JPH05267659A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05267659A JPH05267659A JP6294892A JP6294892A JPH05267659A JP H05267659 A JPH05267659 A JP H05267659A JP 6294892 A JP6294892 A JP 6294892A JP 6294892 A JP6294892 A JP 6294892A JP H05267659 A JPH05267659 A JP H05267659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- semiconductor device
- electrostatic discharge
- aluminum wiring
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】端子保護回路として、外部からの静電気放電お
よび過電圧に強い保護回路を得る。 【構成】半導体装置上のボンディグパッド１から内部に
入る配線を２つに分けてポリシリコン抵抗配線２と、配
線の一部が狭くなった凹部６をもつアルミ配線３とを並
列に配置してコンタクトホール４，５に接続する。 【効果】外部からデバイスに流れこむ静電気放電により
生じたパルス電流と過電圧により発生する過電流はそれ
ぞれアルミ配線３およびポリシリコン配線２を流れるこ
とにより、半導体装置の破壊を防止できる。
よび過電圧に強い保護回路を得る。 【構成】半導体装置上のボンディグパッド１から内部に
入る配線を２つに分けてポリシリコン抵抗配線２と、配
線の一部が狭くなった凹部６をもつアルミ配線３とを並
列に配置してコンタクトホール４，５に接続する。 【効果】外部からデバイスに流れこむ静電気放電により
生じたパルス電流と過電圧により発生する過電流はそれ
ぞれアルミ配線３およびポリシリコン配線２を流れるこ
とにより、半導体装置の破壊を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
その端子保護回路に関する。
その端子保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の端子は、入出力用に
設計されたトランジスタのドレインにアルミ配線で接続
する回路が多い。これは外部から静電気放電を受けた場
合、直接に入出力用トランジスタを保護素子として利用
し、静電気放電によって生じる高電圧パルス電流をすば
やくグランドもしくは電源ラインに流すためである。
設計されたトランジスタのドレインにアルミ配線で接続
する回路が多い。これは外部から静電気放電を受けた場
合、直接に入出力用トランジスタを保護素子として利用
し、静電気放電によって生じる高電圧パルス電流をすば
やくグランドもしくは電源ラインに流すためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の端子回路で
は、端子の入力インピーダンスが低く、過電圧破壊に弱
い問題があった。外部ピンから入出力用トランジスタの
間にポリシリコン保護抵抗を追加すれば、過電圧印加に
流れる過電流を制限し内部回路を保護できるが、逆に静
電気放電を受けた場合に抵抗部分で急峻な電圧降下を生
じ、下地の厚い酸化膜の絶縁破壊を生じ、デバイスの静
電気耐圧が低下するという問題があった。
は、端子の入力インピーダンスが低く、過電圧破壊に弱
い問題があった。外部ピンから入出力用トランジスタの
間にポリシリコン保護抵抗を追加すれば、過電圧印加に
流れる過電流を制限し内部回路を保護できるが、逆に静
電気放電を受けた場合に抵抗部分で急峻な電圧降下を生
じ、下地の厚い酸化膜の絶縁破壊を生じ、デバイスの静
電気耐圧が低下するという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、このような問題を解決
し、過電圧破壊に強く、静電気耐力を向上させた半導体
装置を提供することにある。
し、過電圧破壊に強く、静電気耐力を向上させた半導体
装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の構
成は、パッケージのピンに接続される半導体チップ上の
所定抵抗値の保護抵抗の両端をアルミ配線などの金属配
線で短絡させたことを特徴とする。
成は、パッケージのピンに接続される半導体チップ上の
所定抵抗値の保護抵抗の両端をアルミ配線などの金属配
線で短絡させたことを特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の半導体チップの端
子付近のレイアウト図である。パッケージの外部ピンに
対応する半導体チップ上のボンディングパット１から並
列にポリシリコン抵抗２とアルミ配線３とが配線されて
いる。ポリシリコン抵抗２およびアルミ配線３はそれぞ
れコンタクトホール部分４，５で接続されている。
子付近のレイアウト図である。パッケージの外部ピンに
対応する半導体チップ上のボンディングパット１から並
列にポリシリコン抵抗２とアルミ配線３とが配線されて
いる。ポリシリコン抵抗２およびアルミ配線３はそれぞ
れコンタクトホール部分４，５で接続されている。
【０００７】またアルミ配線３は、デバイスの絶対最大
定格値の電流が端子に流れた場合に、このアルミ配線３
を流れる電流の電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ2 程度になる
ような凹部６を備えている。
定格値の電流が端子に流れた場合に、このアルミ配線３
を流れる電流の電流密度が１０6 Ａ／ｃｍ2 程度になる
ような凹部６を備えている。
【０００８】外部から静電気放電による高電圧パルス
（人体が帯電した時約１０ｍｓ程度のパルス）が入力し
た場合は、パルスはアルミ配線３を流れ、入出力トラン
ジスタでグランドまたは電源ラインに吸収され内部素子
を保護する。また、外部より過電圧が印加され、大電流
が流れ込むような場合はアルミ配線３の凹部６の部分が
まず溶断し、回路は電気的にオープンとなる。このオー
プンの後は端子に直列に保護抵抗が働くため、入力イン
ピーダンスが高くなり、過電圧印加時に流れる電流を制
限するため、入出力トランジスタ等の破壊を防止でき
る。
（人体が帯電した時約１０ｍｓ程度のパルス）が入力し
た場合は、パルスはアルミ配線３を流れ、入出力トラン
ジスタでグランドまたは電源ラインに吸収され内部素子
を保護する。また、外部より過電圧が印加され、大電流
が流れ込むような場合はアルミ配線３の凹部６の部分が
まず溶断し、回路は電気的にオープンとなる。このオー
プンの後は端子に直列に保護抵抗が働くため、入力イン
ピーダンスが高くなり、過電圧印加時に流れる電流を制
限するため、入出力トランジスタ等の破壊を防止でき
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、外部ピン
からの静電気放電や過電圧入力に対して、パッド部から
内部回路への入力部を２つの並列パスに分けることによ
り、過電圧、静電気放電に強い半導体装置が得られると
いう効果を有する。
からの静電気放電や過電圧入力に対して、パッド部から
内部回路への入力部を２つの並列パスに分けることによ
り、過電圧、静電気放電に強い半導体装置が得られると
いう効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のレイアウト図である。
１ ボンディングパッド部 ２ ポリシリコン抵抗 ３ アルミ配線 ４ コンタクトホール部 ５ コンタクトホール部 ６ 凹部
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージのピンに接続される半導体チ
ップ上の所定抵抗値の保護抵抗の両端をアルミ配線など
の金属配線で短絡させとことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294892A JPH05267659A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6294892A JPH05267659A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267659A true JPH05267659A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13215046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6294892A Withdrawn JPH05267659A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525012B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2005-10-31 | 인피니온 테크놀로지스 아게 | 반도체 소자, 그 동작 방법 및 그 사용 방법 |
| JP2007180119A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | ミリ波実装用配線基板 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP6294892A patent/JPH05267659A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100525012B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2005-10-31 | 인피니온 테크놀로지스 아게 | 반도체 소자, 그 동작 방법 및 그 사용 방법 |
| JP2007180119A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | ミリ波実装用配線基板 |
| JP4661588B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-03-30 | 沖電気工業株式会社 | ミリ波実装用配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |