JPH0645226A - 位置決め装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents

位置決め装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法

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JPH0645226A
JPH0645226A JP21816992A JP21816992A JPH0645226A JP H0645226 A JPH0645226 A JP H0645226A JP 21816992 A JP21816992 A JP 21816992A JP 21816992 A JP21816992 A JP 21816992A JP H0645226 A JPH0645226 A JP H0645226A
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JP
Japan
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wafer
notch
linear image
image sensor
positioning
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JP21816992A
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English (en)
Inventor
Takahiro Akamatsu
孝弘 赤松
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハを所定位置と所定方向に精度良く、か
つ迅速にプリアライメントすることができる位置決め装
置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。 【構成】 円周の一部に切欠き部を有したウエハを駆動
可動な基板上に載置し、該ウエハに対して少なくとも3
つの検出部を設けて該ウエハの位置決めを行う際、該3
つの検出部の受光素子は各々リニアイメージセンサより
成り、該3つの検出部のうち第1の検出部のリニアイメ
ージセンサは該ウエハの接線方向に設けており、第2と
第3の検出部のリニアイメージセンサは該ウエハの半径
方向に設けられており、これらの各検出部からの出力信
号を利用して駆動手段により該基板を駆動させて行って
いること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造装置又
は検査装置等におけるウエハ等の円形状物体の位置決め
装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法に関し、特
にウエハの周辺に設けた切欠き部(ノッチ部)と端部の
位置情報を利用してウェハを所定位置に高精度に位置決
めすることができるものである。
【0002】
【従来の技術】従来より半導体素子の製造装置における
ウェハの露光転写工程においてウェハを所定の位置に位
置決めする位置決め装置は種々と提案されている。
【0003】一般にウエハをウエハチャック上の所定位
置に配置(位置決め)する際、予めウエハを所定位置と
所定方向に粗い精度で位置決めする、所謂プリアライメ
ントを行い、その後高精度の位置決めを行っている。
【0004】このときのプリアライメントは多くの場
合、ウエハの周囲の一部に設けた切欠き部を利用して行
っている。切欠き部としてはウエハの周囲の一部を直線
状に切欠いたオリエンテーションフラットと3角形状に
切欠いたノッチと呼ばれるものがある。最近の8インチ
ウエハを対象とした位置決め装置ではノッチが多く用い
られている。
【0005】尚、ウエハとしては、その材質に不透明な
シリコンを用いたシリコンウエハや透明なガラスを用い
たガラスウエハ等がある。
【0006】ノッチを利用したウエハの位置決め方法と
しては、ノッチを接触しながら行う機械的方法と非接触
的方法とがある。最近は非接触的方法が多く用いられて
いる。
【0007】図10、図11は従来の非接触的方法を利
用したウエハの位置決め装置の要部概略図である。
【0008】図中ウエハ1はウエハチャック3に真空吸
着され回転可能となっている。ノッチ位置決めリニアイ
メージセンサ5と端部位置決めフォトディテクタ8,9
は、図11に示されるように発光ダイオード11(11
a,11b,11c)によりウエハ1の端部を介して照
光されている。尚、ノッチ粗検知フォトディテクタ10
も同様に照明されている。
【0009】ウエハ1の端部が発光ダイオード11の光
路を遮光するとノッチ位置決めリニアイメージセンサ5
からの画素出力が変化する。同様に端部に端部位置決め
フォトディテクタ8,9、およびノッチ粗検知フォトデ
ィテクタ10の出力も同様に変化する。
【0010】同図ではまず、ウエハ1をウエハチャック
3に真空吸着して回転する。その際、ノッチ粗検知フォ
トディテクタ10の出力変化により、ノッチ2がノッチ
粗検知フォトディテクタ10を通過したことを検知する
(これをノッチ粗検知という)。その後ウエハチャック
3を45度回転して停止すると、ノッチ2はノッチ位置
決めリニアイメージセンサ5の中心付近に位置する。
【0011】次にノッチ2の中心をノッチ位置決めリニ
アイメージセンサ5上の位置決め目標位置に合わせる為
に、ノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の画素デー
タの読み出しをおこなう。画素データの読み出しは1画
素から始まってn画素まで順に読み出しをおこなう。こ
の時、リニアイメージセンサ5の各画素データ(センサ
ー出力)とノッチ2の位置関係を図8に示す。
【0012】図8に示すように1画素方向から読み出し
を開始後、n画素まで読み、最初の立上がりエッジの画
素番号をLnとし、次に検知した立ち上がりエッジの画
素番号をRnとすると、ノッチ2の中心位置の画素番号
Cnは次式で与えられる。
【0013】 Cn=(Ln+Rn)/2・・・・・・・・・・・・・(1) ノッチ2を位置決めするリニアイメージセンサ5上の目
標画素番号をOnとすると、補正すべきノッチ2の中心
Cnと位置決め目標画素番号Onとのずれ量Dnは Dn=On−Cn ・・・・・・・・・・・・(2) となる。
【0014】このずれ量Dnだけウエハチャック3を回
転し補正すればノッチ2の中心Cnをノッチ位置決めリ
ニアイメージセンサ5上の位置決め目標位置Onとが一
致する。
【0015】次にウエハ1の端部位置決めフォトディテ
クタ(右)8および端部位置決めフォトディテクタ
(左)9の出力があらかじめ決められた値(目標値)と
なるようにウエハチャック3を保持するXY移動ステー
ジ4をX,Y方向に駆動する。
【0016】このときのXY移動ステージ4のXY駆動
によりノッチ2の中心Cnが位置決め目標値Onとずれ
た場合は、再びずれ量Dnを求め、ウエハチャック3を
回転し補正する。このようにウエハチャック3の回転補
正と、XY移動ステージ4のXY駆動をくり返すことに
より、ウエハ1をノッチ2を基準として、定位置及び定
方向に位置決めしている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】従来の位置決め装置で
はノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の画素の読み
出しを、1画素方向から順におこなって、n画素まで読
み最初の立上がりエッジと次の立下がりエッジの画素番
号よりノッチ2の中心位置を求めている。またXY方向
の位置決め用に、端部位置決めフォトディテクタ8,9
の光路をウエハ1が遮光する光量によってウエハ1の端
部位置を求めている。さらにノッチ粗検知フォトディテ
クタ10の光路をノッチ2がよぎる時のノッチ粗検知フ
ォトディテクタ10の出力変化によってノッチの通過を
検知している。
【0018】従来の位置決め装置ではこのような方法に
よりウエハ端部の位置検知を行っている為に次のような
欠点があった。
【0019】(1−イ)ガラスウエハのように光を透過
するウエハを用いた場合、発光ダイオード11の光路を
完全に遮光することができない。この為、端部位置決め
フォトディテクタ8,9による端部位置検知およびノッ
チ粗検知フォトディテクタ10によるノッチ通過検知が
できず、プリアライメントが困難になってくる。
【0020】(1−ロ)同様に、ガラスウエハのように
光を透過するウエハを用いた場合、発光ダイオード11
の光路を完全に遮光することができない。この為ノッチ
位置決めリニアイメージセンサ5の画素出力は、例えば
図9に示すようになり、1画素方向から順に読み出し
て、最初の立ち上がりエッジと次の立ち下がりエッジの
画素番号からノッチ中心を求めることが出来なくなって
くる。
【0021】(1−ハ)ノッチ粗検知フォトディテクタ
10の検知範囲は、ウエハ1がウエハキャック3上に吸
着されたときのチャック中心とウエハ中心のずれによる
偏心があってもウエハ1の端部が必ずノッチ粗検知フォ
トディテクタ10の検知範囲内となるように十分に広く
とる必要がある。また反対に、端部位置決めフォトディ
テクタ8,9は発光ダイオード11の照度ムラの変化に
よる検知位置ずれを小さくする為には、検知範囲は狭い
方が良い。したがって、ノッチ粗検知フォトディテクタ
10と端部位置決めフォトディテクタ8,9の内のいず
れか1つを兼用することができず、ディテクタの数が増
えてしまう。
【0022】(1−ニ)ウエハ1の端部がざらついてい
る場合やキズがあった場合、図12に示すように光束の
遮光が不十分となり、正確なノッチ中心位置を求めるこ
とができない。
【0023】本発明はシリコンやガラス等のウエハの材
質によらず、またウエハの外周部のキズ等のよらず、簡
易な構成によりウエハ等の基板を所定位置に高精度にか
つ迅速に位置決めすることができる位置決め装置及びそ
れを用いた半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明の位置決め装置
は、円周の一部に切欠き部を有したウエハを駆動可能な
基板上に載置し、発光素子と受光素子とを有した検出部
を該ウエハに対して少なくとも3つ設け、該3つの検出
部からの信号を利用して該ウエハの位置決めを行う際、
該3つの検出部の受光素子は各々リニアイメージセンサ
より成り、該3つの検出部のうち第1の検出部のリニア
イメージセンサは該ウエハの接線方向に設けており、第
2と第3の検出部のリニアイメージセンサは該ウエハの
半径方向に設けられており、これらの各検出部からの出
力信号を利用して駆動手段により該基板を駆動させて行
っていることを特徴としている。
【0025】特に(2−イ)前記第1の検出部は前記ウ
エハの切欠き部の位置を検出しており、前記第2、第3
検出部は該ウエハの端部の位置を検出していること、
(2−ロ)前記3つの検出部のうち1つの検出部をウエ
ハの切欠き位置検出とウエハの端部位置検出に兼用して
いること、(2−ハ)前記第2、第3の検出部のリニア
イメージセンサはウエハの外側から内側に向かって画素
の読取りを行い、前記第1の検出部のリニアイメージセ
ンサはその中心画素から左右方向に画素の読取りを行っ
ていること、(2−ニ)前記駆動手段はウエハの切欠き
の中心位置決めをウエハ回転駆動により、ウエハの切欠
き部の位置決めをウエハのY方向駆動により、ウエハの
端部の位置決めをウエハのX方向駆動により行っている
こと、(2−ホ)前記1つの検出部によってウエハの切
欠き部を求める動作中において、該検出部のリニアイメ
ージセンサの読み出し画素が、前回の画素の読み出し位
置から画素の位置データ取込みサンプリング時間中に移
動する最大のウエハ端部の移動量の予想値より外側の画
素となるようにしたこと、等を特徴としている。
【0026】又、本発明の半導体素子の製造方法として
は、円周の一部に切欠き部を有したウエハを駆動可能な
基板上に載置し、発光素子と受光素子とを有した検出部
を該ウエハに対して少なくとも3つ設け、該3つの検出
部からの信号を利用して該ウエハの位置決めを行った後
に、マスク面上のパターンを該ウエハ面上のフォトレジ
ストに転写し、露光現像して半導体素子を製造する際、
該3つの検出部の受光素子は各々リニアイメージセンサ
より成り、該3つの検出部のうち第1の検出部のリニア
イメージセンサは該ウエハの接線方向に設けており、第
2と第3の検出部のリニアイメージセンサは該ウエハの
半径方向に設けられており、これらの各検出部からの出
力信号を利用して駆動手段により該基板を駆動させて該
ウエハの位置決めを行っていることを特徴としている。
【0027】
【実施例】図1、図2は本発明の位置決め装置の実施例
1の要部平面図と要部断面図である。図3は実施例1の
信号処理系の要部ブロック図である。
【0028】図中1は位置決め物体としてのウエハで、
例えばガラス材より成るガラスウエハより成り、その円
周上の一部には位置決め基準となるノッチ2が設けてあ
る。3はウエハチャックであり、ウエハ1を載置し、真
空吸着している。4はXY移動ステージであり、ウエハ
チャック3を搭載してXY軸方向に移動可能となってい
る。
【0029】5は第1の検出部としてのノッチ位置決め
リニアイメージセンサ(受光素子)であり、ウエハ1の
接線方向に設けており、ノッチ2の接線方向の位置検出
を行っている。6,7は各々第2、第3の検出部として
の端部位置決めリニアイメージセンサ(受光素子)であ
り、ウエハ1の半径方向に設けており、ウエハ1の端部
の位置検出を行っている。
【0030】11(11a,11b,11c)は発光素
子としての発光ダイオード(LED)であり、ウエハ1
の周辺部に各々検出部(5,6,7)と対向配置してい
る。LED11(11a,11b,11c)からの光束
のうちウエハ1のノッチ2又は端部を通過した光束を検
出部(5,6,7)で受光するようにしている。
【0031】12(12a,12b,12c)はA/D
コンバータであり、リニアイメージセンサ(5,6,
7)からの出力信号をA/D変換している。13は制御
回路であり、リニアイメージセンサ(5,6,7)から
の出力信号に基づいてXモータ14、Yモータ15、θ
モータ16を各々駆動制御している。このうちXモータ
14はXY移動ステージ4のX方向の移動を行い、Yモ
ータ15はXY移動ステージ4のY方向の移動を行い、
θモータ16はXY移動ステージ4の回転駆動を行って
いる。
【0032】次に、本実施例におけるウエハ1のプリア
ライメントの動作について説明する。
【0033】まず、ウエハ1をウエハチャック3に搬入
後、ウエハチャック3に真空吸着し、固定している。次
にウエハ1の端部位置決めリニアイメージセンサ6から
の出力信号をA/Dコンバータ12でA/D変換し、制
御回路13によりウエハ1の端部の検出を行っている。
このときの端部の検出原理を図4を用いて説明する。
【0034】図4に示すようにガラスウエハ1の外周は
面取りが行なわれており、この面取り部1aに光束が入
射すると、入射光は散乱される。そうすると、発光素子
と対向配置したリニアイメージセンサ6上の面取り部1
aに相当する領域6aへの入射光量は減少し、その領域
は暗くなる。このときのリニアイメージセンサ6からの
出力信号は少なくなり、このときの信号を用いて端部の
検出を行っている。
【0035】ウエハ1としてガラスウエハの場合、図5
に示すようにウエハ1上に形成した回路パターンによる
立下り、立上りエッジEBがリニアイメージセンサ6上
にあらわれる。この為ウエハ1の内側から外側に向って
立上りエッジの検出を行うと、同図に示すように立下り
と立上りが位置EBで生じ、このときの立下がりエッジ
EBをウエハ1の端部として誤検知してしまう。
【0036】そこで本実施例ではウエハ1の端部の立下
りエッジの検出はウエハ1の外側から内側に向かって行
っている。このとき図5に示すように、画素の明暗より
立下りエッジEAを検出し、そのときのリニアイメージ
センサ6の画素番号をSEAとして、ここをウエハ1の
端部位置としている。
【0037】尚、ウエハとして光を透過しないシリコン
ウエハを用いた場合には図6に示すようにウエハ1の外
側から内側へ向って立下りエッジを検出しても又は内側
から外側に向かって立上りエッジを検出しても良く、ウ
エハ1の端部位置を正確に求めることができる。
【0038】本実施例では、以上のようにしてウエハ1
の端部の位置SEAを、例えばウエハチャック3を0.
5度回転させる毎に求め、1回転で合計720点で、ウ
エハの端部の位置データを得ている。
【0039】本実施例ではウエハ1の端部に相当するリ
ニアイメージセンサ6の画素番号をリニアイメージセン
サの出力データを外側から内側に向ってスキャンして、
立下りエッジを検出して求めているが、この時1画素か
ら開始せずに、前回のウエハ端部画素番号よりウエハチ
ャックが0.5°回転した時に予想されるウエハの端部
の最大変化量を差引いた画素番号より内側(n画素)に
向って立下りエッジ検出を開始するようにしている。こ
れによりウエハの端部位置検出時間の短縮化を図ってい
る。
【0040】図7にこのようにして得たウエハ1の端部
の位置データの概略図を示す。
【0041】本実施例では端部位置決めリニアイメージ
センサ6からの出力信号をウエハ1のノッチの位置決め
に利用している。即ちリニアイメージセンサ6からのデ
ータよりノッチ2とノッチ位置決めリニアイメージセン
サ5の中心とのずれ角と、ウエハチャック3とウエハ1
の偏芯量を求め、XY移動ステージ4で、偏芯量を補正
しつつ、ウエハチャック3を回転し、図8に示すように
ノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の中心Onにノ
ッチ2の中心Cnが位置するように駆動している。図8
はウエハ1としてシリコンウエハを用いた場合を示して
いる。
【0042】この後、ウエハ1の高精度の位置決めを実
行する。高精度の位置決めの手順を以下に述べる。
【0043】まず、図9に示すようにノッチ2の中心C
nをノッチ位置決めリニアイメージセンサ5上の位置決
め目標画素番号(図9の点On)と一致させるようにす
るために、ノッチ2の中心画素番号Cnを求める。図9
はウエハ1としてガラスウエハを用いたときを示してい
る。ノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の出力を位
置決め目標画素番号Onより1画素方向に向って立下り
エッジの検知をおこない、最初に検知された立下りエッ
ジの画素番号をLnとする。
【0044】次に点Onよりn画素方向に向って立下り
エッジの検知をおこない、最初に検知された立下りエッ
ジ信号に相当する画素番号をRnとする。ノッチ2の中
心の画素番号Cnは前述の(1)式によって求めてい
る。補正すべきノッチ2の中心Cnと位置決め目標画素
番号Onとのずれ量Dnは前述の(2)式により求めて
いる。
【0045】ノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の
1画素の長さをG(mm)とすれば、実際のノッチ中心
Cnと位置決め目標値Onとのずれ量Dn′は Dn′=Dn×G(mm)・・・・・・・・・・・・(3) となる。
【0046】通常この値はウエハ1の半径と比較して十
分に小さいので、補正すべきウエハチャック3の回転方
向の駆動量θdは、ウエハ1の半径をRwとして
【0047】
【数1】 と、求められる。この駆動量θdだけθモータ16によ
りウエハチャック3を回転駆動させてノッチ2の中心C
nと位置決め目標値Onとを一致させている。
【0048】次にノッチ2のノッチ位置決めリニアイメ
ージセンサ5上の幅Wnをノッチ幅目標値と一致させる
ようにウエハチャック3の駆動をおこなう。
【0049】前記の手順で求めた立下りエッジ信号に相
当する画素番号Ln,Rnよりノッチ幅画素数Wnを Wn=Rn−Ln ・・・・・・・・・・・・・・・(5) により求める。
【0050】ノッチ位置決めリニアイメージセンサ5の
1画素をG(mm)とすれば、実際のノッチ幅Wn′は Wn′=Wn×G(mm) ・・・・・・・・・・・(6) となる。
【0051】したがって、位置合わせすべきノッチ幅目
標値をWnoとすると、補正すべきXY移動ステージ4
のY方向の駆動量Ydは Yd=(Wn′−Wno)/2(mm)・・・・・・(7) となる。
【0052】この移動量YdだけYモータ15によりX
Y移動ステージ4のYステージを駆動してノッチ幅を目
標値と一致させている。
【0053】次に端部位置決めリニアイメージセンサ6
と端部位置決めリニアイメージセンサ7によって各々の
ウエハ端部の画素番号を求める。リニアイメージセンサ
6,7からの出力信号をウエハ外側から内側方向に向っ
て立下りエッジを検出し、最初に検出された立下りエッ
ジをそれぞれウエハの端部の画素番号Re,Leとす
る。
【0054】端面位置決めリニアイメージセンサ6のウ
エハ端部の位置決め目標画素番号をReo、端部位置決
めリニアイメージセンサ7のウエハ端部の位置決め目標
画素番号をLeoとしたとき Leo−Le=Reo−Re・・・・・・・・・・・(8) となるようにXY移動ステージ4のXステージをXモー
タ14によって駆動しウエハ端部の位置合わせを行って
いる。
【0055】前記ノッチ中心位置合わせ駆動、ノッチ幅
合わせ駆動、ウエハ端部位置合わせ駆動の一連の動作
を、すべての値が目標値に対する所定の許容値内に入る
まで繰り返し、これによりノッチ2を基準として、所定
の位置と方向にウエハ1の位置合わせを行っている。
【0056】このようにしてウエハ1のプリアライメン
トが終了したら、今度はマスク又はレチクル(いずれも
不図示)との高精度のアライメントを公知の方法により
行い、その後マスク又はレチクル面上の電子回路パター
ンをウエハ上のフォトレジストに転写し、その後、公知
の現像処理工程を経て半導体素子を製造している。
【0057】尚、本発明において3個のリニアイメージ
センサの配置を変更すれば、オリフラ付きのウエハの位
置決めも同様に可能である。その場合も、リニアイメー
ジセンサはウエハの外側から内側に向って立下りエッジ
の検出をおこなうことにより、ガラスウエハの位置合わ
せが可能となる。
【0058】又、本実施例ではガラスウエハの端部の位
置をウエハ端部の面取りによるリニアイメージセンサ上
の影の位置より求めている。その手法として、リニアイ
メージセンサからの出力を半径方向に配置したリニアイ
メージセンサは外側から内側に向かってスキャンをおこ
ない、最初の立ち下りエッジをウエハの端部位置として
おり、接線方向に配置されたリニアイメージセンサはリ
ニアイメージセンサの中心から左右方向に向ってスキャ
ンをおこない、左右の最初の立ち下りエッジをウエハ切
欠き端部位置としている。
【0059】これに対して本発明においてはテンプレー
トによるパターンマッチングにより、ウエハ端部の位置
を求めるという画像処理的手法も同様に可能である。
【0060】
【発明の効果】本発明によれば、シリコンやガラス等の
ウエハの材質によらず、またウエハの外周部のキズ等に
よらず、簡易な構成によりウエハ等の基板を所定位置に
高精度にかつ迅速に位置決めすることができる位置決め
装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を達成する
ことができる。
【0061】特に本発明では3個の受光素子をリニアイ
メージセンサで構成し、ウエハ端部の位置合わせ用の受
光素子は外側から内側に向って読取りを行いノッチ位置
合わせ用の受光素子は受光素子の中心から左右に向って
スキャンし、立下りエッジを求めるようにし、これによ
りシリコンウエハのみならず、ガラスウエハのような光
を透過するウエハも、又ノッチ近傍のウエハ端部が荒れ
ているウエハに対しても精度良く位置合わせができると
いう効果がある。
【0062】又、ノッチ粗検知用の受光素子と端部位置
決め用の受光素子とを兼用としたため、受光素子の数が
減り、装置全体が簡素化されるという効果がある。
【0063】又、ノッチ粗検知時、立下りエッジ検知ス
キャンの開始画素を固定ではなく、前回の開始画素より
求めるようにしたため、エッジ検知時間が短くなり、プ
リアライメント時間も短縮されるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の位置決め装置の実施例1の要部平面図
【図2】本発明の位置決め装置の実施例1の要部断面図
【図3】本発明の位置決め装置の実施例1の信号処理系
の要部ブロック図
【図4】本発明の位置決め装置の位置決め方法の説明図
【図5】本発明の位置決め装置の位置決め方法の説明図
【図6】本発明の位置決め装置の位置決め方法の説明図
【図7】本発明に係るノッチ粗検知時のウエハ端部位置
の変化を示す説明図
【図8】図1のリニアイメージセンサからの出力とウエ
ハとの関係を示す説明図
【図9】図1のリニアイメージセンサからの出力とウエ
ハとの関係を示す説明図
【図10】従来の位置決め装置の要部平面図
【図11】従来の位置決め装置の要部断面図
【図12】ウエハの周辺部とリニアイメージセンサとの
位置関係及びセンサーからの出力信号の説明図
【符号の説明】
1 ウエハ 2 ノッチ 3 ウエハチャック 4 XY移動ステージ 5 ノッチ位置決めリニアイメージセンサ 6,7 端部位置決めリニアイメージセンサ 8,9 端部位置決めフォトディテクタ 10 ノッチ粗検知フォトディテクタ 11 発光素子 12 A/Dコンバータ 13 制御回路

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 円周の一部に切欠き部を有したウエハを
    駆動可能な基板上に載置し、発光素子と受光素子とを有
    した検出部を該ウエハに対して少なくとも3つ設け、該
    3つの検出部からの信号を利用して該ウエハの位置決め
    を行う際、該3つの検出部の受光素子は各々リニアイメ
    ージセンサより成り、該3つの検出部のうち第1の検出
    部のリニアイメージセンサは該ウエハの接線方向に設け
    ており、第2と第3の検出部のリニアイメージセンサは
    該ウエハの半径方向に設けられており、これらの各検出
    部からの出力信号を利用して駆動手段により該基板を駆
    動させて行っていることを特徴とする位置決め装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の検出部は前記ウエハの切欠き
    部の位置を検出しており、前記第2、第3の検出部は該
    ウエハの端部の位置を検出していることを特徴とする請
    求項1の位置決め装置。
  3. 【請求項3】 前記3つの検出部のうち1つの検出部を
    ウエハの切欠き位置検出とウエハの端部位置検出に兼用
    していることを特徴とする請求項2の位置決め装置。
  4. 【請求項4】 前記第2、第3の検出部のリニアイメー
    ジセンサはウエハの外側から内側に向かって画素の読取
    りを行い、前記第1の検出部のリニアイメージセンサは
    その中心画素から左右方向に画素の読取りを行っている
    ことを特徴とする請求項2の位置決め装置。
  5. 【請求項5】 前記駆動手段はウエハの切欠きの中心位
    置決めをウエハ回転駆動により、ウエハの切欠き部の位
    置決めをウエハのY方向駆動により、ウエハの端部の位
    置決めをウエハのX方向駆動により行っていることを特
    徴とする請求項1の位置決め装置。
  6. 【請求項6】 前記1つの検出部によってウエハの切欠
    き部を求める動作中において、該検出部のリニアイメー
    ジセンサの読み出し画素が前回の画素の読み出し位置か
    ら画素の位置データ取込みサンプリング時間中に移動す
    る最大のウエハ端部の移動量の予想値より外側の画素と
    なるようにしたことを特徴とする請求項3の位置決め装
    置。
  7. 【請求項7】 円周の一部に切欠き部を有したウエハを
    駆動可能な基板上に載置し、発光素子と受光素子とを有
    した検出部を該ウエハに対して少なくとも3つ設け、該
    3つの検出部からの信号を利用して該ウエハの位置決め
    を行った後にマスク面上のパターンを該ウエハ面上のフ
    ォトレジストに転写し、露光現像して半導体素子を製造
    する際、該3つの検出部の受光素子は各々リニアイメー
    ジセンサより成り、該3つの検出部のうち第1の検出部
    のリニアイメージセンサは該ウエハの接線方向に設けて
    おり、第2と第3の検出部のリニアイメージセンサは該
    ウエハの半径方向に設けられており、これらの各検出部
    からの出力信号を利用して駆動手段により該基板を駆動
    させて該ウエハの位置決めを行っていることを特徴とす
    る半導体素子の製造方法。
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