JPH0524912A - ムライトセラミツクスの製造方法 - Google Patents
ムライトセラミツクスの製造方法Info
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- JPH0524912A JPH0524912A JP3198300A JP19830091A JPH0524912A JP H0524912 A JPH0524912 A JP H0524912A JP 3198300 A JP3198300 A JP 3198300A JP 19830091 A JP19830091 A JP 19830091A JP H0524912 A JPH0524912 A JP H0524912A
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- JP
- Japan
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- mullite
- ceramics
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ａｌ２Ｏ３含有量が８０ｗｔ％以下であるムラ
イト質粉末を成形したのち、不活性ガス雰囲気下で焼結
することによるムライトセラミックスの製造方法。 【効果】ムライトセラミックス本来の高温特性、クリー
プ特性などを有するとともに、表面硬度すなわち耐摩耗
性や表面平滑性が従来のムライトセラミックスよりすぐ
れたムライトセラミックスをうることができる。
イト質粉末を成形したのち、不活性ガス雰囲気下で焼結
することによるムライトセラミックスの製造方法。 【効果】ムライトセラミックス本来の高温特性、クリー
プ特性などを有するとともに、表面硬度すなわち耐摩耗
性や表面平滑性が従来のムライトセラミックスよりすぐ
れたムライトセラミックスをうることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ムライトセラミック
ス、すなわちムライトを主たる結晶相とするセラミック
スの製造方法に関するものである。ムライトは、３Ａｌ
２Ｏ３・２ＳｉＯ２で表される、すなわちＡｌ２Ｏ３７
１．８ｗｔ％のケイ酸アルミニウム化合物である。この
Ａｌ２Ｏ３が７１．８ｗｔ％をこえればアルミナが共存
し、７１．８ｗｔ％に満たなければ非晶質シリカまたは
クリストバライト共存する。しかし、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）によれば、Ａｌ２Ｏ３６５〜７３ｗｔ％のものは、
ムライト単相として観察され、そのセラミックスは実質
上ムライト単相としての性質を示す。
ス、すなわちムライトを主たる結晶相とするセラミック
スの製造方法に関するものである。ムライトは、３Ａｌ
２Ｏ３・２ＳｉＯ２で表される、すなわちＡｌ２Ｏ３７
１．８ｗｔ％のケイ酸アルミニウム化合物である。この
Ａｌ２Ｏ３が７１．８ｗｔ％をこえればアルミナが共存
し、７１．８ｗｔ％に満たなければ非晶質シリカまたは
クリストバライト共存する。しかし、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）によれば、Ａｌ２Ｏ３６５〜７３ｗｔ％のものは、
ムライト単相として観察され、そのセラミックスは実質
上ムライト単相としての性質を示す。
【０００２】
【従来の技術】ムライトセラミックスは、優れた熱的特
性をもち、かつシリコンに熱膨脹係数が近く、誘電率も
アルミナより小さいので、高温用エンジニアリングセラ
ミックスとして、また電子基板材料として有望視されて
いる。しかしながら、ムライトセラミックスはこのよう
に優れた特性を持ちながら、硬度や破壊靱性がアルミナ
や他のセラミックスより劣るという弱点がある。
性をもち、かつシリコンに熱膨脹係数が近く、誘電率も
アルミナより小さいので、高温用エンジニアリングセラ
ミックスとして、また電子基板材料として有望視されて
いる。しかしながら、ムライトセラミックスはこのよう
に優れた特性を持ちながら、硬度や破壊靱性がアルミナ
や他のセラミックスより劣るという弱点がある。
【０００３】そこで、ムライトと他のセラミックス材料
との複合化によって機械的特性を改良する試みが盛んに
行われている。例えば、特開平１−１８８４６２号公
報のように、ムライト粉末と他のセラミックス粉末とを
均一に混合し、またはムライト粉末の合成段階で他のセ
ラミックス成分を均一に分散させることによって、ある
いは、特開昭６４−５６３８６のように、ムライト成
形体または予備焼結体の表面に他のセラミックス成分を
含浸しまたは塗布することによって、アルミナやジルコ
ニアと複合化させ、それによってムライトセラミックス
の硬度や破壊靱性を改善する方法が提案されている。
との複合化によって機械的特性を改良する試みが盛んに
行われている。例えば、特開平１−１８８４６２号公
報のように、ムライト粉末と他のセラミックス粉末とを
均一に混合し、またはムライト粉末の合成段階で他のセ
ラミックス成分を均一に分散させることによって、ある
いは、特開昭６４−５６３８６のように、ムライト成
形体または予備焼結体の表面に他のセラミックス成分を
含浸しまたは塗布することによって、アルミナやジルコ
ニアと複合化させ、それによってムライトセラミックス
の硬度や破壊靱性を改善する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、の方法で
は、セラミックス微粒子を均一に分散させることが必要
であるが、一般に均一に分散させること自体が難しく、
均一に分散させても複合化によってムライトの耐酸化性
がひいてはクリープ特性が低下したり、また高温強度の
低下を伴う場合が多い。の方法は、ムライトセラミッ
クスの表面の特性のみを改善する方法であって大幅な特
性向上が報告されている。しかしながら、工程が繁雑で
工業的に有利な方法とは言えない。
は、セラミックス微粒子を均一に分散させることが必要
であるが、一般に均一に分散させること自体が難しく、
均一に分散させても複合化によってムライトの耐酸化性
がひいてはクリープ特性が低下したり、また高温強度の
低下を伴う場合が多い。の方法は、ムライトセラミッ
クスの表面の特性のみを改善する方法であって大幅な特
性向上が報告されている。しかしながら、工程が繁雑で
工業的に有利な方法とは言えない。
【０００５】本発明の目的は、の方法のように表面の
特性のみを改善するするにあたり、それをより簡単な操
作によって可能とするムライトセラミックスの製造方法
を提供することである。
特性のみを改善するするにあたり、それをより簡単な操
作によって可能とするムライトセラミックスの製造方法
を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ために本発明者らは鋭意研究を進めた結果、Ａｌ２Ｏ３
８０ｗｔ％以下のムライト質粉末を成形した後、不活性
ガス雰囲気下で焼結することにより、表面がアルミナ相
のみとなり、内部がムライト相であるムライトセラミッ
クスを製造することに成功した。
ために本発明者らは鋭意研究を進めた結果、Ａｌ２Ｏ３
８０ｗｔ％以下のムライト質粉末を成形した後、不活性
ガス雰囲気下で焼結することにより、表面がアルミナ相
のみとなり、内部がムライト相であるムライトセラミッ
クスを製造することに成功した。
【０００７】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明に用いるムライト質粉末は、一般的に用いられるも
の、すなわち従来公知の方法によって製造されたもので
よく、特に制限はない。ただし、Ａｌ２Ｏ３含有量は、
８０ｗｔ％以下でなければならない。Ａｌ２Ｏ３が８０
ｗｔ％を越える粉末を使用すると、えられるセラミック
スの表面にアルミナのほかムライトの結晶が残り、それ
らの熱膨脹の相違により表面クラックが発生するからで
ある。
明に用いるムライト質粉末は、一般的に用いられるも
の、すなわち従来公知の方法によって製造されたもので
よく、特に制限はない。ただし、Ａｌ２Ｏ３含有量は、
８０ｗｔ％以下でなければならない。Ａｌ２Ｏ３が８０
ｗｔ％を越える粉末を使用すると、えられるセラミック
スの表面にアルミナのほかムライトの結晶が残り、それ
らの熱膨脹の相違により表面クラックが発生するからで
ある。
【０００８】Ａｌ２Ｏ３含有量８０ｗｔ％以下のうちＡ
ｌ２Ｏ３含有量が７３ｗｔ％より多いムライト質粉末は
微量のアルミナを含むムライトであり、６５〜７３ｗｔ
％のそれはムライト相のみからなるが、不活性雰囲気下
の焼結によって表面がアルミナ相のみからなり、かつガ
ラス相を含まないセラミックスがえられる。セラミック
スが１０００℃以上で使用される場合は、このＡｌ２Ｏ
３含有量６５〜８０ｗｔ％のムライト質粉末を使用する
のがよい。えられたセラミックスの高温強度が高いから
である。それだけでなく表面がアルミナ相のみであるか
ら、表面硬度が高く、したがって耐摩耗性も高い。ただ
し、Ａｌ２Ｏ３含有量６５〜８０ｗｔ％のムライト質粉
末は、１６００℃以上でなければ焼結しない。
ｌ２Ｏ３含有量が７３ｗｔ％より多いムライト質粉末は
微量のアルミナを含むムライトであり、６５〜７３ｗｔ
％のそれはムライト相のみからなるが、不活性雰囲気下
の焼結によって表面がアルミナ相のみからなり、かつガ
ラス相を含まないセラミックスがえられる。セラミック
スが１０００℃以上で使用される場合は、このＡｌ２Ｏ
３含有量６５〜８０ｗｔ％のムライト質粉末を使用する
のがよい。えられたセラミックスの高温強度が高いから
である。それだけでなく表面がアルミナ相のみであるか
ら、表面硬度が高く、したがって耐摩耗性も高い。ただ
し、Ａｌ２Ｏ３含有量６５〜８０ｗｔ％のムライト質粉
末は、１６００℃以上でなければ焼結しない。
【０００９】強度をそれほど要求されない用途には、Ａ
ｌ２Ｏ３含有量の低いムライト質粉末を使用するのがよ
い。Ａｌ２Ｏ３含有量が低いほど焼結温度を低くするこ
とができるからである。Ａｌ２Ｏ３含有量６５ｗｔ％未
満の粉末はムライト相とクリストバライトまたは非晶質
シリカとからなり、これは１６００℃以下で焼結するこ
とができ、さらにＡｌ２Ｏ３含有量が２０〜３０ｗｔ％
になると１０００℃以下で焼結することができる。いず
れも不活性雰囲気下で焼結すると、内部がムライト相と
非晶質シリカのガラス相とからなり、このガラス相を含
まない上記のものよりも強度の低いものとなるが、表面
は、上記のＡｌ２Ｏ３含有量が高いものと同じくアルミ
ナ相のみであって表面特性は同様に向上する。また、ム
ライトセラミックスは、Ａｌ２Ｏ３含有量が低いほど密
度が低くなるので、用途によっては、その点でもＡｌ２
Ｏ３含有量の低いものが有利になりうる。
ｌ２Ｏ３含有量の低いムライト質粉末を使用するのがよ
い。Ａｌ２Ｏ３含有量が低いほど焼結温度を低くするこ
とができるからである。Ａｌ２Ｏ３含有量６５ｗｔ％未
満の粉末はムライト相とクリストバライトまたは非晶質
シリカとからなり、これは１６００℃以下で焼結するこ
とができ、さらにＡｌ２Ｏ３含有量が２０〜３０ｗｔ％
になると１０００℃以下で焼結することができる。いず
れも不活性雰囲気下で焼結すると、内部がムライト相と
非晶質シリカのガラス相とからなり、このガラス相を含
まない上記のものよりも強度の低いものとなるが、表面
は、上記のＡｌ２Ｏ３含有量が高いものと同じくアルミ
ナ相のみであって表面特性は同様に向上する。また、ム
ライトセラミックスは、Ａｌ２Ｏ３含有量が低いほど密
度が低くなるので、用途によっては、その点でもＡｌ２
Ｏ３含有量の低いものが有利になりうる。
【００１０】成形方法としては、セラミックスの成形に
一般的に用いられるプレス法，押し出し法，スリップキ
ャスト法，射出成形法等のいずれでもよい。焼結におけ
る雰囲気は、窒素や希ガスの不活性ガスでなければなら
ないが、窒素で充分である。焼結温度は、上記のとおり
使用する粉末のＡｌ２Ｏ３含有量によって１０００〜１
７００℃の範囲から選ぶ。たとえば、Ａｌ２Ｏ３含有量
６５〜８０ｗｔ％では１６００〜１７００℃、６５ｗｔ
％以下では１０００〜１６００℃で焼結することによ
り、理論密度に近い緻密なセラミックスがえられる。
一般的に用いられるプレス法，押し出し法，スリップキ
ャスト法，射出成形法等のいずれでもよい。焼結におけ
る雰囲気は、窒素や希ガスの不活性ガスでなければなら
ないが、窒素で充分である。焼結温度は、上記のとおり
使用する粉末のＡｌ２Ｏ３含有量によって１０００〜１
７００℃の範囲から選ぶ。たとえば、Ａｌ２Ｏ３含有量
６５〜８０ｗｔ％では１６００〜１７００℃、６５ｗｔ
％以下では１０００〜１６００℃で焼結することによ
り、理論密度に近い緻密なセラミックスがえられる。
【００１１】以上のように簡単な操作で表面のみがアル
ミナ相であり、内部がムライト相であるムライトセラミ
ックスを製造することができる。このようにして製造さ
れたムライトセラミックスは、表面から内部にかけてア
ルミナ相からムライト相へ連続的に変化しているため、
界面がなく厳しい温度条件下の使用でも熱歪みがたまる
ことがない。すなわち、表面と内部の間に界面をもつも
のではこの界面に熱歪みによる応力が集中し場合によっ
てはその界面でずれや剥離を起こすおそれがあるのに対
して、本発明によってえられたものは界面をもたないの
で、その応力が分散されてずれや剥離の起こる心配がな
い。また、表面結晶がムライトの針状晶よりも微細なア
ルミナ結晶であるので、表面平滑性に優れ、硬度もアル
ミナと同等であり耐磨耗性にも優れている。さらに、内
部がムライト相を含むので、高温強度やクリープ特性も
優れている。
ミナ相であり、内部がムライト相であるムライトセラミ
ックスを製造することができる。このようにして製造さ
れたムライトセラミックスは、表面から内部にかけてア
ルミナ相からムライト相へ連続的に変化しているため、
界面がなく厳しい温度条件下の使用でも熱歪みがたまる
ことがない。すなわち、表面と内部の間に界面をもつも
のではこの界面に熱歪みによる応力が集中し場合によっ
てはその界面でずれや剥離を起こすおそれがあるのに対
して、本発明によってえられたものは界面をもたないの
で、その応力が分散されてずれや剥離の起こる心配がな
い。また、表面結晶がムライトの針状晶よりも微細なア
ルミナ結晶であるので、表面平滑性に優れ、硬度もアル
ミナと同等であり耐磨耗性にも優れている。さらに、内
部がムライト相を含むので、高温強度やクリープ特性も
優れている。
【００１２】
【作用】前記のとおり、Ａｌ２Ｏ３含有量８０ｗｔ％以
下の（したがって、ＳｉＯ２２０ｗｔ％以上の）ムライ
ト質粉末を不活性ガス雰囲気下で焼結すると、表面がア
ルミナ相のみからなる（したがって、ＳｉＯ２を含まな
い）セラミックスがえられる。いっぽう、Ａｌ２Ｏ３含
有量８０ｗｔ％をこえる（したがって、ＳｉＯ２２０ｗ
ｔ％未満の）粉末を同様に焼結すると、ムライトが（し
たがって、ＳｉＯ２が）表面に残る。すなわち、本発明
は、ムライト質粉末を不活性ガス雰囲気下で焼結する
と、ＳｉＯ２２０ｗｔ％を境にして、多い場合はそれが
表面から無くなり、逆に少ない場合は残るという、予想
外の結果に基づいてなされたものである。この現象のメ
カニズムは明らかでない。ただ、実施例に説明するよう
に、表層のＳｉＯ２が雰囲気中へ飛散するのではなく、
成形体内部へ移行することだけは明らかである。
下の（したがって、ＳｉＯ２２０ｗｔ％以上の）ムライ
ト質粉末を不活性ガス雰囲気下で焼結すると、表面がア
ルミナ相のみからなる（したがって、ＳｉＯ２を含まな
い）セラミックスがえられる。いっぽう、Ａｌ２Ｏ３含
有量８０ｗｔ％をこえる（したがって、ＳｉＯ２２０ｗ
ｔ％未満の）粉末を同様に焼結すると、ムライトが（し
たがって、ＳｉＯ２が）表面に残る。すなわち、本発明
は、ムライト質粉末を不活性ガス雰囲気下で焼結する
と、ＳｉＯ２２０ｗｔ％を境にして、多い場合はそれが
表面から無くなり、逆に少ない場合は残るという、予想
外の結果に基づいてなされたものである。この現象のメ
カニズムは明らかでない。ただ、実施例に説明するよう
に、表層のＳｉＯ２が雰囲気中へ飛散するのではなく、
成形体内部へ移行することだけは明らかである。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ムライトセラミックス本来の高温特性、クリ
ープ特性などを有するとともに、表面硬度すなわち耐摩
耗性や表面平滑性が従来のムライトセラミックスよりす
ぐれたムライトセラミックスをうることができる。
によれば、ムライトセラミックス本来の高温特性、クリ
ープ特性などを有するとともに、表面硬度すなわち耐摩
耗性や表面平滑性が従来のムライトセラミックスよりす
ぐれたムライトセラミックスをうることができる。
【００１４】
【実施例】表−１に示す各ムライト粉末１５ｇを５７×
３４ｍｍの金型を用いて一軸加圧成形法で１０００Ｋｇ
／ｃｍ２の成形圧力で成形した。次に、カーボンを発熱
体とする電気炉を用いてそれぞれを窒素雰囲気下で２０
０℃／Ｈｒの速度で昇温し、１６５０℃で２Ｈｒ焼結し
て試料１を得た。また、対照として雰囲気を大気とし、
発熱体を二珪化モリブデンとすること以外は試料１と同
様な方法で試料２を得た。
３４ｍｍの金型を用いて一軸加圧成形法で１０００Ｋｇ
／ｃｍ２の成形圧力で成形した。次に、カーボンを発熱
体とする電気炉を用いてそれぞれを窒素雰囲気下で２０
０℃／Ｈｒの速度で昇温し、１６５０℃で２Ｈｒ焼結し
て試料１を得た。また、対照として雰囲気を大気とし、
発熱体を二珪化モリブデンとすること以外は試料１と同
様な方法で試料２を得た。
【００１５】ＸＲＤにより得られた試料の表面の及び表
面を厚さ約１ｍｍ研削して内部の結晶相を同定した結果
を表−２に、また、その１０００ｇ負荷によるビッカー
ス硬度測定結果を表−３に示す。原料粉末Ａｌ２Ｏ３含
有量７０ｗｔ％のものの、試料１および試料２の各表面
のＸ線回折図をそれぞれ図１および図２に示す。図１の
ピークの位置から試料１の表面の結晶相はアルミナ相の
みであり、そのピークの大きさからその表面に非晶質相
は微量であることがわかる。表から明らかなように、Ａ
ｌ２Ｏ３含有量８０ｗｔ％以下のものを窒素雰囲気下で
焼結した試料の表面の結晶相はアルミナ相のみであっ
た。それらの試料の硬度は、アルミナセラミックス並み
であった。試料１のＡｌ２Ｏ３含有量が８５ｗｔ％の試
料は表面にクラックが発生していた。
面を厚さ約１ｍｍ研削して内部の結晶相を同定した結果
を表−２に、また、その１０００ｇ負荷によるビッカー
ス硬度測定結果を表−３に示す。原料粉末Ａｌ２Ｏ３含
有量７０ｗｔ％のものの、試料１および試料２の各表面
のＸ線回折図をそれぞれ図１および図２に示す。図１の
ピークの位置から試料１の表面の結晶相はアルミナ相の
みであり、そのピークの大きさからその表面に非晶質相
は微量であることがわかる。表から明らかなように、Ａ
ｌ２Ｏ３含有量８０ｗｔ％以下のものを窒素雰囲気下で
焼結した試料の表面の結晶相はアルミナ相のみであっ
た。それらの試料の硬度は、アルミナセラミックス並み
であった。試料１のＡｌ２Ｏ３含有量が８５ｗｔ％の試
料は表面にクラックが発生していた。
【００１６】また、大気雰囲気で焼結した試料２は、表
面，内部共に粉末と同じムライト結晶相であり、硬度も
ムライト並みであった。試料１について、焼結の前後の
重量を測定したところ、灼熱減量に相当する重量の減少
しか認められなかった。したがって、表面におけるＳｉ
Ｏ２の減少は、それの試料内部への移動によるものと認
められる。また、Ａｌ２Ｏ３含有量５０、６０および７
０ｗｔ％の粉末を窒素雰囲気下で焼結した試料の内部の
結晶相は、いずれもムライト単相であるが、そのうちす
くなくともＡｌ２Ｏ３含有量５０および６０ｗｔ％の粉
末を焼結した試料の内部には非晶質シリカが含まれてい
るものと認められる。
面，内部共に粉末と同じムライト結晶相であり、硬度も
ムライト並みであった。試料１について、焼結の前後の
重量を測定したところ、灼熱減量に相当する重量の減少
しか認められなかった。したがって、表面におけるＳｉ
Ｏ２の減少は、それの試料内部への移動によるものと認
められる。また、Ａｌ２Ｏ３含有量５０、６０および７
０ｗｔ％の粉末を窒素雰囲気下で焼結した試料の内部の
結晶相は、いずれもムライト単相であるが、そのうちす
くなくともＡｌ２Ｏ３含有量５０および６０ｗｔ％の粉
末を焼結した試料の内部には非晶質シリカが含まれてい
るものと認められる。
【００１７】 表−１ ムライト粉末のＸＲＤ結晶相 Ａｌ２Ｏ３ ＸＲＤ結晶相 （ｗｔ％） ８５ ムラ＋アル 注）「ムラ」はムライトを、 ８０ ムラ＋アル 「アル」はアルミナを、お ７０ ムラ単相 よび「クリ」はクリストバ ６０ ムラ＋クリ ライトをそれぞれ意味する。
【００１８】 ５０ ムラ＋クリ 以下、同じ。 表−２ セラミックスの表面及び内部のＸＲＤ結晶相 Ａｌ２Ｏ３ 試料１ 試料２ （ｗｔ％） 表面 内部 表面 内部 ８５ アル＋ムラ ムラ＋アル ムラ＋アル ムラ＋アル ８０ アル単相 ムラ＋アル ムラ＋アル ムラ＋アル ７０ アル単相 ムラ単相 ムラ単相 ムラ単相 ６０ アル単相 ムラ単相 ムラ＋クリ ムラ＋クリ ５０ アル単相 ムラ単相 ムラ＋クリ ムラ＋クリ 表−３ ビッカース硬度（Ｋｇ／ｍｍ２） Ａｌ２Ｏ３ 試料１ 試料２ （ｗｔ％） ８０ １７００ １２００ ７０ １７００ １１００ ６０ １７００ １０００ ５０ １６００ １０００
【図１】Ａｌ２Ｏ３含有量７０ｗｔ％の原料粉末を焼結
した、実施例における試料１の表面のＸ線回折図であ
る。
した、実施例における試料１の表面のＸ線回折図であ
る。
【図２】Ａｌ２Ｏ３含有量７０ｗｔ％の原料粉末を焼結
した、実施例における試料２の表面のＸ線回折図であ
る。
した、実施例における試料２の表面のＸ線回折図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】Ａｌ２Ｏ３含有量が８０ｗｔ％以下である
ムライト質粉末を成形した後、不活性ガス雰囲気下で焼
結することを特徴とするムライトセラミックスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198300A JPH0524912A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ムライトセラミツクスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3198300A JPH0524912A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ムライトセラミツクスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524912A true JPH0524912A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16388841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3198300A Pending JPH0524912A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | ムライトセラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0524912A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108799B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2012-01-31 | 현대중공업 주식회사 | 가상구획으로 구분되는 구멍 배열을 이용한 저주파수용소음기 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3198300A patent/JPH0524912A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101108799B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2012-01-31 | 현대중공업 주식회사 | 가상구획으로 구분되는 구멍 배열을 이용한 저주파수용소음기 |
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