JPH0314280A - 大出力半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
大出力半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH0314280A JPH0314280A JP15164989A JP15164989A JPH0314280A JP H0314280 A JPH0314280 A JP H0314280A JP 15164989 A JP15164989 A JP 15164989A JP 15164989 A JP15164989 A JP 15164989A JP H0314280 A JPH0314280 A JP H0314280A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は情報処理等に用いる大出力半導体レーザ及びそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体レーザの高出力化と共振器端面劣化防止には、発
光端面部に発振波長に対して、透明な窓領域を設け、端
面での発振光の吸収を防ぐ必要がある。この一方法とし
て、共振器端面近傍を活性層のＡ１混晶比よりも大きな
組成の結晶で埋込んだウィンドウ構造の半導体レーザが
報告されている。
光端面部に発振波長に対して、透明な窓領域を設け、端
面での発振光の吸収を防ぐ必要がある。この一方法とし
て、共振器端面近傍を活性層のＡ１混晶比よりも大きな
組成の結晶で埋込んだウィンドウ構造の半導体レーザが
報告されている。
例えば、１９８２年プロウベルト（Ｈ，Ｂｌａｕｖｅｌ
ｔ）らが、アプライド・フィシツクスルター（Ａｐｐｌ
、 ｐｈｙｓ、。
ｔ）らが、アプライド・フィシツクスルター（Ａｐｐｌ
、 ｐｈｙｓ、。
Ｌｅｔｔ、）巻４０．１０２９ページで提案した「長井
振器ＡｌＧａＡｓ埋込みへテロ構造ウィンドウレーザ］
（“Ｌａｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ Ａｌ
ＧａＡｓ ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏ−ｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ｗｉｎｄｏｗ １ａｓｅｒｓ”）の共振器方向
断面の構造を第３図に示す。
振器ＡｌＧａＡｓ埋込みへテロ構造ウィンドウレーザ］
（“Ｌａｒｇｅ ｏｐｔｉｃａｌ ｃａｖｉｔｙ Ａｌ
ＧａＡｓ ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏ−ｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ｗｉｎｄｏｗ １ａｓｅｒｓ”）の共振器方向
断面の構造を第３図に示す。
第３図のレーザ構造は、次のように製造する。まず、ｎ
形ＧａＡｓ基板３１上に、液相成長法により、ｎ形Ａｌ
ＸＧａ１−ＸＡｓクラッド層３２、活性層３３、ｐ型Ａ
ｌｙＧａ１−ｙＡｓ光ガイド層３４まで連続に成長した
後、共振器端部付近２５ｐｍをウェットエツチングでｎ
形ＧａＡｓ基板３１まで除去し、ｎ型ＡｌｘＧａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層３２よりもＡ１混晶比が小さく、光ガイ
ド層３４より、Ａ１混晶比が大きな高抵抗光窓領域ｐ形
Ａｌ□Ｇａ１−２Ａｓ層３８、及びｎ形Ａｌ□Ｇａ１−
２Ａｓ３９により、活性層３３を共振器方向に埋め込む
。さらに、光カイ、ド層ｐ形Ａｌ、Ｇａ１ 、Ａｓ３４
、ｐ形ＡｌＸｌＧａ１−ｘ・Ａｓクラッド層３５、ｎ形
ＧａＡｓ層３６、を成長後Ｚｎで選択拡散をして、第３
図のレーザは成る。
形ＧａＡｓ基板３１上に、液相成長法により、ｎ形Ａｌ
ＸＧａ１−ＸＡｓクラッド層３２、活性層３３、ｐ型Ａ
ｌｙＧａ１−ｙＡｓ光ガイド層３４まで連続に成長した
後、共振器端部付近２５ｐｍをウェットエツチングでｎ
形ＧａＡｓ基板３１まで除去し、ｎ型ＡｌｘＧａ１−Ｘ
Ａｓクラッド層３２よりもＡ１混晶比が小さく、光ガイ
ド層３４より、Ａ１混晶比が大きな高抵抗光窓領域ｐ形
Ａｌ□Ｇａ１−２Ａｓ層３８、及びｎ形Ａｌ□Ｇａ１−
２Ａｓ３９により、活性層３３を共振器方向に埋め込む
。さらに、光カイ、ド層ｐ形Ａｌ、Ｇａ１ 、Ａｓ３４
、ｐ形ＡｌＸｌＧａ１−ｘ・Ａｓクラッド層３５、ｎ形
ＧａＡｓ層３６、を成長後Ｚｎで選択拡散をして、第３
図のレーザは成る。
この様なウィンドウ構造レーザでは、中央部分の高い注
入キャリア密度によって作られる最大利得波長（発振波
長）に対して、共振器端面近傍が吸収の無い窓領域とな
り、光出力を増大させることができる。第３図のレーザ
構造において、端面破壊レベルが数十ｍＷより、１５０
ｍＷ迄向上した。
入キャリア密度によって作られる最大利得波長（発振波
長）に対して、共振器端面近傍が吸収の無い窓領域とな
り、光出力を増大させることができる。第３図のレーザ
構造において、端面破壊レベルが数十ｍＷより、１５０
ｍＷ迄向上した。
（発明が解決しようとする課題）
共振器両端を活性層よすＡｌ混晶比の大きな結晶で埋め
込んでなる第３図の構造では、窓領域のｐ形Ａｌ□Ｇａ
１−２Ａｓ３８、ｎ形Ａｌ。Ｇａ１−２Ａｓ３９の層厚
の制御性が要求され、活性層位置と一致さぜなければ、
結合部分での結合損失が増大し、閾値電流が上昇し、大
出力は、得難い。特に、第３図に示した構造は、液相成
長技術に適した構造であり、層厚制御性が困難な、この
成長技術での製作は難しい。
込んでなる第３図の構造では、窓領域のｐ形Ａｌ□Ｇａ
１−２Ａｓ３８、ｎ形Ａｌ。Ｇａ１−２Ａｓ３９の層厚
の制御性が要求され、活性層位置と一致さぜなければ、
結合部分での結合損失が増大し、閾値電流が上昇し、大
出力は、得難い。特に、第３図に示した構造は、液相成
長技術に適した構造であり、層厚制御性が困難な、この
成長技術での製作は難しい。
さらに、情報処理用光源として、ビームの水平横方向モ
ードが制御されていることが、システムの信頼性、光ビ
ームの有効利用上きわめて重要である。第３図に示した
構造では、窓領域の横方向のモード制御機能が無い為、
活性領域でモード制御された光が、窓領域では水平横方
向に広がり、ビーム径をミクロンオーダに絞ることは困
難である。この構造で窓領域にも水平横方向モード制御
構造をさらに付加することは可能であるが、作成上工程
が著しく複雑となる。
ードが制御されていることが、システムの信頼性、光ビ
ームの有効利用上きわめて重要である。第３図に示した
構造では、窓領域の横方向のモード制御機能が無い為、
活性領域でモード制御された光が、窓領域では水平横方
向に広がり、ビーム径をミクロンオーダに絞ることは困
難である。この構造で窓領域にも水平横方向モード制御
構造をさらに付加することは可能であるが、作成上工程
が著しく複雑となる。
本発明の目的は、制御性、量産性に優れたＭＯＶＰＥ技
術を利用し、活性領域と窓領域との結合をスムーズにし
、水平横方向モード制御された大出力の半導体レーザを
実現することにある。
術を利用し、活性領域と窓領域との結合をスムーズにし
、水平横方向モード制御された大出力の半導体レーザを
実現することにある。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決するために本発明が提供する手段は、
活性層上部のクラッド層に形成されたメサと該メサ側面
に電流ブロック層を有し、共振器端面近傍は、活性層よ
りもバンドギャップの広い半導体層で覆われてなる大出
力半導体レーザにおいて、該共振器端面近傍の半導体層
がメサ状であることを特徴とし、その製造方法において
、共振器端面近傍のメサ形成工程において、マスクを用
いること無く電流ブロック層のみ選択的にエツチング液
で除去する工程と、組成依存性の無いエツチング液で少
なくとも活性層を除去する工程を有することを特徴とす
る。
活性層上部のクラッド層に形成されたメサと該メサ側面
に電流ブロック層を有し、共振器端面近傍は、活性層よ
りもバンドギャップの広い半導体層で覆われてなる大出
力半導体レーザにおいて、該共振器端面近傍の半導体層
がメサ状であることを特徴とし、その製造方法において
、共振器端面近傍のメサ形成工程において、マスクを用
いること無く電流ブロック層のみ選択的にエツチング液
で除去する工程と、組成依存性の無いエツチング液で少
なくとも活性層を除去する工程を有することを特徴とす
る。
（作用）
本発明は、活性領域ばかりでなく窓領域の水平横方向の
光ビームのモードを制御するために、窓領域をメサ状に
しており、その製作方法では、Ａ１組成依存性が有るエ
ツチング液と無いエツチング液を併用し、マスクパター
ン無で、活性層上部、のクラッド層の断面形状を下部の
クラッド層に転写し、その深さ方向の制御は、中央部分
のメサトップの深さ制御のみであり、活性領域形成時の
上部クラッド層エツチング条件を利用できる利点がある
。
光ビームのモードを制御するために、窓領域をメサ状に
しており、その製作方法では、Ａ１組成依存性が有るエ
ツチング液と無いエツチング液を併用し、マスクパター
ン無で、活性層上部、のクラッド層の断面形状を下部の
クラッド層に転写し、その深さ方向の制御は、中央部分
のメサトップの深さ制御のみであり、活性領域形成時の
上部クラッド層エツチング条件を利用できる利点がある
。
一方、窓領域と活性領域との結合は、活性層と光ガイド
層がテーパー状に結合されているので、低損失な結合と
なり、水平横モード制御された大出力半導体レーザが実
現できる。
層がテーパー状に結合されているので、低損失な結合と
なり、水平横モード制御された大出力半導体レーザが実
現できる。
（実施例）
以下、第２図を参照して、本発明の一実施例を説明する
。ｎ形ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、不純物濃度２×１
０１８ｃｍ−３）上にＭＯＶＰＥ技術により、ｎ形Ａ１
０．４５Ｇａ□、５５Ａｓクラッド層２（Ｓｉドープ、
不純物濃度２Ｘ１０１７ｃｍ−３）を２１１ｍ、次にＡ
Ｉ□、１５Ｇａ□、Ｂ５Ａｓ活性層３（ノンドープ）を
４００人、ｐ形Ａｌ□、４５Ｇａ□、５５Ａｓクラッド
層４（Ｍｇドープ、不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ
”）を２１１ｍ、最後に、ｐ＋形ＧａＡｓキャップ層５
（Ｍｇドープ、不純物濃度５Ｘ１０１８ｃｍ−３）をｌ
ｐｍ、順次連続成長する（（ａ）図）。
。ｎ形ＧａＡｓ基板１（Ｓｉドープ、不純物濃度２×１
０１８ｃｍ−３）上にＭＯＶＰＥ技術により、ｎ形Ａ１
０．４５Ｇａ□、５５Ａｓクラッド層２（Ｓｉドープ、
不純物濃度２Ｘ１０１７ｃｍ−３）を２１１ｍ、次にＡ
Ｉ□、１５Ｇａ□、Ｂ５Ａｓ活性層３（ノンドープ）を
４００人、ｐ形Ａｌ□、４５Ｇａ□、５５Ａｓクラッド
層４（Ｍｇドープ、不純物濃度Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ
”）を２１１ｍ、最後に、ｐ＋形ＧａＡｓキャップ層５
（Ｍｇドープ、不純物濃度５Ｘ１０１８ｃｍ−３）をｌ
ｐｍ、順次連続成長する（（ａ）図）。
次に成長したウェハ表面に５ｉ０２膜を４０００人形成
、フォトリソグラフィ技術により、＜０１１＞方向に幅
６ｐｍのストライプ状のＳｉ○２膜２１全２１゜そして
、Ａ１組成依存性の無いリン酸系エツチング）夜（Ｈ３
Ｐ０４＋Ｈ２Ｏ２＋３ＣＨ３０Ｈ，２０°Ｃ）テエッチ
ンクしＰ形りラッド層４をメサストライプ両サイドで、
０．３−０．４ｐｍ残す（（ｂ）図）。
、フォトリソグラフィ技術により、＜０１１＞方向に幅
６ｐｍのストライプ状のＳｉ○２膜２１全２１゜そして
、Ａ１組成依存性の無いリン酸系エツチング）夜（Ｈ３
Ｐ０４＋Ｈ２Ｏ２＋３ＣＨ３０Ｈ，２０°Ｃ）テエッチ
ンクしＰ形りラッド層４をメサストライプ両サイドで、
０．３−０．４ｐｍ残す（（ｂ）図）。
次いで、５ｉ０２膜２１を伺けたまま再成長を行ない、
ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層９、（Ｓｉドープ、不純物
濃度３×１０１８ｃｍ−３）を選択的に成長し、メサス
トライプ両サイドを埋め込む。
ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層９、（Ｓｉドープ、不純物
濃度３×１０１８ｃｍ−３）を選択的に成長し、メサス
トライプ両サイドを埋め込む。
さらに５ｉ０２膜２１を除去後、（Ｃ）図）、活性領域
のみレジスト２２で全面を覆い、３００ｐｍ間隔に５０
ｐｍ幅（素子上は２５ｐｍ長）の窓領域のみエビ結晶表
面を出し、窓領域メサストライプ形成を行なう。
のみレジスト２２で全面を覆い、３００ｐｍ間隔に５０
ｐｍ幅（素子上は２５ｐｍ長）の窓領域のみエビ結晶表
面を出し、窓領域メサストライプ形成を行なう。
リン酸系エツチング液（Ｈ３ＰＯ４＋Ｈ２Ｏ２＋３ＣＨ
３０Ｈ，２０°Ｃ）で、活性領域形成時のｐ形りラッド
層４の残量よりも０．３ｐｍ浅くエツチングする。この
時のエツチング時間は、活性領域形成時のエツチング時
間より０．３ｐｍ分少なく時間を見積もっている。
３０Ｈ，２０°Ｃ）で、活性領域形成時のｐ形りラッド
層４の残量よりも０．３ｐｍ浅くエツチングする。この
時のエツチング時間は、活性領域形成時のエツチング時
間より０．３ｐｍ分少なく時間を見積もっている。
次にアンモニア系エツチング液（ＮＨ４０Ｈ十２０Ｈ２
０２）でｐ形りラッド層４上のｎ形ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層９を選択的に除去する。（（ｄ）図）。
０２）でｐ形りラッド層４上のｎ形ＧａＡｓ電流ブロッ
ク層９を選択的に除去する。（（ｄ）図）。
最後に再びリン酸系エツチング液で、メサストライプ上
の活性層を完全に除去する（（ｅ）図）。
の活性層を完全に除去する（（ｅ）図）。
窓領域の埋め込み成長は、ｐ形Ａｌ□、３Ｇａ□、７Ａ
ｓ光ガイド層１０（Ｍｇドープ、不純物濃度７×１０１
７ｃｍ−３）を０．２ｐｍ、 ｎ形Ａ１０．５Ｇａ□、
５Ａｓ電流ブロック層１１（Ｓｉドープ、不純物濃度ｌ
Ｘ１０１７ｃｍ−３）を２１１ｍ、最後にｎ形ＧａＡｓ
電流ブロック層１２（Ｓｉドープ、不純物濃度２×１０
１８ｃｍ−３）を１１１ｍ連続成長する（（０図）。
ｓ光ガイド層１０（Ｍｇドープ、不純物濃度７×１０１
７ｃｍ−３）を０．２ｐｍ、 ｎ形Ａ１０．５Ｇａ□、
５Ａｓ電流ブロック層１１（Ｓｉドープ、不純物濃度ｌ
Ｘ１０１７ｃｍ−３）を２１１ｍ、最後にｎ形ＧａＡｓ
電流ブロック層１２（Ｓｉドープ、不純物濃度２×１０
１８ｃｍ−３）を１１１ｍ連続成長する（（０図）。
窓領域をレジストで覆い、活性領域（３００ｐｍ幅）を
ｐ＋形ＧａＡｓキャップ層５内までリン酸系エツチング
液で除去した後、レジストを除去し、窓領域を完全にＳ
ｉ○２膜１３で覆う。その後ｐ形電極６を活性領域のみ
に形成し、裏面にｎ形電極７を形成する。
ｐ＋形ＧａＡｓキャップ層５内までリン酸系エツチング
液で除去した後、レジストを除去し、窓領域を完全にＳ
ｉ○２膜１３で覆う。その後ｐ形電極６を活性領域のみ
に形成し、裏面にｎ形電極７を形成する。
最後に、窓領域の中央で襞間し、窓領域２５ｐｍ活性領
域３００ｐｍ、全体の共振器長３５０ｐｍの本発明の半
導体レーザは完成する。
域３００ｐｍ、全体の共振器長３５０ｐｍの本発明の半
導体レーザは完成する。
次に、第１図を用いて、本発明の半導体レーザの構造の
動作の特徴について述べる。
動作の特徴について述べる。
ｐ側電極６より注入されたキャリアは、はとんど活性領
域に注入される。ｐ形ＡｌＸＧａ１−ｘＡｓＡｓクララ
４よりｐ形ＡｌｙＧａ１ ｙＡｓＡｓイガ４１層１０っ
て流れるリーク電流については、光ガイド層が薄いので
、この部分の抵抗は大きく、さらに光ガイド層部分は、
活性層よりもバンドギャップが広いので、この部分でキ
ャリアの再結合する量は無視できると考えられる。活性
領域でキャリアの再結合で発生した光は、水平横方向に
は、ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層１２により、ビーム広
がりを抑制され、活性領域を導波し、光ガイド層部分と
テーパー状に低損失で結合し、窓領域の両端面で反射を
くり返し、光増幅し、レーザ発振が生じる。
域に注入される。ｐ形ＡｌＸＧａ１−ｘＡｓＡｓクララ
４よりｐ形ＡｌｙＧａ１ ｙＡｓＡｓイガ４１層１０っ
て流れるリーク電流については、光ガイド層が薄いので
、この部分の抵抗は大きく、さらに光ガイド層部分は、
活性層よりもバンドギャップが広いので、この部分でキ
ャリアの再結合する量は無視できると考えられる。活性
領域でキャリアの再結合で発生した光は、水平横方向に
は、ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層１２により、ビーム広
がりを抑制され、活性領域を導波し、光ガイド層部分と
テーパー状に低損失で結合し、窓領域の両端面で反射を
くり返し、光増幅し、レーザ発振が生じる。
窓領域は、メサ形状をなしているため、光ビームはメサ
トソプ部分で光導波される一方で、水平横方向の導波は
、メサストライプ両側で導波路がわん曲することによる
、屈折率分布のメサストライプ部分が大きくなり、中央
部分に収光され、光の構法がりを抑制している。
トソプ部分で光導波される一方で、水平横方向の導波は
、メサストライプ両側で導波路がわん曲することによる
、屈折率分布のメサストライプ部分が大きくなり、中央
部分に収光され、光の構法がりを抑制している。
（発明の効果）
本発明において、窓領域と活性領域との結合は、順メサ
、逆メサどちらを共振器方向に取るかに依らず、活性層
付近は、テーパー状に結合されるので低損失な結合で、
大出力動作が可能である。
、逆メサどちらを共振器方向に取るかに依らず、活性層
付近は、テーパー状に結合されるので低損失な結合で、
大出力動作が可能である。
また、窓領域の水平横方向モード制御は、活性領域の水
平横方向モード制御のようにｎ形ＧａＡｓ電流ブロック
層による損失導波とは異なり、屈折率導波となるため、
活性領域で生じた犬山ノコを高効率に取り出すことが可
能である。
平横方向モード制御のようにｎ形ＧａＡｓ電流ブロック
層による損失導波とは異なり、屈折率導波となるため、
活性領域で生じた犬山ノコを高効率に取り出すことが可
能である。
製作上では、窓領域のメサストライプ形成工程で、活性
領域のメサストライプ形成工程の条件を利用できるので
、その深さ方向の制御が比較的容易であり、さらにマス
クレスで窓領域のメサストライプを形成できる利点もあ
る。本発明の構造の大出力レーザでは、水平横方向モー
ド制御された出力３００ｍＷ以上の大出力が期待できる
。
領域のメサストライプ形成工程の条件を利用できるので
、その深さ方向の制御が比較的容易であり、さらにマス
クレスで窓領域のメサストライプを形成できる利点もあ
る。本発明の構造の大出力レーザでは、水平横方向モー
ド制御された出力３００ｍＷ以上の大出力が期待できる
。
第１図は、本発明の構造概略図であり、第２図は、その
製造工程概略図である。第３図は、従来の窓領域付半導
体レーザの構造概略図である。 １１８．ｎ形ＧａＡｓ基板、２−ｎ形Ａｌ、Ｇａ１−ｙ
Ａｓクラッド層、３・・・活性層、４・・・ｐ形Ａｌｘ
Ｇａ１−ＸＡｓクラッド層、５・・・ｐ＋形ＧａＡｓキ
ャップ層、６・・・ｐ側電極、７・・・ｎ側電極、９・
ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層、１０・ｐ形ＡｌｙＧａ１
−ｙＡｓ光ガイド層（ｙ＜ｘ）、１１・ｎ形Ａｌ□Ｇａ
１−２Ａｓ（ｚ＜ｙ）電流ブロック層、１２・・・ｎ形
ＧａＡｓ電流ブロック層、１３゜２１．８ｉ０２膜、２
２・・・レジスト、３１・ｎ−ＧａＡｓ基板、３２−ｎ
形ＧａＡｓ基板、３２・ｎ形ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓクラ
ッド層（ｘ’ ＞ ｘ）、３３・・・活性層、３４−ｐ
形Ａｌ、Ｇａ１ ｙＡｓ光ガイド層（ｙ＜ｚ）、３５・
ｐ形Ａｌｘ・Ｇａ１ ｘ・Ａｓクラッド層、３６・ｎ形
ＧａＡｓ、３’ｌ−’Ｚｍ拡散領域、３８・ｐ形Ａｌ□
Ｇａ１−２Ａｓ、３９・ｎ形Ａ１ｚＧａＩ ＺＡＳ、４
０・ｐ形電極、４１−ｎ形電極、４２・・・絶縁膜。
製造工程概略図である。第３図は、従来の窓領域付半導
体レーザの構造概略図である。 １１８．ｎ形ＧａＡｓ基板、２−ｎ形Ａｌ、Ｇａ１−ｙ
Ａｓクラッド層、３・・・活性層、４・・・ｐ形Ａｌｘ
Ｇａ１−ＸＡｓクラッド層、５・・・ｐ＋形ＧａＡｓキ
ャップ層、６・・・ｐ側電極、７・・・ｎ側電極、９・
ｎ形ＧａＡｓ電流ブロック層、１０・ｐ形ＡｌｙＧａ１
−ｙＡｓ光ガイド層（ｙ＜ｘ）、１１・ｎ形Ａｌ□Ｇａ
１−２Ａｓ（ｚ＜ｙ）電流ブロック層、１２・・・ｎ形
ＧａＡｓ電流ブロック層、１３゜２１．８ｉ０２膜、２
２・・・レジスト、３１・ｎ−ＧａＡｓ基板、３２−ｎ
形ＧａＡｓ基板、３２・ｎ形ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓクラ
ッド層（ｘ’ ＞ ｘ）、３３・・・活性層、３４−ｐ
形Ａｌ、Ｇａ１ ｙＡｓ光ガイド層（ｙ＜ｚ）、３５・
ｐ形Ａｌｘ・Ｇａ１ ｘ・Ａｓクラッド層、３６・ｎ形
ＧａＡｓ、３’ｌ−’Ｚｍ拡散領域、３８・ｐ形Ａｌ□
Ｇａ１−２Ａｓ、３９・ｎ形Ａ１ｚＧａＩ ＺＡＳ、４
０・ｐ形電極、４１−ｎ形電極、４２・・・絶縁膜。
Claims (2)
- （１）活性層上部のクラッド層に形成されたメサと該メ
サ側面に電流ブロック層を有し、共振器端面近傍は、活
性層よりもバンドギャップの広い半導体層で覆われてな
る大出力半導体レーザにおいて、該共振器端面近傍の半
導体層がメサ状であることを特徴とする大出力半導体レ
ーザ。 - （２）請求項１記載の半導体レーザの製造工程において
、共振器端面近傍のメサ形成工程において、マスクを用
いること無く、電流ブロック層のみ選択的にエッチング
液で除去する工程と、組成依存性の無いエッチング液で
少なくとも活性層を除去する工程を有することを特徴と
する半導体レーザの製造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164989A JPH0314280A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 大出力半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15164989A JPH0314280A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 大出力半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314280A true JPH0314280A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15523185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15164989A Pending JPH0314280A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 大出力半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0314280A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537092A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP15164989A patent/JPH0314280A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537092A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
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