9図に示すように、両側にフォトディテクタ2
5を備えたビン24をウェハ21に押しつけなからウェ
ハ21を回転し、ノツチにビン24が入って両方のフォ
トディテクタが同時に遮光されたとき、それを検出して
位置決めを行なう装置もある。しかし、この場合には、
ビン24および26を常に接触させなからウェハ21を
回転する必要があるため、ウェハ21に強い外力が加わ
ることとなる。従って、ウェハを破損しやすく、また高
速にウェハを回転することができないため位置決めに時
間がかかるという欠点があった。
[発明の目的] 本発明は、上述従来形の問題点に鑑み、ノツチを備えそ
の外径が多種であるウェハ等の円板状物体において、ノ
ツチ部での位置決めを行なうことができ、その際、ウェ
ハに加わる外力をなくしウェハを破損することがなく、
さらに高速に位置決めを行なうことが可能な円板物体の
位置決め装置を提供することを目的とする。また、ノツ
チとオリフラの両者を備えたウェハ等の円板状物体の位
置決めにおいては、ノツチとオリフラの両者を正確に区
別して、ノツチ部での位置決めを行なうことができる円
板物体の位置決め装置を提供することを目的とする。
[実施例の説明」 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る円板物体の位置決め
装置の側面図を示す。第2図および第3図は、それぞれ
第1図の装置の斜視図および上面図を示づ”。第1〜3
図において、1はノツチ2を有するウェハである。この
ウェハ1は第1図に示すように吸着溝3を有する載置台
4に吸着支持され、ざらに載置台4はXY方向に動き得
るステージ5に吸着溝6によって吸着支持されている。
また、ステージ5は回転台7上に設置されている。
8.9は、ステージ5の中心とウェハ1の偏心を検出す
る光電素子であり、第3図のように各々ウェハ1の直径
方向に配置する。また、10.11は、これらの光電素
子に照射する光源であり、ウェハ1の下方に配置する。
次に、本実施例の動作を位置決めの手順に従い説明する
。まず、ステージ5の上に吸着支持された載置台4の上
面にウェハ1を吸着させ、光電素子8,9の信号から光
電素子方向の偏心量ΔXを求める。次に、回転台7を9
0°回転させ光電素子8と9の信号から偏心量Δyを求
める。そこで、ステージ5を(ΔX、Δy)だけ移動し
、ウェハ1の中心と光電素子8と9の中心を一致させる
ここで、充電素子8,9の中心というのは、これら光電
素子8.9の丁度中間となる点のことである。
次に、回転台7を回転させながら光電素子8および9か
ら信号を検出する。それらの信号の波形を各々第5図お
よび第6図に示す。従来、光電素子は1つしかないので
、そのときの出力信号はこのうちの片方のみ、例えば第
5図の太実線のグラフに示すようなもののみとなる。そ
こで、ノツチ部を検出するとぎは、予め第5図の細実線
のようなスライスレベルに対応するスライス電圧を設定
し、これにより光電素子の出力信号の2値化を行なう。
ところが、ウェハの外径は一種類とは限らないので、ウ
ェハの外径差により出力電圧に差がでてくる(第5図点
線で示した波形)。すると、2値化不可となりノツチの
検出が不能となってしまう。ここで、ウェハ毎にスライ
ス電圧を変えるのは実用的でない。また、信号をローパ
スフィルタに通し、スライス電圧とし2値化する方法も
あるが、位相遅れのない2値化は困難である。
そこで、本実施例では光電素子を第1,3図に示すよう
に2ヶ設け、照明光源10.11の明るさを同じにして
、光電素子8,9の受光面積に比例した出力電流が得ら
れるようにしている。
光電素子9から得られる出力電流をib  (第6図)
とし、受光面全域に光が照射された場合の光電素子9の
出力電流をi丁とすると、遮光された部分に等しい面積
に照射された場合の出力電流はIT−1b・・・・・・
(1) である。光電素子8から得られる出力電流を18(第5
図太実線)とし、1aと1T−ibの和をKとすると、 ia+(iニー1b)=K・・・・・ (2)である。
第7図は、このKを表すグラフである。
ここで、始めにia = ibとなるようにすなわちウ
ェハ1の中心と光電素子8,9の中心とが一致するよう
にステージ5が駆動されているため、ノツチやオリフラ
が充電素子8,9に掛っていなければ(2)式は 1r=K・・・・・・(3) となる。
従って、ウェハのオリフラまたはノツチ部以外の外形(
外周部)が光電素子8と9に掛っている場合、(2)式
のKの値すなわち一方の光電素子8の出力iaと他方の
光電素子9の出力を受光面全体に光を照射したときの出
力から引いた値IT−ibとの和はウェハの外径によら
ず一定である。
一方、オリフラまたはノツチ部が光電素子8または9に
かかった場合は1aまたはibが大きく変化するので、
第7図に示す信号を一定スライス電圧で2Iii化しオ
リフラまたはノツチを検出し、2値化信号の中心を求め
ることにより精度良く位置決めが可能である。この場合
、ウェハの外径によりスライスレベルは変更する必要が
ない。
第4図は、第1図の製画の回路ブロック図を示す。同図
において、12.13は光電素子8および9からの出力
の増幅等を行なう光電変換ブロック、14は光電変換ブ
ロック12および13の出力を演算して出力するブロッ
クである。この演算ブロック14により上述したような
演算が行なわれる。15はスライス電圧16を使用して
演算ブロック14の出力を2値化するための比較ブロッ
ク、17は2値化された結果のパルスの中心に対応する
円板物体上の位置を所定箇所に合せるための円板物体の
駆動量を算出して駆動ブロック18に指令をするブロッ
クである。
本実施例によれば、従来1つの光電素子にて光量変化を
検出しウェハ外形の変化も含め信号検出を行ない、電気
的な処理にてノツチ部を検出する方式に比較して、光電
素子を1つ追加し演算回路を追加するだけで、以後の電
気的処理が容易になりウェハを所定箇所にウェハ外径差
の影響を受けず、非接触で精度良く位置決めできる。
また、2@化の結果のパルスの巾により、ノツチかオリ
フラかを正確に区別することができる。
なお、本実施例では光電素子としてシリコンフォトディ
テクタを使用し、光量に応じた出力電流を検出しウェハ
外形変化を検出しているが、シリコンフォトディテクタ
の代わりにCOD素子等を使い、ディジタル的に変化を
検出し位置決めを行なうことも可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、複数の光電素子
の出力から演算して、外径の異なる円板物体に対しても
同一レベルの信号を出力するようにしているので、ノツ
チを備えその外径が多種であるウェハ等の円板状物体に
おいて、ノツチ部での位置決めを行なうことができ、そ
の際、ウェハに加わる外力をなくしウェハを破損するこ
とがなく、さらに高速に位置決めを行なうことが可能で
ある。
また、ノツチとオリフラの両者を備えたウェハ等の円板
状物体の位置決めにおいては、ノツチとオリフラの両者
を正確に区別して、ノツチ部での位置決めを行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る位置決め装置の側面
図、 第2図は、上記実施例の装置の斜視図、第3図は、上記
実施例の装置の上面図、第4図は、上記実施例の装置の
回路ブロック図、第5図は、一方の光電素子から得られ
る出力信号を示すグラフ、 第6図は、もう一方の光電素子から得られる出力信号を
示すグラフ、 第7図は、第5.6図の信号から演算した出力信号を示
すグラフ、 第8図は、オリフラおよびノツチを有するシリコンウェ
ハの平面図、 第9図は、ビン押付は方式にてノツチ部を検出する様子
を示す平面図である。 1.21:シリコンウェハ、2,22:ノツチ、3.6
:吸着溝、4:載置台、5:XYステージ、7:回転台
、  8,9:光電素子、 10.11:照明光源、 14:演算ブロック、15:
比較ブロック、 16:スライス電圧設定器、17:パ
ルス中央検出ブロック、18:駆動ブロック。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  周囲の一部に微小切欠きを設けた円板物体を回転する
    手段と、 該円板物体を回転した際に該円板物体の端部の形状の変
    化を検出する複数対の照明光源および光電素子と、 複数の該光電素子の出力を入力とし、外径の相違する円
    板状物体に対してその相違を相殺して同一レベルの信号
    を出力する演算手段と、 該演算手段の出力を2値化する手段と、 該2値化手段により得られたパルスの中心に対応する円
    板物体上の位置を所定箇所に合せて該円板物体を停止さ
    せる回転制御手段と を具備することを特徴とする円板物体の位置決め装置。
JP23450785A 1985-10-22 1985-10-22 円板物体の位置決め装置 Pending JPS6294952A (ja)

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