JPH05243714A - フィルム配線基板およびその製造方法 - Google Patents
フィルム配線基板およびその製造方法Info
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- JPH05243714A JPH05243714A JP4080469A JP8046992A JPH05243714A JP H05243714 A JPH05243714 A JP H05243714A JP 4080469 A JP4080469 A JP 4080469A JP 8046992 A JP8046992 A JP 8046992A JP H05243714 A JPH05243714 A JP H05243714A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 開口部を有する保護膜をスクリーン印刷によ
り1工程で形成する。 【構成】 フィルムベース22の上面に設けられた金属
箔をエッチングして、接続パッド23aおよび引出線2
3bを有する配線パターン23を形成する。この場合、
金属箔とフィルムベース22との間に接着剤が存在しな
いので、引出線23bの線幅を10〜30μm程度とす
ることができる。引出線23bの線幅がこのように小さ
いと、ICチップ24をフリップチップ方式により搭載
する際、一旦溶融した半田は表面張力により接続パッド
23a上に留められ、接続パッド23a上から引出線2
3b上への流出が防止される。この結果、保護膜25の
開口部26に半田堰き止め機能を持たせる必要がなく、
したがって比較的大きな開口部26を有する保護膜25
をスクリーン印刷により1工程で形成することができ
る。
り1工程で形成する。 【構成】 フィルムベース22の上面に設けられた金属
箔をエッチングして、接続パッド23aおよび引出線2
3bを有する配線パターン23を形成する。この場合、
金属箔とフィルムベース22との間に接着剤が存在しな
いので、引出線23bの線幅を10〜30μm程度とす
ることができる。引出線23bの線幅がこのように小さ
いと、ICチップ24をフリップチップ方式により搭載
する際、一旦溶融した半田は表面張力により接続パッド
23a上に留められ、接続パッド23a上から引出線2
3b上への流出が防止される。この結果、保護膜25の
開口部26に半田堰き止め機能を持たせる必要がなく、
したがって比較的大きな開口部26を有する保護膜25
をスクリーン印刷により1工程で形成することができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はフィルム配線基板およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ICチップ等の電子部品を直接搭載する
ためのフィルム配線基板には、例えば図5(A)、
(B)に示すような構造のものがある。このフィルム配
線基板1では、樹脂からなるフィルムベース2の上面に
後で説明するように接着剤3を介して銅等の金属からな
る配線パターン4が形成されている。配線パターン4の
所定の一部は、ほぼ円形状の接続パッド4aおよびこの
接続パッド4aから引き出された引出線4bとなってい
る。接続パッド4aの上面中心部を除く全上面にはエポ
キシ系等の樹脂からなる保護膜5が設けられている。こ
れにより、接続パッド4aの上面中心部に対応する部分
の保護膜5にはほぼ円形状の開口部6が形成されてい
る。そして、後で説明するように、開口部6を介して露
出された接続パッド4aにICチップ7の接続電極を半
田バンプを介して接続すると、フィルム配線基板1上に
ICチップ7が搭載される。
ためのフィルム配線基板には、例えば図5(A)、
(B)に示すような構造のものがある。このフィルム配
線基板1では、樹脂からなるフィルムベース2の上面に
後で説明するように接着剤3を介して銅等の金属からな
る配線パターン4が形成されている。配線パターン4の
所定の一部は、ほぼ円形状の接続パッド4aおよびこの
接続パッド4aから引き出された引出線4bとなってい
る。接続パッド4aの上面中心部を除く全上面にはエポ
キシ系等の樹脂からなる保護膜5が設けられている。こ
れにより、接続パッド4aの上面中心部に対応する部分
の保護膜5にはほぼ円形状の開口部6が形成されてい
る。そして、後で説明するように、開口部6を介して露
出された接続パッド4aにICチップ7の接続電極を半
田バンプを介して接続すると、フィルム配線基板1上に
ICチップ7が搭載される。
【0003】次に、従来のこのようなフィルム配線基板
1を製造する場合について図6(A)〜(C)を参照し
ながら説明する。まず、図6(A)に示すように、フィ
ルムベース2の上面に配線パターン4(図5(A)参
照)を形成するための金属箔8を接着剤3を介して接着
する。次に、金属箔8の上面に、公知のフォトリソグラ
フィの方法により、配線パターン4に対応した所定のパ
ターンを有するフォトレジスト9を形成する。次に、こ
のフォトレジスト9をエッチングマスクとして塩化第二
銅溶液または塩化第二鉄溶液等によるウエットエッチン
グにより金属箔8をエッチングすると、図6(B)およ
び図5(A)に示すように、接続パッド4aおよび引出
線4bを有する配線パターン4が形成される。この後、
フォトレジスト9を剥離する。次に、図6(C)に示す
ように、全上面に、スピンコートまたはロールコート等
の方法によりエポキシ系等の樹脂を被膜した後乾燥する
ことにより、保護膜5を形成し、次いで、保護膜5の上
面に、フォトリソグラフィの方法により、開口部6(図
5(B)参照)に対応した位置に開口部10aを有する
所定のパターンのフォトレジスト10を形成する。次
に、このフォトレジスト10をエッチングマスクとして
公知の方法により保護膜5をエッチングすると、図5
(A)、(B)に示すように、接続パッド4aの上面中
心部に対応する部分における保護膜5にはほぼ円形状の
開口部6が形成される。この後、フォトレジスト10を
剥離する。かくして、フィルム配線基板1が製造され
る。
1を製造する場合について図6(A)〜(C)を参照し
ながら説明する。まず、図6(A)に示すように、フィ
ルムベース2の上面に配線パターン4(図5(A)参
照)を形成するための金属箔8を接着剤3を介して接着
する。次に、金属箔8の上面に、公知のフォトリソグラ
フィの方法により、配線パターン4に対応した所定のパ
ターンを有するフォトレジスト9を形成する。次に、こ
のフォトレジスト9をエッチングマスクとして塩化第二
銅溶液または塩化第二鉄溶液等によるウエットエッチン
グにより金属箔8をエッチングすると、図6(B)およ
び図5(A)に示すように、接続パッド4aおよび引出
線4bを有する配線パターン4が形成される。この後、
フォトレジスト9を剥離する。次に、図6(C)に示す
ように、全上面に、スピンコートまたはロールコート等
の方法によりエポキシ系等の樹脂を被膜した後乾燥する
ことにより、保護膜5を形成し、次いで、保護膜5の上
面に、フォトリソグラフィの方法により、開口部6(図
5(B)参照)に対応した位置に開口部10aを有する
所定のパターンのフォトレジスト10を形成する。次
に、このフォトレジスト10をエッチングマスクとして
公知の方法により保護膜5をエッチングすると、図5
(A)、(B)に示すように、接続パッド4aの上面中
心部に対応する部分における保護膜5にはほぼ円形状の
開口部6が形成される。この後、フォトレジスト10を
剥離する。かくして、フィルム配線基板1が製造され
る。
【0004】次に、このフィルム配線基板1上にICチ
ップ7をフリップチップ方式により搭載する場合につい
て図7(A)〜(C)を参照しながら説明する。まず、
図7(A)に示すように、ICチップ7を搭載すべき部
分に対応する部分のフィルム配線基板1の上面に凸版印
刷によりフラックス11を塗布する。このフラックス1
1はICチップ7を仮固定するためのものである。次
に、図7(B)に示すように、開口部6の部分における
接続パッド4a(図5(A)参照)上にICチップ7の
接続電極12をこれに予め設けられた半田バンプ13と
ともに位置合わせして配置し、フラックス11によって
仮固定した後、図示しない熱圧着ヘッド等を用いて熱圧
着すると、半田バンプ13が一旦溶融して接続パッド4
aに密着した後固化することにより、ICチップ7の接
続電極12が半田バンプ13を介して接続パッド4aに
接続される。この後、フラックス11を溶剤による洗浄
等の公知の方法により除去し、次いで図7(C)に示す
ように、エポキシ系等の樹脂からなる封止剤14によっ
て封止する。かくして、フィルム配線基板1上にICチ
ップ7が搭載される。
ップ7をフリップチップ方式により搭載する場合につい
て図7(A)〜(C)を参照しながら説明する。まず、
図7(A)に示すように、ICチップ7を搭載すべき部
分に対応する部分のフィルム配線基板1の上面に凸版印
刷によりフラックス11を塗布する。このフラックス1
1はICチップ7を仮固定するためのものである。次
に、図7(B)に示すように、開口部6の部分における
接続パッド4a(図5(A)参照)上にICチップ7の
接続電極12をこれに予め設けられた半田バンプ13と
ともに位置合わせして配置し、フラックス11によって
仮固定した後、図示しない熱圧着ヘッド等を用いて熱圧
着すると、半田バンプ13が一旦溶融して接続パッド4
aに密着した後固化することにより、ICチップ7の接
続電極12が半田バンプ13を介して接続パッド4aに
接続される。この後、フラックス11を溶剤による洗浄
等の公知の方法により除去し、次いで図7(C)に示す
ように、エポキシ系等の樹脂からなる封止剤14によっ
て封止する。かくして、フィルム配線基板1上にICチ
ップ7が搭載される。
【0005】ところで、従来のこのようなフィルム配線
基板1では、配線パターン4を含むフィルムベース2の
全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォトリソグラ
フィの方法により形成しているので、例えば開口部6を
有する保護膜5をスクリーン印刷により1工程で形成す
る場合と比較して、保護膜被覆工程、フォトレジスト被
覆工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、フォト
レジスト剥離工程というように、工程数がかなり多くな
ってしまう。
基板1では、配線パターン4を含むフィルムベース2の
全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォトリソグラ
フィの方法により形成しているので、例えば開口部6を
有する保護膜5をスクリーン印刷により1工程で形成す
る場合と比較して、保護膜被覆工程、フォトレジスト被
覆工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、フォト
レジスト剥離工程というように、工程数がかなり多くな
ってしまう。
【0006】ここで、配線パターン4を含むフィルムベ
ース2の全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォト
リソグラフィの方法により形成する理由について説明す
る。まず、フィルムベース2の上面に接着剤3を介して
接着した金属箔8をフォトレジスト9をエッチングマス
クとしてウエットエッチングすることにより接続パッド
4aおよび引出線4bを有する配線パターン4を形成し
ているので、フォトレジスト9の線幅を50μm以下と
しても、接着剤3の存在により、例えば引出線4bの断
面がほぼ台形状となって裾の部分を除去することができ
ず、このため引出線4bの線幅を50μm以下とするこ
とができず、50〜60μm程度が限界である。この場
合、接続パッド4aの直径を100〜140μm程度と
し、この接続パッド4aにICチップ7の接続電極12
を半田バンプ13を介して接続すると、引出線4bの線
幅が50〜60μm程度と比較的大きいため、熱圧着時
に一旦溶融した半田バンプ13が接続パッド4a上から
引出線4b上に流れ出し、さらに引出線4b上からその
隣の引出線4bに向かって流れ出し、隣合う引出線4b
間で短絡が発生してしまうことがある。
ース2の全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォト
リソグラフィの方法により形成する理由について説明す
る。まず、フィルムベース2の上面に接着剤3を介して
接着した金属箔8をフォトレジスト9をエッチングマス
クとしてウエットエッチングすることにより接続パッド
4aおよび引出線4bを有する配線パターン4を形成し
ているので、フォトレジスト9の線幅を50μm以下と
しても、接着剤3の存在により、例えば引出線4bの断
面がほぼ台形状となって裾の部分を除去することができ
ず、このため引出線4bの線幅を50μm以下とするこ
とができず、50〜60μm程度が限界である。この場
合、接続パッド4aの直径を100〜140μm程度と
し、この接続パッド4aにICチップ7の接続電極12
を半田バンプ13を介して接続すると、引出線4bの線
幅が50〜60μm程度と比較的大きいため、熱圧着時
に一旦溶融した半田バンプ13が接続パッド4a上から
引出線4b上に流れ出し、さらに引出線4b上からその
隣の引出線4bに向かって流れ出し、隣合う引出線4b
間で短絡が発生してしまうことがある。
【0007】そこで、接続パッド4a上から引出線4b
上への半田の流出を防止するために、保護膜5の開口部
6の直径を接続パッド4aの直径よりもやや小さくし、
例えば60〜100μm程度とし、この開口部6によっ
て半田を堰き止めて流出しないようにしている。しかる
に、保護膜5の開口部6の直径が60〜100μm程度
と微細なパターンであると、開口部6を有する保護膜5
をスクリーン印刷により形成することができず、フォト
リソグラフィの方法により形成することになる。この理
由は、スクリーン印刷の場合には、最小開口部の直径寸
法が200μm程度で位置精度が±300μm程度以内
であり、これに対し、フォトリソグラフィの方法の場合
には、最小開口部の直径寸法が10μm程度で位置精度
が±20μm程度以内であるからである。
上への半田の流出を防止するために、保護膜5の開口部
6の直径を接続パッド4aの直径よりもやや小さくし、
例えば60〜100μm程度とし、この開口部6によっ
て半田を堰き止めて流出しないようにしている。しかる
に、保護膜5の開口部6の直径が60〜100μm程度
と微細なパターンであると、開口部6を有する保護膜5
をスクリーン印刷により形成することができず、フォト
リソグラフィの方法により形成することになる。この理
由は、スクリーン印刷の場合には、最小開口部の直径寸
法が200μm程度で位置精度が±300μm程度以内
であり、これに対し、フォトリソグラフィの方法の場合
には、最小開口部の直径寸法が10μm程度で位置精度
が±20μm程度以内であるからである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のフ
ィルム配線基板1では、配線パターン4を含むフィルム
ベース2の全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォ
トリソグラフィの方法により形成しているので、例えば
スクリーン印刷により1工程で形成する場合と比較し
て、工程数がかなり多く、生産性が悪いばかりでなく、
コストがアップするという問題があった。この発明の目
的は、開口部を有する保護膜をスクリーン印刷により1
工程で形成することのできるフィルム配線基板およびそ
の製造方法を提供することにある。
ィルム配線基板1では、配線パターン4を含むフィルム
ベース2の全上面に被覆した保護膜5に開口部6をフォ
トリソグラフィの方法により形成しているので、例えば
スクリーン印刷により1工程で形成する場合と比較し
て、工程数がかなり多く、生産性が悪いばかりでなく、
コストがアップするという問題があった。この発明の目
的は、開口部を有する保護膜をスクリーン印刷により1
工程で形成することのできるフィルム配線基板およびそ
の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
フィルムベースの上面に形成された配線パターンの接続
パッドから引き出された引出線の線幅を10〜30μm
程度とし、前記配線パターンを含む前記フィルムベース
の上面のうち前記接続パッドの配列部以外の部分に保護
膜が形成されていることにより、前記保護膜に前記接続
パッドの配列部に対応した開口部を形成したものであ
る。請求項3記載の発明は、フィルムベースの上面に配
線パターンをその接続パッドから引き出された引出線の
線幅が10〜30μm程度となるように形成し、前記配
線パターンを含む前記フィルムベースの上面のうち前記
接続パッドの配列部以外の部分にスクリーン印刷により
保護膜を形成することにより、前記保護膜に前記接続パ
ッドの配列部に対応した開口部を形成するようにしたも
のである。
フィルムベースの上面に形成された配線パターンの接続
パッドから引き出された引出線の線幅を10〜30μm
程度とし、前記配線パターンを含む前記フィルムベース
の上面のうち前記接続パッドの配列部以外の部分に保護
膜が形成されていることにより、前記保護膜に前記接続
パッドの配列部に対応した開口部を形成したものであ
る。請求項3記載の発明は、フィルムベースの上面に配
線パターンをその接続パッドから引き出された引出線の
線幅が10〜30μm程度となるように形成し、前記配
線パターンを含む前記フィルムベースの上面のうち前記
接続パッドの配列部以外の部分にスクリーン印刷により
保護膜を形成することにより、前記保護膜に前記接続パ
ッドの配列部に対応した開口部を形成するようにしたも
のである。
【0010】
【作用】この発明によれば、引出線の線幅を10〜30
μm程度と比較的小さくしているので、一旦溶融した半
田を表面張力により接続パッド上に留めることができ、
このため保護膜の開口部に半田堰き止め機能を持たせる
必要がなく、したがってこの開口部の大きさを接続パッ
ドの配列部分に対応する大きさというように比較的大き
くしても何ら支障がなく、ひいては開口部を有する保護
膜をスクリーン印刷により1工程で形成することができ
る。
μm程度と比較的小さくしているので、一旦溶融した半
田を表面張力により接続パッド上に留めることができ、
このため保護膜の開口部に半田堰き止め機能を持たせる
必要がなく、したがってこの開口部の大きさを接続パッ
ドの配列部分に対応する大きさというように比較的大き
くしても何ら支障がなく、ひいては開口部を有する保護
膜をスクリーン印刷により1工程で形成することができ
る。
【0011】
【実施例】図1(A)、(B)はこの発明の一実施例に
おけるフィルム配線基板の要部を示したものである。こ
のフィルム配線基板21では、樹脂からなるフィルムベ
ース22の上面に後で説明するように銅等の金属からな
る配線パターン23が形成されている。配線パターン2
3の所定の一部は、ほぼ円形状の接続パッド23aおよ
びこの接続パッド23aから引き出された引出線23b
となっている。配線パターン23を含むフィルムベース
22の上面のうち接続パッド23aの配列部、すなわち
ICチップ24が搭載される部分に対応する部分よりも
やや大きめの部分以外の部分にはエポキシ系等の樹脂か
らなる保護膜25が設けられている。これにより、IC
チップ24が搭載される部分に対応する部分よりもやや
大きめの部分における保護膜25にはほぼ方形状の開口
部26が形成されている。そして、後で説明するよう
に、開口部26を介して露出された接続パッド23aに
ICチップ24の接続電極を半田バンプを介して接続す
ると、フィルム配線基板21上にICチップ24が搭載
される。
おけるフィルム配線基板の要部を示したものである。こ
のフィルム配線基板21では、樹脂からなるフィルムベ
ース22の上面に後で説明するように銅等の金属からな
る配線パターン23が形成されている。配線パターン2
3の所定の一部は、ほぼ円形状の接続パッド23aおよ
びこの接続パッド23aから引き出された引出線23b
となっている。配線パターン23を含むフィルムベース
22の上面のうち接続パッド23aの配列部、すなわち
ICチップ24が搭載される部分に対応する部分よりも
やや大きめの部分以外の部分にはエポキシ系等の樹脂か
らなる保護膜25が設けられている。これにより、IC
チップ24が搭載される部分に対応する部分よりもやや
大きめの部分における保護膜25にはほぼ方形状の開口
部26が形成されている。そして、後で説明するよう
に、開口部26を介して露出された接続パッド23aに
ICチップ24の接続電極を半田バンプを介して接続す
ると、フィルム配線基板21上にICチップ24が搭載
される。
【0012】次に、このフィルム配線基板21を製造す
る場合について図2(A)、(B)を参照しながら説明
する。まず、図2(A)に示すように、フィルムベース
22の上面に配線パターン23(図1(A)参照)を形
成するための金属箔27が被覆されたものを用意する。
このようなものの形成方法としては、銅等の金属箔27
の表面にポリイミド等の樹脂のワニスをコーティングし
た後ワニスを固化させてフィルムベース22を形成する
キャスティング方法、あるいはフィルムベース22の上
面にスパッタリングや無電解メッキ等によって金属箔2
7を被覆させる方法等がある。次に、金属箔27の上面
に、フォトリソグラフィの方法により、配線パターン2
3に対応した所定のパターンを有するフォトレジスト2
8を形成する。次に、このフォトレジスト28をエッチ
ングマスクとして塩化第二銅溶液または塩化第二鉄溶液
等によるウエットエッチングにより金属箔27をエッチ
ングすると、図2(B)および図1(A)に示すよう
に、接続パッド23aおよび引出線23bを有する配線
パターン23が形成される。この場合、金属箔27とフ
ィルムベース22との間に接着剤が存在しないので、接
続パッド23aの直径を従来と同様に100〜140μ
m程度とするとともに、引出線23bの線幅を10〜3
0μm程度とすることができる。この後、フォトレジス
ト28を剥離する。次に、所定のパターンを有するスク
リーンマスクを用いたスクリーン印刷によりエポキシ系
等の樹脂を塗布した後乾燥すると、図1(A)、(B)
に示すように、ICチップ24の外形よりもやや大きめ
の方形状の開口部26を有する保護膜25が形成され
る。かくして、フィルム配線基板21が製造される。
る場合について図2(A)、(B)を参照しながら説明
する。まず、図2(A)に示すように、フィルムベース
22の上面に配線パターン23(図1(A)参照)を形
成するための金属箔27が被覆されたものを用意する。
このようなものの形成方法としては、銅等の金属箔27
の表面にポリイミド等の樹脂のワニスをコーティングし
た後ワニスを固化させてフィルムベース22を形成する
キャスティング方法、あるいはフィルムベース22の上
面にスパッタリングや無電解メッキ等によって金属箔2
7を被覆させる方法等がある。次に、金属箔27の上面
に、フォトリソグラフィの方法により、配線パターン2
3に対応した所定のパターンを有するフォトレジスト2
8を形成する。次に、このフォトレジスト28をエッチ
ングマスクとして塩化第二銅溶液または塩化第二鉄溶液
等によるウエットエッチングにより金属箔27をエッチ
ングすると、図2(B)および図1(A)に示すよう
に、接続パッド23aおよび引出線23bを有する配線
パターン23が形成される。この場合、金属箔27とフ
ィルムベース22との間に接着剤が存在しないので、接
続パッド23aの直径を従来と同様に100〜140μ
m程度とするとともに、引出線23bの線幅を10〜3
0μm程度とすることができる。この後、フォトレジス
ト28を剥離する。次に、所定のパターンを有するスク
リーンマスクを用いたスクリーン印刷によりエポキシ系
等の樹脂を塗布した後乾燥すると、図1(A)、(B)
に示すように、ICチップ24の外形よりもやや大きめ
の方形状の開口部26を有する保護膜25が形成され
る。かくして、フィルム配線基板21が製造される。
【0013】次に、このフィルム配線基板21上にIC
チップ24をフリップチップ方式により搭載する場合に
ついて図3(A)〜(C)を参照しながら説明する。ま
ず、図3(A)に示すように、ICチップ24を搭載す
べき部分に対応する部分のフィルム配線基板21の上面
に凸版印刷によりフラックス29を塗布する。次に、図
3(B)に示すように、接続パッド23a(図1(A)
参照)上にICチップ24の接続電極30をこれに予め
設けられた半田バンプ31とともに位置合わせして配置
し、フラックス29によって仮固定した後、図示しない
熱圧着ヘッド等を用いて熱圧着すると、半田バンプ31
が一旦溶融して接続パッド23aに密着した後固化する
ことにより、ICチップ24の接続電極30が半田バン
プ31を介して接続パッド23aに接続される。この場
合、引出線23bの線幅が10〜30μm程度と比較的
小さいので、一旦溶融した半田は表面張力により接続パ
ッド23a上に留められ、接続パッド23a上から引出
線23b上への流出が防止される。この後、フラックス
29を除去し、次いで図3(C)に示すように、封止剤
42によって封止する。この場合、ICチップ24の外
形よりもやや大きめの開口部26は封止剤32によって
覆われる。かくして、フィルム配線基板21上にICチ
ップ24が搭載される。
チップ24をフリップチップ方式により搭載する場合に
ついて図3(A)〜(C)を参照しながら説明する。ま
ず、図3(A)に示すように、ICチップ24を搭載す
べき部分に対応する部分のフィルム配線基板21の上面
に凸版印刷によりフラックス29を塗布する。次に、図
3(B)に示すように、接続パッド23a(図1(A)
参照)上にICチップ24の接続電極30をこれに予め
設けられた半田バンプ31とともに位置合わせして配置
し、フラックス29によって仮固定した後、図示しない
熱圧着ヘッド等を用いて熱圧着すると、半田バンプ31
が一旦溶融して接続パッド23aに密着した後固化する
ことにより、ICチップ24の接続電極30が半田バン
プ31を介して接続パッド23aに接続される。この場
合、引出線23bの線幅が10〜30μm程度と比較的
小さいので、一旦溶融した半田は表面張力により接続パ
ッド23a上に留められ、接続パッド23a上から引出
線23b上への流出が防止される。この後、フラックス
29を除去し、次いで図3(C)に示すように、封止剤
42によって封止する。この場合、ICチップ24の外
形よりもやや大きめの開口部26は封止剤32によって
覆われる。かくして、フィルム配線基板21上にICチ
ップ24が搭載される。
【0014】このように、このフィルム配線基板21で
は、引出線23bの線幅が10〜30μm程度と比較的
小さいので、一旦溶融した半田を表面張力により接続パ
ッド23a上に留めることができ、したがって接続パッ
ド23a上から引出線23b上への半田の流出を防止す
ることができ、ひいては隣合う引出線23b間で短絡が
発生しないようにすることができる。この結果、保護膜
25の開口部26に半田堰き止め機能を持たせる必要が
なく、したがってこの開口部26の大きさをICチップ
24の外形よりもやや大きくしても何ら支障がなく、ひ
いては開口部26を有する保護膜25をスクリーン印刷
により1工程で形成することができ、生産性が向上し、
コストダウンを図ることができる。ところで、搭載され
たICチップ24の端部から封止剤32の端部までの距
離を500μm程度とすると、スクリーン印刷による位
置精度が±300μm程度であるので、開口部26の大
きさとしてはICチップ24の外形に等しい大きさから
この外形に対して各辺とも200μm程度長くした大き
さの範囲内であればよい。
は、引出線23bの線幅が10〜30μm程度と比較的
小さいので、一旦溶融した半田を表面張力により接続パ
ッド23a上に留めることができ、したがって接続パッ
ド23a上から引出線23b上への半田の流出を防止す
ることができ、ひいては隣合う引出線23b間で短絡が
発生しないようにすることができる。この結果、保護膜
25の開口部26に半田堰き止め機能を持たせる必要が
なく、したがってこの開口部26の大きさをICチップ
24の外形よりもやや大きくしても何ら支障がなく、ひ
いては開口部26を有する保護膜25をスクリーン印刷
により1工程で形成することができ、生産性が向上し、
コストダウンを図ることができる。ところで、搭載され
たICチップ24の端部から封止剤32の端部までの距
離を500μm程度とすると、スクリーン印刷による位
置精度が±300μm程度であるので、開口部26の大
きさとしてはICチップ24の外形に等しい大きさから
この外形に対して各辺とも200μm程度長くした大き
さの範囲内であればよい。
【0015】なお、上記実施例では保護膜25の開口部
26の形状をICチップ24の外形に対応させてほぼ方
形状としているが、これに限らず、例えば図4(A)、
(B)に示すように、開口部26の中央部に島状の保護
膜25aを形成してもよい。また、上記実施例ではフラ
ックス29をフィルム配線基板21の上面に設けた後に
ICチップ24をフィルム配線基板21上に搭載してい
るが、フラックス29をICチップ24の底面に設けた
後にICチップ24をフィルム配線基板21上に搭載す
るようにしてもよい。
26の形状をICチップ24の外形に対応させてほぼ方
形状としているが、これに限らず、例えば図4(A)、
(B)に示すように、開口部26の中央部に島状の保護
膜25aを形成してもよい。また、上記実施例ではフラ
ックス29をフィルム配線基板21の上面に設けた後に
ICチップ24をフィルム配線基板21上に搭載してい
るが、フラックス29をICチップ24の底面に設けた
後にICチップ24をフィルム配線基板21上に搭載す
るようにしてもよい。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、引出線の線幅を10〜30μm程度と比較的小さく
しているので、一旦溶融した半田を表面張力により接続
パッド上に留めることができ、このため保護膜の開口部
に半田堰き止め機能を持たせる必要がなく、したがって
この開口部の大きさを接続パッドの配列部に対応する大
きさというように比較的大きくしても何ら支障がなく、
ひいては開口部を有する保護膜をスクリーン印刷により
1工程で形成することができ、生産性が向上し、コスト
ダウンを図ることができる。
ば、引出線の線幅を10〜30μm程度と比較的小さく
しているので、一旦溶融した半田を表面張力により接続
パッド上に留めることができ、このため保護膜の開口部
に半田堰き止め機能を持たせる必要がなく、したがって
この開口部の大きさを接続パッドの配列部に対応する大
きさというように比較的大きくしても何ら支障がなく、
ひいては開口部を有する保護膜をスクリーン印刷により
1工程で形成することができ、生産性が向上し、コスト
ダウンを図ることができる。
【図1】(A)はこの発明の一実施例におけるフィルム
配線基板の要部の平面図、(B)はそのX−X線に沿う
断面図。
配線基板の要部の平面図、(B)はそのX−X線に沿う
断面図。
【図2】(A)、(B)はそれぞれこのフィルム配線基
板の各製造工程を示す断面図。
板の各製造工程を示す断面図。
【図3】(A)〜(C)はそれぞれこのフィルム配線基
板上にICチップを搭載する場合の各工程を示す断面
図。
板上にICチップを搭載する場合の各工程を示す断面
図。
【図4】(A)はこの発明の他の実施例におけるフィル
ム配線基板の要部の平面図、(B)はそのY−Y線に沿
う断面図。
ム配線基板の要部の平面図、(B)はそのY−Y線に沿
う断面図。
【図5】(A)は従来のフィルム配線基板の一部の平面
図、(B)はそのZ−Z線に沿う断面図。
図、(B)はそのZ−Z線に沿う断面図。
【図6】(A)〜(C)はそれぞれこの従来のフィルム
配線基板の各製造工程を示す断面図。
配線基板の各製造工程を示す断面図。
【図7】(A)〜(C)はそれぞれこの従来のフィルム
配線基板上にICチップを搭載する場合の各工程を示す
断面図。
配線基板上にICチップを搭載する場合の各工程を示す
断面図。
21 フィルム配線基板 22 フィルムベース 23 配線パターン 23a 接続パッド 23b 引出線 24 ICチップ 25 保護膜 26 開口部
Claims (3)
- 【請求項1】 フィルムベースの上面に形成された配線
パターンの接続パッドから引き出された引出線の線幅が
10〜30μm程度であって、前記配線パターンを含む
前記フィルムベースの上面のうち前記接続パッドの配列
部以外の部分に保護膜が形成されていることにより、前
記保護膜に前記接続パッドの配列部に対応した開口部が
形成されていることを特徴とするフィルム配線基板。 - 【請求項2】 フィルムベースの上面に配線パターンを
その接続パッドから引き出された引出線の線幅が10〜
30μm程度となるように形成し、前記配線パターンを
含む前記フィルムベースの上面のうち前記接続パッドの
配列部以外の部分にスクリーン印刷により保護膜を形成
することにより、前記保護膜に前記接続パッドの配列部
に対応した開口部を形成することを特徴とするフィルム
配線基板の製造方法。 - 【請求項3】 前記フィルムベースはキャスティング方
法によって形成されていることを特徴とする請求項3記
載のフィルム配線基板の製造方法。
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