JPS5968989A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS5968989A JPS5968989A JP17883282A JP17883282A JPS5968989A JP S5968989 A JPS5968989 A JP S5968989A JP 17883282 A JP17883282 A JP 17883282A JP 17883282 A JP17883282 A JP 17883282A JP S5968989 A JPS5968989 A JP S5968989A
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- Japan
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- mesa
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電流狭窄をほどこしさらに反射面劣化を改善し
て低閾値、高出方動作を可能にした埋込み型半導体し７
ザ装置に関するものである。
て低閾値、高出方動作を可能にした埋込み型半導体し７
ザ装置に関するものである。
従来、電流狭窄をほどこし、さらに反射面劣化を改善し
た埋込み型半導体レーザ装置の構造としては、第１図に
示す構造が提案されているが、その−例は米国雑誌「ア
プライド・フィジックス・レターズＪ （Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）４０巻１２号
６月号、 １９８２年の１０２９頁よ９１０３１頁に報
告されている。すなわち、第１図に於て、１はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ型Ａｌｏ、６Ｇａ Ｏ，４Ａｓ層、３
はＡｌｏ、ｏｓ Ｑａ ｏ９ｓ Ａｓ活性層、４は１）
型Ａｌ ｏ、ｚｚ Ｇ ａｏ７８Ａｓ層、５はｐ型”
ｏ、ａｓ Ｇａ ０．６ｓ Ａｓ層、６はｐ型ｋｌ Ｏ
，３Ｑａ ｏ７Ａ ８層、７はｎ型ＡＩＩ ｏ、３ Ｇ
ａ ｏ、７ Ａ ｓ層、８はｐ型不純物拡散層、９はｐ
型オーミック電極、１０はｎ型オーミック電極をそれぞ
れ示す。
た埋込み型半導体レーザ装置の構造としては、第１図に
示す構造が提案されているが、その−例は米国雑誌「ア
プライド・フィジックス・レターズＪ （Ａｐｐｌｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）４０巻１２号
６月号、 １９８２年の１０２９頁よ９１０３１頁に報
告されている。すなわち、第１図に於て、１はｎ型Ｇａ
Ａｓ基板、２はｎ型Ａｌｏ、６Ｇａ Ｏ，４Ａｓ層、３
はＡｌｏ、ｏｓ Ｑａ ｏ９ｓ Ａｓ活性層、４は１）
型Ａｌ ｏ、ｚｚ Ｇ ａｏ７８Ａｓ層、５はｐ型”
ｏ、ａｓ Ｇａ ０．６ｓ Ａｓ層、６はｐ型ｋｌ Ｏ
，３Ｑａ ｏ７Ａ ８層、７はｎ型ＡＩＩ ｏ、３ Ｇ
ａ ｏ、７ Ａ ｓ層、８はｐ型不純物拡散層、９はｐ
型オーミック電極、１０はｎ型オーミック電極をそれぞ
れ示す。
この構造において、ｐ型オーミック電極９とｎ型オーミ
ック電極１０との間に順方向電圧を印加して、ｋｌ ｏ
、ｏｓ Ｑａ ｏ、９５Ａｓ活性層３に電流を注入して
発光再結合させてレーザ動作を可能にするものである。
ック電極１０との間に順方向電圧を印加して、ｋｌ ｏ
、ｏｓ Ｑａ ｏ、９５Ａｓ活性層３に電流を注入して
発光再結合させてレーザ動作を可能にするものである。
このＡｌｏ、ｏｓ Ｑａ ｏ、Ａｓ Ａｓ活性層３は、
共振器端面よシ内側に位置させ、この活性層３よりも禁
制帯幅の大きなＡｌＯ，３ＧａＯ，７ＡＳ層７で包囲す
るとともに、発振光を共振器端面にまで伸延するｐ型Ａ
ＪＩ！ 。、２□Ｇａｏ、７８Ａｓ ガイド層４によ
って導ミ戊する構造となっている。
共振器端面よシ内側に位置させ、この活性層３よりも禁
制帯幅の大きなＡｌＯ，３ＧａＯ，７ＡＳ層７で包囲す
るとともに、発振光を共振器端面にまで伸延するｐ型Ａ
ＪＩ！ 。、２□Ｇａｏ、７８Ａｓ ガイド層４によ
って導ミ戊する構造となっている。
従って、共振器端面近傍には電流注入により発生したキ
ャリアは存在せず、共振器端面に於ける光化学反応を防
止でき、反射面となる共振器端面の長期に亘る劣化を防
止できるだけでなく、発振光を共振器端面にまで導汲す
る４％％７造となっているため効率よい光導汲作用によ
シ発振閾値電流を低下させることが可能である。
ャリアは存在せず、共振器端面に於ける光化学反応を防
止でき、反射面となる共振器端面の長期に亘る劣化を防
止できるだけでなく、発振光を共振器端面にまで導汲す
る４％％７造となっているため効率よい光導汲作用によ
シ発振閾値電流を低下させることが可能である。
しかし、この様な半導体レーザ装置に於ては、活性層と
なるｇ ｏ、ｏｇ Ｑａ ｏ、、、Ａｓ 層３を共振器
端面の内側に位置させる必要があシ、化学エツチング等
によ” ” ０．０５ ＧａＯ，９Ｂ ＡＳ層３及びｎ
ｖｈｌｏ、ａ Ｑａ。４ Ａ ｓ層２とともに選択エ
ツチングによって除去するものであるが、両者のＡ１組
成比が大きく異なるため、ＡｌＯ，０５Ｇａ Ｏ，９＋
１ Ａｓ 層３だけを選択エツチングによシ完全には除
去することが難しい。そのため第１図の点線Ａで示す様
に、共振器端面にまでＡｌｏｏ、 Ｇａ ｏ、ｏｓ Ａ
８層３が伸延することが多く、電流注入による発光再
結合領域を共振器内部に限定させることができず、反射
面の光化学反応を完全には防止することができない欠点
があった。
なるｇ ｏ、ｏｇ Ｑａ ｏ、、、Ａｓ 層３を共振器
端面の内側に位置させる必要があシ、化学エツチング等
によ” ” ０．０５ ＧａＯ，９Ｂ ＡＳ層３及びｎ
ｖｈｌｏ、ａ Ｑａ。４ Ａ ｓ層２とともに選択エ
ツチングによって除去するものであるが、両者のＡ１組
成比が大きく異なるため、ＡｌＯ，０５Ｇａ Ｏ，９＋
１ Ａｓ 層３だけを選択エツチングによシ完全には除
去することが難しい。そのため第１図の点線Ａで示す様
に、共振器端面にまでＡｌｏｏ、 Ｇａ ｏ、ｏｓ Ａ
８層３が伸延することが多く、電流注入による発光再
結合領域を共振器内部に限定させることができず、反射
面の光化学反応を完全には防止することができない欠点
があった。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、反射
面の光化学反応を防止して信頼性の高い、製造容易な埋
込み型半導体レーザな提供することにある。
面の光化学反応を防止して信頼性の高い、製造容易な埋
込み型半導体レーザな提供することにある。
本発明の構成は、半導体基板上に、ｎｒ−ｖ族半導体か
らなる発光領域とこの発光領域を上下からはさむ様に設
置され前記発光領域よシ大きい禁制帯幅をもつキャリア
閉込層とこのキャリア閉込層に隣接して設けられ前記発
光領域よシ大きい禁制帯幅でかつ前記キャリア閉込層よ
り小さい禁制帯幅をもつり゛Ｃガイド層とを含むメサ状
積層体を備え、このメサ状積層体の長手方向を共振器端
面まで伸延せしめる構造の半導体レーザ装置において、
前記メサ状積層体に含まれる前記発光領域と前記キャリ
ア閉込層とを前記共振器端面よシ内側に位置せしめ、さ
らに前記メサ状積層体の側部ならびに前記共振器端面と
前記発光領域及び前記キャリア閉込層との間に前記光ガ
イド層よりも大きい禁制帯幅をもつ半導体層を形成した
ことを特徴とするものである。
らなる発光領域とこの発光領域を上下からはさむ様に設
置され前記発光領域よシ大きい禁制帯幅をもつキャリア
閉込層とこのキャリア閉込層に隣接して設けられ前記発
光領域よシ大きい禁制帯幅でかつ前記キャリア閉込層よ
り小さい禁制帯幅をもつり゛Ｃガイド層とを含むメサ状
積層体を備え、このメサ状積層体の長手方向を共振器端
面まで伸延せしめる構造の半導体レーザ装置において、
前記メサ状積層体に含まれる前記発光領域と前記キャリ
ア閉込層とを前記共振器端面よシ内側に位置せしめ、さ
らに前記メサ状積層体の側部ならびに前記共振器端面と
前記発光領域及び前記キャリア閉込層との間に前記光ガ
イド層よりも大きい禁制帯幅をもつ半導体層を形成した
ことを特徴とするものである。
以下本発明を図面によシ詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例の中央部縦断面図、第３図は第
２図のＢ点に示す発光領域を含む中央領域の横断面、第
４図は第２図の６点に示す発光領域を含まない反射面近
傍の横断面をそれぞれ示す。
２図のＢ点に示す発光領域を含む中央領域の横断面、第
４図は第２図の６点に示す発光領域を含まない反射面近
傍の横断面をそれぞれ示す。
まず、第１の結晶成長工程に於て、ｐ型Ｑ ａ Ａ ｓ
基板１１上に順次ｐ型” ｏ、６ Ｇａ Ｏ，ｄ Ａ
８層１２、活性層となるＡ ｌ ｏ０５Ｇ ａ ｏ、ｇ
５ Ａ ８層１３、ｎ型”０ＢＧａｏ４Ａｓ層１４、ｎ
型Ａｌ。、２゜Ｇａ ０．７８ Ａｓ層１５、ｎ型Ａｌ
ｏ、ａ Ｇａ ｏ、ｙ Ａｓ層１６をそれぞれ形成する
。ここで、各層の厚さはそれぞれ１．５μｍ 、 Ｑ、
９８μｍ。
基板１１上に順次ｐ型” ｏ、６ Ｇａ Ｏ，ｄ Ａ
８層１２、活性層となるＡ ｌ ｏ０５Ｇ ａ ｏ、ｇ
５ Ａ ８層１３、ｎ型”０ＢＧａｏ４Ａｓ層１４、ｎ
型Ａｌ。、２゜Ｇａ ０．７８ Ａｓ層１５、ｎ型Ａｌ
ｏ、ａ Ｇａ ｏ、ｙ Ａｓ層１６をそれぞれ形成する
。ここで、各層の厚さはそれぞれ１．５μｍ 、 Ｑ、
９８μｍ。
０．０３ ｔｔｍ ＋ １．５ μｍ 、 １．５ ｔ
ｔｍ とした。この後、従来の４１４造の形成と同時に
、Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２０□＋３ＣＨ３０Ｈをエツチング浪
々するメサエッチングによシ帯状メサ積層体を島状に形
成する。しかる後に、ＨＦ溶液にて数秒間エツチングす
るとＭ。６（３ａ。４ Ａ ｓ層１２及び１４は他に比
較してエツチング速度が早いため、第１図に示す様に共
振器端面となる位置よりも内側にまで選択的にエツチン
グ除去される。
ｔｍ とした。この後、従来の４１４造の形成と同時に
、Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２０□＋３ＣＨ３０Ｈをエツチング浪
々するメサエッチングによシ帯状メサ積層体を島状に形
成する。しかる後に、ＨＦ溶液にて数秒間エツチングす
るとＭ。６（３ａ。４ Ａ ｓ層１２及び１４は他に比
較してエツチング速度が早いため、第１図に示す様に共
振器端面となる位置よりも内側にまで選択的にエツチン
グ除去される。
ここで、本発明においては、従来のオド１造と異なり、
活性層となる” ０．０５ Ｇａｏ、ｇ５ Ａｓ 層１
３を上下から挾む様にｈｌ ｏ、ａ Ｑａ ｏ、４Ａｓ
層１２及び１４を配置したことにある。この構成によ”
％ Ａｌ Ｏ，６Ｇａ０４Ａｓ層１２及び１４は他に
比較してエツチング速度が早いため前記エツチング工程
によシ活性層となるｋｌ ｏ、ｏｓ Ｇａ ｏ、５Ａｓ
層１３をエツチングにより容易に除去することができ
る。
活性層となる” ０．０５ Ｇａｏ、ｇ５ Ａｓ 層１
３を上下から挾む様にｈｌ ｏ、ａ Ｑａ ｏ、４Ａｓ
層１２及び１４を配置したことにある。この構成によ”
％ Ａｌ Ｏ，６Ｇａ０４Ａｓ層１２及び１４は他に
比較してエツチング速度が早いため前記エツチング工程
によシ活性層となるｋｌ ｏ、ｏｓ Ｇａ ｏ、５Ａｓ
層１３をエツチングにより容易に除去することができ
る。
従来の構造では、活性層３を完全には除去することがで
きず、製造歩留が悪くなるのが避けられなかったが、本
発明の構造によシ活性層１３を含めて選択的除去が完全
に可能になった。
きず、製造歩留が悪くなるのが避けられなかったが、本
発明の構造によシ活性層１３を含めて選択的除去が完全
に可能になった。
次に、結晶表面を洗浄した後、第２の結晶成長工程によ
シ前述のメサ積層体の側部及び共振器端面と前記Ａｌｏ
６Ｑａ ｏ４Ａｓ４ＡＳ及び１４．活性層１３との間を
埋込む様に、順次ｎ型Ｎｌ ０３ Ｇａ ０７ＡＳ層１
７．ｐ型Ａｌｏ、ａ Ｑａ ｏ、７ＡＳ層１８．ｎ型Ａ
ｌｏ、ａ Ｇ ａ ｏ、ｒ Ａ ｓ層１９を形成する。
シ前述のメサ積層体の側部及び共振器端面と前記Ａｌｏ
６Ｑａ ｏ４Ａｓ４ＡＳ及び１４．活性層１３との間を
埋込む様に、順次ｎ型Ｎｌ ０３ Ｇａ ０７ＡＳ層１
７．ｐ型Ａｌｏ、ａ Ｑａ ｏ、７ＡＳ層１８．ｎ型Ａ
ｌｏ、ａ Ｇ ａ ｏ、ｒ Ａ ｓ層１９を形成する。
しかる後、ｎ型オーミック電極２０．ｎ型オーミック電
極２１を形成して半導体レーザ装置が形成される。
極２１を形成して半導体レーザ装置が形成される。
すなわち、本発明の半導体レーザ装置の構造は、第３図
に示す様に活性層を含むメサ積層体の側面が活性層より
も禁制帯幅の大きなＡｌｏ、ａ Ｇａ ｏ７Ａ ｓ層１
８．１９で包囲された構造となり、活性層】３に注入さ
れたキャリアは横方向拡散もなく効率良く発光再結合に
寄与させることができ低発振閾値で効率良い半導体レー
ザ装置を構成できる。
に示す様に活性層を含むメサ積層体の側面が活性層より
も禁制帯幅の大きなＡｌｏ、ａ Ｇａ ｏ７Ａ ｓ層１
８．１９で包囲された構造となり、活性層】３に注入さ
れたキャリアは横方向拡散もなく効率良く発光再結合に
寄与させることができ低発振閾値で効率良い半導体レー
ザ装置を構成できる。
また、第４図に示す様に、周囲がＡＩ Ｏ，３ＧａＯ，
７ＡＳなる禁制帯幅の大きな層１６．１８によって包囲
された人１０．２゜Ｇ ａ Ｏ，７８Ａ ｓ層１５が共
振器端面にまで伸延し、活性層１３での発光を効率よく
共振器、ｌ、ＪＮ面まで導波する構造となっておシ、光
散乱損失の少ない屈折率導波機楊を取シ入れたｕ・Ｙ成
となっている１、さらに、活性層は共振器端面よシ完全
に内側に配置されており、この活性層に注入されたキャ
リアは共振器端面にまで拡散することもなく、共振器端
面での光化学反応を防止でき、長期間に亘って信頼性の
高い半導体レーザ装置を構成できる。
７ＡＳなる禁制帯幅の大きな層１６．１８によって包囲
された人１０．２゜Ｇ ａ Ｏ，７８Ａ ｓ層１５が共
振器端面にまで伸延し、活性層１３での発光を効率よく
共振器、ｌ、ＪＮ面まで導波する構造となっておシ、光
散乱損失の少ない屈折率導波機楊を取シ入れたｕ・Ｙ成
となっている１、さらに、活性層は共振器端面よシ完全
に内側に配置されており、この活性層に注入されたキャ
リアは共振器端面にまで拡散することもなく、共振器端
面での光化学反応を防止でき、長期間に亘って信頼性の
高い半導体レーザ装置を構成できる。
又、本構造に於ては、メサ積層体の側面が活性層となる
Ａｌｏ、ｏｓ Ｑａ ｏ、、５Ａ ｓ層１３よりも禁制
帯幅の大きな半導体層で埋込む構造となシ、さらに活性
層での発振光を禁制帯幅の大きなＩＬｌｏ２□Ｇ ａ
ｏ、７ｓＡｓ層１５によシ共振器端面にまで導波する構
造となっておシ、散乱損失が少なく発振閾値電流が小さ
く発振効率の高い半導体レーザ装置を提供することがで
きる。
Ａｌｏ、ｏｓ Ｑａ ｏ、、５Ａ ｓ層１３よりも禁制
帯幅の大きな半導体層で埋込む構造となシ、さらに活性
層での発振光を禁制帯幅の大きなＩＬｌｏ２□Ｇ ａ
ｏ、７ｓＡｓ層１５によシ共振器端面にまで導波する構
造となっておシ、散乱損失が少なく発振閾値電流が小さ
く発振効率の高い半導体レーザ装置を提供することがで
きる。
なお、以上の実施例では、光導波路層となるｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓ基板を用いたが、これはＡ７．２２Ｇａ ｏ、
ｙｓＡｓ層１５としてｎ型半導体層の方がｐ型の場合よ
りも多少温度特性に優れているためであるが、両者の差
異を問題にしない応用分野に際してはｎ型の光導波路層
でも良く、又ｒｌＷＧａ八３基板全３基板も本発明に係
る半導体レーザ装置を構成できることはいうまでもない
。
Ａ ｓ基板を用いたが、これはＡ７．２２Ｇａ ｏ、
ｙｓＡｓ層１５としてｎ型半導体層の方がｐ型の場合よ
りも多少温度特性に優れているためであるが、両者の差
異を問題にしない応用分野に際してはｎ型の光導波路層
でも良く、又ｒｌＷＧａ八３基板全３基板も本発明に係
る半導体レーザ装置を構成できることはいうまでもない
。
第１図は従来の埋込み型半導体レーザ装置の断面図、第
２図は本発明に係る一実施例の構造縦断面図、第３図は
本発明に係る半導体レーザ装置の中央領域の横断面図（
第Ｚ図β点）、第４図は本発明に係る半導体レーザ装置
の反射面近傍の横断面図（第２図Ｃ点）をそれぞれ示す
。図において１−−−−−− ｎ型ＱａＡｓ基板、２
ｒ １４”・・＝ ｎ型Ａｌｏ、ＧａＯ，４Ａ ｓ層、
３ 、１３ ・・・”・Ａ７０．６５ Ｇａ ｏ、ｇ５
Ａｓ 活性層、４・・・・・・ｐ型ＡＪ！ 。、２□Ｇ
ａ ｏ、ｙｓ Ａｓ層、５°°°・パｐ型”’０．３５
０ａ ｏ、ａｓ Ａｓ層、６ 、１８−・・・・ｐ型”
０．３ Ｇａｏ、Ｉ Ａ Ｓ層、７、１６ 、１７
、１９＝＝−ｎ型Ａ Ｉ Ｑ、３ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ
ｓ層、８・・・・・・ｐ型不純物拡散層、９．２０・・
・・・・ｐ型オーミック電極、１０．２１・・・・・・
ｎ型オーミック電極、１１・・・・・・ｐ型ＧａＡ、ｓ
基板、１２−・−ｐ型Ａｌｏ、Ｇａｏ４ＡＳ層、１５−
−−−−− ｎ型ｈｌ ｏ、Ｇａ ｏ７８Ａｓ層である
。 ２Ｉ 第３図 第４図
２図は本発明に係る一実施例の構造縦断面図、第３図は
本発明に係る半導体レーザ装置の中央領域の横断面図（
第Ｚ図β点）、第４図は本発明に係る半導体レーザ装置
の反射面近傍の横断面図（第２図Ｃ点）をそれぞれ示す
。図において１−−−−−− ｎ型ＱａＡｓ基板、２
ｒ １４”・・＝ ｎ型Ａｌｏ、ＧａＯ，４Ａ ｓ層、
３ 、１３ ・・・”・Ａ７０．６５ Ｇａ ｏ、ｇ５
Ａｓ 活性層、４・・・・・・ｐ型ＡＪ！ 。、２□Ｇ
ａ ｏ、ｙｓ Ａｓ層、５°°°・パｐ型”’０．３５
０ａ ｏ、ａｓ Ａｓ層、６ 、１８−・・・・ｐ型”
０．３ Ｇａｏ、Ｉ Ａ Ｓ層、７、１６ 、１７
、１９＝＝−ｎ型Ａ Ｉ Ｑ、３ Ｇ ａ Ｏ，７Ａ
ｓ層、８・・・・・・ｐ型不純物拡散層、９．２０・・
・・・・ｐ型オーミック電極、１０．２１・・・・・・
ｎ型オーミック電極、１１・・・・・・ｐ型ＧａＡ、ｓ
基板、１２−・−ｐ型Ａｌｏ、Ｇａｏ４ＡＳ層、１５−
−−−−− ｎ型ｈｌ ｏ、Ｇａ ｏ７８Ａｓ層である
。 ２Ｉ 第３図 第４図
Claims (1)
- 半導体基板上に、ｍ−ｖ族半導体からなる発光領域とこ
の発光領域を上下からはさむ様に設置されこの発光領域
よシ大きい禁制帯幅を有するキャリア閉込層とこのキャ
リア閉込層に隣接して設けられ前記発光領域よシ大きい
禁制帯幅でかつ前記キャリア閉込層より小さい禁制帯幅
を有する光ガイド層とを含むメサ状積層体を備え、との
メサ状積層体の長手方向を共振器端面まで伸延せしめる
構造の半導体レーザ装置において、前記メサ状積層体に
含まれる前記発光領域と前記キャリア閉込層とを前記共
振器端面よシ内側に位置せしめ、さらに前記メサ状積層
体の側部ならびに前記共振器端面と前記発光領域及び前
記キャリア閉込層との間に前記光ガイド層よシも大きい
禁制帯幅をもつ中導体層を形成したことを特徴とする半
導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883282A JPS5968989A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883282A JPS5968989A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968989A true JPS5968989A (ja) | 1984-04-19 |
Family
ID=16055441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17883282A Pending JPS5968989A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5968989A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283381A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
| JP2006278938A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Anritsu Corp | 半導体発光素子 |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP17883282A patent/JPS5968989A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05283381A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Sumitomo Metal Ind Ltd | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
| JP2006278938A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Anritsu Corp | 半導体発光素子 |
| JP4541208B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-09-08 | アンリツ株式会社 | 半導体発光素子 |
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