JPH05283381A - シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 - Google Patents
シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法Info
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- JPH05283381A JPH05283381A JP4080776A JP8077692A JPH05283381A JP H05283381 A JPH05283381 A JP H05283381A JP 4080776 A JP4080776 A JP 4080776A JP 8077692 A JP8077692 A JP 8077692A JP H05283381 A JPH05283381 A JP H05283381A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】シリコンウェハ１３表面の汚染金属元素を回収
する方法において、前記シリコンウェハ表面に付着して
いる有機皮膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解
し、シリコンウェハ１３表面の酸化皮膜をふっ化水素酸
蒸気によって分解することにより、汚染金属元素を回収
するシリコンウェハ１３表面の汚染金属元素の回収方
法。 【効果】汚染金属元素を１００％近い回収率で回収する
ことができ、高い精度で汚染金属元素を定量分析するこ
とができる。
する方法において、前記シリコンウェハ表面に付着して
いる有機皮膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解
し、シリコンウェハ１３表面の酸化皮膜をふっ化水素酸
蒸気によって分解することにより、汚染金属元素を回収
するシリコンウェハ１３表面の汚染金属元素の回収方
法。 【効果】汚染金属元素を１００％近い回収率で回収する
ことができ、高い精度で汚染金属元素を定量分析するこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチングの際
等にシリコンウェハ表面に付着した汚染金属元素を回収
する回収方法に関する。
等にシリコンウェハ表面に付着した汚染金属元素を回収
する回収方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化にともない、シリコン
ウェハの加工技術もミクロンからサブミクロンレベルま
で微細化が進められてきている。このような微細加工を
高精度に行うことは、従来のウェットエッチング処理で
は困難であり、現在では種々のドライエッチング装置が
開発されている。しかしながら、ドライエッチング装置
ではプラズマなどで発生したエネルギーの高いイオンが
使われるために、装置内に使用されている材料もエッチ
ングされ、シリコンウェハの表面に金属汚染として堆積
するという問題がある。
ウェハの加工技術もミクロンからサブミクロンレベルま
で微細化が進められてきている。このような微細加工を
高精度に行うことは、従来のウェットエッチング処理で
は困難であり、現在では種々のドライエッチング装置が
開発されている。しかしながら、ドライエッチング装置
ではプラズマなどで発生したエネルギーの高いイオンが
使われるために、装置内に使用されている材料もエッチ
ングされ、シリコンウェハの表面に金属汚染として堆積
するという問題がある。
【０００３】シリコンウェハ表面の金属汚染は接合リー
ク電流を増大させたり、ショートの原因となる等、電気
的特性を劣化させるという問題があり、シリコンウェハ
表面に付着している汚染金属元素を精度よく分析し、汚
染金属量と半導体の特性との関係を把握することは半導
体デバイスの品質管理及び歩留まりの向上を図っていく
上で極めて重要である。
ク電流を増大させたり、ショートの原因となる等、電気
的特性を劣化させるという問題があり、シリコンウェハ
表面に付着している汚染金属元素を精度よく分析し、汚
染金属量と半導体の特性との関係を把握することは半導
体デバイスの品質管理及び歩留まりの向上を図っていく
上で極めて重要である。
【０００４】シリコンウェハ表面の汚染金属元素の定量
法としては、フッ化水素酸によってシリコンウェハ表面
の酸化皮膜を分解し、ウェハ表面に純水を滴下し、この
液滴をシリコンウェハ表面上を転がすことにより、分解
された汚染金属元素を回収し、この後、フレームレス原
子吸光分析法や誘導結合プラズマ質量分析法によって定
量する方法が試みられている（分析化学３８（１９８
９）Ｐ１７７、日本分析化学会第３９年会（１９９０）
Ｐ４６７）。
法としては、フッ化水素酸によってシリコンウェハ表面
の酸化皮膜を分解し、ウェハ表面に純水を滴下し、この
液滴をシリコンウェハ表面上を転がすことにより、分解
された汚染金属元素を回収し、この後、フレームレス原
子吸光分析法や誘導結合プラズマ質量分析法によって定
量する方法が試みられている（分析化学３８（１９８
９）Ｐ１７７、日本分析化学会第３９年会（１９９０）
Ｐ４６７）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１はシリコンウェハ
表面に関する光電子分光分析法の測定スペクトルを示し
ており、図中Ａはドライエッチング処理後のシリコンウ
エハ表面における測定スペクトルを示している。このよ
うにスペクトルＡにＣ及びＦの存在を示すＣ1s、Ｆ1sの
ピークが認められることから、シリコンウェハ表面にＣ
−Ｆ系の有機皮膜が付着していることが確認された。こ
れは、ドライエッチング装置では一般にプラズマ源とし
てＣＦ4 やＣＨＦ3 ガスを用いるためである。上記フッ
化水素酸を用いた金属元素の回収方法では、前記有機皮
膜を分解できないため、ドライエッチング装置内でシリ
コン表面に付着した有機皮膜中の汚染金属元素は回収で
きていない可能性が高い。また、有機皮膜は酸化皮膜を
保護するように、酸化皮膜上に存在しており、この有機
皮膜がフッ化水素酸による酸化皮膜の溶解作用を妨害
し、酸化皮膜が十分に分解されず、酸化皮膜中の汚染金
属も十分に回収できていないという可能性も高い。
表面に関する光電子分光分析法の測定スペクトルを示し
ており、図中Ａはドライエッチング処理後のシリコンウ
エハ表面における測定スペクトルを示している。このよ
うにスペクトルＡにＣ及びＦの存在を示すＣ1s、Ｆ1sの
ピークが認められることから、シリコンウェハ表面にＣ
−Ｆ系の有機皮膜が付着していることが確認された。こ
れは、ドライエッチング装置では一般にプラズマ源とし
てＣＦ4 やＣＨＦ3 ガスを用いるためである。上記フッ
化水素酸を用いた金属元素の回収方法では、前記有機皮
膜を分解できないため、ドライエッチング装置内でシリ
コン表面に付着した有機皮膜中の汚染金属元素は回収で
きていない可能性が高い。また、有機皮膜は酸化皮膜を
保護するように、酸化皮膜上に存在しており、この有機
皮膜がフッ化水素酸による酸化皮膜の溶解作用を妨害
し、酸化皮膜が十分に分解されず、酸化皮膜中の汚染金
属も十分に回収できていないという可能性も高い。
【０００６】従って、ドライエッチング装置内で発生し
たシリコンウェハ表面の汚染金属元素を回収するために
は、前記有機皮膜を分解する必要がある。
たシリコンウェハ表面の汚染金属元素を回収するために
は、前記有機皮膜を分解する必要がある。
【０００７】シリコンウェハ表面の有機皮膜を分解する
方法としては、酸素プラズマを利用したドライアッシン
グ処理による方法が可能であると考えられるが、ドライ
アッシング装置においてもドライエッチング装置と同様
に金属汚染が発生する可能性が高いため、ドライエッチ
ング装置内での金属汚染と判別することは困難である。
またドライアッシング時に、汚染金属元素も同時に揮散
する可能性があるため分析誤差を与えるという問題があ
る。
方法としては、酸素プラズマを利用したドライアッシン
グ処理による方法が可能であると考えられるが、ドライ
アッシング装置においてもドライエッチング装置と同様
に金属汚染が発生する可能性が高いため、ドライエッチ
ング装置内での金属汚染と判別することは困難である。
またドライアッシング時に、汚染金属元素も同時に揮散
する可能性があるため分析誤差を与えるという問題があ
る。
【０００８】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、ドライエッチング装置内でのシリコンウ
ェハ表面の汚染金属元素を１００％近い回収率で回収す
ることができるシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回
収方法を提供することを目的としている。
ものであって、ドライエッチング装置内でのシリコンウ
ェハ表面の汚染金属元素を１００％近い回収率で回収す
ることができるシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回
収方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回
収方法は、シリコンウェハ表面の汚染金属元素を回収す
る方法において、前記シリコンウェハ表面に付着してい
る有機皮膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解し、
前記シリコンウェハ表面の酸化皮膜をふっ化水素酸蒸気
によって分解することにより、前記汚染金属元素を回収
することを特徴としている。
に本発明に係るシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回
収方法は、シリコンウェハ表面の汚染金属元素を回収す
る方法において、前記シリコンウェハ表面に付着してい
る有機皮膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解し、
前記シリコンウェハ表面の酸化皮膜をふっ化水素酸蒸気
によって分解することにより、前記汚染金属元素を回収
することを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記した方法によれば、シリコンウェハ表面に
付着した有機皮膜に対して硝酸蒸気あるいは王水蒸気を
反応させて分解することにより、酸化皮膜上の有機皮膜
が除去される。このため前記シリコンウェハ表面の酸化
皮膜をふっ化水素酸蒸気によって完全に分解することが
可能となる。従って、有機皮膜中及び酸化皮膜中の汚染
金属元素を回収できるので金属元素の回収率が向上し、
汚染金属元素の定量分析が高い精度で行われることとな
る。
付着した有機皮膜に対して硝酸蒸気あるいは王水蒸気を
反応させて分解することにより、酸化皮膜上の有機皮膜
が除去される。このため前記シリコンウェハ表面の酸化
皮膜をふっ化水素酸蒸気によって完全に分解することが
可能となる。従って、有機皮膜中及び酸化皮膜中の汚染
金属元素を回収できるので金属元素の回収率が向上し、
汚染金属元素の定量分析が高い精度で行われることとな
る。
【００１１】またシリコンウェハ表面の有機皮膜の分解
液としては、硝酸、王水、硫酸、過塩素酸が適している
が、蒸気による酸の供給方法を用いる場合、沸点の高い
硫酸は十分に供給されないという問題があり、また過塩
素酸は有機物との反応の際に爆発の危険がある。このた
め、硝酸あるいは王水が最適であると考えられる。ま
た、硝酸あるいは王水を単独で用いた場合、予め酸化処
理がなされているシリコンウェハをドライエッチング処
理したシリコンウェハにおいては、汚染金属元素は酸化
皮膜中に取り込まれており、硝酸、王水では酸化皮膜が
分解されないので酸化皮膜中の汚染金属を回収すること
ができない。また、硝酸または王水がシリコンウェハ表
面を酸化することにより酸化皮膜がさらに形成され、汚
染金属元素が前記酸化皮膜中に取り込まれるので、硝
酸、王水では酸化皮膜中の汚染金属を回収することがで
きない。
液としては、硝酸、王水、硫酸、過塩素酸が適している
が、蒸気による酸の供給方法を用いる場合、沸点の高い
硫酸は十分に供給されないという問題があり、また過塩
素酸は有機物との反応の際に爆発の危険がある。このた
め、硝酸あるいは王水が最適であると考えられる。ま
た、硝酸あるいは王水を単独で用いた場合、予め酸化処
理がなされているシリコンウェハをドライエッチング処
理したシリコンウェハにおいては、汚染金属元素は酸化
皮膜中に取り込まれており、硝酸、王水では酸化皮膜が
分解されないので酸化皮膜中の汚染金属を回収すること
ができない。また、硝酸または王水がシリコンウェハ表
面を酸化することにより酸化皮膜がさらに形成され、汚
染金属元素が前記酸化皮膜中に取り込まれるので、硝
酸、王水では酸化皮膜中の汚染金属を回収することがで
きない。
【００１２】従って、酸化皮膜の分解液も供給する必要
がある。酸化皮膜の分解液としてはフッ化水素酸やアン
モニア水が適しているが、アンモニア水を硝酸あるいは
王水と共に供給した場合、硝酸アンモニウムや塩化アン
モニウムの塩を生成し、分解液としての能力が失われ
る。また前記塩がシリコンウェハ表面に堆積して金属元
素を回収できない可能性が高いので、分解液としてはフ
ッ化水素酸が好ましい。
がある。酸化皮膜の分解液としてはフッ化水素酸やアン
モニア水が適しているが、アンモニア水を硝酸あるいは
王水と共に供給した場合、硝酸アンモニウムや塩化アン
モニウムの塩を生成し、分解液としての能力が失われ
る。また前記塩がシリコンウェハ表面に堆積して金属元
素を回収できない可能性が高いので、分解液としてはフ
ッ化水素酸が好ましい。
【００１３】なお、本発明の方法を実施する場合、上記
の有機皮膜分解用の硝酸等の蒸気と、酸化皮膜分解用の
フッ化水素酸等の蒸気が共存する状態でこれらの皮膜を
分解しても良いが、はじめに有機皮膜を分解しその後で
酸化皮膜を分解するシリーズの分解法を採っても良い。
の有機皮膜分解用の硝酸等の蒸気と、酸化皮膜分解用の
フッ化水素酸等の蒸気が共存する状態でこれらの皮膜を
分解しても良いが、はじめに有機皮膜を分解しその後で
酸化皮膜を分解するシリーズの分解法を採っても良い。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係るシリコンウェハ表面の汚
染金属元素の回収方法の実施例及び比較例を図面に基づ
いて説明する。
染金属元素の回収方法の実施例及び比較例を図面に基づ
いて説明する。
【００１５】まず、シリコンウェハとして直径６インチ
の清浄なシリコンウェハを用い、このウェハにＣｒ、Ｆ
ｅ、Ａｌの１ｐｐｍ溶液１０ｍｌを滴下し、表面に液滴
が均一に広がるようにシリコンウェハを回転させ、その
後自然乾燥させる方法で所定量の汚染処理を行なった。
この後、熱酸化によって５０００Å程度の酸化皮膜を成
長させ、さらにドライエッチング処理によって有機皮膜
が８０Å程度付着したものを用意した。また基礎試料と
して同ウェハに対して、金属汚染処理を行なわなかった
ものについて熱酸化、ドライエッチング処理したものを
用意した。なお、定量汚染処理後の熱酸化は、ドライエ
ッチング時に定量汚染させた金属元素が除去されるのを
防ぐために行った。
の清浄なシリコンウェハを用い、このウェハにＣｒ、Ｆ
ｅ、Ａｌの１ｐｐｍ溶液１０ｍｌを滴下し、表面に液滴
が均一に広がるようにシリコンウェハを回転させ、その
後自然乾燥させる方法で所定量の汚染処理を行なった。
この後、熱酸化によって５０００Å程度の酸化皮膜を成
長させ、さらにドライエッチング処理によって有機皮膜
が８０Å程度付着したものを用意した。また基礎試料と
して同ウェハに対して、金属汚染処理を行なわなかった
ものについて熱酸化、ドライエッチング処理したものを
用意した。なお、定量汚染処理後の熱酸化は、ドライエ
ッチング時に定量汚染させた金属元素が除去されるのを
防ぐために行った。
【００１６】図２は実施例及び比較例に係るシリコンウ
ェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施するための装
置を模式的に示した断面図である。図中１１はテフロン
密閉容器を示しており、テフロン密閉容器１１内の中央
部にはウェハ支持台１２が配設されており、ウェハ支持
台１２の両側には薬液を収容させるビーカ１５が載置さ
れている。
ェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施するための装
置を模式的に示した断面図である。図中１１はテフロン
密閉容器を示しており、テフロン密閉容器１１内の中央
部にはウェハ支持台１２が配設されており、ウェハ支持
台１２の両側には薬液を収容させるビーカ１５が載置さ
れている。
【００１７】実施例に係るシリコンウェハ表面の汚染金
属元素の回収方法では、まずウェハ支持台１２上に、上
記の汚染処理を施したシリコンウェハ１３を表面を上に
して水平に載置する。次いでビーカ１５にフッ化水素酸
３０重量％及び硝酸５重量％の溶液を入れ、常温で５時
間放置して硝酸蒸気及びフッ化水素酸の蒸気１６を発生
させ、シリコンウェハ１３表面の有機皮膜と硝酸とを反
応させ、酸化皮膜とフッ化水素酸とを反応させて液滴１
７を生じさせる。この液滴１７に純水１００ｍｌを滴下
し、その液滴をシリコンウェハ１３表面上で転がしなが
ら反応液を集める。そしてこの集められた反応液をフレ
ームレス原子吸光分析装置によって定量分析した。
属元素の回収方法では、まずウェハ支持台１２上に、上
記の汚染処理を施したシリコンウェハ１３を表面を上に
して水平に載置する。次いでビーカ１５にフッ化水素酸
３０重量％及び硝酸５重量％の溶液を入れ、常温で５時
間放置して硝酸蒸気及びフッ化水素酸の蒸気１６を発生
させ、シリコンウェハ１３表面の有機皮膜と硝酸とを反
応させ、酸化皮膜とフッ化水素酸とを反応させて液滴１
７を生じさせる。この液滴１７に純水１００ｍｌを滴下
し、その液滴をシリコンウェハ１３表面上で転がしなが
ら反応液を集める。そしてこの集められた反応液をフレ
ームレス原子吸光分析装置によって定量分析した。
【００１８】また、基礎試料であるシリコンウェハ１３
を用いて上記と同様の操作を行なった。
を用いて上記と同様の操作を行なった。
【００１９】比較例としては従来のシリコンウェハ表面
の汚染金属元素の回収方法を用いた。すなわち、まずこ
のウェハ支持台１２上に、上記の汚染処理を施したシリ
コンウェハ１３を表面を上にして水平に載置する。次い
でビーカ１５にフッ化水素酸３０重量％の溶液を入れ、
常温で５時間放置してフッ化水素酸の蒸気１６を発生さ
せ、シリコンウェハ１３表面の酸化皮膜とフッ化水素酸
とを反応させて液滴１７を生じさせる。この液滴１７に
純水１００ｍｌを滴下し、その液滴をシリコンウェハ１
３表面上で転がしながら反応液を集める。そしてこの集
められた反応液をフレームレス原子吸光分析装置によっ
て定量分析した。
の汚染金属元素の回収方法を用いた。すなわち、まずこ
のウェハ支持台１２上に、上記の汚染処理を施したシリ
コンウェハ１３を表面を上にして水平に載置する。次い
でビーカ１５にフッ化水素酸３０重量％の溶液を入れ、
常温で５時間放置してフッ化水素酸の蒸気１６を発生さ
せ、シリコンウェハ１３表面の酸化皮膜とフッ化水素酸
とを反応させて液滴１７を生じさせる。この液滴１７に
純水１００ｍｌを滴下し、その液滴をシリコンウェハ１
３表面上で転がしながら反応液を集める。そしてこの集
められた反応液をフレームレス原子吸光分析装置によっ
て定量分析した。
【００２０】また、基礎試料であるシリコンウェハ１３
を用いて上記と同様の操作を行なった。
を用いて上記と同様の操作を行なった。
【００２１】このように回収され定量された金属元素の
定量値から基礎試料の空試験値を差し引いた値と、始め
に汚染させた時の汚染金属元素量とを比較して回収率を
求めた結果を表１に示す。
定量値から基礎試料の空試験値を差し引いた値と、始め
に汚染させた時の汚染金属元素量とを比較して回収率を
求めた結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１から明らかなように、比較例の方法で
は汚染金属はほとんど回収されないのに対し、実施例の
方法では汚染金属元素が、ほぼ１００％近く回収される
という良好な結果が得られた。
は汚染金属はほとんど回収されないのに対し、実施例の
方法では汚染金属元素が、ほぼ１００％近く回収される
という良好な結果が得られた。
【００２４】図１のスペクトルＢは実施例に係るシリコ
ンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施した後の
シリコンウェハ表面を光電子分光分析法により分析した
測定スペクトルを示しており、Ｃ及びＦの存在を表わす
Ｃ1sピーク、Ｆ1sピークが認められない。従って、酸化
皮膜および有機皮膜が分解除去されたことがわかる。
ンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施した後の
シリコンウェハ表面を光電子分光分析法により分析した
測定スペクトルを示しており、Ｃ及びＦの存在を表わす
Ｃ1sピーク、Ｆ1sピークが認められない。従って、酸化
皮膜および有機皮膜が分解除去されたことがわかる。
【００２５】上記したように実施例に係る回収方法によ
れば、有機皮膜に対して、硝酸蒸気あるいは王水蒸気を
反応させて分解するので酸化皮膜上の有機皮膜を除去す
ることができ、このためシリコンウェハ表面の酸化皮膜
をふっ化水素酸蒸気によって完全に分解することができ
る。従って、有機皮膜中及び酸化皮膜中の汚染金属元素
を回収することができるので、汚染金属元素を１００％
近い回収率で回収することができ、高い精度で汚染金属
元素を定量分析することができる。
れば、有機皮膜に対して、硝酸蒸気あるいは王水蒸気を
反応させて分解するので酸化皮膜上の有機皮膜を除去す
ることができ、このためシリコンウェハ表面の酸化皮膜
をふっ化水素酸蒸気によって完全に分解することができ
る。従って、有機皮膜中及び酸化皮膜中の汚染金属元素
を回収することができるので、汚染金属元素を１００％
近い回収率で回収することができ、高い精度で汚染金属
元素を定量分析することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように本発明に
係るシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法にあ
っては、前記シリコンウェハ表面に付着している有機皮
膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解するので酸化
皮膜上の有機皮膜を除去することができ、このため前記
シリコンウェハ表面の酸化皮膜をふっ化水素酸蒸気によ
って完全に分解することができる。従って、有機皮膜中
及び酸化皮膜中の汚染金属元素を１００％近い回収率で
回収することができ、高い精度で汚染金属元素を定量分
析することができる。
係るシリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法にあ
っては、前記シリコンウェハ表面に付着している有機皮
膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解するので酸化
皮膜上の有機皮膜を除去することができ、このため前記
シリコンウェハ表面の酸化皮膜をふっ化水素酸蒸気によ
って完全に分解することができる。従って、有機皮膜中
及び酸化皮膜中の汚染金属元素を１００％近い回収率で
回収することができ、高い精度で汚染金属元素を定量分
析することができる。
【図１】シリコンウェハ表面に関する光電子分光分析法
の測定スペクトルを示したグラであり、スペクトルＡは
ドライエッチ処理後のシリコンウェハ表面に関する測定
スペクトルであり、スペクトルＢは本発明に係るシリコ
ンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施した後の
シリコンウェハ表面に関する測定スペクトルである。
の測定スペクトルを示したグラであり、スペクトルＡは
ドライエッチ処理後のシリコンウェハ表面に関する測定
スペクトルであり、スペクトルＢは本発明に係るシリコ
ンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法を実施した後の
シリコンウェハ表面に関する測定スペクトルである。
【図２】実施例および比較例に係るシリコンウェハ表面
の汚染金属元素回収方法に用いた装置を示す模式的断面
図である。
の汚染金属元素回収方法に用いた装置を示す模式的断面
図である。
１３ シリコンウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンウェハ表面の汚染金属元素を回
収する方法において、前記シリコンウェハ表面に付着し
ている有機皮膜を硝酸蒸気あるいは王水蒸気により分解
し、前記シリコンウェハ表面の酸化皮膜をふっ化水素酸
蒸気によって分解することにより、前記汚染金属元素を
回収することを特徴とするシリコンウェハ表面の汚染金
属元素の回収方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080776A JPH05283381A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080776A JPH05283381A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283381A true JPH05283381A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13727843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080776A Pending JPH05283381A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000029827A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Ion extraction process and apparatus for single side wafers |
| JPWO2018198466A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2020-06-25 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄方法、洗浄装置、記憶媒体、及び洗浄組成物 |
| CN117174573A (zh) * | 2023-11-03 | 2023-12-05 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种去除晶圆表面铝金属膜的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5968989A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH04783A (ja) * | 1989-06-14 | 1992-01-06 | Hitachi Ltd | 半導体光素子 |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP4080776A patent/JPH05283381A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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