JPH077150A - 電圧保護装置 - Google Patents
電圧保護装置Info
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- JPH077150A JPH077150A JP6097879A JP9787994A JPH077150A JP H077150 A JPH077150 A JP H077150A JP 6097879 A JP6097879 A JP 6097879A JP 9787994 A JP9787994 A JP 9787994A JP H077150 A JPH077150 A JP H077150A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電圧保護装置（１０）は、少なくとも２つの
導電体（１６，１８，２０）を基板の端部に隣接して有
する半導体基板により構成される。 【構成】 開口部（２２）は、端部から２つの導電体の
間に向かって伸張する。開口部（２２）は、基板の端部
に隣接した部分の２つの導電体（１６，１８）の間のコ
ンダクタンスを低減し、過剰電圧が２つの導電体に発生
した場合、低減された電流がこの部分に流れるようにす
る。
導電体（１６，１８，２０）を基板の端部に隣接して有
する半導体基板により構成される。 【構成】 開口部（２２）は、端部から２つの導電体の
間に向かって伸張する。開口部（２２）は、基板の端部
に隣接した部分の２つの導電体（１６，１８）の間のコ
ンダクタンスを低減し、過剰電圧が２つの導電体に発生
した場合、低減された電流がこの部分に流れるようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧保護装置に関す
る。
る。
【０００２】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】トランジスタは、静電
放電（ESD's：electrostatic discharges）によって破
壊されやすい。
放電（ESD's：electrostatic discharges）によって破
壊されやすい。
【０００４】トランジスタの電極は、連続した接点を介
して半導体基板に一般に結合する。静電放電の場合に
は、過剰電流が連続した接点を介して基板に放電する可
能性がある。基板端部には電流が流れることのできる大
きな表面があるので、基板端部に最も近い連続した接点
は、他の連続した接点より大きな電流を引き込む可能性
がある。この過剰な電流の流れは、基板端部に最も近い
接点を破壊する可能性がある。さらに、端部におけるト
ランジスタの多結晶ゲートと基板との間には、絶縁性が
弱いという固有の問題が一般に存在する。静電放電は、
それらの間が短絡した回路になることが知られる。
して半導体基板に一般に結合する。静電放電の場合に
は、過剰電流が連続した接点を介して基板に放電する可
能性がある。基板端部には電流が流れることのできる大
きな表面があるので、基板端部に最も近い連続した接点
は、他の連続した接点より大きな電流を引き込む可能性
がある。この過剰な電流の流れは、基板端部に最も近い
接点を破壊する可能性がある。さらに、端部におけるト
ランジスタの多結晶ゲートと基板との間には、絶縁性が
弱いという固有の問題が一般に存在する。静電放電は、
それらの間が短絡した回路になることが知られる。
【０００５】本発明は、上記の課題を軽減する電圧保護
装置を提供する。
装置を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】電圧保護装置は、基板端
部に隣接する少なくとも２つの電気導電体を有する半導
体基板により構成される。開口部は、端部より２つの電
気導電体の間の部分に向かって伸張する。過剰電圧が２
つの導電体の間に発生した場合、低減された電流がこの
領域に流れるので、開口部は、基板端部に隣接する領域
の２つの電気導電体の間のコンダクタンスを低減する。
部に隣接する少なくとも２つの電気導電体を有する半導
体基板により構成される。開口部は、端部より２つの電
気導電体の間の部分に向かって伸張する。過剰電圧が２
つの導電体の間に発生した場合、低減された電流がこの
領域に流れるので、開口部は、基板端部に隣接する領域
の２つの電気導電体の間のコンダクタンスを低減する。
【０００７】半導体基板は、拡散シリコンから成る。
【０００８】２つの電気導電体は、基板に形成された連
続した金属接点から成る。
続した金属接点から成る。
【０００９】多結晶トランジスタ・ゲート構造は、酸化
物絶縁層を介して、基板に取付けられ、ゲート構造は、
開口部と２つのうち１つの導電体との間の基板の端部に
伸張する。この方法において、過剰電圧が２つの導電体
の間に発生した場合、開口部によって、酸化物材料はゲ
ート構造と基板との間の短絡を引き起こす可能性を低減
させる。
物絶縁層を介して、基板に取付けられ、ゲート構造は、
開口部と２つのうち１つの導電体との間の基板の端部に
伸張する。この方法において、過剰電圧が２つの導電体
の間に発生した場合、開口部によって、酸化物材料はゲ
ート構造と基板との間の短絡を引き起こす可能性を低減
させる。
【００１０】電圧保護装置は、トランジスタ装置に組み
込むことが可能である。
込むことが可能である。
【００１１】この方法において、不均等な電流の流れ
は、基板端部に最も近い接点から低減され、多結晶のゲ
ート構造と基板との間に起きる短絡の可能性も低減され
る。
は、基板端部に最も近い接点から低減され、多結晶のゲ
ート構造と基板との間に起きる短絡の可能性も低減され
る。
【００１２】
【実施例】図１を参照して、集積回路（ＩＣ）のトラン
ジスタに組み込まれる電圧保護装置１０を示す。集積回
路のドープされた半導体基板１２は、第１の連続した接
点１６ａ，１６ｂ，１６ｃを第１の金属の電流伝導経路
１６へ、第２の連続した接点１８ａ，１８ｂ，１８ｃを
第２の金属の電流伝導経路１８へ、そして第３の連続し
た接点２０ａ，２０ｂ，２０ｃを金属の電流伝導経路２
０へ、集積回路上に形成する。伝導経路は、その集積回
路用の外部接続を形成し、その間で静電放電が発生す
る。
ジスタに組み込まれる電圧保護装置１０を示す。集積回
路のドープされた半導体基板１２は、第１の連続した接
点１６ａ，１６ｂ，１６ｃを第１の金属の電流伝導経路
１６へ、第２の連続した接点１８ａ，１８ｂ，１８ｃを
第２の金属の電流伝導経路１８へ、そして第３の連続し
た接点２０ａ，２０ｂ，２０ｃを金属の電流伝導経路２
０へ、集積回路上に形成する。伝導経路は、その集積回
路用の外部接続を形成し、その間で静電放電が発生す
る。
【００１３】トランジスタの多結晶シリコン・ゲート構
造１４は、基板１２上に形成される。基板１２とゲート
構造１４との間の酸化物絶縁材料１５の層は、それらの
間の絶縁を提供する。ゲート構造１４の第１アーム１７
は、基板１２を横切って、第１導電体１６と第２導電体
１８との間を伸張する。ゲート構造１４の第２アーム１
９は、第２導電体１８と第３導電体２０との間の基板１
２と交差して伸張する。
造１４は、基板１２上に形成される。基板１２とゲート
構造１４との間の酸化物絶縁材料１５の層は、それらの
間の絶縁を提供する。ゲート構造１４の第１アーム１７
は、基板１２を横切って、第１導電体１６と第２導電体
１８との間を伸張する。ゲート構造１４の第２アーム１
９は、第２導電体１８と第３導電体２０との間の基板１
２と交差して伸張する。
【００１４】構造１４は、アーム１７上に固有の脆弱部
分２６およびアーム１９上に同様に脆弱部分２８を有
し、アーム１７，１８および基板１８との間の酸化物材
料１５の絶縁が不十分となることを理解されたい。
分２６およびアーム１９上に同様に脆弱部分２８を有
し、アーム１７，１８および基板１８との間の酸化物材
料１５の絶縁が不十分となることを理解されたい。
【００１５】第１の切込みまたは開口部２２は、窒化物
基板１２の端部から基板１４の第１アーム１７と第２導
電体１８の接点１８ａとの間の部分へ向かって、垂直に
伸張するように窒化物基板１２の端部から切り取られ
る。
基板１２の端部から基板１４の第１アーム１７と第２導
電体１８の接点１８ａとの間の部分へ向かって、垂直に
伸張するように窒化物基板１２の端部から切り取られ
る。
【００１６】同様に、第２開口部２４は、窒化物基板１
２の端部から基板１４の第２アーム１９と第２導電体１
８の接点１８ａとの間の部分へ向かって、垂直に伸張す
るように窒化物基板１２の端部から切り取られる。
２の端部から基板１４の第２アーム１９と第２導電体１
８の接点１８ａとの間の部分へ向かって、垂直に伸張す
るように窒化物基板１２の端部から切り取られる。
【００１７】導電体中の、どのような静電放電も、基板
１２を介して、導電体１８と導電体１６，２０の一方ま
たは両方との間に電流を流させる。端部に隣接する基板
部分では、静電放電電流が流れるより大きな領域がある
が、開口部２２，２４はこの領域における導電エリアを
低減させ、過剰電流が基板１２の端部に最も近い接点で
ある接点１８ａを介して流れることを防ぐ。これによっ
て、接点１８ａに破壊を起こす可能性が低減される。
１２を介して、導電体１８と導電体１６，２０の一方ま
たは両方との間に電流を流させる。端部に隣接する基板
部分では、静電放電電流が流れるより大きな領域がある
が、開口部２２，２４はこの領域における導電エリアを
低減させ、過剰電流が基板１２の端部に最も近い接点で
ある接点１８ａを介して流れることを防ぐ。これによっ
て、接点１８ａに破壊を起こす可能性が低減される。
【００１８】さらに、基板１２の端部において、ゲート
構造１４の接点１８ａと脆弱部分２６，２８との間に、
より高い抵抗性経路がある。その結果、部分２６，２８
は、静電放電の間のより低い電位に晒され、それによっ
てゲート構造１４と基板１２との間の短絡を生じさせる
酸化物材料の絶縁破壊の可能性を低減させる。
構造１４の接点１８ａと脆弱部分２６，２８との間に、
より高い抵抗性経路がある。その結果、部分２６，２８
は、静電放電の間のより低い電位に晒され、それによっ
てゲート構造１４と基板１２との間の短絡を生じさせる
酸化物材料の絶縁破壊の可能性を低減させる。
【００１９】上記の説明のどちらか一方の装置が使用で
きることを理解されたい。例えば、別の半導体材料が、
ガリウム・ヒ素のようにシリコンの代わりに基板として
使用することができる。
きることを理解されたい。例えば、別の半導体材料が、
ガリウム・ヒ素のようにシリコンの代わりに基板として
使用することができる。
【００２０】さらに、単一の開口部または切込みが、２
つの導電体を有する装置において使用可能であることを
理解されたい。簡単には、２つ以上の開口部または切込
みは、多数の導電体とともに装置において使用すること
ができる。
つの導電体を有する装置において使用可能であることを
理解されたい。簡単には、２つ以上の開口部または切込
みは、多数の導電体とともに装置において使用すること
ができる。
【図１】本発明による電圧保護装置の好適な実施例であ
る。
る。
１０ 電圧保護装置 １２ 基板 １４ ゲート構造 １５ 酸化物材料 １６ 第１導電体 １６ａ〜１６ｃ 第１導電体の連続した接点 １７ 第１アーム １８ 第２導電体 １８ａ〜１８ｃ 第２導電体の連続した接点 １９ 第２アーム ２０ 第３導電体 ２０ａ〜２０ｃ 第３導電体の連続した接点 ２２ 開口部 ２４ 第２開口部 ２６，２８ 脆弱部分
Claims (5)
- 【請求項１】基板端部に隣接する少なくとも２つの電気
導電体を有する半導体基板；前記端部より前記２つの電
気導電体の間の部分へ向かって伸張する開口部；前記開
口部は、前記基板端部に隣接する領域中の前記２つの電
気導電体間のコンダクタンスを低減し、過剰電圧が前記
２つの導電体の間に発生した場合に、低減された電流が
この領域に流れることを特徴とする電圧保護装置。 - 【請求項２】 前記半導体基板は、拡散シリコンから成
ることを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記２つの電気導電体は、基板に形成さ
れた連続した金属接点から成ることを特徴とする請求項
１または２記載の電圧保護装置。 - 【請求項４】 前記請求項記載の装置において、多結晶
トランジスタ・ゲートは、酸化物絶縁層を介して基板に
取付けられ、ゲート構造は、前記開口部と２つの導電体
のうち１つとの間の基板の端部に伸張し、過剰電圧が２
つの導電体の間に発生した場合、前記開口部によって酸
化物材料は、ゲート構造と基板との間の短絡を引き起こ
す絶縁物破壊を生じさせる可能性を低減させることを特
徴とする電圧保護装置。 - 【請求項５】 前記請求項記載の電圧保護装置を組み込
んだトランジスタ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9307538.0 | 1993-04-13 | ||
| GB9307538A GB2277197B (en) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | Voltage protection arrangement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077150A true JPH077150A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3621949B2 JP3621949B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=10733693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09787994A Expired - Fee Related JP3621949B2 (ja) | 1993-04-13 | 1994-04-13 | 電圧保護配列を組み込んだトランジスタ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532899A (ja) |
| EP (1) | EP0620597A1 (ja) |
| JP (1) | JP3621949B2 (ja) |
| GB (1) | GB2277197B (ja) |
| HK (1) | HK1002740A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101113840B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | Ｒｆｉｄ 태그 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100203900B1 (ko) * | 1996-06-24 | 1999-06-15 | 김영환 | 정전기 보호회로를 구비한 반도체장치 |
| US5796570A (en) * | 1996-09-19 | 1998-08-18 | National Semiconductor Corporation | Electrostatic discharge protection package |
| CN101189365B (zh) * | 2005-02-16 | 2015-09-16 | 三米拉-惜爱公司 | 印刷电路板的基本连续的嵌入瞬时保护层 |
| US9781830B2 (en) | 2005-03-04 | 2017-10-03 | Sanmina Corporation | Simultaneous and selective wide gap partitioning of via structures using plating resist |
| TWI389205B (zh) * | 2005-03-04 | 2013-03-11 | Sanmina Sci Corp | 使用抗鍍層分隔介層結構 |
| JP7021414B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2022-02-17 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | Ｅｓｄデバイスのためのコンタクトアレイ最適化 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3206619A (en) * | 1960-10-28 | 1965-09-14 | Westinghouse Electric Corp | Monolithic transistor and diode structure |
| GB925239A (en) * | 1960-11-30 | 1963-05-01 | Thermo King Corp | Improvements in or relating to methods and apparatus for establishing and maintaining a substantially uniform temperature within an enclosed space |
| DE2414348A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-02 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum schutz von auf einem halbleiter-chip integrierten mosschaltkreisen |
| FR2297495A1 (fr) * | 1975-01-10 | 1976-08-06 | Radiotechnique Compelec | Structure de transistors complementaires et son procede de fabrication |
| JPS6068721A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-19 | Fujitsu Ltd | Ｅｃｌ回路 |
-
1993
- 1993-04-13 GB GB9307538A patent/GB2277197B/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-02-17 EP EP94102399A patent/EP0620597A1/en not_active Withdrawn
- 1994-03-21 US US08/210,865 patent/US5532899A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-13 JP JP09787994A patent/JP3621949B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-27 HK HK98101556A patent/HK1002740A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101113840B1 (ko) * | 2005-02-17 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | Ｒｆｉｄ 태그 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0620597A1 (en) | 1994-10-19 |
| GB2277197A (en) | 1994-10-19 |
| GB2277197B (en) | 1997-08-27 |
| JP3621949B2 (ja) | 2005-02-23 |
| GB9307538D0 (en) | 1993-06-02 |
| US5532899A (en) | 1996-07-02 |
| HK1002740A1 (en) | 1998-09-11 |
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