JPH07122813A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH07122813A JPH07122813A JP26924193A JP26924193A JPH07122813A JP H07122813 A JPH07122813 A JP H07122813A JP 26924193 A JP26924193 A JP 26924193A JP 26924193 A JP26924193 A JP 26924193A JP H07122813 A JPH07122813 A JP H07122813A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光共振器端部に非光吸収領域を設けて成る半
導体レーザにおいて、動作特性を安定化し発振閾値電圧
を低減する。 【構成】 n-GaAs基板28上に順次にn-InGaP クラッド層
30a 、n-InGaAsP ガイド層32a 、n-InGaP エッチングス
トップ層34a 、InGaAs/GaAs 歪み量子井戸活性層36b 、
p-InGaP 保護層38b 、p-InGaP クラッド層42a 及びp-Ga
Asコンタクト層44b を積層して、メサストライプ構造を
形成する。そしてこの構造両側部のクラッド層30a 上に
順次にp-InGaP 電流ブロック層及びn-InGaP 電流ブロッ
ク層を積層する。酸化しにくいInGaAsP 系半導体材料を
用いるので動作特性を安定化でき、またメサストライプ
構造を電流ブロック層で埋め込むので発振閾値電圧を低
減できる。
導体レーザにおいて、動作特性を安定化し発振閾値電圧
を低減する。 【構成】 n-GaAs基板28上に順次にn-InGaP クラッド層
30a 、n-InGaAsP ガイド層32a 、n-InGaP エッチングス
トップ層34a 、InGaAs/GaAs 歪み量子井戸活性層36b 、
p-InGaP 保護層38b 、p-InGaP クラッド層42a 及びp-Ga
Asコンタクト層44b を積層して、メサストライプ構造を
形成する。そしてこの構造両側部のクラッド層30a 上に
順次にp-InGaP 電流ブロック層及びn-InGaP 電流ブロッ
ク層を積層する。酸化しにくいInGaAsP 系半導体材料を
用いるので動作特性を安定化でき、またメサストライプ
構造を電流ブロック層で埋め込むので発振閾値電圧を低
減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ、特に光
共振器端面の光学的損傷を抑制するようにした構造の半
導体レーザの製造方法に関する。
共振器端面の光学的損傷を抑制するようにした構造の半
導体レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の半導体レーザとし
て、文献１：IEEE JOURNAL OF QUANTUMELECTRONICS VO
L.25, NO.6, pp1495 〜1499, JUNE 1989 に開示されて
いるものがある。図１１及び図１２はこの従来の半導体
レーザの製造工程を概略的に示す斜視図である。
て、文献１：IEEE JOURNAL OF QUANTUMELECTRONICS VO
L.25, NO.6, pp1495 〜1499, JUNE 1989 に開示されて
いるものがある。図１１及び図１２はこの従来の半導体
レーザの製造工程を概略的に示す斜視図である。
【０００３】その製造に当っては、まず、ｐ−ＧａＡｓ
基板１０の（１００）基板面をエッチングして、メサ島
状体１０ａを形成する。メサ島状体１０ａを基板１０の
両端面からそれぞれ離間させる（図１１（Ａ））。次
に、ＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxial）法により、メサ
島状体１０ａ上にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１２を成
長させる（図１１（Ｂ））。次に、電流ブロック層１２
をエッチングして、並列する２本のリッジ１２ａ及び１
２ｂを形成する。これらリッジ１２ａ及び１２ｂの間で
メサ島状体１０ａを露出させる（図１１（Ｃ））。次
に、ＬＰＥ法により、リッジ１２ａ及び１２ｂ上に、順
次に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ下側クラッド層１４、ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓガイド層１６、アンドープＧａＡｌＡｓ活性層
１８、ｎ−ＧａＡｌＡｓ閉じ込め層２０及びｎ−ＧａＡ
ｌＡｓバッファ層２２を積層する（図１１（Ｄ））。次
に、バッファ層２２、閉じ込め層２０及び活性層１８を
順次にエッチングし、光共振器の一方の端面側の非光吸
収量Ａ及び他方の端面側の非光吸収領域Ｂの間に島状バ
ッファ層２２ａ、島状閉じ込め層２０ａ及び島状活性層
１８ａを形成する（図１２（Ａ））。非光吸収量領域Ａ
及びＢから各層２２、２０及び１８を除去し、これら領
域Ａ及びＢにおいてガイド層１６を露出させる。次に、
ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy ）法
により、ガイド層１６上に順次に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ上
側クラッド層２４及びｎ−ＧａＡｓコンタクト層２６を
積層する（図１２（Ｂ））。島状のバッファ層２２ａ、
閉じ込め層２０ａ及び活性層１８ａを、上側クラッド層
２４で埋め込む。次に、図示せずも、基板裏面側にｐ側
電極及びコンタクト層２６上にｎ側電極を形成し、さら
に光共振器の一方の端面に低反射膜（Antireflecting F
ilm ）を及び他方の端面に高反射膜（High Reflecting
Film）を形成して、半導体レーザを完成する。
基板１０の（１００）基板面をエッチングして、メサ島
状体１０ａを形成する。メサ島状体１０ａを基板１０の
両端面からそれぞれ離間させる（図１１（Ａ））。次
に、ＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxial）法により、メサ
島状体１０ａ上にｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層１２を成
長させる（図１１（Ｂ））。次に、電流ブロック層１２
をエッチングして、並列する２本のリッジ１２ａ及び１
２ｂを形成する。これらリッジ１２ａ及び１２ｂの間で
メサ島状体１０ａを露出させる（図１１（Ｃ））。次
に、ＬＰＥ法により、リッジ１２ａ及び１２ｂ上に、順
次に、ｐ−ＧａＡｌＡｓ下側クラッド層１４、ｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓガイド層１６、アンドープＧａＡｌＡｓ活性層
１８、ｎ−ＧａＡｌＡｓ閉じ込め層２０及びｎ−ＧａＡ
ｌＡｓバッファ層２２を積層する（図１１（Ｄ））。次
に、バッファ層２２、閉じ込め層２０及び活性層１８を
順次にエッチングし、光共振器の一方の端面側の非光吸
収量Ａ及び他方の端面側の非光吸収領域Ｂの間に島状バ
ッファ層２２ａ、島状閉じ込め層２０ａ及び島状活性層
１８ａを形成する（図１２（Ａ））。非光吸収量領域Ａ
及びＢから各層２２、２０及び１８を除去し、これら領
域Ａ及びＢにおいてガイド層１６を露出させる。次に、
ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy ）法
により、ガイド層１６上に順次に、ｎ−ＧａＡｌＡｓ上
側クラッド層２４及びｎ−ＧａＡｓコンタクト層２６を
積層する（図１２（Ｂ））。島状のバッファ層２２ａ、
閉じ込め層２０ａ及び活性層１８ａを、上側クラッド層
２４で埋め込む。次に、図示せずも、基板裏面側にｐ側
電極及びコンタクト層２６上にｎ側電極を形成し、さら
に光共振器の一方の端面に低反射膜（Antireflecting F
ilm ）を及び他方の端面に高反射膜（High Reflecting
Film）を形成して、半導体レーザを完成する。
【０００４】この半導体レーザでは、非光吸収領域Ａ、
Ｂから活性層１８を除去することによりＮＡＭ（Non-ab
sorbing mirrors ）構造を形成すると共に非光吸収領域
Ａ、Ｂへの電流注入をなくすために電流ブロック層１２
を設ける。非光吸収領域Ａ、Ｂにおいて光吸収及び電流
注入による発熱を減少させることにより、光共振器端面
の光学的損傷（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage
）を抑制する。ＣＯＤの抑制により、高出力でしかも
長寿命な半導体レーザを提供できる。
Ｂから活性層１８を除去することによりＮＡＭ（Non-ab
sorbing mirrors ）構造を形成すると共に非光吸収領域
Ａ、Ｂへの電流注入をなくすために電流ブロック層１２
を設ける。非光吸収領域Ａ、Ｂにおいて光吸収及び電流
注入による発熱を減少させることにより、光共振器端面
の光学的損傷（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage
）を抑制する。ＣＯＤの抑制により、高出力でしかも
長寿命な半導体レーザを提供できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来技術では、ＭＯＶＰＥ法により、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
下側クラッド層１６上にｎ−ＧａＡｌＡｓ上側クラッド
層２４を積層する。ＭＯＶＰＥ法を用いるのは、ＬＰＥ
法では、露出させたＧａＡｌＡｓ上側クラッド層２４上
に結晶成長させることが困難であることによる。しかし
ＭＯＶＰＥ法を用いるとＡｌが酸化し易い。Ａｌが酸化
すると下側及び上側クラッド層１６及び１８の結晶界面
が荒れ従って結晶欠陥を生じるので、半導体レーザの動
作特性を長期間にわたり安定に維持することが難しくな
る。
従来技術では、ＭＯＶＰＥ法により、ｐ−ＧａＡｌＡｓ
下側クラッド層１６上にｎ−ＧａＡｌＡｓ上側クラッド
層２４を積層する。ＭＯＶＰＥ法を用いるのは、ＬＰＥ
法では、露出させたＧａＡｌＡｓ上側クラッド層２４上
に結晶成長させることが困難であることによる。しかし
ＭＯＶＰＥ法を用いるとＡｌが酸化し易い。Ａｌが酸化
すると下側及び上側クラッド層１６及び１８の結晶界面
が荒れ従って結晶欠陥を生じるので、半導体レーザの動
作特性を長期間にわたり安定に維持することが難しくな
る。
【０００６】また上述した従来技術では、活性層横方向
（リッジ１２ａ、１２ｂの配列方向）に活性層１８ａを
幅広く延在させて設けているので、活性層横方向おける
電流の閉じ込めが弱く、その結果、発振閾値電圧が高く
なる。
（リッジ１２ａ、１２ｂの配列方向）に活性層１８ａを
幅広く延在させて設けているので、活性層横方向おける
電流の閉じ込めが弱く、その結果、発振閾値電圧が高く
なる。
【０００７】この発明は上述した従来の問題点を解決す
るため、結晶界面の荒れを減少させることができしかも
活性層横方向における電流の閉じ込めを強くすることの
できる半導体レーザの製造方法を提供することにある。
るため、結晶界面の荒れを減少させることができしかも
活性層横方向における電流の閉じ込めを強くすることの
できる半導体レーザの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、第一発明の半導体レーザの製造方法は、光共振器の
一方の共振器端面の側及び他方の共振器端面の側にそれ
ぞれ非光吸収領域を設けて成る半導体レーザを製造する
に当り、第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、第一導電
型下側クラッド層、アンドープＩｎＧａＡｓＰガイド
層、アンドープＩｎＧａＰエッチングストップ層、活性
層及び第一導電型とは反対導電型の第二導電型ＩｎＧａ
Ｐ保護層を積層する工程と、保護層及び活性層をエッチ
ングし、一方及び他方の非光吸収領域の間に、島状保護
層及び島状活性層を形成する工程と、島状保護層上に順
次に、第二導電型上側クラッド層及び第二導電型ＧａＡ
ｓコンタクト層を積層する工程と、コンタクト層から下
側クラッド層までの各層をエッチングして、メサストラ
イプ構造を一方の共振器端面位置から他方の共振器端面
位置まで形成する工程と、メサストライプ構造両側部の
下側クラッド層上に順次に、第二導電型下側ブロック層
及び第一導電型上側ブロックを積層し、これらブロック
層でメサストライプ構造両側部を埋め込む工程と、メサ
ストライプ構造のコンタクト層をエッチングして、一方
及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト層を形成
する工程とを含んで成ることを特徴とする。
め、第一発明の半導体レーザの製造方法は、光共振器の
一方の共振器端面の側及び他方の共振器端面の側にそれ
ぞれ非光吸収領域を設けて成る半導体レーザを製造する
に当り、第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、第一導電
型下側クラッド層、アンドープＩｎＧａＡｓＰガイド
層、アンドープＩｎＧａＰエッチングストップ層、活性
層及び第一導電型とは反対導電型の第二導電型ＩｎＧａ
Ｐ保護層を積層する工程と、保護層及び活性層をエッチ
ングし、一方及び他方の非光吸収領域の間に、島状保護
層及び島状活性層を形成する工程と、島状保護層上に順
次に、第二導電型上側クラッド層及び第二導電型ＧａＡ
ｓコンタクト層を積層する工程と、コンタクト層から下
側クラッド層までの各層をエッチングして、メサストラ
イプ構造を一方の共振器端面位置から他方の共振器端面
位置まで形成する工程と、メサストライプ構造両側部の
下側クラッド層上に順次に、第二導電型下側ブロック層
及び第一導電型上側ブロックを積層し、これらブロック
層でメサストライプ構造両側部を埋め込む工程と、メサ
ストライプ構造のコンタクト層をエッチングして、一方
及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト層を形成
する工程とを含んで成ることを特徴とする。
【０００９】第二発明の半導体レーザの製造方法は、光
共振器の一方の共振器端面の側及び他方の共振器端面の
側にそれぞれ非光吸収領域を設けて成る半導体レーザを
製造するに当り、第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、
第一導電型下側クラッド層、第一導電型ＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層、第一導電型ＩｎＧａＰエッチングストップ
層、活性層及び第一導電型とは反対導電型の第二導電型
ＩｎＧａＰ保護層を積層する工程と、保護層及び活性層
をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域の間に、
島状保護層及び島状活性層を形成する工程と、島状保護
層上に順次に、第二導電型上側クラッド層及び第二導電
型ＧａＡｓコンタクト層を積層する工程と、コンタクト
層から下側クラッド層までの各層をエッチングして、メ
サストライプ構造を一方の共振器端面位置から他方の共
振器端面位置まで形成する工程と、メサストライプ構造
両側部の下側クラッド層上に順次に、第二導電型下側ブ
ロック層及び第一導電型上側ブロックを積層し、これら
ブロック層でメサストライプ構造両側部を埋め込む工程
と、メサストライプ構造のコンタクト層をエッチングし
て、一方及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト
層を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする。
共振器の一方の共振器端面の側及び他方の共振器端面の
側にそれぞれ非光吸収領域を設けて成る半導体レーザを
製造するに当り、第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、
第一導電型下側クラッド層、第一導電型ＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層、第一導電型ＩｎＧａＰエッチングストップ
層、活性層及び第一導電型とは反対導電型の第二導電型
ＩｎＧａＰ保護層を積層する工程と、保護層及び活性層
をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域の間に、
島状保護層及び島状活性層を形成する工程と、島状保護
層上に順次に、第二導電型上側クラッド層及び第二導電
型ＧａＡｓコンタクト層を積層する工程と、コンタクト
層から下側クラッド層までの各層をエッチングして、メ
サストライプ構造を一方の共振器端面位置から他方の共
振器端面位置まで形成する工程と、メサストライプ構造
両側部の下側クラッド層上に順次に、第二導電型下側ブ
ロック層及び第一導電型上側ブロックを積層し、これら
ブロック層でメサストライプ構造両側部を埋め込む工程
と、メサストライプ構造のコンタクト層をエッチングし
て、一方及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト
層を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする。
【００１０】第一発明のアンドープＩｎＧａＡｓＰガイ
ド層及びアンドープＩｎＧａＰエッチングストップ層を
それぞれ、第一導電型ＩｎＧａＡｓＰガイド層及び第一
導電型ＩｎＧａＰエッチングストップ層に置き換えたも
のが第二発明である。
ド層及びアンドープＩｎＧａＰエッチングストップ層を
それぞれ、第一導電型ＩｎＧａＡｓＰガイド層及び第一
導電型ＩｎＧａＰエッチングストップ層に置き換えたも
のが第二発明である。
【００１１】第一及び第二発明いずれの場合も、下側ク
ラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧａＰ層とし、又
は、下側クラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧａＡｓ
Ｐ層とすることができる。
ラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧａＰ層とし、又
は、下側クラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧａＡｓ
Ｐ層とすることができる。
【００１２】また第一及び第二発明いずれの場合も、下
側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧａＰ層とし、
又は、下側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧａＡ
ｓＰ層とすることができる。
側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧａＰ層とし、
又は、下側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧａＡ
ｓＰ層とすることができる。
【００１３】さらに第一及び第二発明いずれの場合も、
活性層を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ
層及びＧａＡｓ層のいずれかひとつとすることができ
る。
活性層を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ
層及びＧａＡｓ層のいずれかひとつとすることができ
る。
【００１４】
【作用】第一及び第二発明によれば、Ａｌを含まないＩ
ｎＧａＡｓＰ系半導体材料を用いて、半導体レーザを製
造するので、結晶成長界面の荒れを少なくすることがで
きる。
ｎＧａＡｓＰ系半導体材料を用いて、半導体レーザを製
造するので、結晶成長界面の荒れを少なくすることがで
きる。
【００１５】また活性層を含むメサストライプ構造を形
成し、この構造の両側部をそれぞれ下側及び上側ブロッ
ク層で埋め込むので、活性層横方向における電流の閉じ
込めを強くすることができる。
成し、この構造の両側部をそれぞれ下側及び上側ブロッ
ク層で埋め込むので、活性層横方向における電流の閉じ
込めを強くすることができる。
【００１６】さらにメサストライプ構造のコンタクト層
をエッチングして、一方及び他方の非光吸収領域の間に
島状コンタクト層を形成する。従ってメサストライプ構
造の活性層に島状コンタクト層を介して電流を注入する
際に、一方及び他方の非光吸収領域に電流が注入される
のを実質的に無くせる。
をエッチングして、一方及び他方の非光吸収領域の間に
島状コンタクト層を形成する。従ってメサストライプ構
造の活性層に島状コンタクト層を介して電流を注入する
際に、一方及び他方の非光吸収領域に電流が注入される
のを実質的に無くせる。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照し、発明の実施例につき説
明する。尚、図面は発明が理解できる程度に概略的に示
してあるにすぎず、従って発明を図示例に限定するもの
ではない。
明する。尚、図面は発明が理解できる程度に概略的に示
してあるにすぎず、従って発明を図示例に限定するもの
ではない。
【００１８】図１〜図９は実施例の説明図であって主要
な製造工程を段階的に示す。図２、図５及び図７は平面
図、図１、図３及び図４は図２のII−II線に沿って取っ
た断面に対応する断面図、図６は図５のＶ−Ｖ線に沿っ
て取った断面に対応する断面図、図８及び図９は図７の
VII −VII 線に沿って取った断面に対応する断面図であ
る。まず、第一発明の実施例につき説明する。
な製造工程を段階的に示す。図２、図５及び図７は平面
図、図１、図３及び図４は図２のII−II線に沿って取っ
た断面に対応する断面図、図６は図５のＶ−Ｖ線に沿っ
て取った断面に対応する断面図、図８及び図９は図７の
VII −VII 線に沿って取った断面に対応する断面図であ
る。まず、第一発明の実施例につき説明する。
【００１９】（１−１）光共振器の一方の共振器端面の
側及び他方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域Ａ
及びＢを設けて成る半導体レーザを製造するに当り、ま
ず、第一導電型ＧａＡｓ基板２８上に順次に、第一導電
型ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、アンドープＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層３２、アンドープＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、活性層３６及び第一導電型とは反対導
電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層３８を積層する。
側及び他方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域Ａ
及びＢを設けて成る半導体レーザを製造するに当り、ま
ず、第一導電型ＧａＡｓ基板２８上に順次に、第一導電
型ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、アンドープＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層３２、アンドープＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、活性層３６及び第一導電型とは反対導
電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層３８を積層する。
【００２０】この実施例では、第一導電型をｎ型及び第
二導電型をｐ型とするものであって、ＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓ基板２８の（１００）基板面２８ａ上
に順次に、ｎ−ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰガイド層３２、アンドープＩｎＧａ
Ｐエッチングストップ層３４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸活性層３６及びｐ−ＩｎＧａＰ保護層３８
をエピタキシャル成長させる（図１）。これら各層３
２、３４、３６及び３８を、（１００）基板面２８ａに
格子整合させながら連続した結晶として順次に成長させ
る。
二導電型をｐ型とするものであって、ＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓ基板２８の（１００）基板面２８ａ上
に順次に、ｎ−ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、アンド
ープＩｎＧａＡｓＰガイド層３２、アンドープＩｎＧａ
Ｐエッチングストップ層３４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸活性層３６及びｐ−ＩｎＧａＰ保護層３８
をエピタキシャル成長させる（図１）。これら各層３
２、３４、３６及び３８を、（１００）基板面２８ａに
格子整合させながら連続した結晶として順次に成長させ
る。
【００２１】ガイド層３２の組成及び厚さは半導体レー
ザの発振特性に影響を与えるので、その組成及び厚さを
適正な値に決定する必要がある。ここでは、ガイド層３
２のバンドギャップ波長を７６０〜８３０ｎｍ程度とす
るようにガイド層３２の組成を定め、ガイド層３２の厚
さを０．１〜０．２μｍ程度とする。
ザの発振特性に影響を与えるので、その組成及び厚さを
適正な値に決定する必要がある。ここでは、ガイド層３
２のバンドギャップ波長を７６０〜８３０ｎｍ程度とす
るようにガイド層３２の組成を定め、ガイド層３２の厚
さを０．１〜０．２μｍ程度とする。
【００２２】活性層３６は歪み超格子より成る量子井戸
構造を有し、アンドープＧａＡｓ層の間にアンドープＩ
ｎＧａＡｓ層を挟むようにこれらＩｎＧａＡｓ層及びＧ
ａＡｓ層を交互に積層して歪み超格子を形成する。この
場合、歪み超格子を形成するアンドープＩｎＧａＡｓ層
の組成及び厚さを適宜決定することにより、半導体レー
ザの発振波長を制御できる。例えば発振波長を９８０ｎ
ｍ程度とするには、厚さ６〜７ｎｍ程度のアンドープＩ
ｎX Ｇａ1-X Ａｓ層（但し０．１５≦Ｘ≦０．１８）を
形成すれば良い。
構造を有し、アンドープＧａＡｓ層の間にアンドープＩ
ｎＧａＡｓ層を挟むようにこれらＩｎＧａＡｓ層及びＧ
ａＡｓ層を交互に積層して歪み超格子を形成する。この
場合、歪み超格子を形成するアンドープＩｎＧａＡｓ層
の組成及び厚さを適宜決定することにより、半導体レー
ザの発振波長を制御できる。例えば発振波長を９８０ｎ
ｍ程度とするには、厚さ６〜７ｎｍ程度のアンドープＩ
ｎX Ｇａ1-X Ａｓ層（但し０．１５≦Ｘ≦０．１８）を
形成すれば良い。
【００２３】（１−２）次に、保護層３８及び活性層３
６をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域Ａ及び
Ｂの間に、島状保護層３８ａ及び島状活性層３６ａを形
成する。
６をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域Ａ及び
Ｂの間に、島状保護層３８ａ及び島状活性層３６ａを形
成する。
【００２４】この実施例では、保護層３８上に保護層全
面にわたって、エッチングマスク材料例えばＳｉＯ2 を
積層する。然る後、フォトリソ及びエッチング技術によ
り、エッチングマスク材料をエッチングし、エッチング
マスク４０を形成する（図２）。好ましくは、保護層３
８をエッチングしないようにエッチングマスク材料のみ
を選択的にエッチングする。
面にわたって、エッチングマスク材料例えばＳｉＯ2 を
積層する。然る後、フォトリソ及びエッチング技術によ
り、エッチングマスク材料をエッチングし、エッチング
マスク４０を形成する（図２）。好ましくは、保護層３
８をエッチングしないようにエッチングマスク材料のみ
を選択的にエッチングする。
【００２５】エッチングマスク４０は島状保護層３８ａ
及び島状活性層３８ａに対応する領域を覆い、非光吸収
領域Ａ、Ｂを露出する。半導体レーザ一素子を構成する
ための光共振器の一方及び他方の共振器端面の位置を符
号Ｃを付して示せば、レーザ光出射方向イにおいて、こ
れら一方及び他方の共振器端面位置Ｃが挟む領域内の中
央部をエッチングマスク４０で覆う。そしてエッチング
マスク４０と一方の共振器端面位置Ｃとを距離Ｔ１だけ
離間させ、エッチングマスク４０から一方の共振器端面
位置Ｃまでの領域を非光吸収領域Ａとして露出させる。
またエッチングマスク４０と他方の共振器端面位置Ｃと
を距離Ｔ２だけ離間させ、エッチングマスク４０から他
方の共振器端面位置Ｃまでの領域を非光吸収領域Ｂとし
て露出させる。従って出射方向イにおけるこれら領域Ａ
及びＢの幅はそれぞれＴ１及びＴ２である。出射方向イ
におけるエッチングマスク４０の幅Ｔ３は出射方向イに
おける島状活性層３６ａの長さを決定するものであっ
て、従って幅Ｔ３は半導体レーザの発振閾値電圧、発振
効率及び最高出力に密接に関与する。ここではこれを考
慮して幅Ｔ３＝５００〜７００μｍ程度とする。
及び島状活性層３８ａに対応する領域を覆い、非光吸収
領域Ａ、Ｂを露出する。半導体レーザ一素子を構成する
ための光共振器の一方及び他方の共振器端面の位置を符
号Ｃを付して示せば、レーザ光出射方向イにおいて、こ
れら一方及び他方の共振器端面位置Ｃが挟む領域内の中
央部をエッチングマスク４０で覆う。そしてエッチング
マスク４０と一方の共振器端面位置Ｃとを距離Ｔ１だけ
離間させ、エッチングマスク４０から一方の共振器端面
位置Ｃまでの領域を非光吸収領域Ａとして露出させる。
またエッチングマスク４０と他方の共振器端面位置Ｃと
を距離Ｔ２だけ離間させ、エッチングマスク４０から他
方の共振器端面位置Ｃまでの領域を非光吸収領域Ｂとし
て露出させる。従って出射方向イにおけるこれら領域Ａ
及びＢの幅はそれぞれＴ１及びＴ２である。出射方向イ
におけるエッチングマスク４０の幅Ｔ３は出射方向イに
おける島状活性層３６ａの長さを決定するものであっ
て、従って幅Ｔ３は半導体レーザの発振閾値電圧、発振
効率及び最高出力に密接に関与する。ここではこれを考
慮して幅Ｔ３＝５００〜７００μｍ程度とする。
【００２６】また複数の半導体レーザを並行して同一プ
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク４０をレ
ーザ発振光の出射方向イに所定間隔Ｔ０で離間させて並
列配置し、これらエッチングマスク４０をそれぞれ出射
方向イと直交する方向ロにストライプ状に延在させる。
この場合、間隔Ｔ０は、非光吸収領域Ａの幅Ｔ１と非光
吸収領域Ｂの幅Ｔ２との和に等しく、例えばＴ１及びＴ
２を従来技術の場合と同様にＴ１＝Ｔ２＝２５μｍとす
れば、Ｔ０＝５０μｍである。方向イ及びロはそれぞ
れ、例えば、後掲の表１に示す方向に平行な方向であ
る。
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク４０をレ
ーザ発振光の出射方向イに所定間隔Ｔ０で離間させて並
列配置し、これらエッチングマスク４０をそれぞれ出射
方向イと直交する方向ロにストライプ状に延在させる。
この場合、間隔Ｔ０は、非光吸収領域Ａの幅Ｔ１と非光
吸収領域Ｂの幅Ｔ２との和に等しく、例えばＴ１及びＴ
２を従来技術の場合と同様にＴ１＝Ｔ２＝２５μｍとす
れば、Ｔ０＝５０μｍである。方向イ及びロはそれぞ
れ、例えば、後掲の表１に示す方向に平行な方向であ
る。
【００２７】エッチングマスク４０を形成し終えたら、
次いで、活性層３６をエッチングしないように保護層３
８を選択的にエッチングして、島状保護層３８ａを形成
する（図３（Ａ））。非光吸収領域Ａ、Ｂに対応する領
域の保護層３８を活性層３６に至る深さまでエッチング
除去し、エッチングマスク４０に対応する領域に残存す
る保護層３８より成る島状保護層３８ａを得る。このよ
うな選択的エッチングは、例えば塩素系エッチャントを
用いたウェットエッチングにより、行なうことができ
る。塩素系エッチャントとしては、例えば市販の電子工
業用ＨＣｌとＨ2Ｏとを体積比４：１で混合したものを
用いれば良い。然る後、エッチングマスク４０をエッチ
ング除去する。好ましくは、活性層３６及び島状保護層
３８ａをエッチングしないようにエッチングマスク４０
を選択的にエッチング除去する。この選択的エッチング
は、例えばエッチャントとして沸酸を用いたウェットエ
ッチングにより、行なうことができる。
次いで、活性層３６をエッチングしないように保護層３
８を選択的にエッチングして、島状保護層３８ａを形成
する（図３（Ａ））。非光吸収領域Ａ、Ｂに対応する領
域の保護層３８を活性層３６に至る深さまでエッチング
除去し、エッチングマスク４０に対応する領域に残存す
る保護層３８より成る島状保護層３８ａを得る。このよ
うな選択的エッチングは、例えば塩素系エッチャントを
用いたウェットエッチングにより、行なうことができ
る。塩素系エッチャントとしては、例えば市販の電子工
業用ＨＣｌとＨ2Ｏとを体積比４：１で混合したものを
用いれば良い。然る後、エッチングマスク４０をエッチ
ング除去する。好ましくは、活性層３６及び島状保護層
３８ａをエッチングしないようにエッチングマスク４０
を選択的にエッチング除去する。この選択的エッチング
は、例えばエッチャントとして沸酸を用いたウェットエ
ッチングにより、行なうことができる。
【００２８】次いで、エッチングマスクとして島状保護
層３８ａを用い、この層３８ａをエッチングしないよう
に活性層３６を選択的にエッチングして、島状活性層３
６ａを形成する（図３（Ｂ））。非光吸収領域Ａ、Ｂに
対応する領域の活性層３６をエッチングストップ層３２
に至る深さまでエッチング除去し、島状保護層３８ａに
対応する領域に残存する活性層３６から成る島状活性層
３６ａを得る。このような選択的エッチングは、例えば
エッチャントとしてアンモニア及び過酸化水素の混合液
を用いたウエットエッチングにより、行なうことができ
る。アンモニア及び過酸化水素の混合液としては、例え
ば市販の電子工業用アンモニア水と市販の電子工業用過
酸化水素水と純水とを体積比１：４：１５で混合したも
のを用いれば良いが、この場合、活性層３６を深さ方向
にエッチングした後に横方向（活性層３６に沿う方向）
にもエッチングが進む。そこで非光吸収領域Ａ、Ｂに対
応する領域の活性層３６をエッチングストップ層３２に
至る深さまでエッチング除去し従って島状活性層３６ａ
を形成できたら、横方向のエッチングを極力抑制すべく
その後速やかにエッチャントを水で洗い流す。アンモニ
ア、過酸化水素及び水をモル比１：４：１５で混合した
エッチャントの場合、エッチャントの温度を２０℃にし
て約１０秒間選択エッチングを行なうことにより島状活
性層３６ａを形成できるので、約１０秒間のエッチング
の後速やかにエッチャントを水で洗い流せば良い。
層３８ａを用い、この層３８ａをエッチングしないよう
に活性層３６を選択的にエッチングして、島状活性層３
６ａを形成する（図３（Ｂ））。非光吸収領域Ａ、Ｂに
対応する領域の活性層３６をエッチングストップ層３２
に至る深さまでエッチング除去し、島状保護層３８ａに
対応する領域に残存する活性層３６から成る島状活性層
３６ａを得る。このような選択的エッチングは、例えば
エッチャントとしてアンモニア及び過酸化水素の混合液
を用いたウエットエッチングにより、行なうことができ
る。アンモニア及び過酸化水素の混合液としては、例え
ば市販の電子工業用アンモニア水と市販の電子工業用過
酸化水素水と純水とを体積比１：４：１５で混合したも
のを用いれば良いが、この場合、活性層３６を深さ方向
にエッチングした後に横方向（活性層３６に沿う方向）
にもエッチングが進む。そこで非光吸収領域Ａ、Ｂに対
応する領域の活性層３６をエッチングストップ層３２に
至る深さまでエッチング除去し従って島状活性層３６ａ
を形成できたら、横方向のエッチングを極力抑制すべく
その後速やかにエッチャントを水で洗い流す。アンモニ
ア、過酸化水素及び水をモル比１：４：１５で混合した
エッチャントの場合、エッチャントの温度を２０℃にし
て約１０秒間選択エッチングを行なうことにより島状活
性層３６ａを形成できるので、約１０秒間のエッチング
の後速やかにエッチャントを水で洗い流せば良い。
【００２９】上述のようにして非光吸収領域Ａ、Ｂから
活性層３６を除去しこれら領域Ａ、Ｂの間に島状活性層
３６ａを形成することにより、ＮＡＭ（Non-absorbing
Mirros）構造を形成できる。
活性層３６を除去しこれら領域Ａ、Ｂの間に島状活性層
３６ａを形成することにより、ＮＡＭ（Non-absorbing
Mirros）構造を形成できる。
【００３０】（１−３）次に、島状保護層３８ａ上に順
次に、第二導電型ＩｎＧａＰ上側クラッド層４２及び第
二導電型ＧａＡｓコンタクト層４４を積層する。
次に、第二導電型ＩｎＧａＰ上側クラッド層４２及び第
二導電型ＧａＡｓコンタクト層４４を積層する。
【００３１】この実施例では、ＭＯＶＰＥ法により、島
状保護層３８ａ上に順次に、ｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッ
ド層４２及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４４をエピタキ
シャル成長させる（図４）。これら各層４２及び４４
を、（１００）基板面２８ａに格子整合させながら連続
した結晶として順次に成長させる。
状保護層３８ａ上に順次に、ｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッ
ド層４２及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４４をエピタキ
シャル成長させる（図４）。これら各層４２及び４４
を、（１００）基板面２８ａに格子整合させながら連続
した結晶として順次に成長させる。
【００３２】レーザ発振光は島状活性層３６ａから出射
され非光吸収領域Ａ或はＢを伝搬して共振器端面に至
り、共振器端面で反射されて再び島状活性層３６ａに入
射する。この再入射の際にレーザ発振光を効率良く島状
活性層３６ａに入射させるため、ガイド層３２のバンド
ギャップを、下側クラッド層３０、エッチングストップ
層３４及び上側クラッド層４２よりも小さくすると共に
島状活性層３６よりも大きくする。これと共にガイド層
３２を後述するようにメサストライプ構造とすることに
より、このメサストライプ構造に沿って光の導波構造を
形成することができ、その結果、レーザ発振光を効率良
く島状活性層３６へ再入射させることができる。
され非光吸収領域Ａ或はＢを伝搬して共振器端面に至
り、共振器端面で反射されて再び島状活性層３６ａに入
射する。この再入射の際にレーザ発振光を効率良く島状
活性層３６ａに入射させるため、ガイド層３２のバンド
ギャップを、下側クラッド層３０、エッチングストップ
層３４及び上側クラッド層４２よりも小さくすると共に
島状活性層３６よりも大きくする。これと共にガイド層
３２を後述するようにメサストライプ構造とすることに
より、このメサストライプ構造に沿って光の導波構造を
形成することができ、その結果、レーザ発振光を効率良
く島状活性層３６へ再入射させることができる。
【００３３】また下側クラッド層３０、ガイド層３２、
エッチングストップ層３４及び上側クラッド層４２を発
振波長に対して透明とすることにより、非光吸収領域
Ａ、Ｂにおけるレーザ発振光の吸収を抑制する。この結
果、光吸収による光共振器の破壊を抑制できる。
エッチングストップ層３４及び上側クラッド層４２を発
振波長に対して透明とすることにより、非光吸収領域
Ａ、Ｂにおけるレーザ発振光の吸収を抑制する。この結
果、光吸収による光共振器の破壊を抑制できる。
【００３４】（１−４）次に、コンタクト層４４から下
側クラッド層３０までの各層をエッチングして、メサス
トライプ構造４６を一方の共振器端面位置Ｃから他方の
共振器端面位置Ｃまで形成する。
側クラッド層３０までの各層をエッチングして、メサス
トライプ構造４６を一方の共振器端面位置Ｃから他方の
共振器端面位置Ｃまで形成する。
【００３５】この実施例では、コンタクト層４４上にコ
ンタクト層全面にわたって、エッチングマスク材料例え
ばＳｉＯ2 を積層する。然る後、フォトリソ及びエッチ
ング技術により、エッチングマスク材料をエッチング
し、エッチングマスク４８を形成する（図５）。好まし
くは、コンタクト層４４をエッチングしないようにエッ
チングマスク材料のみを選択的にエッチングする。
ンタクト層全面にわたって、エッチングマスク材料例え
ばＳｉＯ2 を積層する。然る後、フォトリソ及びエッチ
ング技術により、エッチングマスク材料をエッチング
し、エッチングマスク４８を形成する（図５）。好まし
くは、コンタクト層４４をエッチングしないようにエッ
チングマスク材料のみを選択的にエッチングする。
【００３６】エッチングマスク４８はメサストライプ構
造４６に対応する領域（以下、メサストライプ形成領域
Ｄ）を覆い、それ以外の領域（以下、メサストライプ非
形成領域Ｅ）を露出する。半導体レーザ一素子を形成す
る領域の方向ロにおける一方及び他方の端縁位置を符号
Ｄを付して示せば、方向ロにおいて、これら一方及び他
方の端縁位置Ｄが挟む領域内の中央部をエッチングマス
ク４８で覆う。そしてエッチングマスク４８と一方の端
縁位置Ｄとを所定距離だけ離間させ、エッチングマスク
４８から一方の端縁位置Ｄまでの領域を一方のメサスト
ライプ非形成領域Ｅとして露出させる。またエッチング
マスク４８と他方の端縁位置Ｄとを所定距離だけ離間さ
せ、エッチングマスク４８から他方の端縁位置Ｄまでの
領域を他方のメサストライプ非形成領域Ｅとして露出さ
せる。
造４６に対応する領域（以下、メサストライプ形成領域
Ｄ）を覆い、それ以外の領域（以下、メサストライプ非
形成領域Ｅ）を露出する。半導体レーザ一素子を形成す
る領域の方向ロにおける一方及び他方の端縁位置を符号
Ｄを付して示せば、方向ロにおいて、これら一方及び他
方の端縁位置Ｄが挟む領域内の中央部をエッチングマス
ク４８で覆う。そしてエッチングマスク４８と一方の端
縁位置Ｄとを所定距離だけ離間させ、エッチングマスク
４８から一方の端縁位置Ｄまでの領域を一方のメサスト
ライプ非形成領域Ｅとして露出させる。またエッチング
マスク４８と他方の端縁位置Ｄとを所定距離だけ離間さ
せ、エッチングマスク４８から他方の端縁位置Ｄまでの
領域を他方のメサストライプ非形成領域Ｅとして露出さ
せる。
【００３７】また複数の半導体レーザを並行して同一プ
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク４８を方
向ロに所定間隔例えば３５０μｍ間隔で離間させて並列
配置し、これらエッチングマスク４８を出射方向イにス
トライプ状に延在させる。
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク４８を方
向ロに所定間隔例えば３５０μｍ間隔で離間させて並列
配置し、これらエッチングマスク４８を出射方向イにス
トライプ状に延在させる。
【００３８】エッチングマスク４８を形成し終えたら、
次いで、ウエットエッチングにより、コンタクト層４
４、上側クラッド層４２、島状保護層３８ａ、島状活性
層３６ａ、エッチングストップ層３４、ガイド層３２及
び下側クラッド層３０の各層を順次にエッチングして、
それぞれ断面形状がメサ形状のメサコンタクト層４４
ａ、メサ上側クラッド層４２ａ、メサ保護層３８ｂ、メ
サ活性層３６ｂ、メサエッチングストップ層３４ａ、メ
サガイド層３２ａ及びメサ下側クラッド層３０ａより成
るメサストライプ構造４６を形成する（図６（Ａ））。
下側クラッド層３０はメサ下側クラッド層３０ａとこれ
よりも層厚の薄い平坦部３０ｂを有する平凸型の層に形
成する。平坦部３０ｂほぼ平坦な表面を有する。
次いで、ウエットエッチングにより、コンタクト層４
４、上側クラッド層４２、島状保護層３８ａ、島状活性
層３６ａ、エッチングストップ層３４、ガイド層３２及
び下側クラッド層３０の各層を順次にエッチングして、
それぞれ断面形状がメサ形状のメサコンタクト層４４
ａ、メサ上側クラッド層４２ａ、メサ保護層３８ｂ、メ
サ活性層３６ｂ、メサエッチングストップ層３４ａ、メ
サガイド層３２ａ及びメサ下側クラッド層３０ａより成
るメサストライプ構造４６を形成する（図６（Ａ））。
下側クラッド層３０はメサ下側クラッド層３０ａとこれ
よりも層厚の薄い平坦部３０ｂを有する平凸型の層に形
成する。平坦部３０ｂほぼ平坦な表面を有する。
【００３９】このようなエッチングは、例えばＨＢｒ、
Ｈ2 Ｏ2 及びＨ2 Ｏの混合液より成るエッチャントを用
いることにより、行なうことができる。方向ロにおける
エッチングマスク４８の幅を３〜５μｍとすることによ
り、方向ロにおける幅が１〜２μｍ程度のメサ活性層３
６ｂを形成する。
Ｈ2 Ｏ2 及びＨ2 Ｏの混合液より成るエッチャントを用
いることにより、行なうことができる。方向ロにおける
エッチングマスク４８の幅を３〜５μｍとすることによ
り、方向ロにおける幅が１〜２μｍ程度のメサ活性層３
６ｂを形成する。
【００４０】（１−５）次に、メサストライプ構造４６
の両側部の下側クラッド層３０上に順次に、第二導電型
ＩｎＧａＰ下側ブロック層５０及び第一導電型ＩｎＧａ
Ｐ上側ブロック５２を積層し、これらブロック層５０、
５２でメサストライプ構造４６の両側部を埋め込む。
の両側部の下側クラッド層３０上に順次に、第二導電型
ＩｎＧａＰ下側ブロック層５０及び第一導電型ＩｎＧａ
Ｐ上側ブロック５２を積層し、これらブロック層５０、
５２でメサストライプ構造４６の両側部を埋め込む。
【００４１】この実施例では、ＭＯＶＰＥ法により、下
側クラッド層３０の平坦部３０ｂ上に順次に、ｐ−Ｉｎ
ＧａＰ下側ブロック層５０及びｎ−ＩｎＧａＰ上側ブロ
ック層５２をエピタキシャル成長させる（図６
（Ｂ））。これら各層５０及び５２を、（１００）基板
面２８ａに格子整合させながら連続した結晶として順次
に成長させる。然る後、エッチングマスク４８をエッチ
ング除去する。好ましくは、上側ブロック層５２をエッ
チングしないようにエッチングマスク４８を選択的にエ
ッチング除去する。
側クラッド層３０の平坦部３０ｂ上に順次に、ｐ−Ｉｎ
ＧａＰ下側ブロック層５０及びｎ−ＩｎＧａＰ上側ブロ
ック層５２をエピタキシャル成長させる（図６
（Ｂ））。これら各層５０及び５２を、（１００）基板
面２８ａに格子整合させながら連続した結晶として順次
に成長させる。然る後、エッチングマスク４８をエッチ
ング除去する。好ましくは、上側ブロック層５２をエッ
チングしないようにエッチングマスク４８を選択的にエ
ッチング除去する。
【００４２】下側ブロック層５０及び上側ブロック層５
２はメサストライプ非形成領域Ｅにｐｎ接合を形成しメ
サストライプ形成領域Ｄにｐｎ接合を形成していないの
で、メサ活性層３６ｂへの電流注入効率を高めることが
できる。
２はメサストライプ非形成領域Ｅにｐｎ接合を形成しメ
サストライプ形成領域Ｄにｐｎ接合を形成していないの
で、メサ活性層３６ｂへの電流注入効率を高めることが
できる。
【００４３】（１−６）次に、メサストライプ構造４６
のコンタクト層４４をエッチングして、一方及び他方の
非光吸収領域の間に島状コンタクト層４４ｂを形成す
る。
のコンタクト層４４をエッチングして、一方及び他方の
非光吸収領域の間に島状コンタクト層４４ｂを形成す
る。
【００４４】この実施例では、メサストライプ構造４６
のコンタクト層４４すなわちメサコンタクト層４４ａ及
び上側ブロック層５２上にこれら層全面にわたって、エ
ッチングマスク材料例えばＳｉＯ2 を積層する。然る
後、フォトリソ及びエッチング技術により、エッチング
マスク材料をエッチングし、エッチングマスク５４を形
成する（図７）。好ましくは、メサコンタクト層４４ａ
及び上側ブロック層５２をエッチングしないようにエッ
チングマスク材料のみを選択的にエッチングする。
のコンタクト層４４すなわちメサコンタクト層４４ａ及
び上側ブロック層５２上にこれら層全面にわたって、エ
ッチングマスク材料例えばＳｉＯ2 を積層する。然る
後、フォトリソ及びエッチング技術により、エッチング
マスク材料をエッチングし、エッチングマスク５４を形
成する（図７）。好ましくは、メサコンタクト層４４ａ
及び上側ブロック層５２をエッチングしないようにエッ
チングマスク材料のみを選択的にエッチングする。
【００４５】エッチングマスク５４は平面的に見てメサ
活性層３６ｂとほぼ重なり合う領域のメサコンタクト４
４ａを覆い、それ以外の領域のメサコンタクト層４４ａ
を露出する。
活性層３６ｂとほぼ重なり合う領域のメサコンタクト４
４ａを覆い、それ以外の領域のメサコンタクト層４４ａ
を露出する。
【００４６】また複数の半導体レーザを並行して同一プ
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク５４を出
射方向イに所定間隔で離間させて並列配置し、これらエ
ッチングマスク５４を方向ロにストライプ状に延在させ
る。
ロセスで製造すべく、複数のエッチングマスク５４を出
射方向イに所定間隔で離間させて並列配置し、これらエ
ッチングマスク５４を方向ロにストライプ状に延在させ
る。
【００４７】エッチングマスク５４を形成し終えたら、
次いで、ウエットエッチングにより、メサコンタクト層
４４ａをエッチングし、平面的に見てメサ活性層３６ｂ
と重なり合う領域に島状に残存する島状コンタクト層４
４ｂを形成する（図８（Ａ））。好ましくは、上側ブロ
ック層５２をエッチングしないようにメサコンタクト層
４４ａを選択的にエッチングする。然る後、エッチング
マスク５４をエッチング除去する。
次いで、ウエットエッチングにより、メサコンタクト層
４４ａをエッチングし、平面的に見てメサ活性層３６ｂ
と重なり合う領域に島状に残存する島状コンタクト層４
４ｂを形成する（図８（Ａ））。好ましくは、上側ブロ
ック層５２をエッチングしないようにメサコンタクト層
４４ａを選択的にエッチングする。然る後、エッチング
マスク５４をエッチング除去する。
【００４８】（１−７）次いで、図８（Ｂ）にも示すよ
うに、島状コンタクト層４４ｂ及び上側ブロック層５２
上にこれら各層４４ｂ及び５２を覆う絶縁膜５６例えば
ＳｉＯ2 を形成し、然る後、この絶縁膜５６に島状コン
タクト層４４ｂを露出する窓５６ａを形成する。次い
で、窓５６ａを介し露出する島状コンタクト層４４ｂ上
に電極５８を形成する。また基板裏面に電極６０を形成
する。この実施例では第一導電型をｎ型及び第二導電型
をｐ型とするので、電極５８はｐ側電極及び電極６０は
ｎ側電極となる。
うに、島状コンタクト層４４ｂ及び上側ブロック層５２
上にこれら各層４４ｂ及び５２を覆う絶縁膜５６例えば
ＳｉＯ2 を形成し、然る後、この絶縁膜５６に島状コン
タクト層４４ｂを露出する窓５６ａを形成する。次い
で、窓５６ａを介し露出する島状コンタクト層４４ｂ上
に電極５８を形成する。また基板裏面に電極６０を形成
する。この実施例では第一導電型をｎ型及び第二導電型
をｐ型とするので、電極５８はｐ側電極及び電極６０は
ｎ側電極となる。
【００４９】島状コンタクト層４４ｂを、平面的に見て
メサ活性層３６ｂとほぼ重なり合う領域に形成しそれ以
外の領域には形成していないので、一方及び他方の非光
吸収領域Ａ及びＢには電流が注入されない。その結果、
電流注入による光共振器の破壊を抑制できる。
メサ活性層３６ｂとほぼ重なり合う領域に形成しそれ以
外の領域には形成していないので、一方及び他方の非光
吸収領域Ａ及びＢには電流が注入されない。その結果、
電流注入による光共振器の破壊を抑制できる。
【００５０】次いで、図９にも示すように、一方及び他
方の共振器端面位置Ｃで劈開し、然る後、一方の共振器
端面に高反射膜（High Reflecting Film）６２を形成す
ると共に他方の共振器端面に低反射膜（Anti-Reflectin
g Film）６４を形成する。然る後、一方及び他方の端縁
位置Ｆで劈開し半導体レーザを個々の素子に分離して、
半導体レーザを完成する。
方の共振器端面位置Ｃで劈開し、然る後、一方の共振器
端面に高反射膜（High Reflecting Film）６２を形成す
ると共に他方の共振器端面に低反射膜（Anti-Reflectin
g Film）６４を形成する。然る後、一方及び他方の端縁
位置Ｆで劈開し半導体レーザを個々の素子に分離して、
半導体レーザを完成する。
【００５１】上述した実施例においては、第一導電型を
ｎ型及び第二導電型をｐ型とするほか、第一導電型をｐ
型及び第二導電型をｎ型とすることができる。或は、下
側クラッド層３０及び上側クラッド層４２を、ＩｎＧａ
Ｐ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることができる。
或は、下側ブロック層５０及び上側ブロック層５２を、
ＩｎＧａＰ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることが
できる。或は、活性層３６を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層とするほかＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ歪
み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓを用いて形
成した歪み超格子より成る量子井戸層）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及び
ＩｎＧａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子
井戸層）、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪
み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＧａ
Ａｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子井戸
層）、ＩｎＧａＡｓＰ層及びＧａＡｓ層のいずれかひと
つとすることができる。活性層３６はアンドープとして
良いし、活性層３６を第一導電型或は第二導電型の活性
層としても良い。
ｎ型及び第二導電型をｐ型とするほか、第一導電型をｐ
型及び第二導電型をｎ型とすることができる。或は、下
側クラッド層３０及び上側クラッド層４２を、ＩｎＧａ
Ｐ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることができる。
或は、下側ブロック層５０及び上側ブロック層５２を、
ＩｎＧａＰ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることが
できる。或は、活性層３６を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層とするほかＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ歪
み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓを用いて形
成した歪み超格子より成る量子井戸層）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及び
ＩｎＧａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子
井戸層）、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪
み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＧａ
Ａｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子井戸
層）、ＩｎＧａＡｓＰ層及びＧａＡｓ層のいずれかひと
つとすることができる。活性層３６はアンドープとして
良いし、活性層３６を第一導電型或は第二導電型の活性
層としても良い。
【００５２】図１０は上述した第一発明の実施例で製造
した半導体レーザに関わる光出力−動作電流特性の一例
を示す図であって、縦軸に光出力（ｍＷ）及び横軸に動
作電流（ｍＡ）を取って示す。同図に示す例では、出射
方向イにおけるメサ活性層３６ｂの長さを７００μｍ、
非光吸収領域Ａ及びＢの幅Ｔ１及びＴ２をそれぞれ４０
μｍとし、従って光共振器長を７８０μｍとした半導体
レーザを製造した。そしてこの半導体レーザを室温２０
℃において連続動作して光出力−動作電流特性を計測し
た。メサストライプ構造４６を電流ブロック層５０、５
２で埋め込んだ埋込構造としているので、発振閾値は５
〜７ｍＡである。従来技術の項で述べた文献１の場合に
は発振閾値が４０ｍＡであったのと比較すると、この実
施例の場合は半導体レーザの発振閾値を大幅に小さくす
ることができる。またこの実施例の場合、最高出力の１
８０ｍＡ付近までＣＯＤは観測されず従ってＮＡＭ構造
を効果的に形成できていることが理解できる。
した半導体レーザに関わる光出力−動作電流特性の一例
を示す図であって、縦軸に光出力（ｍＷ）及び横軸に動
作電流（ｍＡ）を取って示す。同図に示す例では、出射
方向イにおけるメサ活性層３６ｂの長さを７００μｍ、
非光吸収領域Ａ及びＢの幅Ｔ１及びＴ２をそれぞれ４０
μｍとし、従って光共振器長を７８０μｍとした半導体
レーザを製造した。そしてこの半導体レーザを室温２０
℃において連続動作して光出力−動作電流特性を計測し
た。メサストライプ構造４６を電流ブロック層５０、５
２で埋め込んだ埋込構造としているので、発振閾値は５
〜７ｍＡである。従来技術の項で述べた文献１の場合に
は発振閾値が４０ｍＡであったのと比較すると、この実
施例の場合は半導体レーザの発振閾値を大幅に小さくす
ることができる。またこの実施例の場合、最高出力の１
８０ｍＡ付近までＣＯＤは観測されず従ってＮＡＭ構造
を効果的に形成できていることが理解できる。
【００５３】次に第二発明の実施例につき説明する。こ
の実施例は、上述した第一発明の実施例のアンドープＩ
ｎＧａＡｓＰガイド層３２及びアンドープＩｎＧａＰエ
ッチングストップ層３４をそれぞれ、第一導電型ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層３２及び第一導電型ＩｎＧａＰエッチ
ングストップ層３４に置き換えた例であって、そのほか
は上述した第一発明の実施例と同様である。以下、第一
発明の実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省
略する。
の実施例は、上述した第一発明の実施例のアンドープＩ
ｎＧａＡｓＰガイド層３２及びアンドープＩｎＧａＰエ
ッチングストップ層３４をそれぞれ、第一導電型ＩｎＧ
ａＡｓＰガイド層３２及び第一導電型ＩｎＧａＰエッチ
ングストップ層３４に置き換えた例であって、そのほか
は上述した第一発明の実施例と同様である。以下、第一
発明の実施例と同様の点についてはその詳細な説明を省
略する。
【００５４】（２−１）光共振器の一方の共振器端面の
側及び他方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域Ａ
及びＢを設けて成る半導体レーザを製造するに当り、ま
ず、第一導電型ＧａＡｓ基板２８上に順次に、第一導電
型ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、第一導電型ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層３２、第一導電型ＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、活性層３６及び第一導電型とは反対導
電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層３８を積層する。
側及び他方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域Ａ
及びＢを設けて成る半導体レーザを製造するに当り、ま
ず、第一導電型ＧａＡｓ基板２８上に順次に、第一導電
型ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、第一導電型ＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層３２、第一導電型ＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、活性層３６及び第一導電型とは反対導
電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層３８を積層する。
【００５５】この実施例では、第一導電型をｎ型及び第
二導電型をｐ型とするものであって、ＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓ基板２８の（１００）基板面２８ａ上
に順次に、ｎ−ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層３２、ｎ−ＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸
活性層３６及びｐ−ＩｎＧａＰ保護層３８をエピタキシ
ャル成長させる（図１）。
二導電型をｐ型とするものであって、ＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ−ＧａＡｓ基板２８の（１００）基板面２８ａ上
に順次に、ｎ−ＩｎＧａＰ下側クラッド層３０、ｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層３２、ｎ−ＩｎＧａＰエッチング
ストップ層３４、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸
活性層３６及びｐ−ＩｎＧａＰ保護層３８をエピタキシ
ャル成長させる（図１）。
【００５６】（２−２）次に、保護層３８及び活性層３
６をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域Ａ及び
Ｂの間に、島状保護層３８ａ及び島状活性層３６ａを形
成する。
６をエッチングし、一方及び他方の非光吸収領域Ａ及び
Ｂの間に、島状保護層３８ａ及び島状活性層３６ａを形
成する。
【００５７】この実施例では、保護層３８上にエッチン
グマスク４０を形成する（図２）。エッチングマスク４
０は島状保護層３８ａ及び島状活性層３８ａに対応する
領域を覆い、非光吸収領域Ａ、Ｂを露出する。次いで、
活性層３６をエッチングしないように保護層３８を選択
的にエッチングして、島状保護層３８ａを形成する（図
３（Ａ））。然る後、エッチングマスク４０をエッチン
グ除去する。次いで、エッチングマスクとして島状保護
層３８ａを用い、この層３８ａをエッチングしないよう
に活性層３６を選択的にエッチングして、島状活性層３
６ａを形成する（図３（Ｂ））。
グマスク４０を形成する（図２）。エッチングマスク４
０は島状保護層３８ａ及び島状活性層３８ａに対応する
領域を覆い、非光吸収領域Ａ、Ｂを露出する。次いで、
活性層３６をエッチングしないように保護層３８を選択
的にエッチングして、島状保護層３８ａを形成する（図
３（Ａ））。然る後、エッチングマスク４０をエッチン
グ除去する。次いで、エッチングマスクとして島状保護
層３８ａを用い、この層３８ａをエッチングしないよう
に活性層３６を選択的にエッチングして、島状活性層３
６ａを形成する（図３（Ｂ））。
【００５８】（２−３）次に、島状保護層３８ａ上に順
次に、第二導電型ＩｎＧａＰ上側クラッド層４２及び第
二導電型ＧａＡｓコンタクト層４４を積層する。
次に、第二導電型ＩｎＧａＰ上側クラッド層４２及び第
二導電型ＧａＡｓコンタクト層４４を積層する。
【００５９】この実施例では、ＭＯＶＰＥ法により、島
状保護層３８ａ上に順次に、ｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッ
ド層４２及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４４をエピタキ
シャル成長させる（図４）。
状保護層３８ａ上に順次に、ｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッ
ド層４２及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４４をエピタキ
シャル成長させる（図４）。
【００６０】（２−４）次に、コンタクト層４４から下
側クラッド層３０までの各層をエッチングして、メサス
トライプ構造４６を一方の共振器端面位置Ｃから他方の
共振器端面位置Ｃまで形成する。
側クラッド層３０までの各層をエッチングして、メサス
トライプ構造４６を一方の共振器端面位置Ｃから他方の
共振器端面位置Ｃまで形成する。
【００６１】この実施例では、コンタクト層４４上にエ
ッチングマスク４８を形成する（図５）。エッチングマ
スク４８はメサストライプ構造４６に対応する領域（メ
サストライプ形成領域Ｄ）を覆い、それ以外の領域（メ
サストライプ非形成領域Ｅ）を露出する。次いで、ウエ
ットエッチングにより、コンタクト層４４、上側クラッ
ド層４２、島状保護層３８ａ、島状活性層３６ａ、エッ
チングストップ層３４、ガイド層３２及び下側クラッド
層３０の各層を順次にエッチングして、それぞれ断面形
状がメサ形状のメサコンタクト層４４ａ、メサ上側クラ
ッド層４２ａ、メサ保護層３８ｂ、メサ活性層３６ｂ、
メサエッチングストップ層３４ａ、メサガイド層３２ａ
及びメサ下側クラッド層３０ａより成るメサストライプ
構造４６を形成する（図６（Ａ））。
ッチングマスク４８を形成する（図５）。エッチングマ
スク４８はメサストライプ構造４６に対応する領域（メ
サストライプ形成領域Ｄ）を覆い、それ以外の領域（メ
サストライプ非形成領域Ｅ）を露出する。次いで、ウエ
ットエッチングにより、コンタクト層４４、上側クラッ
ド層４２、島状保護層３８ａ、島状活性層３６ａ、エッ
チングストップ層３４、ガイド層３２及び下側クラッド
層３０の各層を順次にエッチングして、それぞれ断面形
状がメサ形状のメサコンタクト層４４ａ、メサ上側クラ
ッド層４２ａ、メサ保護層３８ｂ、メサ活性層３６ｂ、
メサエッチングストップ層３４ａ、メサガイド層３２ａ
及びメサ下側クラッド層３０ａより成るメサストライプ
構造４６を形成する（図６（Ａ））。
【００６２】（２−５）次に、メサストライプ構造４６
両側部の下側クラッド層３０上に順次に、第二導電型Ｉ
ｎＧａＰ下側ブロック層５０及び第一導電型ＩｎＧａＰ
上側ブロック５２を積層し、これらブロック層５０、５
２でメサストライプ構造４６両側部を埋め込む。
両側部の下側クラッド層３０上に順次に、第二導電型Ｉ
ｎＧａＰ下側ブロック層５０及び第一導電型ＩｎＧａＰ
上側ブロック５２を積層し、これらブロック層５０、５
２でメサストライプ構造４６両側部を埋め込む。
【００６３】この実施例では、ＭＯＶＰＥ法により、下
側クラッド層３０の平坦部３０ｂ状に順次に、ｐ−Ｉｎ
ＧａＰ下側ブロック層５０及びｎ−ＩｎＧａＰ上側ブロ
ック層５２をエピタキシャル成長させる（図６
（Ｂ））。
側クラッド層３０の平坦部３０ｂ状に順次に、ｐ−Ｉｎ
ＧａＰ下側ブロック層５０及びｎ−ＩｎＧａＰ上側ブロ
ック層５２をエピタキシャル成長させる（図６
（Ｂ））。
【００６４】（２−６）次に、メサストライプ構造４６
のコンタクト層４４をエッチングして、一方及び他方の
非光吸収領域Ａ及びＢの間に島状コンタクト層４４ｂを
形成する。
のコンタクト層４４をエッチングして、一方及び他方の
非光吸収領域Ａ及びＢの間に島状コンタクト層４４ｂを
形成する。
【００６５】この実施例では、メサストライプ構造４６
のコンタクト層４４すなわちメサコンタクト層４４ａ上
にエッチングマスク５４を形成する（図７）。エッチン
グマスク５４は平面的に見てメサ活性層３６ｂとほぼ重
なり合う領域のメサコンタクト４４ａを覆い、それ以外
の領域のメサコンタクト層４４ａを露出する。次いで、
ウエットエッチングにより、メサコンタクト層４４ａを
エッチングし、平面的に見てメサ活性層３６ｂと重なり
合う領域に島状に残存する島状コンタクト層４４ｂを形
成する（図８（Ａ））。
のコンタクト層４４すなわちメサコンタクト層４４ａ上
にエッチングマスク５４を形成する（図７）。エッチン
グマスク５４は平面的に見てメサ活性層３６ｂとほぼ重
なり合う領域のメサコンタクト４４ａを覆い、それ以外
の領域のメサコンタクト層４４ａを露出する。次いで、
ウエットエッチングにより、メサコンタクト層４４ａを
エッチングし、平面的に見てメサ活性層３６ｂと重なり
合う領域に島状に残存する島状コンタクト層４４ｂを形
成する（図８（Ａ））。
【００６６】（２−７）次いで、図８（Ｂ）にも示すよ
うに、上側ブロック層５２を絶縁膜５６で覆う。絶縁膜
５６は、島状コンタクト層４４ｂを露出する窓５６ａを
有する。次いで、窓５６ａを介し露出する島状コンタク
ト層４４ｂ上に電極５８を形成する。また基板裏面に電
極６０を形成する。
うに、上側ブロック層５２を絶縁膜５６で覆う。絶縁膜
５６は、島状コンタクト層４４ｂを露出する窓５６ａを
有する。次いで、窓５６ａを介し露出する島状コンタク
ト層４４ｂ上に電極５８を形成する。また基板裏面に電
極６０を形成する。
【００６７】次いで、図９にも示すように、一方及び他
方の共振器端面位置Ｃで劈開し、然る後、一方の共振器
端面に高反射膜６２を形成すると共に他方の共振器端面
に低反射膜６４を形成する。然る後、一方及び他方の端
縁位置Ｆで劈開し半導体レーザを個々の素子に分離し
て、半導体レーザを完成する。
方の共振器端面位置Ｃで劈開し、然る後、一方の共振器
端面に高反射膜６２を形成すると共に他方の共振器端面
に低反射膜６４を形成する。然る後、一方及び他方の端
縁位置Ｆで劈開し半導体レーザを個々の素子に分離し
て、半導体レーザを完成する。
【００６８】上述した実施例においては、第一導電型を
ｎ型及び第二導電型をｐ型とするほか、第一導電型をｐ
型及び第二導電型をｎ型とすることができる。或は、下
側クラッド層３０及び上側クラッド層４２を、ＩｎＧａ
Ｐ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることができる。
或は、下側ブロック層５０及び上側ブロック層５２を、
ＩｎＧａＰ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることが
できる。或は、活性層３６を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層とするほか、ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓを用いて
形成した歪み超格子より成る量子井戸層）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及
びＩｎＧａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量
子井戸層）、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＧ
ａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子井戸
層）、ＩｎＧａＡｓＰ層及びＧａＡｓ層のいずれかひと
つとすることができる。活性層３６をアンドープとして
も良いし、活性層３６を第一導電型或は第二導電型の活
性層としても良い。
ｎ型及び第二導電型をｐ型とするほか、第一導電型をｐ
型及び第二導電型をｎ型とすることができる。或は、下
側クラッド層３０及び上側クラッド層４２を、ＩｎＧａ
Ｐ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることができる。
或は、下側ブロック層５０及び上側ブロック層５２を、
ＩｎＧａＰ層とするほかＩｎＧａＡｓＰ層とすることが
できる。或は、活性層３６を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層とするほか、ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及びＧａＡｓを用いて
形成した歪み超格子より成る量子井戸層）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ及
びＩｎＧａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量
子井戸層）、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪み量子井戸層（ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ及びＧ
ａＡｓを用いて形成した歪み超格子より成る量子井戸
層）、ＩｎＧａＡｓＰ層及びＧａＡｓ層のいずれかひと
つとすることができる。活性層３６をアンドープとして
も良いし、活性層３６を第一導電型或は第二導電型の活
性層としても良い。
【００６９】発明は上述した実施例にのみ限定されるも
のではなく、従って各構成成分の形状、寸法、配設位
置、形成材料、組成、数値的条件及びそのほかを任意好
適に変更できる。
のではなく、従って各構成成分の形状、寸法、配設位
置、形成材料、組成、数値的条件及びそのほかを任意好
適に変更できる。
【００７０】
【表１】
【００７１】
【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、第
一及び第二発明の半導体レーザの製造方法によれば、Ａ
ｌを含まないＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料を用いて、半
導体レーザを製造するので、結晶成長界面の荒れを少な
くすることができる。しかも活性層を含むメサストライ
プ構造を形成し、この構造の両側部をそれぞれ下側及び
上側ブロック層で埋め込むので、活性層横方向における
電流の閉じ込めを強くすることができる。これがため、
半導体レーザの動作特性を長期間にわたって従来よりも
安定に維持することができ、しかも発振閾値電圧を従来
よりも低減できる。
一及び第二発明の半導体レーザの製造方法によれば、Ａ
ｌを含まないＩｎＧａＡｓＰ系半導体材料を用いて、半
導体レーザを製造するので、結晶成長界面の荒れを少な
くすることができる。しかも活性層を含むメサストライ
プ構造を形成し、この構造の両側部をそれぞれ下側及び
上側ブロック層で埋め込むので、活性層横方向における
電流の閉じ込めを強くすることができる。これがため、
半導体レーザの動作特性を長期間にわたって従来よりも
安定に維持することができ、しかも発振閾値電圧を従来
よりも低減できる。
【００７２】さらにメサストライプ構造のコンタクト層
をエッチングして、一方及び他方の非光吸収領域の間に
島状コンタクト層を形成する。従ってメサストライプ構
造の活性層に島状コンタクト層を介して電流を注入する
際に、一方及び他方の非光吸収領域に電流が注入される
のを実質的に無くせる。これがため、電流注入による光
共振器端面の破壊を抑制できる。
をエッチングして、一方及び他方の非光吸収領域の間に
島状コンタクト層を形成する。従ってメサストライプ構
造の活性層に島状コンタクト層を介して電流を注入する
際に、一方及び他方の非光吸収領域に電流が注入される
のを実質的に無くせる。これがため、電流注入による光
共振器端面の破壊を抑制できる。
【図１】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図２】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｂ）は実施例の説明に供する製造工
程図である。
程図である。
【図４】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図５】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｂ）は実施例の説明に供する製造工
程図である。
程図である。
【図７】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｂ）は実施例の説明に供する製造工
程図である。
程図である。
【図９】実施例の説明に供する製造工程図である。
【図１０】実施例の半導体レーザの光出力−動作電流特
性を示す図である。
性を示す図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は従来技術の説明に供する製
造工程図である。
造工程図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｂ）は従来技術の説明に供する製
造工程図である。
造工程図である。
２８：基板 ３０：下側クラッド層 ３２：ガイド層 ３４：エッチングストップ層 ３６：活性層 ３６ａ：島状活性層 ３８：保護層 ３８ａ：島状保護層 ４２：上側クラッド層 ４４：コンタクト層 ４６：メサストライプ構造 ５０：下側ブロック層 ５２：上側ブロック層
Claims (5)
- 【請求項１】 光共振器の一方の共振器端面の側及び他
方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域を設けて成
る半導体レーザを製造するに当り、 第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、第一導電型下側ク
ラッド層、アンドープＩｎＧａＡｓＰガイド層、アンド
ープＩｎＧａＰエッチングストップ層、活性層及び第一
導電型とは反対導電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層を
積層する工程と、 前記保護層及び活性層をエッチングし、一方及び他方の
非光吸収領域の間に、島状保護層及び島状活性層を形成
する工程と、 前記島状保護層上に順次に、第二導電型上側クラッド層
及び第二導電型ＧａＡｓコンタクト層を積層する工程
と、 前記コンタクト層から下側クラッド層までの各層をエッ
チングして、メサストライプ構造を一方の共振器端面位
置から他方の共振器端面位置まで形成する工程と、 前記メサストライプ構造両側部の下側クラッド層上に順
次に、第二導電型下側ブロック層及び第一導電型上側ブ
ロックを積層し、これらブロック層で前記メサストライ
プ構造両側部を埋め込む工程と、 前記メサストライプ構造のコンタクト層をエッチングし
て、一方及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト
層を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 光共振器の一方の共振器端面の側及び他
方の共振器端面の側にそれぞれ非光吸収領域を設けて成
る半導体レーザを製造するに当り、 第一導電型ＧａＡｓ基板上に順次に、第一導電型下側ク
ラッド層、第一導電型ＩｎＧａＡｓＰガイド層、第一導
電型ＩｎＧａＰエッチングストップ層、活性層及び第一
導電型とは反対導電型の第二導電型ＩｎＧａＰ保護層を
積層する工程と、 前記保護層及び活性層をエッチングし、一方及び他方の
非光吸収領域の間に、島状保護層及び島状活性層を形成
する工程と、 前記島状保護層上に順次に、第二導電型上側クラッド層
及び第二導電型ＧａＡｓコンタクト層を積層する工程
と、 前記コンタクト層から下側クラッド層までの各層をエッ
チングして、メサストライプ構造を一方の共振器端面位
置から他方の共振器端面位置まで形成する工程と、 前記メサストライプ構造両側部の下側クラッド層上に順
次に、第二導電型下側ブロック層及び第一導電型上側ブ
ロックを積層し、これらブロック層で前記メサストライ
プ構造両側部を埋め込む工程と、 前記メサストライプ構造のコンタクト層をエッチングし
て、一方及び他方の非光吸収領域の間に島状コンタクト
層を形成する工程とを含んで成ることを特徴とする半導
体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体レーザの製
造方法において、 下側クラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧａＰ層と
し、又は、下側クラッド層及び上側クラッド層をＩｎＧ
ａＡｓＰ層としたことを特徴とする半導体レーザの製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の半導体レーザの製
造方法において、 下側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧａＰ層と
し、又は、下側ブロック層及び上側ブロック層をＩｎＧ
ａＡｓＰ層としたことを特徴とする半導体レーザの製造
方法。 - 【請求項５】 請求項１又は２記載の半導体レーザの製
造方法において、 活性層を、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸層、ＩｎＧａＡｓＰ
層及びＧａＡｓ層のいずれかひとつとしたことを特徴と
する半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26924193A JPH07122813A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26924193A JPH07122813A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122813A true JPH07122813A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17469624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26924193A Pending JPH07122813A (ja) | 1993-10-27 | 1993-10-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081817A2 (en) * | 1999-09-01 | 2001-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor device |
-
1993
- 1993-10-27 JP JP26924193A patent/JPH07122813A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1081817A2 (en) * | 1999-09-01 | 2001-03-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor device |
| EP1081817A3 (en) * | 1999-09-01 | 2002-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor device |
| US6486491B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010911 |