JPH05282706A - 光記録媒体とその製造方法及び光記録媒体用基板 - Google Patents

光記録媒体とその製造方法及び光記録媒体用基板

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JPH05282706A
JPH05282706A JP20254492A JP20254492A JPH05282706A JP H05282706 A JPH05282706 A JP H05282706A JP 20254492 A JP20254492 A JP 20254492A JP 20254492 A JP20254492 A JP 20254492A JP H05282706 A JPH05282706 A JP H05282706A
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layer
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optical recording
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electrodeposition
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Hiroyuki Imataki
寛之 今滝
Mitsuo Hiraoka
美津穂 平岡
Kazumi Nagano
和美 長野
Hiroshi Tanabe
浩 田邊
Keiya Yano
敬弥 矢野
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Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 均一で優れたコントラストのプリフォーマッ
ト信号を再生可能な光記録媒体及びその製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 表面にプリフォーマットを有する基板１６、
記録層１３及び保護層１５を有する光記録媒体に於て、
該基板がその表面に該プリフォーマットに対応するパタ
ーン状に配置された電着層を具備することを特徴とする
光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報の記録、再
生を行う光記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報を再生或いは記録／再生する
情報記録担体としてはレコード、テープ、コンパクトデ
ィスク、フロッピーディスク、光ディスク、光カード等
が挙げられるが、最近、特に光学的に情報の記録／再生
を行う光記録媒体を用いるシステムは記録・再生ヘッド
と記録媒体との間に、機械的接触がない為ヘッド及び記
録媒体は決して摩耗せず又高記録密度を得ることができ
再生速度が速い点で注目されている。
【０００３】この様な光記録媒体への情報の記録及び情
報の再生に於てはトラッキングの制御が必要である。従
来トラッキングの制御を行う為に、光記録媒体用基板上
にプリフォーマットパターンとして情報の記録／再生の
案内役を果すトラッキングトラック部を形成し、記録再
生装置のレーザービームのトラックサーボを行う方式が
採用されている。
【０００４】このプリフォーマット方式を採用すること
によって、レーザービームのトラック制御精度が向上
し、高速アクセスも可能になっている。
【０００５】ところでトラッキングの制御に用いるトラ
ッキングトラックの検出方法としては、以下に示す３つ
の方式、即ち、 （１）トラッキングトラックを深さｄの溝部としてこの
ｄを情報の記録及び／又は再生用光ビームの波長（λ）
としたときに、この深さｄをλ／４ｎの奇数倍、又はλ
／８ｎとなる様に成形してこの溝の段差によって生じる
光の位相差による干渉効果を利用してトラッキングトラ
ックを検出する位相差タイプ （２）トラッキングトラックの反射率と記録層の反射率
とを変化させて、その反射光量を用いてトラッキングト
ラックを検出する振幅タイプ （３）上記位相差タイプと振幅タイプを併用してトラッ
キングトラックを検出するタイプに大別される。
【０００６】そして、上記（１）及び（３）の方式に於
て必要な溝を基板表面に形成する方法としては、射出成
形法や熱プレス法によりスタンパーのプリフォーマット
パターンを転写する方法や、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹
脂上に光硬化性樹脂成分を塗布した後スタンパーを密着
させ、透明樹脂側から紫外線やＸ線等を一様に照射して
該樹脂組成物を硬化させてスタンパーのプリフォーマッ
トパターンを透明樹脂基板上に転写するいわゆる２Ｐ法
等が知られている。
【０００７】しかしながら射出成形法や熱プレス法で透
明樹脂基板に溝を転写する方法では、基板の溝深さを基
板全面にわたって均一、且つ正確に制御することが困難
で、また、基板自体に複屈折が生じ易く今日均一で優れ
たプリフォーマット信号を再生できる光記録媒体で満足
し得るものは未だ得られていない。また、２Ｐ法は生産
性に劣るという問題点を有している。
【０００８】更に上記従来の方法では原版となる型の耐
久性が悪くその結果生産性が悪い、高精度を維持す
るのが難しい、型が多く必要となり生産コストが高
い、といった欠点があった。
【０００９】一方、上記（２）の方式は、近年光記録媒
体の高記録密度化、記録再生速度の高速化に伴って、よ
り優れたトラック横断信号の得られる光記録媒体が求め
られているなかで位相差タイプに必要である溝深さの厳
密な制御が不要な為注目されている。
【００１０】この様な振幅タイプを適用した光記録媒体
として、例えば特開昭６０−２１４９９６号公報や特開
昭６１−１３７２４３号公報には光記録材料用基材上
に、例えば未露光部が光透過性となり、露光部が遮光性
となる感光材を塗布し、プリフォーマットに基づいたパ
ターンを有するフォトマスクを用いて露光／現像するこ
とによって遮光部と光透過部を記録層に形成し、次いで
光反射層もしくは光反射性記録層を形成してなり、光透
過部の反射率差を利用してトラックサーボを行う光カー
ドが記載されている。しかしながら写真的手法でプリフ
ォーマットを形成する場合に、遮光部と光透過部の光学
濃度差と解像性とを同時に向上させることは困難であ
り、例えば光反射率差をあげる為に露光強度及び露光時
間を大きくすると露光部の解像精度が減少し、逆に微細
なプリフォーマットの解像性を向上させる為に現像時間
を短くすると光反射率差が不十分となり、優れたトラッ
ク横断信号が得られないという問題点があった。
【００１１】更に上記の光カードの場合、トラック横断
信号は記録層と遮光部（低反射率部）との反射率の差に
よって一義的に決まってしまう為、例えば記録層として
有機色素等の低反射率のものを用いる場合には優れたト
ラック横断信号は得られず、この構成は記録層の種類、
例えば洗顔料の塗布層からＴｅ等の金属類の真空成膜層
までの広い範囲に対応するには充分満足できるものでは
なかった。
【００１２】
【発明が解決しようとしている課題】本発明は上記問題
点に鑑みなされたものであって均一で優れたコントラス
トを示すプリフォーマット再生信号を得ることができる
光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】又、本発明はプリフォーマットが精度良く
形成されてなる光記録媒体用基板を提供することを目的
とする。
【００１４】又、本発明は電着層の基材への密着性に優
れた光記録媒体及びその製造方法を提供することを目的
とする。
【００１５】
【課題を解決すめための手段】本発明の光記録媒体は、
表面にプリフォーマットを有する基板、記録層及び保護
層を有する光記録媒体に於て、該基板がその表面に該プ
リフォーマットに対応するパターン状に配置された電着
層を具備することを特徴とする。
【００１６】又、本発明の光記録媒体は、基板上に導電
層を有し、該導電層上にプリフォーマットに対応するパ
ターン状に電着層が配置されてなることを特徴とする。
【００１７】又、本発明の光記録媒体は、基板上にプリ
フォーマットに対応するパターン状に電着層からなる記
録層が配置されてなることを特徴とする。
【００１８】更に、本発明の光記録媒体は、基板上にプ
リフォーマットに対応するパターン状に配置されてな
る、電着層からなるプリフォーマット層、及び電着層か
らなる記録層を具備することを特徴とする。
【００１９】更に又、本発明の光記録媒体は、電着層か
らなる記録層が基板表面から突出することなく基板中に
埋め込まれる様にして、プリフォーマットに対応するパ
ターン状に配置されてなることを特徴とする。
【００２０】又、本発明の光記録媒体は、電着層からな
る記録層及び電着層からなるプリフォーマット層が基板
表面から突出することなく、基板中に埋め込まれる様に
してプリフォーマットに対応するパターン状に配置され
てなることを特徴とする。
【００２１】本発明の光記録媒体用基板は、基板上にプ
リフォーマットに対応するパターン状に電着層が配置さ
れてなることを特徴とする。
【００２２】本発明の光記録媒体の製造方法は、表面に
プリフォーマットを有する基板及び記録層を有し該基板
が表面に該プリフォーマットに対応するパターン状に配
置された電着層を具備する光記録媒体の製造方法であっ
て、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応する様に選択
的に電着層を析出させる工程 （ｂ）基材上に該電着層を転写して光記録媒体用基板を
形成する工程 （ｃ）該基板の電着層転写面に記録層を形成する工程 を有することを特徴とする。
【００２３】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、表
面にプリフォーマットを有する基板及び記録層を有し、
該基板が表面に該プリフォーマットに対応するパターン
状に配置された電着層を具備する光記録媒体の製造方法
であって （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応する様に、選
択的に電着層を析出させる工程 （ｂ）基材上に転写補助層を介して該電着層を転写し
て、光記録媒体用基板を形成する工程 （ｃ）該基板の電着層転写面に、記録層を形成する工程 を有することを特徴とする。
【００２４】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、表
面にプリフォーマットを有する光記録媒体用基板上に記
録層を有する光記録媒体用基板の製造方法であって、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応するパターン
状に電着層を析出させる工程。
【００２５】（ｂ）電着層を備えた原版を用いて注型成
形用型を作製する工程 （ｃ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで、
該液状樹脂を硬化させて基板を形成すると共に基板と電
着層を一体化せしめて光記録媒体用基板を作製する工程 （ｄ）該光記録媒体用基板上に記録層を形成する工程 を有することを特徴とする。
【００２６】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、基
板上にプリフォーマットに対応するパターン状に配置さ
れた電着層からなる記録層を備えた光記録媒体の製造方
法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
に選択的に電着層を形成する工程 （ｂ）該電着層を基板上に転写して記録層を形成する工
程 を有する事を特徴とする。
【００２７】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、基
板上にプリフォーマットに対応するパターン状に設置さ
れた電着層からなる記録層を備えた光記録媒体の製造方
法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
に選択的に電着層を形成する工程 （ｂ）該電着層を基板上に転写補助層を介して転写して
記録層を形成する工程 を有することを特徴とする。
【００２８】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、基
板上にプリフォーマットに対応するパターン状に設置さ
れた電着層からなる記録層を備えた光記録媒体の製造方
法であって、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応するパターン
状に電着層を析出させる工程 （ｂ）電着層を備えた原版を用いて、注型成形用型を作
製する工程 （ｃ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで該
液状樹脂を硬化させて、基板と電着層を一体化せしめて
光記録媒体を作製する工程 を有することを特徴とする。
【００２９】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、基
板上にプリフォーマットに対応するパターン状に配置さ
れた電着層からなる記録層及び電着層からなるプリフォ
ーマット層を備えた光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）該記録層及びプリフォーマット層を基板上に転写
する工程 を有することを特徴とする。
【００３０】又、本発明の光記録媒体の製造方法は、基
板上にプリフォーマットに対応するパターン状に配置さ
れた電着層からなる記録層及び電着層からなるプリフォ
ーマット層を備えた光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上に、プリフォーマットに対応するパターン
状に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）該記録層及びプリフォーマット層を転写補助層を
介して基板上に転写する工程 を有することを特徴とする。
【００３１】更に、本発明の光記録媒体の製造方法は、
基板上にプリフォーマットに対応するパターン状に配置
された電着層からなる記録層及び電着層からなるプリフ
ォーマット層を備えた光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）記録層及びプリフォーマット層を備えた原版を用
いて、注型成形用型を作製する工程 （ｄ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで該
液状樹脂を硬化させて、基板と記録層及びプリフォーマ
ット層を一体化せしめて、光記録媒体を作製する工程を
有することを特徴とする。
【００３２】次に本発明の光記録媒体について図面を用
いて詳細に説明する。
【００３３】図１（ａ），（ｂ）は本発明に係る光カー
ドの第１の実施態様のトラック横断方向の概略断面図で
ある。
【００３４】図１（ａ）に於て１１は基材であって該基
材１１は表面に電着層１２がプリフォーマットに対応す
るパターン状に配置され、光記録媒体用基板１６を形成
している。そして電着層１２の非形成領域がプリフォー
マットであるトラッキングトラック１７を構成してい
る。そして光記録媒体用基板１６のプリフォーマット形
成面には記録層１３、接着層１４及び保護基板１５が順
次積層されている。
【００３５】又図１（ｂ）は本発明に係る光カードの他
の実施態様を示す概略断面図で基材１１の表面に電着層
１２が選択的に配置されて光記録媒体用基板１６を形成
し、電着層１２がトラッキングトラック１７を構成して
いる。
【００３６】本発明に於て電着層１２の厚さとしては、
記録再生用の光ビームの入射方向によって異なるが例え
ば基材１１を通過する様に光ビームを入射させる場合
（図１Ａ）光ビームの波長λ、電着層の屈折率をｎEDと
するとλ／４ｎEDの奇数倍或いはλ／８ｎEDの値と実質
的に等しくなる様にすることが好ましい。又保護層を通
過する様に光ビームを入射させる場合（図１Ｂ）接着層
の屈折率をｎOPとするとλ／４ｎOPの奇数倍もしくはλ
／８ｎOPの値と実質的に等しく成るようにすることが好
ましい。
【００３７】又特にプリフォーマットがトラッキングト
ラックであって、このトラッキングトラックをプッシュ
プル法で検出する場合には電着層の厚さをλ／８ｎEDも
しくはλ／８ｎOPとすることが好ましい。
【００３８】即ちこれによって基板上に光反射性の記録
層を設けることで光の干渉効果を利用して優れたコント
ラストのプリフォーマット再生信号を得ることができ
る。
【００３９】そして本発明に於て電着層は通電量によっ
て膜厚を均一且つ正確に制御できる為欠陥の無い高コン
トラストのプリフォーマット再生信号を得られる光記録
媒体を作製することができる。
【００４０】図２は本発明の光記録媒体の製造方法の一
実施態様を示す工程図である。
【００４１】図２は本発明の光記録媒体の製造方法の工
程図である。まず原版用基板２１上に導電層２２を形成
し次いで導電層２２上にフォトレジスト層２３を形成す
る（図２（ａ））。
【００４２】次に該フォトレジスト層２３に光記録媒体
のプリフォーマットに対応するパターンを露光し（図２
（ｂ））現像して該プリフォーマットのパターンに従っ
て導電層を露出させる（図２（ｃ））。
【００４３】次いで電着溶液中に図２（ｃ）で得た原版
を浸漬し該導電層２２を一方の電極として直流電圧を加
えて電着を行い導電層露出部２４上に電着層１２を析出
させる（図２（ｄ））。次に原版上に基材１１を該電着
層１２と接する様に密着させ（図２（ｅ））、該電着層
を該基材１１に転写して最後に電着層を硬化させること
により光記録媒体用基板１６を得る（図２（ｆ））。
【００４４】次いでこの光記録媒体用基板のプリフォー
マットパターン１７を備えた表面に記録層、接着層及び
保護層を積層することによって、図１に示す様な光記録
媒体を得ることができる。
【００４５】即ち、本発明によれば、電着層は原版の導
電層２２の露出部以外には形成されない為、ミクロンオ
ーダー、サブミクロンオーダーの微細なプリフォーマッ
トに対応するパターンを精度良く形成できる。
【００４６】本発明の電着層の形成に用いる電着可能な
物質としては、電着液に溶解又は分散させることができ
且つ電着液中でイオン化する物質であれば特に限定され
ず、例えば金属や樹脂を用いることができるが特に樹脂
の場合、樹脂基材との密着性が良く、又、基材との間で
屈折率に大きな差が無い為、基材と電着層の界面での光
の反射が抑えられる為好ましい。
【００４７】次に図２に示した本発明の光記録媒体の製
造方法について詳細に説明する。
【００４８】前述した様に、まず原版用基板２１上に導
電層２２を形成し、次いで導電層２２上にフォトレジス
ト層２３を形成する。
【００４９】原版用基板としては、例えばポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、セルロー
ストリアセテート、ポリフッ化ビニル、ポリサルホン、
ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミド、ポリメチ
ルペンテン等のプラスチックやセラミックス又は金属等
を用いることができる。
【００５０】導電層２２は、電着の際に電極として用い
るものであり、原版用基板表面を導電性にすることがで
きる材料であれば良く、例えばＡｌ，Ｃｕ，Ｎｉ等や酸
化錫や酸化インジウム等の透明導電膜用いることがで
き、導電層２２はスプレー、スパッタリング、蒸着或い
は貼り合わせ等の方法により形成される。
【００５１】なお、原版用基板２１として金属を用いる
場合には、導電層の形成は省略できる。
【００５２】次に導電層上にフォトレジスト層を形成す
る。
【００５３】フォトレジスト層形成の為の材料として
は、ジアゾニウム塩、もしくはアジド化合物を含む光
分解型感光性樹脂、シンナモイル系、ジアゾ系、アジ
ド系、もしくはアクリロイル系などの光重合型感光性樹
脂等。
【００５４】さらには卵白、カゼイン、グリュー、ポリ
ビニルアルコール、シェラック等の重クロム酸塩感光液
等を用いることができる。
【００５５】これらのフォトレジストは、公知の塗布方
法、例えば、かけ流し法、ホイーラー法、スピンナー
法、浸漬法、ローラーコート法、スプレイ法、静電スプ
レイ法などにより、又ドライフィルムの場合には加熱圧
着法により、基材表面の導電性層上に形成する。フォト
レジスト層の厚みは数ミクロンである。
【００５６】続いて該フォトレジスト層２３にプリフォ
ーマットパターンに対応するパターンを露光し（図２
（ｂ））、現像して導電層を露出させる（図２
（ｃ））。
【００５７】プリフォーマットパターンに対応するパタ
ーンの露光は半導体で使用されるクロムマスクや写真フ
ィルム、金属マスク、スリット等のマスク４を介して紫
外線、電子線等を照射することにより行うのが簡便であ
る。この他、金属マスクを介して電子線を照射する方法
によって行ってもよく、又、マスクを使わず電子線をパ
ターン状に走査して露光を行っても良い。
【００５８】現像は、露光により形成された溶解可能な
部分を溶剤で溶解除去することであり、所定の現像液を
用いて行われる。現像により、プリフォーマットパター
ンを形成すべき部分のフォトレジスト層がパターン状に
除去されて、導電層の露出部分２５が形成されて、原版
２６が作製される。
【００５９】なお、本発明に於て、プリフォーマットと
は、例えば幅０．５μｍ〜５μｍ、ピッチ１．０μｍ〜
１５μｍ程度のスパイラル状や同心円状或いは平行の光
ディスクや光カード用トラッキングトラックやミクロン
オーダーのアドレスピット等のプレピット等の光記録媒
体用基板に予め形成されている情報のパターンをいう。
【００６０】次に、このプリフォーマットに対応するパ
ターン上に導電層が露出した原版を電着液中に浸漬して
電着を行い、導電層の露出部に電着層を析出させる。即
ち、電着層は図３に示す様に導電層を一方の電極として
用い、電着液中でイオン化している電着可能な材料３１
が電極の方向へ移動し、電極上で水の電気分解により生
じたプロトンと反応して、電着可能な材料が不溶化し導
電層表面に析出することによって形成される。
【００６１】本発明に於て電着可能な材料としては、例
えば、特開昭５９−１１４５９２号公報や特開昭６３−
２１０９０１号公報に開示されているような従来より電
着塗料に用いられる樹脂を用いることができ、例えばア
ニオン型電着塗料の場合、樹脂の析出に必要な負の電荷
と親水性を与える為にカルボキシル基の様なアニオン性
官能基を有する、或いは導入した樹脂もしくはプレポリ
マーが好適に用いられ、又カチオン電着塗料の場合、正
の電荷と親水性を与える為にアミノ基の様なカチオン性
官能基を有する、或いは導入した樹脂もしくはプレポリ
マーが好適に用いられる。
【００６２】具体的には上記アニオン性官能基やカチオ
ン性官能基を有するアクリル樹脂、アルキド樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリ
ル・メラミン樹脂やアルキド樹脂或いはこれらのプレポ
リマー、更には分子中の二重結合の反応によって硬化す
るタイプの樹脂、具体的にはポリブタジェン系樹脂や、
α，β−エチレン性不飽和化合物等を用いることができ
る。
【００６３】又、上記電着可能な材料としては、常温硬
化性、熱硬化性、紫外線や電子線などの放射エネルギー
硬化性の何れであっても良く、これらの樹脂の中で自己
架橋性でないものは、硬化剤として、例えばメラミン樹
脂やブロックポリイソシアネート化合物との混合物と共
に用いられる。
【００６４】又、基板を通して記録及び／又は再生光を
入射させる場合、電着層を転写する基板と電着層によっ
てできる界面での光の反射を極力少なくする為には、電
着層の屈折率は電着層を転写する基板よりも小さいか、
ほぼ同一の屈折率のものを選択することが望ましい。光
記録媒体用の基板として良く用いられる。ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ガラスの屈折
率がそれぞれ１．５８，１．４８，１．５３であること
を考慮すると、電着に用いる樹脂の屈折率も１．４８〜
１．５８程度が好ましい。
【００６５】この様にして、電着層を析出させた原版上
に基材１１を密着させ（図２（ｄ））、電着層を基材上
に転写し、該電着層を硬化させて基材上に透明な高分子
膜がパターン状に配置された光記録媒体用基板を得る
（図２（ｅ））。
【００６６】転写は、電着層の表面が基板表面と接触す
るようにしてゴム被覆ローラを用いて行っても良い。
【００６７】なお、本発明に於て、原版上の電着層を基
材１１表面に転写させる工程に於て基材１１の表面に図
４に示す様に転写補助層４１を予め形成しておき、転写
補助層４１を介して基材１１表面に電着層を転写させて
も良い。
【００６８】即ち、転写補助層４１とは、原版中の電極
上に析出させた電着層を基板に確実に転写し、電着層を
基材上に保持する機能を有する層である。
【００６９】転写補助層としては、例えば、接着剤ある
いは粘着剤を含む接着層が挙げられるが、上記機能を保
持する物なら何でもよい。
【００７０】転写補助層が、接着層である場合の具体例
としては、接着剤あるいは粘着剤が感光性接着剤、感熱
性接着剤、感圧性接着剤であるもの、あるいは熱硬化性
接着剤、熱可塑性接着剤、合成ゴム、天然ゴム、ゼラチ
ン、糊等がある。
【００７１】転写補助層がある場合、その形状として
は、液状、エマルジョン、シート状、マイクロカプセル
状等何でもよい。このうち、形状が液状のものは、塗布
後、流動性を失って固化するものと、固化しない状態で
使用するものがあるが、後者を粘着剤と呼ぶ。
【００７２】そして、転写補助層として用いる接着層用
の接着剤あるいは粘着剤としては、感光性接着剤の場
合、例えば、紫外線照射により硬化する紫外線硬化型接
着剤が挙げられる。このうち、アクリル系紫外線硬化型
接着剤、ポリエステル系紫外線硬化型接着剤、エポキシ
系紫外線硬化型接着剤が好ましい。
【００７３】感圧性接着剤の場合、例えば熱可塑性ゴム
系ホットメルト接着剤が挙げられる。
【００７４】又、感光、感熱、感圧接着剤として、マイ
クロカプセルを用いることができる。これは、マイクロ
カプセルの壁材をそれぞれ光、及び熱、圧力に活性する
タイプとし、これに硬化剤、架橋剤、溶剤、可塑剤等を
内包することにより、これらに光、熱、圧力の刺激を与
えることで接着能を付与することができる。
【００７５】熱硬化性接着剤の場合、加熱により架橋反
応を生じる、例えばエポキシ樹脂系接着剤がよい。ま
た、熱と圧力により架橋反応を行う、例えばフェノール
樹脂、レゾルシノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂
等が好ましい。
【００７６】熱可塑性接着剤の場合、加熱により硬化
し、冷却すると固化する、例えば酢酸ビニル、アクリル
酸エステル、塩化ビニル、エチレン、アクリル酸、アク
リルアミド、スチレン等、ビニルモノマーの重合体、及
び共重合体、エポキシ樹脂が好ましい。
【００７７】転写は、転写補助層４１を設けた基材１１
と、電着層を設けた原版とを転写補助層と電着層が接す
る様に配し、例えば、転写補助層が感光性接着剤の場
合、この状態で光照射後、基材と原版を剥離する（図４
（ｆ））。これにより、基材上に転写補助層４１を介し
て、電着層を設けることができる。
【００７８】転写補助層は、塗布により基材上に設けて
もよいし、シート状の接着剤の場合は図５に示す様に、
電着層を形成した原版と基材との間にはさんで使用すれ
ばよい。
【００７９】又、転写補助層が感熱性接着剤、感圧性接
着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤の場合、電着層
を形成した原版と基材を電着層が内側になるように、転
写補助層を介し、それぞれ加熱、加圧、又は加熱及び加
圧したのち剥離する。又、転写補助層が接着剤の場合
は、加圧したのち剥離すればよい。
【００８０】次に上記の工程を経て基材１１上に転写さ
れた電着層を前記した様に硬化させる。
【００８１】即ち、電着層の硬化は、例えば電着可能な
材料として光重合型の樹脂を用いた場合は、光線の露光
処理後、基板を引き離してもよい。電着層をさらに硬化
させたい場合には、基板を引き離した後に、さらに照射
する。
【００８２】また、電着可能な材料として熱硬化性の樹
脂を用いた場合には、基板を引き離す前もしくは後に加
熱処理により硬化させてもよい。
【００８３】また、電着可能な材料が感圧硬化性の場合
にはプレスもしくはラミネーターで加圧後、基材を引き
離してもよい。
【００８４】こうして得た光記録媒体用基板の電着層転
写面に記録層を形成する。
【００８５】記録層としては例えばポリメチン系色素、
シアニン色素、ナフトキノン系染料又はフタロシアニン
系の顔料等の有機色素を挙げることができる。
【００８６】無機材料としては、金属、半金属等で、例
えばＢｉ，Ｓｎ，Ｔｅ等の低融点物質又はこれにＡｓ，
Ｓｅ，Ｓ，Ｏ，Ｃ等を結合した複合化合物や相変化によ
る記録可能なＴｅ−ＴｅＯ2 系やＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の
光磁気記録膜、光学濃度変化による記録可能なハロゲン
化銀等が挙げられる。
【００８７】又記録層に有機系色素を用いる場合、色素
の安定化剤を添加してもよい。
【００８８】安定化剤としては、例えば、各種金属キレ
ート化合物、特にＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍ
ｏ、Ｐｄ、Ｚｒを中心金属とする多座配位子、例えば、
Ｎ4 、Ｎ2 Ｏ2 、Ｎ2 Ｓ2 、Ｓ4 、Ｏ2 Ｓ2 、Ｏ4 等の
四座配位子、またはＮ2 Ｏ、ＮＯ2 、ＮＳ２ 、Ｏ
３ 、ＮＯＳ等の三座配位子と他の配位子、例えば水、
アンモニア、ハロゲン、フォスフィン、アミン、アルミ
ン、オレフィン等あるいは２つの二座配位子、Ｎ2 、Ｎ
Ｏ、Ｏ2 、Ｓ2 等の四配位型の他、ビスシクロベンタジ
ェニル配位子、シクロベンタジェニルトロピリニウム配
位子あるいは上記の組み合わせ等から成るものが挙げら
れる。
【００８９】その他、各種の芳香族アミン類やジアミン
類、含窒素芳香族、およびそのオニウム塩、例えばアミ
ニウム塩、ジイモニウム塩、ビリジウム塩、イミダゾリ
ウム塩、モノリニウム塩等が挙げられる。また、更に含
酸素芳香族の塩であるピリリウム塩等でもよい。
【００９０】本発明に於ては色素及び塗布溶媒との相溶
性を考慮して適宜選択すれば良い。
【００９１】またこれらの安定化剤を複数組み合わせて
用いることもでき、色素組成物の塗布性、塗布被膜の安
定性、光学的特性（反射率や透過率）、記録感度等を考
慮して適宜組成比率を変えることができる。
【００９２】安定化剤の添加量は色素に対して数重量％
〜５０重量％が可能である。ただし、余り少ないと安定
化剤としての効果が余り得られず、多いとヒートモード
記録材料の絶対量の低下から感度の減少が観測されるの
で、１０重量％〜３０重量％が好ましく、２０重量％前
後が特に好ましい。
【００９３】記録層の製造方法としては、記録層を湿式
塗布により設ける際には、ロールコーティング、ワイヤ
ーバーコーティング、エアーナイフコーティング、カレ
ンダーコーティング、ディップコーティング、スプレー
等の方法で塗布する。
【００９４】乾式で設ける際には、蒸着、スパッタリン
グ等の方法で設ける。
【００９５】次いで、使用される形態に応じて、記録層
が形成された光記録媒体用基板は、接着層を介して保護
層が積層される。
【００９６】本発明において接着層としては、従来知ら
れている接着剤、例えば酢酸ビニル、アクリル酸エステ
ル、塩化ビニル、エチレン、アクリル酸、アクリルアミ
ドなどビニルモノマーの重合体及び共重合体、ポリアミ
ド、ポリエステル、エポキシ系などの熱可塑性接着剤、
アミノ樹脂（ユリア樹脂、メラミン樹脂）、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、熱硬化性ビニル樹
脂などの接着剤、天然ゴム、ニトリルゴム、クロロゴ
ム、シリコンゴムなどのゴム系接着剤が使用される。
【００９７】特に、ホットメルト型のものはドライプロ
セスであり、大量、連続生産を考える上で好ましい。
【００９８】また、紫外線硬化型の接着剤も、量産性を
向上させることができるため適している。
【００９９】接着方法は、ラミネート、熱プレス、光硬
化など接着剤に合った方法が選択される。
【０１００】又本発明に於て基材及び保護層としては、
記録及び／又は再生光の入射する側がその光に対して透
過率のたかいものであればよい。
【０１０１】例えばガラス板、プラスチックが使用する
ことができる。プラスチックではアクリル系樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、
ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース
誘導体などを用いることができる。
【０１０２】基板、もしくは保護層が光学的に透明であ
る必要がない場合、記録層を機械的化学的に保護できる
ものが好ましく、例えば、プラスチック、ガラス板、金
属、セラミックス、紙、あるいはこれらの複合材料を使
用することが可能である。
【０１０３】また、透過タイプで信号を検出する場合
は、基板、保護層、貼り合わせ後の接着層は記録再生光
に対して透明であるものが好ましい。
【０１０４】又上記した方法では電着層１２を基材に転
写した原版は繰り返し使用でき、低コストで高性能な光
記録媒体を量産することができる。
【０１０５】次に図５（ｂ）を用いて本発明の光記録媒
体の他の製造方法について説明する。
【０１０６】即ち上記した図２（ａ）〜（ｄ）の工程に
従って作製した電着層１２を有する原版２６を用いて、
図５（ｂ）に示す注型成形用型ユニットを作成し、該ユ
ニットに液状透明樹脂を注入し固化もしくは硬化せしめ
た後、該ユニットから樹脂の固化物又は硬化物を脱型さ
せることによって光記録媒体の基材１６が形成されると
共に、電着層１２が該基材に転写されたプリフォーマッ
トを有する光記録媒体用基板が形成される。なお図５
（ｂ）に於て、５１はスペーサ、５２は鏡面を有する金
属板もしくはガラス板、５３は液状樹脂の注入口、５４
はユニットに注入された液状樹脂を示す。
【０１０７】本発明において光記録媒体の基材を形成す
るために用いる樹脂は未硬化または未重合時に液状であ
ればよく、例えば、エポキシ樹脂はメチルメタクリレー
ト樹脂、ジエチレングリコール樹脂、ビスアリルカーボ
ネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の情報記録媒体
用基板として使用される樹脂であればどれでも用いるこ
とが可能である。
【０１０８】又この時、基材の材料として硬化の方法が
電着層の樹脂材料と同一の材料を用いることが好まし
い。即ち電着層として熱硬化性の樹脂を用いた場合、基
材を形成するための樹脂材料として熱硬化性の材料を用
いることによって、基材１１の成形と電着層の硬化及び
基材１１への電着層１２の転写をより確実に且つ効率良
く行なうことができる。
【０１０９】また上記した注型成形法の場合も原版２６
は繰り返し使用することができ効率良く低コストで光記
録媒体用基板を製造することができる。
【０１１０】更にこうして作製した光記録媒体用基板上
に前記した様に適宜記録層、保護基板を積層して図１
（ａ）（ｂ）に示す光記録媒体を得ることができる。
【０１１１】次に図６を用いて本発明の光記録媒体の更
に他の製造方法について説明する。
【０１１２】先ず基材１１上に酸化スズや酸化インジウ
ム等の情報の記録・再生を行なう光ビームに対して透過
率の大きい透明電極６１を形成する（図６（ａ））。
【０１１３】次いで透明電極上に絶縁物質、例えばフォ
トレジスト６２を塗布し、プリフォーマットパターンに
対応するパターンを露光した後現像して電極をパターン
状に露出させる（図６（ｂ）（ｃ））。
【０１１４】次に透明電極を一方の電極に用いて電着を
行なって電着層１２を析出させた後、フォトレジストを
除去し（図６（ｄ）（ｅ））、電着層形成面に記録層１
３、接着層１４、保護基板１５を積層して（図６
（ｆ））本発明の光記録媒体を得られる。
【０１１５】なお本発明に於て透明電極を用いる場合、
その電着層を構成する樹脂がカチオン性の場合、その透
明電極を陰極にして電着せねばならず、酸化物の透明電
極で還元反応が起こり透明電極を損う結果となる為に、
電着層を構成する樹脂にはアニオン性のものを用いるの
が好ましい。
【０１１６】次に本発明に係る光記録媒体の第２の実施
態様について説明する。
【０１１７】即ち本発明の第２の実施態様の光記録媒体
は、表面にプリフォーマットパターンを有する基板上に
記録層を有する光記録媒体に於て、該プリフォーマット
が電着層を有し、且つ該電着層が該光記録媒体に入射す
る情報記録用ビームもしくは情報再生用光ビームに対し
て該記録層が示す所定の反射率と異なる反射率を示すこ
とを特徴とするものである。
【０１１８】図９は本発明の第２の実施態様に係る光カ
ードのトラック横断方向の概略断面図である。
【０１１９】図９に於て、９１は基材であって、該基材
９１は表面に有する電着層９２からなるプリフォーマッ
ト９７と共に、光記録媒体用基板９６を構成し、該光記
録媒体用基板のプリフォーマット形成面には記録層９
３、接着層９４及び保護基板９５が順次積層されてい
る。
【０１２０】そして、上記プリフォーマット９７を形成
する電着層９２は図１（ｂ）に示す様に光カードに入射
する情報記録用光ビーム、もしくは情報再生用光ビーム
に対して記録層９３が示す所定の反射率をＲ１ 、プリ
フォーマット９７を形成する電着層９２が示す反射率を
Ｒ２ とした時、Ｒ２ がＲ１ と異なる様に形成され
ているものである。
【０１２１】図１０は本発明の光記録媒体の製造方法の
工程図である。まず、原版用基板１０１上に導電層１０
２を形成し、次いで導電層１０２上にフォトレジスト層
１０３を形成する（図１０（ａ））。
【０１２２】次に該フォトレジスト層１０３にマスク１
０４を用いて光記録媒体のプリフォーマットに対応する
パターンを露光し（図１０（ｂ））現像して該プリフォ
ーマットに従って導電層を露出させる（図１０（ｃ）１
０５）。
【０１２３】次いで電着溶液中に図１０（ｃ）で得た原
板１０６を浸漬し、該導電層１０２を一方の電極として
直流電圧を加えて電着を行い導電層上に電着層９２を析
出させる（図１０（ｄ））。次に原板上に基材９１を該
電着層９２と接する様に密着させ（図１０（ｅ））該電
着層を該基材９１に転写して最後に電着層中の樹脂を架
橋させて、電着層を硬化させることにより、光記録媒体
用基板９６を得る（図１０（ｆ））。
【０１２４】次いで、この光記録媒体用基板のプリフォ
ーマット９７を備えた表面に記録層、接着層及び保護層
を積層することによって図９（ａ）に示す様な光記録媒
体を得ることができる。
【０１２５】即ち、本実施態様によれば、電着層は原版
の導電層１０２の露出以外には形成されず、又電着の際
の通電量を膜厚を制御できる為、ミクロンオーダー、サ
ブミクロンオーダーの微細なプリフォーマツトを精度良
く形成できる。
【０１２６】又、電着層の形成工程に於て、電着可能な
物質として、或いは電着可能な物質と共に、導電層上に
析出させる材料を適宜選択することにより電着層の反射
率を制御でき、優れたトラック横断信号を得られる光記
録媒体を得ることができる。
【０１２７】本発明に於て電着層９２の反射層Ｒ2 と記
録層９３の反射率Ｒ1 が実質的に異なるとはＲ1 及びＲ
2 の関係が次式に示す関係を示すことである。
【０１２８】
【外１】 または
【０１２９】
【外２】 そして好ましくはこれらの関係を
【０１３０】
【外３】 または
【０１３１】
【外４】 とすることにより精度良くトラックサーボを行うことが
できる。
【０１３２】本実施態様の電着層の形成に用いる電着可
能な物質としては電着液に溶解又は分散させることがで
き且つ電着液中でイオン化する物質であれば特に限定さ
れず、例えば金属や樹脂を用いることができるが、特に
樹脂の場合、電着層の反射率を記録層の種類に応じて制
御することが容易な点で好ましいものである。
【０１３３】本発明に於て電着可能な樹脂としては、従
来より電着塗料に用いられる樹脂を用いることができ、
例えばアニオン型電着塗料の場合、樹脂の析出に必要な
負の電荷と親水性を与えるためにカルボキシル基の様な
アニオン性官能基を有する、あるいは導入した樹脂もし
くはプレポリマーが好適に用いられ、又カチオン電着塗
料の場合、正の電荷と親水性を与えるためにアミノ基の
ようなカチオン性官能基を有するあるいは導入した樹脂
もしくはプレポリマーが好適に用いられる。
【０１３４】具体的には上記アニオン性官能基やカチオ
ン性官能基を有するアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル・メラミン樹
脂やアルキド樹脂あるいはこれらのプレポリマー更には
分子中の二重結合の反応によって硬化するタイプの樹
脂、具体的にはポリブタジエン系樹脂やα、β−エチレ
ン不飽和化合物などを用いることができる。
【０１３５】又上記電着可能な樹脂としては、常温硬化
性、熱硬化性、紫外線や電子線等の放射線エネルギー硬
化性の何れであってよく、これらの樹脂の中で自己架橋
性でないものは、硬化剤として、例えばメラミン樹脂や
ブロックポリイソシアネート化合物との混合物と共に用
いられる。
【０１３６】そして、プリフォーマットの反射率を制御
する方法としては、例えば上記の樹脂と高い反射率を有
する物質の粉体を電着溶液中に分散させて、電着を行
い、導電層上に樹脂と高反射率の粒子を共に析出（以
下、共析と略）させることによって高い反射率を有する
電着層を得ることができ、この電着層を基材９１に転写
することにより高反射率のプリフォーマットを有する光
記録媒体用基板が得られる。そしてこの構成は特に７８
０〜８３０ｎｍの波長の光に対して５〜４０％、特に１
０〜２５％の反射率を示す記録層を用いる場合に好適に
用いられる。
【０１３７】又、電着溶液中に上記の樹脂と共に低反射
率の粒子、即ち記録用ビームもしくは再生用ビームの波
長に対し、吸収率の高い物質の粒子を分散させて電着を
行い導電層上に共に析出させることによって低い反射率
を有する電着層を得ることができ、この電着層を基材９
１に転写することにより低反射率のプリフォーマットを
有する光記録媒体用基板を得られる。
【０１３８】本発明に於て、電着層に共析させる高反射
率を有する物質としては電着層に記録層よりも高い反射
率を付与することのできるものであれば特に限定され
ず、例えば記録層として有機系の材料を用いる場合には
Ａｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａｕなどの特に光反射性に優
れた金属あるいは合金の粒子が好ましく、又これらの物
質の大きさとしては電着時に均一に析出させることがで
き、又プリフォーマットパターンの精度を乱さない範囲
で種々の粒径のものを用いることができるが、電着溶液
中での分散性、電着層中での均一性という点で平均粒径
０．０１〜０．５μｍの粒子が好ましく、特に熱プラズ
マ蒸発法によって得られる平均粒径０．０１〜０．１μ
ｍの超微粒金属粉体は溶液中での二次凝集作用が生じず
好ましい。
【０１３９】又、高反射率を有する物質として、表面に
金属被覆を施した非金属粉体（以下金属化粉体）も用い
ることができ、この様な粉体としては、電着層に記録層
と異なる反射率を付与することができるものであれば、
特に限定されることなく、例えばセラミック粉体の表面
に金属めっきした粉体（金属化セラミック粉体）や天然
マイカ粉体の表面に金属めっきした粉体（金属化天然マ
イカ）、表面に金属被覆を有する樹脂粉体等、或いはこ
れらの混合物を用いることができ、例えばセラミック粉
体或いは天然マイカ粉体の表面をＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｓｎ等でめっきしたものが用いられる。これらの粉
体表面のめっきはコストの点から、Ｃｕ，Ａｇ及びＮｉ
を好適に用いることができ、粉体表面への形成方法とし
ては無電解めっき等が適している。
【０１４０】そしてセラミック粉体及び天然マイカ粉体
の平均粒径はその表面活性に寄与する表面積及び電着塗
料中での分散性、更には微細なプリフォーマットを高精
度に形成する事を考慮した場合、０．０５〜０．５μ
ｍ、特に０．２〜０．３μｍの範囲が好ましい。
【０１４１】また、本発明に用いられるセラミックとし
ては、例えば酸化アルミニウム、窒化チタン、窒化マン
ガン、窒化タングステン、タングステンカーバイト、窒
化ランタン、けい酸アルミニウム、二硫化モリブデン、
酸化チタン、けい酸等が挙げられ、又天然マイカとして
はフロゴバイトマイカ、セリサイトマイカ、マスコバイ
トマイカ等が挙げられる。
【０１４２】そしてこれらの金属化粉体は金属と比較し
て比重が軽く、電着層中に金属粉体と重量比で同量含有
させた場合電着層の反射率をより向上させることができ
る。
【０１４３】また金属めっきを施した非金属粉体として
他に表面を金属化した樹脂粉体も用いることができ、こ
の様な粉体としては、例えばフッ素樹脂、ポリエチレン
樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ナイロン等の
樹脂粉体表面にセラミックの場合と同様に銅、銀、金や
ニッケル等の反射性金属を形成することにより得られ
る。
【０１４４】又この樹脂粉体の平均粒径も、約０．０５
〜０．５μｍ程度が好ましい。
【０１４５】そして上記の表面に金属を施した非金属粉
体は、上記した金属粉体よりも取り扱いが容易である点
で好適で用いられ、特に金属化セラミック粉体や金属化
天然マイカ粉体は電着層中の樹脂を架橋させる工程に於
て低エネルギーで樹脂を架橋させることができる点で好
ましい。
【０１４６】なお、金属化セラミック粉体や金属化天然
マイカ粉体或いはその混合物を共析させた電着層が低エ
ネルギーで架橋する理由については明らかでないが、表
面が酸化され易い金属粉体と異なりセラミックや天然マ
イカの表面と、金属めっきの相互作用により、粉体の表
面をある程度活性な状態で維持できるため、その活性な
表面が樹脂の架橋点となり、電着層中の樹脂の架橋を促
進するためと考えられる。
【０１４７】又非金属粉体表面のめっき厚としては、表
面の高反射率を有すると共に樹脂の架橋促進の効果を有
するため０．０３〜０．２μｍ、特に０．０５〜０．１
μｍが好ましい。
【０１４８】次に本発明に於て電着層の共析させる低反
射率の物質としては電着層に記録層よりも低い反射率を
付与することのできるものであれば特に限定されず、例
えば記録層として金属や合金或いは高い反射率を示す有
機系色素を用いる場合には、一般に用いられている染・
顔料のうち、記録層よりも低反射率を有する物質であれ
ばよく、特に高い反射率差を得ることにより、高精度な
サーボ系制御を行うためにはカーボンブラックのように
ほとんど反射率のない物質が最も望ましい。そしてこの
構成は特に７８０〜８３０ｎｍの波長の光に対して１０
〜６０％、特に１５〜６０％の反射率を示す記録層を用
いる場合に好適に用いられる。
【０１４９】また低反射率粒子の平均粒径は、０．０１
μｍ〜０．５μｍが好ましい。
【０１５０】そして本発明の電着層中の高反射率物質も
しくは低反射物質の含有量（共析量）としては、記録層
との反射率差が実質的に得られ、且つ電着層の基材への
付着性を損なうことの無い程度に含有させていることが
好ましく、具体的に硬化後の電着層に於て２〜７５重量
％、特に５〜４０重量％、更には８〜２５重量％が好ま
しい。又高反射率物質として金属化粉体を用いた場合、
電着層中の含有量としてはその反射率及び塗膜物性を考
慮した場合１〜４０ｗｔ％、特に５〜３０ｗｔ％が好ま
しい。
【０１５１】なお、導電性粒子はＸ線マイクロアナライ
ザーにより同定でき共析量は熱重量分析で解析すること
により測定することができる。
【０１５２】又本発明に於て電着層の反射率を制御する
他の手段として電着層中に光散乱性の粒子を分散させて
もよい。
【０１５３】この場合、電着樹脂と共に原版の電極上に
共析させる光散乱性の粒子としては、電極上に析出する
樹脂との界面で光を散乱及び／又は光を乱反射させて電
着層９２の光反射率を低下させるものが好ましく、又電
着樹脂との屈折率差が０．０５以上、特に０．２以上の
ものが好ましい。具体的には、ガラスビーズ、鉛成分を
含んだガラスビーズ、ダイヤモンドの粒子、更には中空
のガラスビーズ等が挙げられ、特に中空のガラスビーズ
は樹脂と該粒子の界面に加えて、ガラスと空気との界面
も形成されるため光の散乱、乱反射も大きくなり好まし
い材料の１つである。そして本発明に於いては、上記し
た粒子の中から、電着樹脂との屈折率差、電着樹脂や電
着塗料に溶解或いは反応しないものを適宜選択して用い
ればよい。又上記光散乱性の粒子の平均粒径としてはプ
リフォーマットの精度を乱すことが無い様に０．０５〜
０．５μｍ、特に０．０５〜０．２μｍとするのが好ま
しく、又、電着層９２中の光散乱性の粒子の含有量（共
析量）としては、電着層の基材への密着性や特に光カー
ドの様な可撓性を有する光記録媒体に求められる電着層
の柔軟性を考慮した場合、硬化後の電着層に於て５〜５
０ｗｔ％、特に１０〜３０ｗｔ％、更には１５〜２５ｗ
ｔ％が好ましい。
【０１５４】なお共析粒子はＸ線マイクロアナライザー
により同定でき、共析量は熱重量分析で解析することに
より測定することができる。
【０１５５】そしてこの構成は記録層として７８０〜８
３０ｎｍの光に対して１０〜６０％、特に１５〜４０％
の反射率を示す記録層を用いる場合に好適に用いられ
る。
【０１５６】なお本発明に於て、電着層中に含有させた
粉体の平均粒径はレーザー回析／散乱式粒度分布測定装
置（商品名：ＬＡ−７００；堀場製作社製）で測定でき
るものである。
【０１５７】又本実施態様に於て、電着層の反射率を制
御する更に他の手段として電着層を多孔性とすることで
光散乱性の電着層を形成してもよい。
【０１５８】電着層を多孔性とする方法としては、電着
塗料中にｐ−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウムクロ
リドやｐ−ジメチルアミノベンゼンジアゾニウムクロリ
ドの塩化亜鉛複塩等のジアゾ化合物やアジド化合物、更
にはアゾジカルボンアミド、ジニトロペンタメチレンテ
トラミン等の光照射及び／又は加熱によって発泡する発
泡性の化合物を混合し、電着樹脂と共に電極上に析出せ
しめた後、基材への転写時及び／又は基材への転写後に
該電着層を加熱及び／又は該電着層に光照射を行なうこ
とによって上記発泡性化合物を発泡させる事によって多
孔性の電着層を得る事ができる。この場合、電着層中の
空隙は連通していてもよく、又独立していても良い。又
電着層の単位体積当りの空隙の割合即ち空隙率は電着層
が充分な光散乱性を示し且つ電着層が脆化しない様に体
積比で１０％〜５０％、特に１５％〜３５％、更には２
０％〜３０％とすることが好ましい。
【０１５９】なお上記電着層の空隙率の測定は上記式に
よって計算される。 ｛（ａ×ｂ）／ｃ｝＋｛（ａ×ｄ）／ｅ｝＝ｘ 空隙率＝１００−ｘ 但しａ：試験片の比重×１００ ｂ：電着塗料含有量 ｃ：電着塗料の比重 ｄ：発泡性化合物の含有量 ｅ：発泡性化合物の比重 又この構成は記録層として７８０〜８３０ｎｍの波長の
光に対する反射率が１０〜６０％、特に１５〜４０％で
ある記録層を用いる場合に好適に用いられる。
【０１６０】次に図１０に示した本発明の光記録媒体の
製造方法について詳細に説明する。
【０１６１】但し原版１０６の製造工程は、前記した本
発明の第１の実施態様の光記録媒体の製造に用いた原版
２６の製造工程と同等でありここではその説明は省略す
る。
【０１６２】そして前記原版２６と同様にして作製し
た、プリフォーマットパターンに対応するパターン状に
導電層が露出した原版１０６を電着液１１３中に浸漬し
て電着を行い導電層の露出部に電着層を析出させる。即
ち電着層は図１１に示す様に導電層を一方の電極として
用い、他方の電極１１２との間に電圧を印加せしめて電
着液中でイオン化している電着樹脂材料１１５を電極の
方向へ移動させることで導電層表面に付着することによ
って形成される。
【０１６３】そして、この電着液中に電着可能な樹脂に
加えて高反射率を有する物質の粒子或いは低反射率を有
する物質の粒子更には光散乱性の粒子や発泡性の化合物
１１４を添加した場合、電着可能な樹脂と共に該粒子を
電極上に付着させることができ、これによって高い反射
率を示す電着層或いは低い反射率を示す電着層を形成で
きる。
【０１６４】このとき樹脂１１５と粒子１１４が共に析
出する理由は以下の様に考えられる。即ち電着可能な樹
脂は電着液中にて該樹脂に結合している官能基がイオン
化しており、直流電圧を被塗物と対極の間に印加するこ
とで樹脂は被塗物へ引かれて析出する。そして、この樹
脂は電着液中では導電性粒子の周囲に吸着しているた
め、樹脂の電極への移動に伴なって粒子も移動して電極
上で樹脂と共に析出し塗膜を形成するものである。
【０１６５】なお、電着層の厚さとしては、基材に転写
したときにその反射率が記録層の反射率と異なる値を有
する様に形成することが好ましく、具体的には０．０１
μｍ〜１０μｍに形成され、この様にして電着層を析出
させた原版上に基材９１を密着させ（図１０（ｅ））電
着層を基材上に転写し、該電着層を硬化させて光記録媒
体用基板を得る。転写は電着層の表面を基板表面と接触
させることによって為され、その加圧にはゴム被覆ロー
ラを用いて行ってもよい。
【０１６６】又、上記の電着層９２の基材９１への転写
工程に於て前記した様に、電着層９２を転写補助層を介
して基材９１上に転写させてもよくこの場合電着層の基
材表面への転写精度をより一層向上させることができ
る。更に又転写補助層を用いた構成は、共析物の混入に
よって脆化し易い電着層を有する第２の実施態様の光記
録媒体に於ては、好ましい構成である。
【０１６７】又、電着層の硬化は、例えば電着可能な材
料として光重合型の樹脂を用いた場合は、光線の露光処
理後、基板に転写してもよい。電着層をさらに硬化させ
たい場合には、基板に転写した後、さらに照射する。
【０１６８】また、電着可能な材料として熱硬化性の樹
脂を用いた場合には、基板に転写する前、もしくは後に
加熱処理により硬化させてもよい。
【０１６９】また、電着可能な材料が感圧硬化性の場合
にはプレスもしくはラミネーターで加圧して基材に転写
してもよい。
【０１７０】こうして得た光記録媒体用基板の電着層転
写面に記録層を形成する。
【０１７１】記録層としては、例えばポリメチン系色
素、シアニン色素、ナフトキノン系染料又はフタロシア
ニン系の顔料等の有機色素を挙げることができる。
【０１７２】無機材料としては、金属、半金属等で、例
えばＢｉ，Ｓｎ，Ｔｅ等の低融点物質又はこれにＡｓ，
Ｓｅ，Ｓ，Ｏ，Ｃ等を結合した複合化合物や相変化によ
る記録可能なＴｅ−ＴｅＯ2 系やＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の
光磁気記録膜、光学濃度変化による記録可能なハロゲン
化銀等が挙げられる。
【０１７３】そして本発明に於ては電着層の反射率と異
なる反射率を有する記録層をを形成できる材料を選択す
ることが好ましい。
【０１７４】例えば上記した記録層の材料のうち、Ｂ
ｉ，Ｓｎ，ＴｅやＴｅ−Ｆｅ−Ｃｏ等の金属や合金系の
反射率の高いものを用いる場合には、電着層中に低反射
物質を含有させるのが好ましく、又ポリメチン系色素や
シアニン系色素などの比較的反射率の低い有機色素を用
いる場合には、電着層中に高反射物質を含有させるのが
好ましい。
【０１７５】又図１２に示す様に電着層として反射率を
高く形成し、記録層として有機色素等の低反射率の記録
層を形成し、更に６０％程度の反射率を示す、Ａｌ，Ａ
ｕなどの反射層１２１を形成した場合、優れたトラック
横断信号を示すと共により良好なコントラストの記録を
行うことのできる光記録媒体とすることができる。
【０１７６】又この構成は特に記録層として７８０〜８
３０ｎｍの波長の光に対して１０〜６０％、特に１０〜
４０％の反射率を示す記録層を用いる場合、記録ピット
部で反射率が上昇する構成となるため記録・再生に対す
るゴミやキズの影響を防止できるものである。
【０１７７】次に本発明の光記録媒体の第２の実施態様
の他の製造方法として、図１０（ａ）〜（ｄ）のステッ
プに従って作製した電着層を有する原版を用いて図５
（ｂ）に示したのと同様に、注型成形用型ユニットを作
製し、基材９１の注型成形工程と電着層９２を転写して
光記録媒体用基板を作製する工程を一工程として行うこ
ともできる。そしてこの方法によれは複屈折が少なく且
つプリフォーマットが正確に形成されてなる光記録媒体
用基板を得ることができる。
【０１７８】そしてこの基板上に前記した様に記録層、
反射層、保護基板を適宜形成することによって図９或い
は図１２に示す光記録媒体を得ることができるものであ
る。なお上記製造方法に於て原版の作製方法として図１
５（ａ）に示す様に原版用基板２１上に形成した導電層
２２自体をプリフォーマットに対応するパターン状に形
成し、該導電層上に電着層１２を析出せしめ、この原版
を用いて注型成形ユニット型１５１を作製し、これを用
いて前記した様に図１５（ｂ）（ｃ）の様に光記録媒体
用基板を更には光記録媒体を製造することもできる。そ
してこの様にして作製した光記録媒体用基板は図１５
（ｂ）に示す通り、電着層１２が基材中に埋め込まれた
構成となるため、電着層の基材からの剥離を有効に防止
でき共析物の混入によって脆化し易い電着層を有する第
２の実施態様の光記録媒体に於いて好ましい構成の１つ
である。
【０１７９】次に図１３を用いて本発明の光記録媒体の
更に他の製造方法について説明する。
【０１８０】先ず基材９１上に酸化スズや酸化インジウ
ム等の情報の記録・再生を行なう光ビームに対して透過
率の大きい透明電極１３１を形成する（図１３
（ａ））。
【０１８１】次いで透明電極上に絶縁物質例えばフォト
レジスト１３２を塗布し、プリフォーマツトに対するパ
ターンを露光した後現像して電極をパターン状に露出さ
せる（図１３（ｂ））。
【０１８２】次に、透明電極を一方の電極に用いて電着
を行なって電着層９２を析出させた後、フォトレジスト
を除去し（図１３（ｃ）、（ｄ）電着層形成面に記録
層、接着層、保護層を積層して（図１３（ｅ））本発明
の光記録媒体を得られる。
【０１８３】又この構成に於ても前記した様に透明電極
自体をパターン状に形成し、該パターン状に配置された
透明電極上に電着層を析出せしめてこの基材を用いて図
１６に示す様な光記録媒体を作製してもよい。
【０１８４】次に本発明の光記録媒体の第３の実施態様
について説明する。
【０１８５】即ち本実施態様は、基板上に導電性の記録
層もしくは反射層を有する情報記録媒体において、該記
録層もしくは反射層上に電着層を有することを特徴とす
るものである。
【０１８６】図１７（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実
施態様の光記録媒体の概略断面図であり、図１７に於い
て１７１は基板、１７２は導電性の記録層もしくは反射
層、１７３は電着層、１７４は接着層、１７５は保護基
板である。図１７（ａ）の光記録媒体の製造方法として
は図１８に示す様に基板１７１上の導電性記録層（反射
層）１７２表面にプリフォーマットに対応するレジスト
パターン１８１を形成し、この基板を電着塗料中に浸漬
し、該導電性記録層（反射層）１７２を一方の電極とし
て電着せしめ、水洗、電着層の硬化、レジスト層のリフ
トオフを行ない、更に保護基板を該基板の電着層を形成
した側に積層して図１７（ａ）に示す光記録媒体を得る
ことができる。
【０１８７】又、図１７（ｂ）の光記録媒体の製造方法
としては図１９に示す様に基板上の導電性記録層（反射
層）を記録領域１９１（ａ）及びプリフォーマツト領域
１９１（ｂ）にパターニングして次いで該基板を電着塗
料中に浸漬して導電性記録層のプリフォーマット領域１
９１（ｂ）を一方の電極として電着せしめ、水洗、電着
層の硬化を行ない更に保護基板を該基板の電着層を形成
した側に積層して図１７（ｂ）に示す光記録媒体を得る
ことができる。
【０１８８】本発明に於いて、導電性記録層或いは導電
性反射層としては、電着時に通電した際に、電着樹脂が
析出するだけの導電性を有することが好ましく、該導電
性記録層とする場合は、記録可能な材料のうち導電性の
物、例えば金属、金属酸化物、カーボン、導電性高分子
等がげられる、具体的には金属ではＡｕ，Ｃｕ，Ａｌ，
Ｔｅなど、金属酸化物ではＴｅＯなどカーボンではカー
ボンブラックなど導電性高分子ではポリアセチレン、ポ
リピロール、ポリチオフェンやポリアニリンなどが挙げ
られる。
【０１８９】また該導電性反射層とする場合は、反射性
を有するもののうち導電性の物、例えば、金属、金属酸
化物、導電性高分子等があげられ具体的には金属ではＡ
ｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなど、導電性高分子ではポリアセ
チレン、ポリピロール、ポリフェニレンなどが挙げられ
る。そして本発明に於て電着層としては記録層（反射
層）との反射率差を大きくすることが好ましく、電着層
の反射率を制御する手段としては前記した様に高反射率
の物質粒子、低反射率の物質粒子、光乱射性の粒子を電
着層中に含有させるか電着層を多孔性とすることによつ
て制御可能である。そして又本実施態様に於て導電性記
録層或いは導電性反射層を７８０〜８３０ｎｍの波長の
光に対し１０〜６０％、特に２０〜６０％の反射率を示
す構成とした場合、電着層を、その反射率を低下せしめ
る構成とすることが好ましい。
【０１９０】次に本発明の光記録媒体の第４の実施態様
について説明する。
【０１９１】即ち本実施態様は基板上にプリフォーマッ
トに対応するパターン状に電着層からなる記録層が配置
されてなることを特徴とするものである。
【０１９２】図２０は本実施例態様に係る光記録媒体の
概略断面図であり、図２０に於いて２０１は基板、２０
２は該基板上に、プリフォーマットに対応するパターン
状に配置されてなる電着層からなる記録層、２０３は接
着層、２０４は保護基板である。
【０１９３】そしてかかる光記録媒体の製造方法として
は、前記した基板上に電着層からなるプリフォーマット
を形成する種々の方法の何れも用いることができる。
【０１９４】又本実施態様において、電着層からなる記
録層は、電着塗料中に記録材料となる粒子を分散したも
のを用いて電着させることによって形成できる。記録材
料となる粒子としては、例えば、有機色素ではポリメチ
ン系染料やシアニン系染料、ナフトキノン系染料、アン
トラキノン誘導体、クロマニウム化合物、アゾ化合物、
又はフタロシアニン系の顔料、カーボンブラック等を挙
げることができる。無機材料では、金属、半金属等で、
例えばＢｉ，Ｓｎ，Ｔｅ等の低融点物質又はこれにＡ
ｓ，Ｓｅ，Ｓ，Ｏ，Ｃ等と結合した複合化合物や、相変
化による記録可能なＴｅ−ＴｅＯ２ 系や光学濃度変化
による記録可能なハロゲン化銀等が挙げられる。また、
光磁気記録、感熱記録の行なえる材料も記録層として用
いることができる。そして本実施態様に於いて電着塗料
中に分散させる記録材料としてはフタロシアニンが染顔
料の中で比較的反射率が高く又電着塗料中での分散性に
優れるため好ましく用いられる。
【０１９５】又電着層からなる記録層中に於ける記録材
料の含有量は記録層（電着層）の記録感度、電着層の膜
質例えば柔軟性、密着性等を考慮した場合５〜５０ｗｔ
％、特に１０〜４０ｗｔ％、更には２０〜３５ｗｔ％の
範囲が好ましい。なお電着層中の記録材料の含有量は、
記録材料が導電性の場合は、熱重量分析装置によって分
析でき記録材料が有機色素／顔料の場合は光透過率で分
析できる。
【０１９６】また本実施態様の光記録媒体の製造方法に
於て、図２１に示す様に原版用基板２１１上にパターン
状に電極層２１２を配置し、該電極層２１２上に記録層
となる電着層２０２を析出させた原版２１３を用いて注
型成形用ユニット２１６を組み立て該ユニットに液状樹
脂２１４を注入して硬化せしめて脱型して電着層２０２
を基板２１４に転写して製造する方法は、図２１（ｃ）
に示す様に基板上に保護層２１５を設けた場合にも記録
層上に空隙が形成されるため記録層への情報の記録が妨
げられず高記録感度の光記録媒体とすることができる。
【０１９７】又本発明に係る光記録媒体の第５の実施態
様として、基板上に電着層からなるプリフォーマット層
及び電着層からなる記録層が形成されてなる構成として
もよい。
【０１９８】即ち図２２は（ａ）、（ｂ）は上記第５の
実施態様に係る光記録媒体の製造方法の概略工程図であ
り、図２２に於て、基板２２１上に例えばＩｎ2 Ｏ3 等
の透明電極からなる導電層２２２を形成しフォトリソ技
術を用いて記録層を電着するための導電パターン２２２
ａとプリフォーマツト層を電着するための導電パターン
２２２ｂとを形成する。次いで該基板２２１をプリフォ
ーマット層形成用電着塗料中に浸漬し、該導電パターン
２２２ｂを一方の電極としてプリフォーマット層２２３
を析出させる。次に該基板２２１を記録層形成用電着塗
料中に浸漬し、該導電パターン２２２ａを一方の電極と
して記録層２２４を析出させ、次いで該プリフォーマツ
ト層及び記録層を硬化せしめて、更には必要に応じて図
２２（ｃ）に示す様にスペーサを介して保護基板２２５
を設けるか或いは図２２（ｄ）に示す様に接着層２２６
を介して保護基板２２５を設けることにより、電着層か
らなるプリフォーマット層及び電着層からなる記録層を
備えた光記録媒体を得ることができる。そしてこの時プ
リフォーマット層及び記録層の反射率差がより大きくな
る様に各々の反射率を制御することが好ましい。そして
電着層の反射率の制御手段は前記した通りである。
【０１９９】又他の製造方法として原版用基板上に上記
図２２（ａ）、（ｂ）で説明した方法と同様にして電着
層からなるプリフォーマツト層及び電着層からなる記録
層を備えた原版を作製し、該電着層に基材を直接、或い
は転写補助層を介して密着せしめて基材上に該電着層を
転写せしめることによっても本発明の第５の実施態様の
光記録媒体を製造することができる。
【０２００】又他の製造方法として、上記の製造方法で
作製した電着層からなるプリフォーマット層及び電着層
からなる記録層を備えた原版を用いて図２１に示す様な
注型成形用ユニット型を作製し、この型に液状樹脂を注
入して固化或いは硬化せしめて図２３に示す様に基板２
３１中に電着層２２３、２２４が埋設された構成の光記
録媒体を得ることができる。
【０２０１】又、本発明の第５の実施態様に係る光記録
媒体の更に他の製造方法としては、先ず原版用基板２４
１上に導電層２４２を設け、該導電層上にプリフォーマ
ットに対応するパターン状にレジストパターン２４３を
形成する（図２４（ａ））。次に該原版をプリフォーマ
ット層形成用電着塗料中に浸漬し該導電層２４２を一方
の電極として電着を行ない、プリフォーマツト層２４４
を析出せしめた後、水洗し硬化させる（図２４
（ｂ））。
【０２０２】次いでレジストパターンをリフト・オフし
た原版（図２４（ｃ））を記録層形成用電着塗料中に浸
漬し該導電層２４２を一方の電極として電着を行ない、
記録層２４５を析出させる。なお、この時プリフォーマ
ツト層は既に硬化させられて絶縁性となっているためプ
リフォーマット層上に記録層が析出することはない（図
２４（ｄ））。次に該プリフォーマツト層２４４、記録
層２４５上に基板２４６を直接或いは転写補助層を介し
て密着せしめ該プリフォーマット層２４４、記録層２４
５を基材上に転写せしめ、その後必要に応じて該プリフ
ォーマット層２４４、該記録層２４５上に保護基板を、
接着層を介して直接或いは少なくとも記録層２４５上に
エアーギャップが形成される様に設けることによって本
発明の光記録媒体を得る事ができる。
【０２０３】更には図２４（ｄ）に示す原版を用いて図
２１に示す様な注型成形ユニット型を作製し、基材の成
形とプリフォーマット層２４４、電着層２４５の転写を
同時に行なってもよい。
【０２０４】そして本実施態様に於て記録層として反射
率の低い構成、例えば７８０〜８３０ｎｍの波長の光に
対して５〜４０％の反射率を示す場合プリフォーマット
層としては記録層よりも実質的に高い反射率を示す構成
とすることが好ましく、具体的には記録層にフタロシア
ニンを含有させた場合にはプリフォーマツト層として金
属や金属化粉体を含有させた構成が好ましい。
【０２０５】又記録層として反射率の高い構成、例えば
７８０〜８３０ｎｍの波長の光に対して１０〜６０％の
反射率を示す場合プリフォーマット層としては記録層よ
りも実質的に低い反射率を示す構成とすることが好まし
く、具体的には記録層にＴｅを含有させた場合にはプリ
フォーマット層として光散乱性粒子やカーボンブラック
等を含有させるか或いは電着層を多孔質とした構成が好
ましい。なお本実施態様において「反射率が実質的に高
い」或いは「低い」ことの定義は前記の通りである。
【０２０６】
【実施例】以下本発明について実施例を挙げて更に詳細
に説明する。
【０２０７】なお本発明はこれに限定されるものではな
い。
【０２０８】また実施例において得たデータの測定方法
を下記に示す。
【０２０９】コントラスト比 レーザー・スポット７１がトラッキングトラック１７を
横断したとき（図７）の反射光量の変化をオシロスコー
プで検出した時の波形（図８…トラック横断信号）より
次のように求めた。但しＶａはレーザースポットが２つ
のトラッキングトラック１７間にあるときの出力電圧で
Ｖｂはレーザースポットがトラッキングトラック１７上
にあるときの出力電圧である。
【０２１０】
【外５】 レーザービームの波長 ８３０ｎｍ レーザービームのパワー ０．５ｍＷ（光ディスク）／
０．２７ｍＷ（光カード） スポット径（記録面上） １．６μｍ（光ディスク）／
３μｍ（光カード） レーザービームの入射方向：基材側 また電着層に粉体を分散させた場合、該粉体が導電性の
場合、熱重量分析装置（商品名：サーマル アナリシス
システム７シリーズ；パーキンエルマー社製）で分析
し、有機色素／顔料の場合は光透過率で分析した。
【０２１１】（実施例１）プリフォーマットが電着層で
構成された直径３５０ｍｍの光ディスクを以下の手順で
作成した。
【０２１２】先ず原版用基板として一方の表面に鏡面処
理を施したガラス板（大きさ４００ｍｍ×４００ｍｍ、
厚さ５ｍｍ）を用い鏡面側に銅を真空蒸着して厚み０．
５ｍｍの導電層を形成した。
【０２１３】次いで導電層の表面にフォトレジスト（富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製；商品名：
ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４）ロールコーターにて乾
燥時厚みが７００Åになるように塗布し、１００℃の温
度で２０分間プリベーキングを行なった。
【０２１４】露光用のマスクとして電子線描画装置によ
りプリフォーマットとして幅０．６μｍ、ピッチ１．６
μｍの同心円状のトラッキングトラックに対応するパタ
ーンを作成したものを用い、このマスクを上記フォトレ
ジスト層に密着させてマスク上方より紫外線照射を行な
うことによりパターン露光した。
【０２１５】露光後、現像液（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製、ＬＳＩ現像液）に浸漬して露光
部のフォトレジストを溶解除去し、除去後１００℃の温
度で２０分間ポストベーキングすることで、原版２６を
得た。
【０２１６】又以下の手順に従ってカチオン性電着液を
調製した。
【０２１７】Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１の割合で
混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に共重合
した有機重合体バインダー８０重量部、２，２−ジメト
キシ−２−フェニルアセトフェノン０．５重量部、トリ
メチロールプロパントリアクリレート１４．５重量部か
らなるカチオン性感光性樹脂組成物をエチレングリコー
ルモノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、
０．５当量の酢酸で中和し更に脱イオン水で１５ｗｔ％
に希釈して電着液とした。
【０２１８】次にこの電着液中に原版２６を浸漬し導電
層を負電極とし浴の金属容器を正電極として５〜１０ボ
ルトの直流電圧を１分間印加した。その後原版をひき上
げ十分に水洗いした後、乾燥し電着層１２を得た。
【０２１９】次にこの原版２６上にパターン状に形成さ
れた電着層１２の表面が直径３５０ｍｍ、厚さ１．２ｍ
ｍのポリカーボネート樹脂基材と接する様に重ね合わせ
てゴム被覆ローラーを用いて基材上に電着層を転写し
た。
【０２２０】次に高圧水銀ランプで全面に上部から２０
０ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、電着層１２を硬化させた。得
られたプリフォーマットパターン層の膜厚は７００Åで
あった。
【０２２１】このプリフォーマットパターン層が形成さ
れた基板上に酸化テルル記録層２１をスパッタにより厚
さ３００Åに成膜し、次いでエチレン−酢酸ビニル共重
合体系の接着層１４を介してポリカーボネート樹脂製保
護基板（直径３５０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚さ１２ｍ
ｍ）１５を貼り合わせて光ディスクを作製した。
【０２２２】この光ディスクについて光ディスク検査装
置（商品名：ＯＭＳ−２０００；ナカミチ社製）を用い
て６００ｒｐｍで回転させて半径１５０ｍｍ（ｒ１５
０）、半径７０ｍｍ（ｒ７０）及び半径３０ｍｍ（ｒ３
０）の場所で光ヘッドを固定（トラックサーボをカッ
ト）しディスクの偏心を利用して各場所でのトラック横
断信号（レーザービームの波長：８３０ｎｍ）を測定し
たところ、表−１に示す通りその変動は殆ど無く、この
ことから均質且つ高コントラストのトラッキング信号が
得られる光ディスクであることが分った。
【０２２３】（実施例２）実施例１と同様にして図１
（ｂ）に示す、電着層１２の非形成領域がトラッキング
トラックを形成する光ディスクを得た。
【０２２４】この光ディスクについて実施例１と同様に
してトラック横断信号を測定した。その結果を表−１に
示す。
【０２２５】（実施例３）実施例２に於て電着液として
アクリル・メラミン樹脂（商品名：ハニブライトＣ−１
Ｌ；ハニ−化成（株）社製）を樹脂固形分１５ｗｔ％に
希釈したものを用いて浴温２５℃、ｐＨ８〜９の条件で
原版の導電層を陽極とし、対極としてステンレス板を用
いて印加電圧５〜１０Ｖで１分間電着し厚さ８００Åの
電着層を原版上に析出させた。次いで電着層を直径３５
０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネ
ート製光ディスク基材上に転写し、９６℃のオーブンで
約１２０分加熱して硬化させて、電着層１２の非形成領
域がトラッキングトラックを形成する光ディスク用基板
を得た。
【０２２６】次にこの基板のプリフォーマット形成面
に、下記に示すポリメチン系色素の３ｗｔ％ジアセトン
アルコール溶液をスピンコート法により塗布し厚さ１０
００Åの記録層を形成した。次いで基板の内・外周部に
プラスチックビーズ（直径０．５ｍｍ）入り紫外線硬化
型接着剤を幅１ｍｍに塗布しその上にポリカーボネート
樹脂製保護基板（直径３５０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚さ
１．２ｍｍ）を積層し内外周部に紫外光を照射して光デ
ィスクを作製した。
【０２２７】この光ディスクについて実施例１と同様に
してコントラストを測定した。その結果を表−１に示
す。
【０２２８】
【外６】
【０２２９】（比較例１）インジェクション成形法によ
り外径３５０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの大
きさを有し表面に幅０．６μｍ、ピッチ１．６μｍ、深
さ８００Åのトラック溝を有する光ディスク用基板を成
形した。この基板上に実施例１と同様にして記録層及び
保護層を形成して光ディスクを得た。
【０２３０】この光ディスクを実施例１と同様にｒ
150 、ｒ70及びｒ30でトラック横断信号を観察した。ｒ
150 、ｒ70、ｒ30でのトラック横断コントラストの平均
を表−１に示す。
【０２３１】（比較例２）インジェクション成形法によ
り外径３５０ｍｍ、内径（２８）ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ
で両表面が鏡面のポリカーボネート製円板を成形した。
この基板上に下記の組成の光硬化性樹脂組成物からなる
２Ｐ層を形成し、２Ｐ成形法により幅０．６μｍ、ピッ
チ１．６μｍ、深さ８００Åのスパイラル状のトラック
溝を有する光ディスク基板を作成した。
【０２３２】光硬化性樹脂混合物 ・ネオペンチルグルコール ジアクリレート ７０重量
部 ・ビスフェノール系エポキシアクリレート〔商品名：エ
ピコート８２８（油化シェルエポキシ（株）製）にアク
リル酸を付加した２官能アクリレート〕 ３０重量部 ・ベンゾインイソプロピルエーテル １重量部 この光ディスク用基板を１２０℃で３時間乾燥し残留す
るモノマーを除去し重合を完了させた。
【０２３３】次に実施例３と同様にして記録層及び保護
基板を積層して光ディスクを得た。
【０２３４】この光ディスクについて実施例１と同様に
してトラック横断信号を観察した。
【０２３５】各々の位置に於けるトラック横断コントラ
ストの平均値を表−１に示す。
【０２３６】
【表１】
【０２３７】（実施例４）原版用基板として一方の面に
鏡面処理を施したガラス板（大きさ１００ｍｍ×１００
ｍｍ、厚さ５ｍｍ）の鏡面側に銅を真空蒸着して厚み
０．５ｍｍの導電層を形成した。
【０２３８】次いで、導電層の表面にフォトレジスト
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製 商品
名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４）をロールコーター
にて乾燥時厚みが１３００Åになるように塗布し、１０
０℃の温度で２０分間プリベーキングして感光性層とし
た。
【０２３９】露光用のマスクとして電子線描画装置によ
りプリフォーマットパターンに対応するパターンとして
幅３μｍ、ピッチ１２μｍの直線状の光カード用トラッ
キングトラックのパターンを書き込んで作成したものを
用い、このマスクを上記の感光性層に密着させ、マスク
上方より紫外線照射を行うことによりパターン露光し
た。
【０２４０】露光後、現像液（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製、ＬＳＩ現像液）に浸漬して露光
部のフォトレジストを溶解除去し、除去後１００℃の温
度で２０分間ポストベーキングすることで、原版を得
た。
【０２４１】次にアクリル・メラミン樹脂（商品名：ハ
ニブライトＣ−ＩＬ；ハニー化成（株）社製）を１５ｗ
ｔ％に希釈した電着液を用いて浴温２５℃、ｐＨ８〜９
の条件で原版の導電層を陽極とし、対極としてステンレ
ス版を用いて印加電圧１５〜２０Ｖで１分間電着し電着
層１２を原版上に析出させた。
【０２４２】次いで電着層を縦５４ｍｍ、横８５ｍｍ、
厚さ０．４ｍｍのポリメチルメタクリレート製の光カー
ド用基材上に転写し厚さ約１３８０Åの電着層の非形成
領域がトラッキングトラックを形成する光カード用基板
を得た。この光カード用基板を光学顕微鏡（２０００
倍）で観察したところ電着層は精度良く基材上に転写さ
れていた。
【０２４３】この基板上に実施例３で用いたポリメチン
色素の３ｗｔ％ジアセトンアルコール溶液をスピンコー
ト方で塗布し、厚さ１０００Åの記録層を形成した。
【０２４４】次いで記録層上にフィルム状のエチレン−
酢酸ビニル共重合体系ホットメルト接着剤及び縦５４ｍ
ｍ、横８５ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのポリメチルメタクリ
レート製保護基板を積層し表面温度１１０℃の熱ロール
を通して熱圧着して光カードを作製した。
【０２４５】この光カードについて図７に矢印Ｃ及びＤ
で示す通りトラッキングトラックを横断する様に光ビー
ムを走査しトラック横断信号を観察した。この時のトラ
ック横断信号のコントラストの最大値、最小値及び平均
値を表−２に示す。
【０２４６】（比較例３）縦５４ｍｍ、横８５ｍｍ、厚
さ０．４ｍｍのポリメチルメタクリレート基材の表面に
コンプレッション法で幅３μｍ、ピッチ１２μｍのスト
ライプ状のトラック溝を転写成形し光カード用基板とし
た。
【０２４７】この光カード用基板を用いて実施例４と同
様にして光カードを作製した。
【０２４８】この光カードについて実施例４と同様にし
てトラック横断信号を観察したところ変動が認められ
た。又トラック横断信号のコントラストを表−２に示
す。
【０２４９】
【表２】
【０２５０】次に実施例４と同様にして作製した光カー
ド基板について電着層と基材との密着性を下記の様に屈
曲試験を行なって評価した。即ち、光カード基板の短辺
を図１４（ａ）に示す様に保持し、カード中央が図１４
（ｂ）に示す様にＡが２０ｍｍとなる様に撓ませる作業
を２５０回行なって、次いで光カード基板の長辺を保持
して、同様にＡが１０ｍｍとなる様に撓ませる作業を２
５０回行なった後、光カード基板表面の電着層の状態を
光学顕微鏡で観察したところ電着層の剥離は認められな
かった。
【０２５１】（実施例５）実施例１と同様にして電着層
を有する原版を作製した。
【０２５２】一方、直径３５０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍのガラス製ディスク基材表面に転写補助層
として、紫外線硬化型樹脂（商品名：ＵＶＸ−ＳＳ１２
０；スリーボンド（株）製）を、スピンコート法で２〜
４μｍの厚みに塗布し未硬化のまま、該電着層が、転写
補助層と接する様に、原版と基材を重ね合わせて高圧水
銀ランプ（１２０Ｗ／ｃｍ）を用いて照射面における強
度が５００ｍＪ／ｃｍ２ となる様にガラス基材から露
光して転写補助層及び電着層を共に硬化させた後、原版
と基材を剥離して光ディスク用基板を得た。
【０２５３】なお、基材上に転写された電着層の厚みは
７００Åであった。そして、得られた光ディスク用基板
を光学顕微鏡（２０００倍）で観察したところ、原版２
６上の電着層１２は精度良く転写されていた。
【０２５４】次いで、このプリフォーマットパターン上
に酸化テルル記録層２１をスパッタにより厚さ３００Å
に成膜し、次いでエレチン−酢酸ビニル共重合体系の接
着層１４を介して、ガラス製保護基板（直径３５０ｍ
ｍ、内径２８ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）１５を貼り合わせ
て光ディスクを作製した。
【０２５５】こうして得た光ディスクについて、実施例
１と同様にして評価した。その結果を表−３に示す。
【０２５６】
【表３】
【０２５７】（実施例６）実施例４と同様にして電着層
を有する原版を作製した。
【０２５８】一方、縦５４ｍｍ、横８５ｍｍ、厚さ０．
４ｍｍのポリカーボネート製光カード基材表面に転写補
助層として紫外線硬化型樹脂（商品名：ＵＶＸ−ＳＳ１
２０；スリーボンド（株）製）をスピンコート法で２〜
４μｍの厚みに塗布し、未硬化のまま該電着層が転写補
助層と接する様に、原版と基材を重ね合わせて高圧水銀
ランプ（１２０Ｗ／ｃｍ）を用いて照射面における強度
が５００ｍＪ／ｃｍ2となる様にガラス基材から露光
し、更に９６℃のオーブンで約１２０分加熱して、転写
補助層及び電着層を共に硬化させた後、原版と基材を剥
離して、厚さ約１３８０Åの電着層１２の非形成領域が
トラッキングトラックを形成する光カード用基板を得
た。
【０２５９】この光カード用基板を、光学顕微鏡で観察
したところ原版２６上の電着層は精度良く転写されてい
た。
【０２６０】次に、この基板の電着層転写側の面上に記
録層として下式に示す構造のシアニン系色素を塗布して
記録層を形成した。
【０２６１】
【外７】
【０２６２】次いで記録層上にフィルム状のエチレン−
アクリル酸エチル共重合体ホットメルト接着剤及び縦５
４ｍｍ、横８５ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのポリメチルメタ
クリレート製保護基板を積層し、表面温度１１０℃の熱
ロールを通して熱圧着して光カードを作製した。
【０２６３】こうして得た光カードについて実施例４と
同様にして評価した。その結果を表４−（１）に示す。
【０２６４】
【表４】
【０２６５】次に、実施例６と同様にして作製した光カ
ード基板について電着層と基材との密着性を下記の様に
評価した。
【０２６６】即ち、光カード基板の短辺を図１４（ａ）
に示す様に保持し、カード中央部が図１４（ｂ）に示す
様にＡが２５ｍｍとなる様に撓ませる作業を３００回行
なって、次いで光カード基板の長辺を保持して、同様に
Ａが１５ｍｍとなる様に撓ませる作業を３００回行なっ
た後、光カード基板表面の電着層の状態を光学顕微鏡で
観察したところ電着層の剥離は認められなかった。
【０２６７】（実施例７）実施例４と同様にして光カー
ド用原版１０６を得た。但しフォトレジスト層の乾燥膜
厚は０．１μｍとした。
【０２６８】一方、以下の手順に従ってカチオン性電着
液を調整した。
【０２６９】Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１、重量平
均分子量７万に共重合した有機重合体バインダー８０重
量部、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン０．５重量部、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート１４．５重量部からなるカチオン性感光性樹脂組成
物をエチレングリコールモノブチルエーテルで揮発分８
０％に希釈し、０．５当量の酢酸で中和し純水にて揮発
分１０％に調整した。
【０２７０】上記のように調整した電着樹脂組成物１０
０重量部に対して平均粒径０．１μｍのニッケル粉体を
２５重量部を加えてボールミルで３０時間分散した後脱
塩水で１．５重量％に希釈して電着液とした。次にこの
電着液中に原版１０６を浸漬し、導電層１０２を、負電
極とし浴の金属容器を正電極として３０ボルトの直流電
圧を１分間印加した。その後原版をひき上げ十分に水洗
いした後、乾燥し厚さ２μｍの電着層９２を得た。
【０２７１】次にこの原版１０６上にパターン状に形成
された電着層９２の表面が１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚
さ０．４ｍｍのアクリル樹脂基材９１と接する様に重ね
合わせてゴム被覆ローラを用いて、ポリメチルメタクリ
レート基板に電着層９２を転写した。
【０２７２】次に高圧水銀ランプで全面に上部から２０
０ｍＪ／ｃｍ2 （露光面）露光し、電着層１２を硬化さ
せた。得られた電着層中のＮｉの析出量は２５ｗｔ％で
あった。
【０２７３】次いで基板のプリフォーマットパターンを
有する面上にポリメチン系有機色素ＩＲ８２０（日本化
薬（製））３．０ｗｔ％を含有するジアセトンアルコー
ル溶液をスピンコートした。乾燥後、厚さ１０００±５
０Åの記録層９３が得られた。
【０２７４】次にこれをホットメルトタイプのエチレン
−酢酸ビニル系接着剤を用いて厚さ０．３ｍｍのアクリ
ル樹脂基板と貼り合わせ、さらに縦５４ｍｍ横８６ｍｍ
にレーザーカッティングし、厚さ０．７６ｍｍの光カー
ドを得た。なお、電着層中のカーボンブラックの析出量
は２０ｗｔ％であった。
【０２７５】（実施例８）実施例７に於て、電着液中の
ニッケル粉体の代わりに平均粒径０．０５〜０．１μｍ
のカーボンブラックを１５重量部添加して分散させた以
外は実施例１と同様にして光カードを作成した。
【０２７６】（実施例９）実施例８と同様にして、アク
リル基板上にプリフォーマットパターンを形成した。次
にこの基板のプリフォーマットパターン形成面上にＴｅ
−Ｃｕ−Ｐｂ合金をスパッタターゲットとし、Ａｒガス
圧５×１０−２ｔｏｒｒ、投入電圧４００Ｖで９０ｓｅ
ｃスパッタし膜厚３００ÅのＴｅ−Ｃｕ−Ｐｂ金属薄膜
を蒸着させて記録層９３を形成した。
【０２７７】これを実施例８と同様にして光カードを作
製した。
【０２７８】（実施例１０）実施例４と同様にして光カ
ード用原版を作製した。但し、フォトレジストの乾燥時
の膜厚は２μｍとした。
【０２７９】次に、硬化剤入りアクリル・メラミン系樹
脂（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）
１００重量部に対して、平均粒径０．３μｍのアルミナ
の表面に無電解ニッケルめっきを０．１μｍの厚さに施
したもの１０重量部をボールミルで３０時間分散した
後、脱塩水にて１５重量％に希釈した電着液を用いて、
浴温２５℃、ｐＨ８〜９の条件で原版の導電層を陽極と
し、対極としてステンレス板を用いて印加電圧３０Ｖで
１分間電着してニッケルめっきを施したアルミナを含有
する電着層１２がパターン状に析出した原版を得た。次
に電着した原版に厚さ０．４ｍｍの透明ポリカーボネー
ト基材を接触させ、ゴム被覆ローラを用い電着層をポリ
カーボネート基板に転写した。この電着層の転写した基
板を９７℃のオーブンにて６０分間加熱し硬化して厚さ
２μｍの電着層からなるプリフォーマットパターンを有
する光カード用基板を得た。なお、電着層中のニッケル
めっきしたアルミナの析出量は１５ｗｔ％であった。
【０２８０】次にこの基板のプリフォーマットパターン
形成面記録層として下記のシアニン系染料
【０２８１】
【外８】 を厚さ１０００Åに塗布しさらに、保護層として０．３
ｍｍのポリカーボネート基板を酢酸ビニル系ホットメル
ト接着剤を介し、接着した。これを縦４５ｍｍ横８６ｍ
ｍのカードサイズに打ち抜き光カードを得た。
【０２８２】（実施例１１）光カード用原版を実施例４
と同様にして作成した。一方、アクリル・メラミン系樹
脂（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）
１００重量部に対して、平均粒径０．２μｍのナイロン
表面に無電解銀めっきを０．０５μｍを施したもの２０
重量部を、ボールミルで３０時間分散した後、脱塩水に
て固形分濃度１５重量％に希釈し、塗液として浴温２５
℃、ｐＨ８〜９の条件で、対極として０．５ｔステンレ
ス板を用い、印加電圧３０Ｖで１分間電着して銀めっき
を施したナイロン粉体を含有する電着層がパターン状に
析出した原版を得た。電着層中の銀めっきしたナイロン
粉体の含有量は２５ｗｔ％であった。
【０２８３】次に電着した原版に厚さ０．４ｍｍのアモ
ルファスポリオレフィン基材を接触させてゴム被覆ロー
ラで電着層を基材に転写させた後、電着層を有する基材
を１００℃のオーブンで１２０分加熱して電着層を硬化
させて厚さ２μｍの電着層からなるプリフォーマットパ
ターンを有する光カード用基板を得た。
【０２８４】次いで、この基板のプリフォーマットパタ
ーン形成面に記録層としてＴｅＯを厚さ（３００Å）に
蒸着し、更に保護層として厚さ０．３ｍｍのアモルファ
スポリオレフィン基板をエポキシ系接着剤を介して接着
して、これを縦５４ｍｍ、横８５ｍｍのカードサイズに
切断し、光カードを得た。
【０２８５】（実施例１２）プリフォーマットが電着層
からなる光カード用基板を以下の手順で作成した。
【０２８６】原版用基板として厚さ０．４ｍｍ、縦１０
０ｍｍ×横１００ｍｍのポリメチルメタクリレート樹脂
板を用い、その上に酸化インジウムの透明電極１０２を
スパッターで成膜した。
【０２８７】次に該酸化インジウム膜上にフォトレジス
ト（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製、商
品名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４）をロールコータ
ーにて乾燥時厚みが０．１μｍになるように塗布し、１
００℃の温度で２０分間プリベーキングしてフォトレジ
スト層１０３とした。
【０２８８】露光用のマスク１０４として、電子線描画
装置によりプリフォーマットパターンに対応するパター
ンとして幅３μｍ、ピッチ１２μｍの直線状の光カード
用トラッキングトラックのパターンを作成したものを用
い、このマスク１０４を上記のフォトレジスト層に密着
させ、マスク上方より紫外線照射を行うことによりパタ
ーン露光した。
【０２８９】露光後、現像液（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＬＳＩ現像液）に浸漬して露光部
のフォトレジストを溶解除去し、次いで露光した酸化イ
ンジウム膜をエッチングして除去し、その後リムーバー
で残存フォトレジストを除去して透明電極のパターンを
有する原版を作製した。
【０２９０】次に、硬化剤入りアクリル・メラミン系樹
脂（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）
１００重量部に対して、平均粒径０．０７μｍのカーボ
ンブラック２０重量部をボールミルで３０時間分散した
後、脱塩水にて固形分濃度１５重量％に希釈した電着液
を用いて、浴温２５℃、ｐＨ８〜９の条件で原版の透明
電極を陽極とし、対極としてステンレス板を用いて印加
電圧３０Ｖで１分間電着してカーボンブラックを含有す
る電着層９２がパターン状に析出した原版を得た。次に
電着した原版に厚さ０．４ｍｍの透明ポリカーボネート
基材９１を転写補助層としてのエチレン−アクリル酸エ
チル共重合体のホットメルトシートを介して積層し、ロ
ーラー温度１３０℃のラミネーターを通した後原版１０
６から基材９１を剥離して、この電着層の転写した基板
を９７℃のオーブンにて６０分間加熱し硬化して厚さ２
μｍの電着層からなるプリフォーマットパターンを有す
る光カード用基板を得た。なお、電着層中のカーボンブ
ラックの含有量は２５ｗｔ％であった。
【０２９１】この光カード用基板のプリフォーマット形
成面を光学顕微鏡で観察したところ原版上の電着層は基
材上に高精度に転写されていた。
【０２９２】次に、この光カード用基板のプリフォーマ
ットを形成した側の面に記録層として下式のシアニン系
色素を塗布して記録層を設けた。
【０２９３】
【外９】
【０２９４】次いで記録層上にフィルム状のエチレン−
アクリル酸エチル共重合体系ホットメルト接着剤及び縦
５４ｍｍ、横８５ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのポリメチルメ
タクリレート製保護基板を積層し表面温度１１０℃の熱
ロールを通して熱圧着して光カードを作製した。
【０２９５】（実施例１３）原版用基板として一方の面
に鏡面処理を施したガラス板（５ｍｍ厚）の鏡面側に銅
を真空蒸着して厚み０．５ｍｍの導電層を形成した。
【０２９６】次いで、導電層の表面にフォトレジスト
（富士ハントエレクトロニクステクノロジー社製 商品
名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４）をロールコーター
にて乾燥時厚みが０．５μｍになるように塗布し、１０
０℃の温度で２０分間プリベーキングして感光性層とし
た。
【０２９７】露光用のマスクとして、電子線描画装置に
よりプリフォーマットパターンに対応するパターンとし
て幅０．６μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状の光
ディスク用トラッキングトラックのパターンを書き込ん
で作成したものを用い、このマスクを上記の感光性層に
密着させ、マスク上方より紫外線照射を行うことにより
パターン露光した。
【０２９８】露光後、現像液（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製ＬＳＩ現像液）に浸漬して露光部
のフォトレジストを溶解除去し、除去後１００℃の温度
で２０分間ポストベーキングすることで、原版を得た。
【０２９９】一方、電着樹脂組成物として、Ｎ、Ｎ−ジ
エチルアミノエチルメタクリレート、スチレン、エチル
アクリレート及びｐ−ヒドロキシ安息香酸とグリシジル
アクリレートの等モル反応によって得られた化合物をモ
ル比で３：２：４：１、重量平均分子量７万に共重合し
た有機重合体バインダー８０重量部、２，２−ジメトキ
シ−２−フェニルアセトフェノン０．５重量部、トリメ
チロールプロパントリアクリレート１４．５重量部から
なるカチオン性感光性樹脂組成物をエチレングリコール
モノブチルエーテルで揮発分８０％に希釈し、０．５当
量の酢酸で中和し純水にて固形分濃度１０％に調整し
た。この樹脂組成物１００重量部に対して平均粒径０．
２μｍの天然マイカの表面に無電解金めっきを０．１μ
ｍの厚さに施した粉体を１０重量部をボールミルで３０
時間分散した後、脱塩水で５重量％に希釈して電着液と
して、この電着液中に原版を浸漬して原版の導電層を陰
極とし、対極として０．５ｔステンレス板を用いて、印
加電圧３０Ｖで１分間電着して金めっきを施した天然マ
イカ粉体を含有する電着層がパターン状に析出した原版
を得た。
【０３００】次に電着した原版に、直径５インチ、厚さ
１．２ｍｍの透明ポリメチルメタクリレート基材を密着
させて電着膜を基材に転写して原版を剥離し、次いで、
基材に高圧水銀ランプを用いて紫外線を２００ｍＪ／ｃ
ｍ２ の強さで照射し基材上の電着膜を硬化させ、厚さ
１μｍの電着層からなるプリフォーマットパターンを有
する光ディスク用基板を得た。なお電着層中の金めっき
したマイカ粉体の含有量は１５ｗｔ％であった。
【０３０１】次にこの基板のプリフォーマットパターン
形成面上記録層として下記のアントラキノン誘導体
【０３０２】
【外１０】 を厚さ（１２００Å）に形成し、保護層として１．２ｍ
ｍのポリメチルメタクリレート基板を０．３ｍｍのスペ
ーサーを介してシリコーン系接着剤を用いて貼り合わ
せ、光ディスクを得た。
【０３０３】（実施例１４）厚さ１．２ｍｍ，３５０ｍ
ｍφのメチルメタクリル樹脂基板上に厚さ３５０ÅのＩ
ｎＯ２ 薄膜をスパッターで形成した。
【０３０４】該ＩｎＯ２ 薄膜上に、フォトレジスト
（商品名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４；富士ハント
エレクトロニクステクノロジー社製）をスピナーで２μ
ｍ厚に塗布し、１００℃で２分間プリベークした後ＵＶ
光をプリフォーマットパターンに対応するパターン状に
走査して露光、現像して、幅０．６μｍ、ピッチ１．６
μｍのスパイラル状に透明電極が露出したレジストパタ
ーンを有する原版を作成した。
【０３０５】一方電着液として、アクリル・メラミン系
樹脂（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ；ハニー化成
（株）製）１００重量部に対して平均粒子径０．２μｍ
のＡｇ粉体２５重量部を添加してボールミルで３０時間
分散した後脱塩水にて固形分濃度１５重量％に希釈して
調整した。
【０３０６】この電着液中に原版を浸漬して透明電極を
陽極とし、対極としてステンレス板を用いて電着を行な
って電着層１２をパターン状に析出させた。次いで水洗
後、１３０℃のオーブンで６０分間熱処理して電着層を
硬化させて、光ディスク用基板を得た。このときプリフ
ォーマットパターンを形成する電着層の厚さは約３００
０Åで電着層中のＡｇの含有量は２５ｗｔ％でまた反射
率は約６０〜７０％であった。そして、この光ディスク
基板のプリフォーマットパターン形成面上に記録層とし
てフタロシアニンを厚さ１０００Åに蒸着し光ディスク
を得た。
【０３０７】（実施例１５）実施例１４に於て、電着液
にＡｇ粉体の代りに平均粒子径０．０７μｍのカーボン
ブラックを２０ｗｔ％分散させた電着液を用い、記録層
として４００ÅのＴｅＯ蒸着膜を形成した以外は実施例
１４と同様にして光ディスクを得た。なお、電着層中の
カーボンブラックの含有量は２５ｗｔ％であった。
【０３０８】（実施例１６）プリフォーマットが電着層
で構成された直径３５０ｍｍの光ディスクを以下の手順
で作成した。
【０３０９】先ず原版用基板として一方の表面に鏡面処
理を施したガラス板（大きさ４００ｍｍ×４００ｍｍ、
厚さ５ｍｍ）を用い鏡面側に銅を真空蒸着して厚み０．
５ｍｍの導電層を形成した。
【０３１０】次いで導電層の表面にフォトレジスト（富
士ハントエレクトロニクステクノロジー社製、商品名：
ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４）をロールコーターにて
乾燥時厚みが７００Åになるように塗布し、１００℃の
温度で２０分間プリベーキングを行った。
【０３１１】露光用のマスクとして電子線描画装置によ
りプリフォーマットとして幅０．６μｍ、ピッチ１．６
μｍの同心円状のトラッキングトラックに対応するパタ
ーンを作成したものを用い、このマスクを上記フォトレ
ジスト層に密着させてマスク上方より紫外線照射を行う
ことによりパターン露光した。
【０３１２】露光後、現像液（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー社製、ＬＳＩ現像液）に浸漬して露光
部のフォトレジストを溶解除去し、除去後１００℃の温
度で２０分間ポストベーキングすることで、原版１０６
を得た。
【０３１３】又以下の手順に従ってカチオン性電着液を
調整した。
【０３１４】Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１、重量平
均分子量７万に共重合した有機重合体バインダー８０重
量部、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン０．５重量部、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート１４．５重量部からなるカチオン性感光性樹脂組成
物をエチレングリコールモノブチルエーテルで揮発分８
０％に希釈し、０．５当量の酢酸で中和し純水にて揮発
分９０％に調整した。この樹脂組成物１００重量部に対
して平均粒径０．３μｍのアルミナの表面に無電解金め
っきを０．１μｍの厚さに施した粉体１０重量部をボー
ルミルで３０分間分散した後、脱塩水で固形分濃度１５
重量％に希釈して電着液として、この電着液中に原版を
浸漬して原版の導電層を陰極とし、対極として０．５ｔ
ステンレス板を用いて印加電圧３０Ｖで１分間電着して
金めっきを施したアルミナ粉体を含有する電着層がパタ
ーン状に析出した原版を得た。
【０３１５】一方、直径３５０ｍｍ、内径２８ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍのガラス製ディスク基材表面に転写補助層
として紫外線硬化型樹脂（商品名：ＵＶＸ−ＳＳ１２
０；スリーボンド（株）製）をスピンコート法で２〜４
μｍの厚みに塗布し、未硬化のまま該電着層が転写補助
層と接する様に原版と基材を重ね合わせてメタルハライ
ドランプを用いてガラス基材側から１２０Ｗ／ｃｍで５
００ｍＪ／ｃｍ２ 露光して転写補助層及び電着層を共
に硬化させた後、原版と基材を剥離して光ディスク用基
板を得た。
【０３１６】なお基材上の電着層の厚みは１μｍであっ
た。そして得られた光ディスク用基板を光学顕微鏡で観
察したところ、原版２６上の電着層１２は精度良く転写
されていた。
【０３１７】又電着層の金めっきを施したアルミナ粉体
の含有量は１８ｗｔ％であった。
【０３１８】次いでこの光ディスク用基板のプリフォー
マットを有する側の表面にポリメチン系色素（商品名：
ＩＲ−８２０；日本化薬（株）製）の３ｗｔ％含有する
ジアセトンアルコール溶液を塗布し記録層を厚み１００
０Åに形成した。次に保護層として直径３５０ｍｍ、内
径２８ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス製保護基板を厚さ
０．３ｍｍのスペーサを介してシリコーン系接着剤を介
して貼り合せ光ディスクを得た。
【０３１９】（実施例１７）実施例７で記録層ＩＲ８２
０を形成後、ＡＩを２００Å蒸着し、あとは実施例７と
同様にして光カードを作製した。
【０３２０】（実施例１８）実施例１３で記録層とし
て、アントラキノン膜を形成後、Ａｕを１５０Å蒸着
し、あとは実施例１３と同様にして光ディスクを作製し
た。
【０３２１】実施例７〜１８の光カード、光ディスクの
基板側から、波長８３０ｎｍのレーザ光をカードの場合
ビーム径３μｍに、ディスクの場合０．５μｍに集光、
照射し、記録層とプリフォーマットパターン部（電着
層）の反射率を測定した。なおレーザ光の照射位置はカ
ード面内の任意の９点とした。
【０３２２】全反射ミラーでの反射光量を１００％とす
ると反射率の平均は以下の表４−（２）に示す様になっ
た。
【０３２３】又表４−（２）のコントラストは下式によ
って計算したものである。
【０３２４】
【外１１】
【０３２５】次に上記実施例７−１２及び１７の光カー
ドについて実施例４と同様にしてトラック横断信号のコ
ントラストを測定した。その結果を表５−（１）に示
す。
【０３２６】又実施例１３−１６及び１８の光ディスク
について実施例１と同様にしてトラッキンギエラー信号
のコントラストを測定した。その結果を表５−（２）に
示す。
【０３２７】
【表５】
【０３２８】
【表６】
【０３２９】
【表７】
【０３３０】（実施例１９）実施例１２に於て電着層中
のカーボンブラックの析出量を７０ｗｔ％とした以外は
実施例１２と同様にして光カード基板を作製した。
【０３３１】参考例１ 実施例１９の光カードに於て電着層中のカーボンブラッ
クの析出量を８５ｗｔ％とした以外は実施例１９と同様
にして光カード基板を作製した。
【０３３２】上記実施例１９及び参考例１の光カード基
板について 該光カード基板の短辺を図１４（ａ）に示す様に保持し
カード中央部が図１４（ｂ）に示す様にＡが１５ｍｍと
なる様に撓ませる作業を２００回行なって次いで光カー
ド基板の長辺を保持して同様にＡが５ｍｍとなる様に撓
ませる作業を２００回行なう屈曲試験を行なった後光カ
ード基板の電着層の状態を光学顕微鏡で観察した。その
結果実施例１９の光カード基板の電着層の剥離は全く認
められなかった。一方参考例１の光カード基板の電着層
の表面に亀裂の生じている部位が観察された。
【０３３３】参考例２ 参考例１に於て転写補助層を除いた以外は参考例１と同
様にして光カード基板を作製した。
【０３３４】この光カード基板について参考例１と同様
に屈曲試験を行なった後の電着層の状態を観察した。そ
の結果電着層の一部が基材から剥離しているのが認めら
れた。
【０３３５】（実施例２０）実施例４と同様にして原版
を作製した。
【０３３６】但しフォトレジストは乾燥膜厚が５μｍと
なる様に形成した。
【０３３７】一方以下の手順に従ってカチオン性感光性
電着樹脂組成物を得た。
【０３３８】Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１、重量平
均分子量７万に共重合した有機重合体バインダー８０重
量部、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノ
ン０．５重量部、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート１４．５重量部からなるカチオン性感光性樹脂組成
物をエチレングリコールモノブチルエーテルによって揮
発分８０％に希釈し、０．５規定の酢酸溶液で中和し純
水によって揮発分９０％に調整した。
【０３３９】上記のように調製した電着樹脂組成物８０
ｗｔ％に平均粒径０．０５μｍのガラスビーズ粒子を２
ｗｔ％を配合することによりカチオン性の電着塗料を作
成した。
【０３４０】次に前述したように作製したガラスビーズ
を含有するカチオン性電着塗料中に原版を浸漬し、導電
層を負電極とし、浴の金属容器を正電極として３０ボル
トの直流電圧を１分間印加した。その後原版をひき上
げ、十分に水洗いした。この際電圧を印加した電極上に
付着した樹脂は不溶性となっているために水で洗い流さ
れることがない。水洗後に乾燥し電着層を得た。
【０３４１】次にこの原版の電着層形成面上に縦１００
ｍｍ×横１００ｍｍ、厚さ０．４ｍｍのポリメチルメタ
クリレート基板を積尽し、この基板上にゴム被覆ローラ
ーを用いて電着層を密着させた後、高圧水銀ランプで全
面に上部から２００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、電着層を硬
化させ、プリフォーマットを転写した光カード基板を得
た。得られた電着層の厚さは０．１μｍであった。なお
電着層中のガラスビーズの含有量は２５ｗｔ％であっ
た。
【０３４２】次いで基板のプリフォーマットパターンを
有する面上に有機色素ＩＲ８２０（日本化薬（製））
３．０ｗｔ％を含有するジアセトンアルコール溶液をス
ピンコートし乾燥後の厚さ１００±５ｎｍの記録層を形
成した。
【０３４３】次にこれをホットメルトタイプのエチレン
−酢酸ビニル系の接着剤を用いて、厚さ０．３ｍｍのア
クリル樹脂保護基板と貼り合わせ、されに縦５４ｍｍ横
８６ｍｍにレーザーカッテングし、厚さ０．７６ｍｍの
光カードを得た。
【０３４４】（実施例２１）実施例２０と同様にして光
カード用原版を作製した。
【０３４５】次に以下の手順に従ってカチオン性感光性
電着樹脂組成物を得た。
【０３４６】Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１の割合で
混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に共重合
した有機重合体バインダー８０重量部、２，２−ジメト
キシ−２−フェニルアセトフェノン０．５重量部、トリ
メチロールプロパントリアクリレート１４．５重量部か
らなるカチオン性感光性樹脂組成物をエチレングリコー
ルモノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、
０．５規定の酢酸で中和し純水で揮発分９０ｗｔ％に調
製した。
【０３４７】上記のように調製した電着樹脂組成物８０
重量％に平均粒径０．０５μｍのガラスビーズ粒子を２
重量％を配合することによりカチオン性の電着塗料を作
製した。
【０３４８】次に前述の様に作製したガラスビーズを含
有するカチオン性電着塗料中に原版を浸漬し、導電層を
負電極とし、浴の金属容器を正電極として３０ボルトの
直流電圧を１分間印加した。その後に原版を引き上げ、
十分に水洗いし次いで乾燥し、電着層を得た。
【０３４９】電着層のガラスビーズの含有量は２５ｗｔ
％であった。
【０３５０】次に電着した原版と０．４ｍｍ厚の透明ポ
リメチルメタクリレート基材とを電着層を内側にし、エ
チレン−アクリル酸エチル共重合体からなるシートを挟
んでローラ温度１３０℃のラミネーターで接着した。
【０３５１】次に基材を原版から剥離し、透明ポリメチ
ルメタクリレート基材上に電着層を転写し更に９０℃の
オーブンで６０分間加熱し、電着層を硬化して光カード
基板を得た。
【０３５２】次にこの光カード基板の電着層側に記録層
として下記構造式に示すシアニン系染料
【０３５３】
【外１２】 を設けて、さらに厚さ０．３ｍｍのポリメチルメタクリ
レート保護基板をエチレン−アクリル酸エチル共重合体
からなるホットメルト接着剤を挟んで接着した。これを
縦５４ｍｍ、横８６ｍｍのカードサイズに打ち抜き、光
カードを得た。
【０３５４】（実施例２２）実施例２０と同様にして光
カード用原版を作製した。
【０３５５】次に以下の手順に従ってカチオン性感光性
電着樹脂組成物を得た。
【０３５６】Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
ート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１の割合で
混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に共重合
した有機重合体バインダー８０重量部、２，２−ジメト
キシ−２−フェニルアセトフェノン０．５重量部、トリ
メチロールプロパントリアクリレート１４．５重量部か
らなるカチオン性感光性樹脂組成物をエチレングリコー
ルモノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、
０．５当量の酢酸で中和し純水にて揮発分９０ｗｔ％に
調製した。
【０３５７】上記のように調製した電着樹脂組成物８０
重量％に平均粒子径０．１μｍのガラスビーズ粒子２０
重量％を配合することによりカチオン性の電着塗料を作
製した。
【０３５８】次に、前述した如く作成したカチオン性電
着塗料中に原版を浸漬し、導電層を負電極とし、浴の金
属容器を正電極として３０Ｖの直流電圧を１分間印加し
た。その後、原版を引き上げ、十分に水洗し水洗後乾燥
し、電着層を得た。
【０３５９】このようにして得られた電着剤のパターン
原版を用いて、図５（ｂ）に示すような注型成形ユニッ
トを組み、以下の配合組成の液状エポキシ樹脂を注入
し、１００℃で１０時間加熱してエポキシ樹脂及び電着
層を硬化させた。
【０３６０】電着層のガラスビーズの含有量は２５ｗｔ
％であった。 ［配合組成］ ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 １００重量部 ・メチルヘキサヒドロフタール酸無水物 ８８重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾール ０．５重量部 ・２，６−ジ−ターシャリーブチル−ｐ−クレゾール
１．０重量部
【０３６１】次いで、電着層が一体化したエポキシ樹脂
を注型成形用型から脱型した後、樹脂注入口の突起をサ
ンダーで削りとり、プリフォーマット電着層が転写され
た透明エポキシ樹脂組成物の光カード基板を得た。
【０３６２】尚、成形方法が注型成形であるために成形
歪にによる複屈折が小さく、１００×１００ｍｍの基板
内の位相差は０．１〜５ｎｍ（ダブルパス）であった。
【０３６３】このプリフォーマット面上に有機色素ＩＲ
８２０（日本化薬（株）製）３．１重量部を含有するジ
アセトンアルコール溶液をスピンコート塗布し、乾燥し
て膜厚１０００±５０Åの記録膜を形成したのち、記録
膜の上にエチレン酢酸ビニル共重合体系接着剤、塩ビ樹
脂製保護層（厚さ０．３ｍｍ）を順次積層し熱プレスし
て貼り合わせて光カードを得た。
【０３６４】（実施例２３）実施例２０と同様にして光
カード用原版を得た。
【０３６５】次に硬化剤入りアクリルメラミン系樹脂
（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）１
００重量部に発泡性の化合物としてアゾジカルボンアミ
ドの１０％水溶液を２０重量部配合した電着樹脂組成物
を調整した。この組成物を用いて浴温２５℃、ｐＨ８〜
９の条件で、パターン原版を陽極として、対極として厚
さ０．５ｍｍのステンレス板を用いて印加電圧３０Ｖ
で、１分間電着した。電着層は２．５μｍであった。電
着後に水洗し、発泡性インキを含有する電着層からなる
プリフォーマットパターンを有するパターン原版を得
た。得られた電着済パターン原版を用いて、図５（ｂ）
に示すような注型成形ユニットを組み、以下の配合組成
の液状エポキシ樹脂を注入して、１００℃、１０時間硬
化させた。
【０３６６】 ［配合組成］ ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 １００重量部 ・メチルヘキサヒドロフタール酸無水物 ８８重量部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾール ０．５重量部 ・２，６−ジ−ターシャリーブチル−ｐ−クレゾール
１．０重量部
【０３６７】その後注型成形用型から脱型した後に、樹
脂注入口の突起をサンダーで削りとり、プリフォーマッ
ト電着層が転写された透明エポキシ樹脂組成物の光カー
ド基板を得た。この場合には電着層は注型時の熱により
やや発泡していたが、さらに１５０℃のオーブンで６０
分間加熱し、更に発泡させて、空隙率３０％の電着層を
有する光カード基板を作製した。
【０３６８】なお本実施例の光カード基板は成形方法が
注型成形であるために成形歪による複屈折が小さく、１
００×１００ｍｍの基板内の位相差は０．１〜５ｎｍ
（ダブルパス）であった。
【０３６９】この光カード基板のプリフォーマット面上
に有機色素ＩＲ８２０（日本化薬（株）製）３．０重量
％を含有するジアセトンアルコール溶液をスピンコート
塗布し、乾燥して層厚１００±５ｎｍの記録膜を形成し
た後に、この記録層の上にエチレン−酢酸ビニル共重合
体系接着剤、塩化ビニル樹脂製保護層（厚さ０．３ｍ
ｍ）を順次積層し光カード媒体を得た。
【０３７０】（実施例２４）実施例２０と同様の方法で
光カード用原版を作製した。
【０３７１】次に硬化剤入りアクリル・メラミン系樹脂
（商品名；ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニ−化成社製）１
００重量部に対して、発泡性の化合物としてアゾジカル
ボンアミドの１０％水溶液を２０重量部配合した電着樹
脂組成生物を調整した。この組成物を用い、浴温２５
℃、ｐＨ８〜９の条件でパターン原版を陽極とし、対極
として０．５ｍｍステンレス板を用いて印加電圧３０
Ｖ、１分間電着した。電着層は２．５μｍであった。電
着後水洗し、発泡性インキを含有する電着層からなるプ
リフォーマットを有する原版を得た。次に電着した原版
に０．４ｍｍの透明ポリカーボネート基板を接触させ、
ゴム被覆ローラを用い電着層をポリカーボネート基材に
転写して、この電着層の転写した基板を１５０℃のオー
ブンで６０分間加熱発泡させ、空隙率３０％の電着層を
備えた光カード基板を作製した。
【０３７２】次にこの電着層の転写した基板の電着層側
に記録層としてシアニン系染料
【０３７３】
【外１３】 を厚さ１０００Åに設け、さらに、保護層として０．３
ｍｍのポリカーボネート基板を、酢酸ビニル系ホットメ
ルト接着剤を介し、接着した。これを縦５４ｍｍ横８６
ｍｍのカードサイズに打ち抜き光カードを得た。
【０３７４】（実施例２５）厚み０．４ｍｍ、たて１０
ｃｍ×よこ６ｃｍのメチルメタアクリル樹脂の基板に透
明電極Ｉｎ2 Ｏ3 を厚さ５００Åスパッターで形成し
た。
【０３７５】該Ｉｎ2 Ｏ3 膜上にフォトレジスト（商品
名；ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４；富士ハントエレク
トロニクステクノロジー社製）をスピナーで２μｍの厚
さに塗布し、１００℃で２０分間プリベークした後、Ｕ
Ｖ光でプリフォーマットパターンを露光・現像して、１
２μｍピッチで３μｍ巾の縞状のレジストパターンを形
成した。
【０３７６】次いで該レジストパターンをマスクとして
Ｉｎ2 Ｏ3 をアルゴンプラズマでエッチングして透明電
極のパターニングを行なった。
【０３７７】一方アニオン性のアクリル・メラミン系樹
脂（商品名；ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社
製）；８０ｗｔ％に、粒子径０．１〜０．３μｍのフタ
ロシアニン；２０ｗｔ％を分散し脱塩水にて固形分濃度
を１５ｗｔ％に希釈して電着塗料とし、これに上記のパ
ターニングした透明電極基板を浸漬し、該透明電極を陽
極として電着を行い、水洗後、硬化熱処理（９７℃、６
０℃分間）を行って幅３μｍの電着層を形成した。この
パターニングされたプリフォーマットパターン層を形成
した透明基板は、その表面に記録層としてＴｅＯを３０
０Åの厚さにスパッター成膜した後、接着剤を介して保
護基板（厚さ０．３ｍｍのメチルメタアクリル樹脂）と
接合し、光カードサイズ（８６ｍｍ×５４ｍｍ）に切断
して光カードを作成した。なお、電着層中のフタロシア
ニンの含有量は２５ｗｔ％であった。
【０３７８】上記実施例２０〜２５の光カードについ
て、基板側から波長８３０ｎｍのレーザー光をビーム径
３μｍに集光カード面内の任意の９点に照射し、記録層
とプリフォーマットパターン部（電着層）の反射率を測
定した。その結果は表６に示す通り、記録層と電着層と
で反射率の差が十分形成されていた。
【０３７９】次に実施例２０〜２５の光カードについて
実施例４と同様にしてトラック横断信号の最大値、最小
値及び平均値を測定した。その結果は表７に示す通り、
均一なトラック横断信号が得られた。
【０３８０】更に上記実施例２０〜２５の光カードにつ
いて実施例４と同様にして屈曲試験を行なった後の電着
層の基材からの剥離の有無について光学顕微鏡（２００
０倍）で観察した。その結果を表−７に示す。
【０３８１】
【表８】
【０３８２】
【表９】
【０３８３】（実施例２６）実施例２３に於て電着層の
空隙率を４５％とした以外は実施例２３と同様にして光
カード用基板を作製した。
【０３８４】（参考例３）実施例２３に於て電着層の空
隙率を６０％とした以外は実施例２３と同様にして光カ
ード用基板を作製した。
【０３８５】上記実施例２４及び参考例３の光カードに
ついて該光カード基板の短辺を図１４（ａ）に示す様に
保持し、カード中央部が図１４（ｂ）に示す様にＡ＝１
５ｍｍとなる様に撓ませる作業を１５０回行ない次いで
光カード基板の長辺を保持して同様にＡが５ｍｍとなる
様に撓ませる作業を１５０回行なう屈曲試験を行なった
後光カード基板の電着層の状態を光学顕微鏡で観察し
た。その結果、実施例２４の光カード基板の電着層の剥
離は認められなかった。一方参考例３の光カード基板は
電着層の一部が基材から剥離していた。
【０３８６】（実施例２７）厚さ０．４ｍｍのメチルメ
タアクリル樹脂基板上に酸化インジウムの透明電極をス
パッターで形成する。
【０３８７】該ＩｎＯ２ 膜上を実施例１と同様なホト
リソグラフ手法によりレジストマスクを作り、このマス
クを利用して直接ＩｎＯ２ をエッチングして透明電極
に幅０．６μｍ、ピッチ１．６μｍのスパイラル状のト
ラッキングトラックに対応する光ディスク用プリフォー
マットのパターニングを行って原版を作製した。アクリ
ル・メラミン系樹脂（商品名；ハニブライトＣ−ＩＬ、
ハニー化成社製）；８０ｗｔ％に平均粒子径０．２μｍ
のダイヤモンド粒子２０ｗｔ％を分散させ、脱塩水にて
固形分濃度１５ｗｔ％に希釈し電着塗料を作製した。
【０３８８】この電着塗料中に上記の原版を浸漬し、該
原版の電極部を陽性として電着を行い、水洗後に硬化熱
処理（９７℃−６０分）を行って、０．３μｍの電着層
を形成した。この電着層に接するように、両面を光学研
磨し、洗浄した直径３５０ｍｍのガラスディスク基板を
重ね合わせ、ゴム被覆ローラを用いてガラス基板に電着
層を転写して光ディスク基板を得た。電着層中のダイヤ
モンドの含有量は２５ｗｔ％であった。次いでこの光デ
ィスク基板の電着層を転写した側の面に記録層としてフ
タロシアニンを蒸着して、反射率１４〜１６％の記録層
を形成し、光ディスクを得た。
【０３８９】（実施例２８）実施例１と同様にして光デ
ィスク原版を作製した。
【０３９０】次に硬化剤入りアクリルメラミン系樹脂
（商品名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）１
００重量部に対して、発泡性の化合物としてＮ，Ｎ′−
ジニトロソペンタメチレンテトラミンの１０％水溶液を
２０重量部配合した電着樹脂組成物を調整した。この組
成物を用いて、浴温２５℃、ｐＨ８〜９の条件でパター
ン原版を陽極とし、対極として０．５ｍｍステンレス板
を用いて印加電圧３０Ｖ、１分間電着した。その電着層
は２．５μｍであった。電着後に水洗し、発泡性インキ
を含有する電着層から構成されるプリフォーマットを有
する原版を得た。
【０３９１】次に直径５インチ、厚さ１．２ｍｍのディ
スク状のガラス基板上に紫外線硬化樹脂（商品名：ＵＶ
Ｘ−ＳＳ１２０スリーボンド社製）を塗布し、電着した
原版の電着層側と接着層を内側にして重ね、１５０℃、
６０分加熱し、接着層と電着層を硬化、接着させた後、
基板を原版から剥離し、ガラス基板上に電着層を転写し
て空隙率３０％の電着層を備えた光ディスク基板を作製
した。
【０３９２】次にこのディスク基板の電着層を転写した
側に記録層として７８０〜８３０ｎｍの波長の光に対し
て２０％の反射率を示すように下記の構造を有するアン
トラキノン誘導体を厚さ１１００Åに設け
【０３９３】
【外１４】 保護層として１．２ｍｍのガラス板を０．３ｍｍのスペ
ーサーを挟んでシリコーン系接着剤を用いて貼り合わ
せ、光ディスクを得た。
【０３９４】上記実施例２７、２８の光ディスクについ
て実施例１と同様にしてトラック横断信号のコントラス
トについて測定した。その結果表−８に示す様に均一で
且つ高いコントラストのトラック横断信号が得られた。
【０３９５】
【表１０】
【０３９６】（実施例２９）厚みが０．５ｍｍの１０ｃ
ｍ×６ｃｍのガラス基板にＩｎＯ2 （酸化インジウム）
の透明電極をスパッターで厚さ３５０Åに形成した。
【０３９７】該ＩｎＯ2 膜上に幅３μｍ、ピッチ１２μ
ｍのストライプ状のトラッキングトラックに対応するレ
ジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスク
として該ＩｎＯ2 を塩酸でエッチングして除去した後、
レジストをリスト・オフしてガラス基板上に幅３μｍ、
ピッチ１２μｍのストライプ状のＩｎＯ2 パターンが形
成された光カード用原版を作製した。
【０３９８】次に、アクリル・メラミン系樹脂（商品
名：ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）１００重
量部に対して、平均粒径０．３μｍのアルミナの表面に
無電解ニッケルめっきを０．１μｍの厚さに施したもの
１０重量部をボールミルで３０時間分散した後、脱塩水
にて５重量％に希釈した電着液を用いて、浴温２５℃、
ｐＨ８〜９の条件で原版のＩｎＯ2 を陽極とし、対極と
してステンレス板を用いて印加電圧３０Ｖで１分間電着
してニッケルめっきを施したアルミナを含有する電着層
がパターン状に析出した原版を得た。
【０３９９】次にこの電着層の形成された型を用いて、
図１５に示す注型成形セルを作成した。
【０４００】該セルに、以下の配合のエポキシ樹脂を注
入して、１００℃で１０時間硬化させた。
【０４０１】 ［配合組成］ ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：１００部 メチルヘキサヒドロフタール酸無水物：８８部 ２−エチル−４−メチルイミダゾール：０．５部 ２，６−ジ−タ−シャリ−ブチル−ｐ−クレゾール：
１．０部
【０４０２】次いで、注型成形セルから離型せしめた
後、樹脂注入口の突起をサンダーで削り取り、記録層が
転写された透明エポキシ樹脂組成物の光カード基板を得
た。
【０４０３】尚、成形方法が注型成形であるため、成形
歪による複屈折が小さく、基板内の位相差は０．１〜５
ｎｍ（ダブルパス）であった。
【０４０４】又、電着層中のニッケルめっきしたアルミ
ナの含有量は１０ｗｔ％であった。こうして得た光カー
ド用基板について、光カード基板の短辺を図１４（ａ）
に示す様に保持し、カード中央部が図１４（ｂ）に示す
様にＡが２５ｍｍとなる様に撓ませる作業を５００回行
なって、次いで光カード基板の長辺を保持して、同様に
Ａが１５ｍｍとなる様に撓ませる作業を５００回行なっ
た後、光カード基板表面の電着層の状態を光学顕微鏡で
観察したところ電着層の剥離は認められなかった。
【０４０５】（実施例３０）厚みが０．３ｍｍ、たて１
０ｃｍ×よこ６ｃｍのメチルメタアクリル樹脂の基板
に、記録層としてＴｅを厚さ３００Åにスパッターして
導電層を形成した。
【０４０６】次に、前記ＴｅＯ膜上にホトレジスト（商
品名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４、富士ハントエレ
クトロニクステクノロジー社製）をスピナーで２μｍの
厚さに塗布し、１００℃で２０分間プリベークした後、
ＵＶ光でプリフォーマットパターンを露光・現像して、
１２μｍピッチで９μｍ巾の縞状のレジストパターンを
形成した。このレジストパターンの絶縁層パターンが形
成された導電層を電極として電着し、電着層によるプリ
フォーマットパターン層を形成した。
【０４０７】アニオン性のアクリル・メラミン系樹脂
（商品名；ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）；
８０ｗｔ％に、粒子径０．１〜０．３μｍのフタロシア
ニン；２０ｗｔ％を分散し脱塩水にて固形分濃度１５ｗ
ｔ％に希釈して電着浴液とし、これに先程作製したパタ
ーニングしたＴｅＯ膜付基板を浸漬し、該ＴｅＯ膜を陽
極として電着を行ない、水洗後、硬化熱処理（９７℃、
６０分間）を行なって幅３μｍの電着層を形成した。電
着層中のフタロシアニンの含有量は２５ｗｔ％であっ
た。
【０４０８】この様にして得られた、パターニングされ
たプリフォーマットパターン層を有する基板は、接着剤
を介して厚さ０．４ｍｍのメチルメタクリル樹脂から成
る透明基板と接合し、光カードサイズに切断して光カー
ドを形成した。
【０４０９】（実施例３１）実施例３０の光カードに於
て記録層ＴｅＯの代わりに反射層としてＡｌを５００Å
の厚さにスパッタで形成し、導電性反射層とし、変調し
た情報に対応するレジストパターンを該反射層上に形成
した。
【０４１０】一方、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、スチレン、エチルアクリレート及びｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反
応によって得られた化合物をモル比で３：２：４：１の
割合で混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に
共重合体した有機重合体を８０重量部、２，２−ジメト
キシ−２−フェニルアセトフェノンを０．５重量部、ト
リメチロールプロパントリアクリレートを１４．５重量
部からなるカチオン性感光性樹脂組成物をエチレングリ
コールモノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈
し、０．５当量の酢酸で中和し、純粋にて揮発分１０ｗ
ｔ％に調整して電着樹脂組成物とした。
【０４１１】該電着樹脂組成物８０ｗｔ％に粒子径０．
５〜１μｍのカーボンブラック２０ｗｔ％を分散して電
着浴液とし、該電着浴に、先程作製したパターニングし
た導電層を有する基板を浸漬し、該導電層のＡｌを陰極
として３０Ｖの直流電圧を１分間印加して電着層を形成
した。次いで、基板を十分に水洗いした後、高圧水銀ラ
ンプ（２００ｍＪ／ｃｍ２ ）で硬化処理して、厚さ
３．０μｍの電着層を有する光カード基板を得た。
【０４１２】なお、電着層中のカーボンブラックの含有
量は３０ｗｔ％であった。
【０４１３】この様にしてえられた、パターニングされ
たプリフォーマットパターン層を有する基板は、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体のホットメルト接着シートを介
して厚さ０．４ｍｍのメチルメタクリル樹脂から成る透
明基板と接着し、光カードサイズに切断して光カードを
形成した。
【０４１４】（実施例３２）厚み０．５ｍｍ、たて１０
ｃｍ×よこ６ｃｍのガラス板にＡｌを３００Åの厚さに
蒸着して導電層を形成した。
【０４１５】該Ａｌ膜上に、ホトレジスト（ＷＡＹＣＯ
ＡＴ、登録商標、ＨＰＲ２０４、富士ハントエレクトロ
ニクステクノロジー社製）をスピナーで２μｍの厚さに
塗布し、１００℃で２０分間プリベークした後、ＵＶ光
でプリフォーマットパターンを露光・現像して、１２μ
ｍピッチで９μｍ巾の縞状のレジストパターンを形成し
た。このレジストパターンの上に、絶縁層としてＳｉＯ
2 を２００Åの厚さにスパッターした後レジストをリフ
ト・オフして、Ａｌ導電層上にＳｉＯ２ の絶縁層パタ
ーンを有する原版を作製した。
【０４１６】本実施例では、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエ
チルメタクリレート、スチレン、エチルアクリレート及
びｐ−ヒドロキシ安息香酸とグリシジルアクリレートの
等モル反応によって得られた化合物をモル比で３：２：
４：１の割合で混合した化合物５重量部、重量平均分子
量７万に共重合した有機重合体を８０重量部、２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンを０．５重量
部、トリメチロールプロパントリアクリレートを１４．
５重量部からなるカチオン性感光樹脂組成物をエチレン
グリコールモノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希
釈し、０．５当量の酢酸で中和し、純水にて揮発分１０
ｗｔ％に調整して電着樹脂組成物とした。
【０４１７】該電着樹脂組成物８０ｗｔ％に、記録材料
として粒子径０．１〜０．３μｍのフタロシアニン２０
ｗｔ％を分散して記録層形成用電着塗料とし、該電着塗
料に前記パターニングした導電層型を浸漬し、該導電層
のＡｌ陰極として、３０Ｖの直流電圧を１分間印加して
電着層を形成した後、十分に水洗いして光カード用原版
を得た。
【０４１８】次に、電着した原版と、０．４ｍｍ厚の透
明ポリメチルメタクリレート基板とを、電着層を内側に
し、エチレン−アクリル酸エチル共重合体からなるシー
トを介してローラ温度１３０℃のラミネーターで接着し
た。
【０４１９】次に、基板を原版から剥離し、透明ポリメ
チルメタクリレート基板上に電着層を転写し、この電着
層の転写した基板を高圧水銀ランプ（２００ｍＪ／ｃｍ
2 ）で硬化処理し、さらに、保護層として０．３ｍｍ厚
のポリメチルメタクリレート基板をエチレン−アクリル
酸エチル共重合体からなるホットメルト接着剤を介し接
着した。これを縦５４ｍｍ、横８６ｍｍのカードサイズ
に打ち抜き、幅９μｍの記録層（フタロシアニン層）か
ら成るトラックが配置された光カードを得た。
【０４２０】なお、この光カードの記録層中のフタロシ
アニンの含有量は３５ｗｔ％であった。
【０４２１】（実施例３３）実施例３２と全く同様にし
て作製した電着層を有する原版を用いて図５（ｂ）に示
す注型成形ユニット型を作製した。
【０４２２】更に該ユニット型に以下の配合組成の液状
樹脂を注入し、１２０℃で１０時間硬化させて光カード
基板を得た。複屈折は位相差０．１〜３ｎｍであった。
【０４２３】 ［配合組成］ ・メタクリル酸メチル：７０部 ・メタクリル酸ターシャリブチル：２５部 ・ポリエチレングリコールジメタクリレート（分子量６
２０）：５部
【０４２４】以上の様にして得られた記録層を有する透
明基板（厚さ０．４ｍｍ）を得た。この透明基板と、注
型成形によって得られた信号溝のない厚さ０．４ｍｍの
アクリル樹脂基板を、ホットメルトタイプの接着剤を介
してラミネーターで貼り合わせて光カードを得た。
【０４２５】（実施例３４）厚みが０．５ｍｍの１０ｃ
ｍ×６ｃｍのガラス基板にＩｎＯ2（酸化インジウム）
の透明電極をスパッターで形成する。
【０４２６】該ＩｎＯ2膜上を、実施例３３と同様なホ
トリソ手法によりレジストマスクを作成し、このマスク
を利用してＩｎＯ2をエッチングして、透明電極のパタ
ーニングを行なって光カード用原版を作製した。
【０４２７】次に、アニオン性のアクリル・メラミン系
樹脂（商品名ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー化成社製）
８０ｗｔ％に、記録材料として粒子径０．１〜０．３μ
ｍのフタロシアニン２０ｗｔ％を分散させ脱塩水で固形
分濃度１５ｗｔ％に希釈した記録層形成用電着塗料中に
上記原版を浸漬し、該透明電極を陽極として電着を行
い、水洗後、硬化熱処理（９７℃で６０分間）を行って
３μｍの電着層を形成した。
【０４２８】次にこの電着層の形成された型を用いて、
図４及び図５に示す注型成形セルを作成した。
【０４２９】該セルに、以下の配合のエポキシ樹脂を注
入して、１００℃で１０時間硬化させた。
【０４３０】 ［配合組成］ ・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：１００部 ・メチルヘキサヒドロフタール酸無水物：８８部 ・２−エチル−４−メチルイミダゾール：０．５部 ・２，６−ジ−ターシャリーブチル−ｐ−クレゾール：
１．０部
【０４３１】次いで、注型成形セルから離型せしめた
後、樹脂注入口の突起をサンダーで削り取り、記録層が
転写された透明エポキシ樹脂組成物の光カード基板を得
た。
【０４３２】尚、成形方法が注型成形であるため、成形
歪による複屈折が小さく、基板内の位相差は０．１〜５
ｎｍ（ダブルパス）であった。
【０４３３】該基板を、平均粒子０．１μｍのカーボン
ブラックを混合したホットメルト系接着剤を介して、保
護基板（厚さ０．３ｍｍのメチルメタクリル樹脂）と接
合し光カードサイズ（８６ｍｍ×５４ｍｍ）に切断し
て、光カードを形成した。
【０４３４】また、電着層中のフタロシアニンの含有量
は２５ｗｔ％であった。
【０４３５】（実施例３５）厚みが０．３ｍｍ、たて１
０ｃｍ×よこ６ｃｍのメチルメタアクリル樹脂の基板
に、アルミニウムを厚さ３００Åに蒸着して導電層を形
成した。
【０４３６】次に、前記アルミニウム膜上にホトレジス
ト（商品名：ＷＡＹＣＯＡＴ ＨＰＲ２０４、富士ハン
トエレクトロニクステクノロジー社製）をスピナーで２
μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間プリベークし
た後、ＵＶ光で記録領域およびプリフォーマットパター
ンを露光・現像して、１２μｍピッチで７μｍ巾および
２μｍ巾のレジストパターンを形成した。このレジスト
パターンをマスクとして導電層をエッチングし、それぞ
れ記録層およびプリフォーマット層形成用にパターン化
されたＡｌ導電層を形成した。このパターニングされた
それぞれの導電層の表面に、電着層からなる記録層およ
び電着層からなるプリフォーマット層を形成した。
【０４３７】本実施例では、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエ
チルメタクリレート、スチレン、エチルアクリレート及
びｐ−ヒドロキシ安息香酸とグリシジルアクリレートの
等モル反応によって得られた化合物をモル比で３：２：
４：１、重量平均分子量７万に共重合体した有機重合体
を８０重量部、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセ
トフェノンを０．５重量部、トリメチロールプロパント
リアクリレートを１４．５重量部からなるカチオン性感
光性樹脂組成物をエチレングリコールモノブチルエーテ
ルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、０．５当量の酢酸で中
和し、純水にて揮発分９０ｗｔ％に調整して電着樹脂組
成物とした。
【０４３８】該電着樹脂組成物８０ｗｔ％に、記録材料
として粒子径０．１〜０．３μｍのフタロシアニン２０
ｗｔ％を分散して記録層形成用電着塗料とし、一方プリ
フォーマット層形成用として同様の電着樹脂組成物に粒
子径０．１μｍのＮｉ粒子３０ｗｔ％を分散してそれぞ
れプリフォーマット層形成用電着塗料とした。次いで前
記パターニングした導電層を有する基板を浸漬し、それ
ぞれの電着塗料中で各々の導電層を陰極として３０Ｖの
直流電圧をそれぞれ１分間印加して電着層を順次形成し
た。次いで、基板を十分に水洗いした後、高圧水銀ラン
プ（２００ｍＪ／ｃｍ2）で硬化処理して、それぞれ厚
さ３．０μｍの記録層およびプリフォーマット層を形成
した。
【０４３９】このようにして得られた、パターニングさ
れた記録層およびプリフォーマットパターンを有する基
板は、接着剤を介して厚さ０．４ｍｍのメチルメタクリ
ル樹脂から成る透明基板と接合し、光カードサイズに切
断して光カードを形成した。
【０４４０】なお、上記光カードに於て、記録層中のフ
タロシアニンの含有量は２５ｗｔ％、プリフォーマット
層中のＮｉの含有量は３５ｗｔ％であった。
【０４４１】（実施例３６）厚み０．４ｍｍ、５インチ
角のガラス板に銅を０．８±０．２μｍの厚さに真空成
膜して動電層とし、これを実施例３５と同様にホトレジ
ストを使用したホトリソ手法で導電層をエッチングして
パターニングを行なった。
【０４４２】電着層の形成等は実施例３５と全く同様の
手法で行ない、電着層からなる記録層および電着層から
なるプリフォーマット層を備えた光カード用原版を作製
した。
【０４４３】次いで該原版の電着層形成面に厚み０．４
ｍｍ、縦１０ｃｍ、横６ｃｍのポリメチルメタクリル樹
脂製基材を密着させた後、高圧水銀ランプ（２００ｍＪ
／ｃｍ2）で電着層を硬化させると共に基材に電着層を
転写した。電着層を転写した透明基材は、接着層を介し
て保護基板（厚み０．３ｍｍのメチルメタアクリル樹
脂）と接着し、光カードサイズ（８６ｍｍ×５４ｍｍ）
に切断して光カードを作成した。
【０４４４】（実施例３７）厚み５ｍｍ、たて１００ｍ
ｍ×よこ１００ｍｍのガラス板の一方の面に鏡面処理を
行い、鏡面側にアルミニウムを３００Åの厚さに蒸着し
て導電層を形成した。
【０４４５】該アルミニウム膜上にフォトレジスト（Ｗ
ＡＹＣＯＡＴ、登録商標、ＨＰＲ２０４、富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）をスピンコーターで
２μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間プリベーキ
ングした後、ＵＶ光で記録領域とプリフォーマットパタ
ーンを露光、現像して、１２μｍピッチで７μｍ幅及び
２μｍ幅の縞状パターンを形成した。このレジストパタ
ーンをマスクとして導電層をエッチングし、それぞれ記
録層及びプリフォーマット層形成用のパターン化された
Ａ１導電層を備えた原版を作製した。
【０４４６】次に、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、スチレン、アクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１の割合で
混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に共重合
した有機重合体を８０重量部、２、２−ジメトキシ−２
−フェニルアセトフェノンを０．５重量部、トリメチロ
ールプロパントリアクリレートを１４．５重量部からな
るカチオン性感光性樹脂組成物を、エチレングリコール
モノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、０．
５当量の酢酸で中和し、純水にて揮発分９０ｗｔ％に調
整して電着樹脂組成物とした。
【０４４７】該電着樹脂組成物８０ｗｔ％に、記録材料
として、粒子径０．１〜０．３μｍのフタロシアニン２
０ｗｔ％を分散して記録層形成用電着塗料とし、該電着
塗料中に前記原版を浸漬し、該記録層形成用の導電層を
陰極として３０Ｖの直流電圧を１分間印加して記録層用
の電着層を形成した。次に、プリフォーマット層形成用
として上記電着樹脂８０ｗｔ％に平均粒子径０．１μｍ
のＮｉ粒子２０ｗｔ％を分散してプリフォーマット層形
成用電着塗料とし、同様の方法でプリフォーマット層を
形成した。
【０４４８】このようにして、記録層及びプリフォーマ
ットパターンを順次積層した基板を十分に水洗いした
後、高圧水銀ランプ（２００ｍＪ／ｃｍ2 ）で硬化処理
して３．０μｍの記録層をパターン原版用基板上に形成
した。
【０４４９】次に、電着したパターン原版用基板と、
０．４ｍｍ厚の透明ポリメチルメタクリレート基板と
を、電着層を内側にし、エチレン−アクリル酸エチル共
重合体からなるシートを介し、ローラー温度１３０℃の
ラミネーターで接着した。
【０４５０】次に、基板をパターン原版用基板から剥離
し、透明ポリメチルメタクリレート基板上に電着層を転
写した。なお、記録層中のフタロシアニンの含有量は２
５ｗｔ％プリフォーマット層中のＮｉの含有量は３０ｗ
ｔ％であった。
【０４５１】以上のようにして形成された、パターンニ
ングされた記録層及びプリフォーマット層を有する基板
上に、エチレン−アクリル酸エチル共重合体からなるホ
ットメルト接着剤、及び保護層として０．３ｍｍ厚のポ
リメチルメタクリレート基板を順次積層した。
【０４５２】これを、光カードサイズ（８６ｍｍ×５４
ｍｍ）に切断して光カードを得た。
【０４５３】（実施例３８）実施例３７と全く同様にし
て電着層からなる記録層及び電着層からなるプリフォー
マット層を備えた光カード用原版を作製した。
【０４５４】該原版を用いて図１５に示す様な注型成形
ユニット型を作製し、以下の配合組成の液状樹脂を注入
し、１２０℃で１０時間硬化させて光カード基板を得
た。成形方法が注型成形であることにより、成形歪によ
る複屈折が小さく、位相差は０．１〜０．３ｎｍであっ
た。 ［配合組成］ メタクリル酸メチル：７０部 メタクリル酸ターシャリブチル：２５部 ポリエチレングリコールジメタクリレート（分子量６２
０）：５部 このようにして形成された、パターニングされた記録層
及びプリフォーマットパターン層を有する基板を、接着
剤を介して０．３ｍｍのメチルメタクリル樹脂から成る
基板と接合し、光カードサイズ（８６ｍｍ×５４ｍｍ）
に切断して光カードを得た。
【０４５５】（実施例３９）実施例３７に於て記録層形
成用電着塗料として実施例３７の電着樹脂組成物８０ｗ
ｔ％に、記録材料として、粒子径０．１〜０．３μｍの
Ｔｅ（テルル）粒子２０ｗｔ％を分散して電着液も用
い、一方プリフォーマット層形成用電着塗料として同様
の樹脂組成物８０ｗｔ％に、粒子径０．１〜０．５μｍ
のカーボンブラック粒子を２０ｗｔ％分散させた電着液
を用い、実施例３７と同じ手法でパターン原版上に電着
層を形成した後、これを用いて実施例３８と同様にして
注型成形ユニットを組み、以下の配合組成の液状樹脂を
注入し、１００℃で１０時間硬化させた。 ［配合組成］ ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：１００部 メチルヘキサヒドロフタール酸無水物：８８部 ２−エチル−４−メチルイミダゾール：０．５部 ２，６−ジーターシャリ−ブチル−ｐ−クレゾール：
１．０部
【０４５６】次いで、注型成形用型から離型させた後、
樹脂注入口の突起をサンダーで削りとり、電着層からな
る記録層とプリフォーマット層を形成させた透明エポキ
シ樹脂組成物からなる光カード基板を得た。
【０４５７】なお、成形方法が注型成形であることによ
り、成形歪による複屈折が小さく、１００ｍｍ×１００
ｍｍの基板内の位相差は０．１〜０．５ｎｍ（ダブルパ
ス）であった。
【０４５８】得られた基板の記録層及びプリフォーマッ
トパターン層上に、ホットメルト系接着剤、保護基板を
順次積層し、ラミネーターで貼り合わせ、光カードサイ
ズに切断して光カードを得た。
【０４５９】なお、上記光カードの記録層中のＴｅ粒子
の含有量は３５ｗｔ％、プリフォーマット層中のカーボ
ンブラックの含有量は２５ｗｔ％であった。
【０４６０】上記実施例３０〜３９の光カードに関し実
施例４と同様にしてトラック横断信号のコントラストの
最大値、最小値及び平均値を測定した。その結果を表−
９に示す。
【０４６１】
【表１１】
【０４６２】（実施例４０）厚み０．５ｍｍ、たて１０
ｃｍ×よこ６ｃｍのガラス基板にＩｎ2 Ｏ3 の透明電極
をスパッターで形成した。
【０４６３】該Ｉｎ2 Ｏ3 膜上に幅０．６μｍ、ピッチ
１．６μｍのスパイラル状のトラッキングトラックに対
応するレジストパターンを作製し、このマスクを利用し
て直接Ｉｎ2 Ｏ3 をエッチングして透明電極のパターニ
ングを行った。
【０４６４】本実施例では、アニオン性のアクリル・メ
ラミン系樹脂（商品名；ハニブライトＣ−ＩＬ、ハニー
化成社製）８０ｗｔ％に記録材料として粒子径０．１〜
０．３μｍのフタロシアニン２０ｗｔ％を分散し脱塩水
で固形分濃度１５ｗｔ％に希釈して記録層形成用電着塗
料とし、これに先程作製したパターニングした原版を浸
漬し、該透明電極を陽極として電着を行い、水洗後、硬
化熱処理（９７℃、６０分間）を行って幅３μｍの電着
層を形成した原版を得た。
【０４６５】次に、直径５インチ、厚さ１．２ｍｍのデ
ィスク状のアクリル基板上に、紫外線硬化樹脂（商品名
ＵＶＸ−ＳＳ１２０スリーボンド社製）を塗布し、電着
した原版の電着層側と接着層を内側にして重ね、メタル
ハライドランプで全面に上部から１２０Ｗ／ｃｍで５０
０Ｊ／ｃｍ2 の露光をし、接着層と電着層を硬化、接着
させた。その後、基板をパターン原版から剥離し、アク
リル基板上に電着層を転写した。なお、記録層中のフタ
ロシアニンの含有量は２５ｗｔ％であった。
【０４６６】次に、この電着層の転写した基板の電着層
側に、保護層として１．２ｍｍ厚のアクリル基板を平均
粒子径０．３ｍｍのスぺーサーを介してシリコーン系接
着剤を用いて貼り合わせ、幅１μｍの記録層（フタロシ
アニン層）からなるトラックが１．６μｍピッチで配置
された光ディスクを得た。
【０４６７】（実施例４１）厚み５ｍｍ、たて１００ｍ
ｍ×よこ１００ｍｍのガラス板の一方の面に鏡面処理を
行い、鏡面側にアルミニウムを３００Åの厚さに蒸着し
て導電層を形成した。
【０４６８】該アルミニウム膜上にフォトレジスト（Ｗ
ＡＹＣＯＡＴ、登録商標、ＨＰＲ２０４、富士ハントエ
レクトロニクステクノロジー社製）をスピンコーターで
２μｍの厚さに塗布し、１００℃で２０分間プリベーキ
ングした後、ＵＶ光で記録領域とプリフォーマットパタ
ーンを露光、現像して、１．６μｍピッチで１μｍ幅及
び２μｍ幅の縞状パターンを形成した。このレジストパ
ターンをマスクとして導電層をエッチングし、それぞれ
記録層及びプリフォーマット層形成用のパターン化され
たＡ１導電層を備えた原版を作製した。
【０４６９】次に、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、スチレン、アクリレート及びｐ−ヒドロキ
シ安息香酸とグリシジルアクリレートの等モル反応によ
って得られた化合物をモル比で３：２：４：１の割合で
混合した化合物５重量部、重量平均分子量７万に共重合
した有機重合体を８０重量部、２、２−ジメトキシ−２
−フェニルアセトフェノンを０．５重量部、トリメチロ
ールプロパントリアクリレートを１４．５重量部からな
るカチオン性感光性樹脂組成物を、エチレングリコール
モノブチルエーテルで揮発分８０ｗｔ％に希釈し、０．
５当量の酢酸で中和し、純水にて揮発分９０ｗｔ％に調
整して電着樹脂組成物とした。
【０４７０】該電着樹脂組成物８０ｗｔ％に、記録材料
として、粒子径０．１〜０．３μｍのテルル粒子２０ｗ
ｔ％を分散して記録層形成用電着塗料とし、該電着塗料
中に前記原版を浸漬し、該記録層形成用の導電層を陰極
として３０Ｖの直流電圧を１分間印加して記録層用の電
着層を形成した。次に、プリフォーマット層形成用とし
て上記電着樹脂８０ｗｔ％に平均粒子径０．１〜０．５
μｍのカーボンブラック粒子１５ｗｔ％を分散してプリ
フォーマット層形成用電着塗料とし、同様の方法でプリ
フォーマット層を形成した。
【０４７１】このようにして、記録層及びプリフォーマ
ットパターンを順次積層した基板を十分に水洗いした
後、高圧水銀ランプ（２００ｍＪ／ｃｍ2 ）で硬化処理
して３．０μｍの記録層を原版用基板上に形成した。
【０４７２】次に、厚さ１．２ｍｍのポリメチルメタク
リレート基板上に紫外線硬化型樹脂（商品名：ＵＶＸ−
ＳＳ１２０スリーボンド社製）をスピナー塗布し、膜厚
を２〜４μｍとし、未硬化のままで塗布面をパターン原
版用基板上の電着層と重合わせ、基板側からメタルハイ
ドランプ（１２０Ｗ／ｃｍ）を用い５００（Ｊ／ｃｍ
2 ）で露光して硬化し、電着層と基板を接着した。上記
基板を原版用基板から剥離し、アクリル基板上に電着層
を転写した。なお、記録層中のＴｅの含有量は３５ｗｔ
％、プリフォーマット層中のカーボンブラックの含有量
は２０ｗｔ％であった。
【０４７３】次いで、エチレン−酢酸ビニル共重合体系
接着剤、保護層としてポリメチルメタクリレート（１．
２ｍｍ厚）を順次積層したのち直径５インチのディスク
状に切断して光ディスクを得た。
【０４７４】上記実施例４０及び４１の光ディスクにつ
いて実施例１と同様にしてトラック横断信号を測定し
た。その結果を表−１０に示す
【０４７５】
【表１２】
【０４７６】次に実施例３７及び実施例３８で作製した
光カードについて光カード記録再生装置（キヤノン製）
を用いて記録光波長８３０ｎｍ、ビーム径２．５μｍ、
レーザーパワー１８ｍＷ、カード移動速度４８０ｍｍ／
ｓｅｃ、デューティ１：１の条件で記録層に情報を記録
し、再生光波長７８０ｎｍ、ビーム径３μｍ、レーザー
パワー０．１ｍＷの条件で再生した。
【０４７７】その時の再生信号のＣ／Ｎは実施例３７の
光カードが４０ｄＢで実施例３８の光カードが４８ｄＢ
でどちらも良好なＣ／Ｎの信号の再生が可能であった。
【０４７８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば通電量
や添加物によって膜厚及び／又は反射率を任意に且つ正
確に制御することのできる電着層をパターニングに用い
ることによって優れたコントラストのプリフォーマット
再生信号を得られる光記録媒体を得ることができる。
【０４７９】又本発明によれば、極めて容易に高精度の
プリフォーマットを有する光記録媒体を製造できる。更
に又本発明によれば、原版を再利用することができ光記
録媒体の量産性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明にかかる光記録媒体の一実施態様の概
略断面図。
【図２】本願発明にかかる光記録媒体用基板の製造方法
の一実施態様を示す概略工程図。
【図３】電着工程の説明図。
【図４】本願発明にかかる光記録媒体用基板の製造方法
の他の実施態様を示す概略工程図。
【図５】本願発明にかかる光記録媒体用基板の製造方法
の他の実施態様を示す概略図。
【図６】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他の
実施態様を示す概略図。
【図７】本願発明にかかる光カードの評価方法の説明
図。
【図８】トラック横断信号の算出方法の説明図。
【図９】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様の
概略断面図。
【図１０】本願発明にかかる光記録媒体用基板の製造方
法の他の実施態様を示す概略工程図。
【図１１】電着工程の説明図。
【図１２】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様
の概略断面図。
【図１３】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他
の実施態様を示す概略工程図。
【図１４】本願発明にかかる光カードの屈曲試験の概略
説明図。
【図１５】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他
の実施態様を示す概略工程図。
【図１６】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様
の概略断面図。
【図１７】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様
の概略断面図。
【図１８】図１７（ａ）に示す光記録媒体の製造用原版
の概略断面図。
【図１９】図１７（ｂ）に示す光記録媒体の製造用原版
の概略断面図。
【図２０】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様
の概略断面図。
【図２１】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他
の実施態様を示す概略工程図。
【図２２】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他
の実施態様を示す概略工程図。
【図２３】本願発明にかかる光記録媒体の他の実施態様
の概略断面図。
【図２４】本願発明にかかる光記録媒体の製造方法の他
の実施態様を示す概略工程図。
【符号の説明】
１１ 基板 １２ 電着層 １３ 記録層 １４ 接着層 １５ 保護基板 １６ 光記録媒体用基板 １７ トラッキングトラック ２１ 原版用基板 ２２ 導電層 ２３ フォトレジスト層 ２４ 導電層露出部 ２６ 原版 ３１ 電着可能な材料 ４１ 転写補助層 ５１ スペーサ ５２ 鏡面板 ５３ 注入口 ５４ 液状樹脂 ６１ 透明電極 ６２ フォトレジスト ７１ レーザースポット ９１ 基材 ９２ 電着層 ９３ 記録層 ９４ 接着層 ９５ 保護基板 ９６ 光記録媒体用基板 ９７ プリフォーマット １０６ 原版 １１３ 電着液 １１４ 粒子 １１５ 電着樹脂 １２１ 反射層 １３１ 透明電極 １３２ フォトレジスト １５１ 注型成形ユニット型 １７１ 基板 １７２ 導電性記録層／導電性反射層 １７３ 電着層 １７４ 接着層 １７５ 保護基板 １８１ レジストパターン １９１（ａ） 記録領域 １９１（ｂ） プリフォーマット領域 ２０１ 基板 ２０２ 電着層からなる記録層 ２０３ 接着層 ２０４ 保護基板 ２１１ 原版用基板 ２１２ 電極層 ２１３ 原版 ２１４ 液状樹脂 ２１５ 保護層 ２１６ 注型成形用ユニット ２２１ 基板 ２２２ 導電層 ２２３ プリフォーマット層 ２２４ 記録層 ２２５ 保護基板 ２３１ 基板 ２４１ 原版用基板 ２４２ 導電層 ２４３ レジストパターン ２４４ プリフォーマット層 ２４５ 記録層 ２４６ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平3−234461 (32)優先日 平３(1991)９月13日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−236502 (32)優先日 平３(1991)９月17日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−236503 (32)優先日 平３(1991)９月17日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−241393 (32)優先日 平３(1991)９月20日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−241399 (32)優先日 平３(1991)９月20日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−269719 (32)優先日 平３(1991)10月17日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−271816 (32)優先日 平３(1991)９月25日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−271817 (32)優先日 平３(1991)９月25日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−281887 (32)優先日 平３(1991)10月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平3−281889 (32)優先日 平３(1991)10月３日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平4−55991 (32)優先日 平４(1992)２月７日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 田邊 浩 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地キヤ ノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 矢野 敬弥 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (67)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面にプリフォーマットを有する基板、
    記録層及び保護層を有する光記録媒体に於て、該基板が
    その表面に該プリフォーマットに対応するパターン状に
    配置された電着層を具備することを特徴とする光記録媒
    体。
  2. 【請求項２】 該電着層が該プリフォーマットを構成す
    る請求項１の光記録媒体。
  3. 【請求項３】 該電着層の形成されていない領域が該プ
    リフォーマットを構成する請求項１の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 該保護層を通過して該光記録媒体を照射
    する記録及び／又は再生用光ビームの波長をλ、該接着
    層の屈折率をｎOPとするとき該電着層の厚さがλ／４ｎ
    OPの奇数倍もしくはλ／８ｎOPの値と実質的に等しい請
    求項１の光記録媒体。
  5. 【請求項５】 該基板を通過する様に該光記録媒体を照
    射する記録及び／又は再生用光ビームの波長をλ、該電
    着層の屈折率をｎEDとしたとき該電着層の厚さがλ／４
    ｎEDの奇数倍もしくはλ／８ｎEDの値と実質的に等しい
    請求項１の光記録媒体。
  6. 【請求項６】 該電着層が該基板表面に転写補助層を介
    して配置されている請求項１の光記録媒体。
  7. 【請求項７】 該電着層が、該光記録媒体に入射する情
    報記録用光ビーム、もしくは情報再生用光ビームに対し
    て該記録層が示す所定の反射率と異なる反射率を示す電
    着層である請求項１の光記録媒体。
  8. 【請求項８】 該電着層が上記所定の反射率よりも実質
    的に高い反射率を有する請求項１の光記録媒体。
  9. 【請求項９】 該電着層が金属粒子を含有する請求項８
    の光記録媒体。
  10. 【請求項１０】 該電着層が金属粒子を２〜７５ｗｔ％
    含有する請求項９の光記録媒体。
  11. 【請求項１１】 該電着層が表面を金属化した非金属粉
    体を含有する請求項８の光記録媒体。
  12. 【請求項１２】 電着層が表面を金属化した非金属粉体
    を１〜４０ｗｔ％含有する請求項１１の光記録媒体。
  13. 【請求項１３】 該非金属粉体がセラミック粉体、天然
    マイカ粉体及び樹脂粉体から選ばれる少なくとも１つで
    ある請求項１２の光記録媒体。
  14. 【請求項１４】 該非金属粉体の平均粒径が０．０５〜
    ０．５μｍである請求項１１の光記録媒体。
  15. 【請求項１５】 該非金属粉体の表面の金属層の厚さが
    ０．０３〜０．２μｍである請求項１１の光記録媒体。
  16. 【請求項１６】 該電着層が上記所定の反射率よりも低
    い反射率を有する請求項７の光記録媒体。
  17. 【請求項１７】 波長７８０〜８３０ｎｍの光に対する
    記録層の反射率が５〜４０％である請求項８の光記録媒
    体。
  18. 【請求項１８】 該記録層が７８０〜８３０ｎｍの光に
    対して１０〜６０％の反射率を示す記録層である請求項
    １６の光記録媒体。
  19. 【請求項１９】 該電着層がカーボンブラックを２〜７
    ５ｗｔ％含有する請求項１６の光記録媒体。
  20. 【請求項２０】 該電着層が光散乱性粒子を含有する請
    求項１６の光記録媒体。
  21. 【請求項２１】 該光散乱性粒子がガラスビーズ又はダ
    イヤモンド粒子である請求項２０の光記録媒体。
  22. 【請求項２２】 該光散乱性粒子の平均粒径が０．０５
    〜５μｍである請求項２０の光記録媒体。
  23. 【請求項２３】 該電着層が光散乱性粒子を５〜５０ｗ
    ｔ％含有する請求項２０の光記録媒体。
  24. 【請求項２４】 該記録層が７８０〜８３０ｎｍの光に
    対して１０〜６０％の反射率を示す記録層である請求項
    ２０の光記録媒体。
  25. 【請求項２５】 該電着層が多孔質である請求項１６の
    光記録媒体。
  26. 【請求項２６】 該電着層の空隙率が１０〜５０％であ
    る請求項２５の光記録媒体。
  27. 【請求項２７】 該記録層が７８０〜８３０ｎｍの波長
    の光に対して１０〜６０％の反射率を示す記録層である
    請求項２５の光記録媒体。
  28. 【請求項２８】 該電着層が上記の所定の反射率よりも
    実質的に高い反射率を有し、且つ、該基板上に該記録層
    を介して反射層を有する請求項７の光記録媒体。
  29. 【請求項２９】 該記録層が７８０〜８３０ｎｍの波長
    の光に対して１０〜６０％の反射率を示す請求項２８の
    光記録媒体。
  30. 【請求項３０】 該反射層がアルミニウム、又は、金で
    ある請求項２８の光記録媒体。
  31. 【請求項３１】 基板上に導電層を有し、該導電層上に
    プリフォーマットに対応するパターン状に電着層が配置
    されてなることを特徴とする光記録媒体。
  32. 【請求項３２】 該電着層が、該光記録媒体に対して入
    射する情報記録光ビーム、もしくは情報再生用光ビーム
    に対して、該導電層が示す所定の反射率と異なる反射率
    を示す電着層である請求項３１の光記録媒体。
  33. 【請求項３３】 該電着層が該導電層の示す反射率より
    も低い反射率を示す請求項３２の光記録媒体。
  34. 【請求項３４】 該導電層が記録層である請求項３１の
    光記録媒体。
  35. 【請求項３５】 該記録層が７８０〜８３０ｎｍの波長
    の光に対して１０〜６０％の反射率を示す請求項３４の
    光記録媒体。
  36. 【請求項３６】 該記録層が金属、もしくは金属酸化物
    を含有する請求項３５の光記録媒体。
  37. 【請求項３７】 該記録層がＴｅＯを含有する請求項３
    ６の光記録媒体。
  38. 【請求項３８】 該電着層がカーボンブラックを含有す
    る請求項３３の光記録媒体。
  39. 【請求項３９】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に、電着層からなる記録層が配置されてなる
    ことを特徴とする光記録媒体。
  40. 【請求項４０】 該電着層が記録材料を含有する請求項
    ３９の光記録媒体。
  41. 【請求項４１】 該記録材料が有機色素、カーボンブラ
    ック、金属及び半金属から選ばれる少なくとも１つを含
    有する請求項４０の光記録媒体。
  42. 【請求項４２】 該有機色素がフタロシアニンである請
    求項４１の光記録媒体。
  43. 【請求項４３】 該電着層が記録材料を５〜５０ｗｔ％
    含有する請求項４０の光記録媒体。
  44. 【請求項４４】 該光記録媒体が、光ディスクである請
    求項３９の光記録媒体。
  45. 【請求項４５】 該光記録媒体が光カードである請求項
    ３９の光記録媒体。
  46. 【請求項４６】 該記録層が転写補助層を介して基板上
    に配置されている請求項３９の光記録媒体。
  47. 【請求項４７】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置されてある、電着層からなるプリフォ
    ーマット層及び電着層からなる記録層を具備することを
    特徴とする光記録媒体。
  48. 【請求項４８】 該記録層が該プリフォーマットに対応
    するパターン状に配置されてなる請求項４６の光記録媒
    体。
  49. 【請求項４９】 該記録層を構成する電着層が記録材料
    を含有する請求項４８の光記録媒体。
  50. 【請求項５０】 該記録層の７８０〜８３０ｎｍの波長
    の光に対する反射率が５〜４０％であって、且つ、該プ
    リフォーマット層の該光に対する反射率が記録層のそれ
    よりも実質的に高い請求項４７の光記録媒体。
  51. 【請求項５１】 該記録層がフタロシアニンを含有し、
    該プリフォーマット層が金属粉体又は表面に金属被覆を
    施した非金属粉体を含有する請求項５０の光記録媒体。
  52. 【請求項５２】 該記録層の７８０〜８３０ｎｍの波長
    の光に対する反射率が１０〜６０％であって、且つ、該
    プリフォーマット層の該光に対する反射率が記録層のそ
    れよりも実質的に低い請求項４７の光記録媒体。
  53. 【請求項５３】 該記録層がＴｅを含有し、該プリフォ
    ーマットがカーボンブラックを含有する請求項５２の光
    記録媒体。
  54. 【請求項５４】 該記録層がＴｅを含有し、該プリフォ
    ーマットが多孔質である請求項５２の光記録媒体。
  55. 【請求項５５】 電着層からなる記録層が基板表面から
    突出する事なく基板中に埋め込まれる様にして、プリフ
    ォーマットに対応するパターン状に配置されてなること
    を特徴とする光記録媒体。
  56. 【請求項５６】 電着層からなる記録層及び電着層から
    なるプリフォーマット層が基板表面から突出することな
    く基板中に埋め込まれる様にしてプリフォーマットに対
    応するパターン状に配置されてなることを特徴とする光
    記録媒体。
  57. 【請求項５７】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に電着層が配置されてなることを特徴とする
    光記録媒体用基板。
  58. 【請求項５８】 該電着層が基板表面から突出すること
    なく基板中に埋め込まれる様に配設されている請求項５
    ７の光記録媒体用基板。
  59. 【請求項５９】 表面にプリフォーマットを有する基板
    及び記録層を有し該基板が表面に該プリフォーマットに
    対応するパターン状に配置された電着層を具備する光記
    録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応する様に選択
    的に電着層を析出させる工程 （ｂ）基材上に該電着層を転写して光記録媒体用基板を
    形成する工程 （ｃ）該基板の電着層転写面に記録層を形成する工程 を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
  60. 【請求項６０】 表面にプリフォーマットを有する基板
    及び記録層を有し、該基板が表面に該プリフォーマット
    に対応するパターン状に配置された電着層を具備する光
    記録媒体の製造方法であって （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応する様に、選
    択的に電着層を析出させる工程 （ｂ）基材上に転写補助層を介して該電着層を転写し
    て、光記録媒体用基板を形成する工程。 （ｃ）該基板の電着層転写面に、記録層を形成する工程
    を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
  61. 【請求項６１】 表面にプリフォーマットを有する光記
    録媒体用基板上に記録層を有する光記録媒体用基板の製
    造方法であって、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応するパターン
    状に電着層を析出させる工程 （ｂ）電着層を備えた原版を用いて注型成形用型を作製
    する工程 （ｃ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで、
    該液状樹脂を硬化させて基板を形成すると共に基板と電
    着層を一体化せしめて光記録媒体用基板を作製する工程 （ｄ）該光記録媒体用基板上に記録層を形成する工程 を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
  62. 【請求項６２】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層を備えた
    光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    に選択的に電着層を形成する工程 （ｂ）該電着層を基板上に転写して記録層を形成する工
    程を有する事を特徴とする光記録媒体の製造方法
  63. 【請求項６３】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層を備えた
    光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    に選択的に電着層を形成する工程 （ｂ）該電着層を基板上に転写補助層を介して転写して
    記録層を形成する工程を有することを特徴とする光記録
    媒体の製造方法
  64. 【請求項６４】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層を備えた
    光記録媒体の製造方法であって、 （ａ）原版上に該プリフォーマットに対応するパターン
    に電着層を析出させる工程 （ｂ）電着層を備えた原版を用いて、注型成形用型を作
    製する工程 （ｃ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで該
    液状樹脂を硬化させて、基板と電着層を一体化せしめて
    光記録媒体を作製する工程を有することを特徴とする光
    記録媒体の製造方法
  65. 【請求項６５】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層及び電着
    層からなるプリフォーマット層を備えた光記録媒体の製
    造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）該記録層及びプリフォーマット層を基板上に転写
    する工程を有することを特徴とする光記録媒体の製造方
    法
  66. 【請求項６６】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層及び電着
    層からなるプリフォーマット層を備えた光記録媒体の製
    造方法であって、 （ａ）原版上に、プリフォーマットに対応するパターン
    状に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）該記録層及びプリフォーマット層を転写補助層を
    介して基板上に転写する工程を有することを特徴とする
    光記録媒体の製造方法
  67. 【請求項６７】 基板上にプリフォーマットに対応する
    パターン状に配置された電着層からなる記録層及び電着
    層からなるプリフォーマット層を備えた光記録媒体の製
    造方法であって、 （ａ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    に記録層を選択的に電着せしめる工程 （ｂ）原版上にプリフォーマットに対応するパターン状
    にプリフォーマット層を選択的に電着せしめる工程 （ｃ）記録層及びプリフォーマット層を備えた原版を用
    いて、注型成形用型を作製する工程 （ｄ）該注型成形用型に液状樹脂を注ぎ込み、次いで該
    液状樹脂を硬化させて、基板と記録層及びプリフォーマ
    ット層を一体化せしめて、光記録媒体を作製する工程を
    有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
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