JPH07142849A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- JPH07142849A JPH07142849A JP5313996A JP31399693A JPH07142849A JP H07142849 A JPH07142849 A JP H07142849A JP 5313996 A JP5313996 A JP 5313996A JP 31399693 A JP31399693 A JP 31399693A JP H07142849 A JPH07142849 A JP H07142849A
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- JP
- Japan
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- connection pad
- lead wire
- vicinity
- recess
- wiring board
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 接続パッド上から引出線上への半田の流出を
防止し、また接続パッドおよび引出線の機械的強度を高
める。 【構成】 基板１の上面には接続パッド６ａおよび引出
線６ｂを含む配線パターン６が形成され、引出線６ｂの
一部には凹部８が形成されている。そして、接続パッド
６ａの側面およびその近傍と引出線６ｂの凹部８および
その近傍は補強膜９で覆われている。このため、ＩＣチ
ップをフリップチップ方式により搭載する場合、一端溶
融した半田は表面張力により接続パッド６ａ上に留めら
れ、接続パッド６ａ上から引出線６ｂ上への流出が防止
される。また、接続パッド６ａおよびその近傍の引出線
６ｂの機械的強度を高めることができる。
防止し、また接続パッドおよび引出線の機械的強度を高
める。 【構成】 基板１の上面には接続パッド６ａおよび引出
線６ｂを含む配線パターン６が形成され、引出線６ｂの
一部には凹部８が形成されている。そして、接続パッド
６ａの側面およびその近傍と引出線６ｂの凹部８および
その近傍は補強膜９で覆われている。このため、ＩＣチ
ップをフリップチップ方式により搭載する場合、一端溶
融した半田は表面張力により接続パッド６ａ上に留めら
れ、接続パッド６ａ上から引出線６ｂ上への流出が防止
される。また、接続パッド６ａおよびその近傍の引出線
６ｂの機械的強度を高めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は配線基板およびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップ等の電子部品を直接搭載する
ための配線基板には、基板の上面にほぼ円形状の接続パ
ッドおよびこの接続パッドから引き出された引出線を含
む配線パターンが形成され、そして接続パッドにＩＣチ
ップ等の電子部品の接続パッドを半田バンプを介して接
続することにより、ＩＣチップ等の電子部品を搭載する
ようにしたものがある。
ための配線基板には、基板の上面にほぼ円形状の接続パ
ッドおよびこの接続パッドから引き出された引出線を含
む配線パターンが形成され、そして接続パッドにＩＣチ
ップ等の電子部品の接続パッドを半田バンプを介して接
続することにより、ＩＣチップ等の電子部品を搭載する
ようにしたものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このような配線基板では、ＩＣチップ等の電子部品を搭
載する際に、一旦溶融した半田が接続パッド上から引出
線上に流れ出し、さらに引出線上からその近傍の基板上
に流れ出し、隣合う引出線間等でショートが発生するこ
とがあり、また半田の流出により半田の高さ（量）が変
化し、ＩＣチップ等の電子部品の接続強度が低下してし
まうという問題があった。また、従来のこのような配線
基板では、配線パターンのピッチが１００μｍ以上の通
常ピッチである場合には、配線パターンの基板に対する
接着面積を比較的大きくすることができるが、ファイン
ピッチ（５０〜８０μｍ）化が進むにつれて、配線パタ
ーンの基板に対する接着面積が小さくなり、ひいては配
線パターンの機械的強度や基板への密着度が低下するこ
とになる。この結果、搭載されたＩＣチップ等の電子部
品に外力が加わったとき、接続パッドおよびその近傍の
引出線が基板から剥がれてしまうことがあるという問題
があった。また、ＩＣチップを搭載した直後の試験によ
りＩＣチップが不良品と判定され、これを別のＩＣチッ
プと交換するために、搭載したＩＣチップを取り去る場
合にも、接続パッドおよびその近傍の引出線が基板から
剥がれてしまうことがあるという問題があった。この場
合、ＩＣチップのみを取り去ることができたとしても、
接続パッド上に残存する半田をきれいに取り除くため
に、半田を溶融させて吸引ヘッドによって吸引する際
に、吸引ヘッドが接続パッドおよびその近傍の引出線に
当たると、接続パッドおよびその近傍の引出線が基板か
ら剥がれてしまうことがあるという問題もあった。この
発明の目的は、接続パッド上から引出線上への半田の流
出を防止することができ、また接続パッドおよびその近
傍の引出線の機械的強度や基板への密着度を高めること
のできる配線基板およびその製造方法を提供することに
ある。
このような配線基板では、ＩＣチップ等の電子部品を搭
載する際に、一旦溶融した半田が接続パッド上から引出
線上に流れ出し、さらに引出線上からその近傍の基板上
に流れ出し、隣合う引出線間等でショートが発生するこ
とがあり、また半田の流出により半田の高さ（量）が変
化し、ＩＣチップ等の電子部品の接続強度が低下してし
まうという問題があった。また、従来のこのような配線
基板では、配線パターンのピッチが１００μｍ以上の通
常ピッチである場合には、配線パターンの基板に対する
接着面積を比較的大きくすることができるが、ファイン
ピッチ（５０〜８０μｍ）化が進むにつれて、配線パタ
ーンの基板に対する接着面積が小さくなり、ひいては配
線パターンの機械的強度や基板への密着度が低下するこ
とになる。この結果、搭載されたＩＣチップ等の電子部
品に外力が加わったとき、接続パッドおよびその近傍の
引出線が基板から剥がれてしまうことがあるという問題
があった。また、ＩＣチップを搭載した直後の試験によ
りＩＣチップが不良品と判定され、これを別のＩＣチッ
プと交換するために、搭載したＩＣチップを取り去る場
合にも、接続パッドおよびその近傍の引出線が基板から
剥がれてしまうことがあるという問題があった。この場
合、ＩＣチップのみを取り去ることができたとしても、
接続パッド上に残存する半田をきれいに取り除くため
に、半田を溶融させて吸引ヘッドによって吸引する際
に、吸引ヘッドが接続パッドおよびその近傍の引出線に
当たると、接続パッドおよびその近傍の引出線が基板か
ら剥がれてしまうことがあるという問題もあった。この
発明の目的は、接続パッド上から引出線上への半田の流
出を防止することができ、また接続パッドおよびその近
傍の引出線の機械的強度や基板への密着度を高めること
のできる配線基板およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の配線基板
は、基板の上面に形成された配線パターンの接続パッド
から引き出された引出線の前記接続パッドの近傍に凹部
を設け、少なくとも前記凹部および該凹部の近傍を補強
膜で被ったものである。請求項２記載の配線基板の製造
方法は、基板の上面に接続パッドおよび該接続パッドか
ら引き出された引出線を含む配線パターンを形成し、前
記引出線の前記接続パッドの近傍に凹部を形成し、少な
くとも前記凹部および該凹部の近傍を補強膜で被うよう
にしたものである。
は、基板の上面に形成された配線パターンの接続パッド
から引き出された引出線の前記接続パッドの近傍に凹部
を設け、少なくとも前記凹部および該凹部の近傍を補強
膜で被ったものである。請求項２記載の配線基板の製造
方法は、基板の上面に接続パッドおよび該接続パッドか
ら引き出された引出線を含む配線パターンを形成し、前
記引出線の前記接続パッドの近傍に凹部を形成し、少な
くとも前記凹部および該凹部の近傍を補強膜で被うよう
にしたものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、引出線の接続パッドの近傍
に凹部を設けているので、引出線と接続パッドとの境界
に段差ができ、これによって一旦溶融した半田が表面張
力によりこの段差から流出することなく接続パッド上に
留まることとなり、したがって接続パッド上から引出線
上への半田の流出を防止することができる。また、少な
くとも凹部および該凹部の近傍を補強膜で被っているの
で、接続パッドおよびその近傍の引出線の機械的強度や
基板への密着度を高めることができる。
に凹部を設けているので、引出線と接続パッドとの境界
に段差ができ、これによって一旦溶融した半田が表面張
力によりこの段差から流出することなく接続パッド上に
留まることとなり、したがって接続パッド上から引出線
上への半田の流出を防止することができる。また、少な
くとも凹部および該凹部の近傍を補強膜で被っているの
で、接続パッドおよびその近傍の引出線の機械的強度や
基板への密着度を高めることができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図１１はそれぞれこの発明の一実施例
における配線基板の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、この実施例の配
線基板の構造についてその製造方法と併せ説明する。
における配線基板の各製造工程を示したものである。そ
こで、これらの図を順に参照しながら、この実施例の配
線基板の構造についてその製造方法と併せ説明する。
【０００７】まず、図１に示すように、セラミックやガ
ラスエポキシ等からなるリジットなあるいはポリイミド
等の樹脂からなるフレキシブルな基板１の上面に導体薄
膜２が形成されたものを用意する。このようなものの形
成方法としては、基板１の上面に銅等の金属箔からなる
導体薄膜２を接着剤を介して接着する方法、基板１の上
面にスパッタリングや無電解メッキ等によって導体薄膜
２を形成する方法、銅等の金属箔からなる導体薄膜２の
表面にポリイミド等の樹脂のワニスをコーティングした
後ワニスを固化させて基板１を形成するキャスティング
方法等がある。この場合、導体薄膜２の厚さは１５〜４
０μｍ程度となるようにする。
ラスエポキシ等からなるリジットなあるいはポリイミド
等の樹脂からなるフレキシブルな基板１の上面に導体薄
膜２が形成されたものを用意する。このようなものの形
成方法としては、基板１の上面に銅等の金属箔からなる
導体薄膜２を接着剤を介して接着する方法、基板１の上
面にスパッタリングや無電解メッキ等によって導体薄膜
２を形成する方法、銅等の金属箔からなる導体薄膜２の
表面にポリイミド等の樹脂のワニスをコーティングした
後ワニスを固化させて基板１を形成するキャスティング
方法等がある。この場合、導体薄膜２の厚さは１５〜４
０μｍ程度となるようにする。
【０００８】次に、図２に示すように、導体薄膜２の上
面にポジ型のフォトレジスト膜３をスピンコートやロー
ルコート等の方法により形成する。次に、図３に示すよ
うに、形成すべき配線パターンに対応した所定のパター
ンを有するマスク４を用いて露光し、次いで現像する
と、図４に示すように、形成すべき配線パターンに対応
したフォトレジストパターン５が形成される。次に、こ
のフォトレジストパターン５をエッチングマスクとして
導体薄膜２をエッチングすると、図５に示すように、ほ
ぼ円形状の接続パッド６ａおよびこの接続パッド６ａか
ら引き出された引出線６ｂを有する配線パターン６が形
成される。この状態では、フォトレジストパターン５は
未露光状態にあるので、次にその一部を露光する。すな
わち、図６に示すように、接続パッド６ａの近傍におけ
る引出線６ｂの所定の一部に対応する部分に方形状の開
口部７ａを有する所定のパターンのマスク７を用いて露
光する。次いで現像すると、図７に示すように、引出線
６ｂの所定の一部に対応する部分におけるフォトレジス
トパターン５が除去される。次に、残存するフォトレジ
ストパターン５をエッチングマスクとして引出線６ｂの
所定の一部をその厚さがほぼ半分となるまでハーフエッ
チングすると、図８に示すように、接続パッド６ａの近
傍における引出線６ｂの所定の一部に凹部８が形成され
る。この後、フォトレジストパターン５を剥離すると、
図９に示すようになる。
面にポジ型のフォトレジスト膜３をスピンコートやロー
ルコート等の方法により形成する。次に、図３に示すよ
うに、形成すべき配線パターンに対応した所定のパター
ンを有するマスク４を用いて露光し、次いで現像する
と、図４に示すように、形成すべき配線パターンに対応
したフォトレジストパターン５が形成される。次に、こ
のフォトレジストパターン５をエッチングマスクとして
導体薄膜２をエッチングすると、図５に示すように、ほ
ぼ円形状の接続パッド６ａおよびこの接続パッド６ａか
ら引き出された引出線６ｂを有する配線パターン６が形
成される。この状態では、フォトレジストパターン５は
未露光状態にあるので、次にその一部を露光する。すな
わち、図６に示すように、接続パッド６ａの近傍におけ
る引出線６ｂの所定の一部に対応する部分に方形状の開
口部７ａを有する所定のパターンのマスク７を用いて露
光する。次いで現像すると、図７に示すように、引出線
６ｂの所定の一部に対応する部分におけるフォトレジス
トパターン５が除去される。次に、残存するフォトレジ
ストパターン５をエッチングマスクとして引出線６ｂの
所定の一部をその厚さがほぼ半分となるまでハーフエッ
チングすると、図８に示すように、接続パッド６ａの近
傍における引出線６ｂの所定の一部に凹部８が形成され
る。この後、フォトレジストパターン５を剥離すると、
図９に示すようになる。
【０００９】次に、図１０に示すように、基板１の上面
および引出線６ｂの凹部８の部分にポリイミド等の耐熱
性樹脂からなる補強膜９をスクリーン印刷、凸版印刷、
ディスペンス、転写コート等の方法により形成する。こ
の場合の補強膜９の形成は後で説明する理由からそれほ
ど精度を要求されないので、図示の都合上、図１０では
配線パターン６を含む上面全体に補強膜９を形成してい
る。ここで、一例として、補強膜９をポリイミドで形成
する場合について説明する。まず、上記のような方法に
よりポリイミド膜を形成する。次に、ポリイミド膜をプ
リキュアした後、ポジ型レジスト現像液（例えば東京応
化（株）製のＮＭＤ３）を用いてライトエッチングを行
い、特に接続パッド６ａ上のポリイミド膜をすべて除去
する。このライトエッチングは、ウエットエッチングで
はなく、Ｏ2＋ＣＨ4ガスを用いたドライエッチングであ
ってもよい。次に、ポリイミドをイミド化させるため
に、ポストキュアを行う。次に、接続パッド６ａ上に微
細なポリイミドが残らないようにするために、Ｏ2ガス
を用いたアッシングを行う。なお、イミド化する際に溶
剤等が飛ぶので、ライトエッチングをドライエッチング
で行った場合も、このアッシングを行う。かくして、ポ
リイミドからなる補強膜９が形成され、この状態を図１
１に示す。かくして、配線基板１０が製造される。
および引出線６ｂの凹部８の部分にポリイミド等の耐熱
性樹脂からなる補強膜９をスクリーン印刷、凸版印刷、
ディスペンス、転写コート等の方法により形成する。こ
の場合の補強膜９の形成は後で説明する理由からそれほ
ど精度を要求されないので、図示の都合上、図１０では
配線パターン６を含む上面全体に補強膜９を形成してい
る。ここで、一例として、補強膜９をポリイミドで形成
する場合について説明する。まず、上記のような方法に
よりポリイミド膜を形成する。次に、ポリイミド膜をプ
リキュアした後、ポジ型レジスト現像液（例えば東京応
化（株）製のＮＭＤ３）を用いてライトエッチングを行
い、特に接続パッド６ａ上のポリイミド膜をすべて除去
する。このライトエッチングは、ウエットエッチングで
はなく、Ｏ2＋ＣＨ4ガスを用いたドライエッチングであ
ってもよい。次に、ポリイミドをイミド化させるため
に、ポストキュアを行う。次に、接続パッド６ａ上に微
細なポリイミドが残らないようにするために、Ｏ2ガス
を用いたアッシングを行う。なお、イミド化する際に溶
剤等が飛ぶので、ライトエッチングをドライエッチング
で行った場合も、このアッシングを行う。かくして、ポ
リイミドからなる補強膜９が形成され、この状態を図１
１に示す。かくして、配線基板１０が製造される。
【００１０】次に、この配線基板１０上にＩＣチップ１
１をフリップチップ方式により搭載する場合について図
１２を参照しながら説明する。まず、接続パッド６ａ上
にＩＣチップ１１の接続パッド１２をこれに予め設けら
れた半田バンプ１３とともに位置合わせして配置する。
次に、図示しない熱圧着ヘッド等を用いて熱圧着する
と、半田バンプ１３が一旦溶融して接続パッド６ａに密
着した後固化することにより、ＩＣチップ１１の接続パ
ッド１２が半田バンプ１３を介して接続パッド６ａに接
続される。この場合、引出線６ｂの接続パッド６ａの近
傍に凹部８を設けているので、引出線６ｂと接続パッド
６ａとの境界に段差ができ、これによって一旦溶融した
半田が表面張力によりこの段差から流出することなく接
続パッド６ａ上に留まることとなり、したがって接続パ
ッド６ａ上から引出線６ｂ上への流出が防止される。こ
の後、ＩＣチップ１１を樹脂からなる封止材（図示せ
ず）で封止する。かくして、配線基板２１上にＩＣチッ
プ１１が搭載される。
１をフリップチップ方式により搭載する場合について図
１２を参照しながら説明する。まず、接続パッド６ａ上
にＩＣチップ１１の接続パッド１２をこれに予め設けら
れた半田バンプ１３とともに位置合わせして配置する。
次に、図示しない熱圧着ヘッド等を用いて熱圧着する
と、半田バンプ１３が一旦溶融して接続パッド６ａに密
着した後固化することにより、ＩＣチップ１１の接続パ
ッド１２が半田バンプ１３を介して接続パッド６ａに接
続される。この場合、引出線６ｂの接続パッド６ａの近
傍に凹部８を設けているので、引出線６ｂと接続パッド
６ａとの境界に段差ができ、これによって一旦溶融した
半田が表面張力によりこの段差から流出することなく接
続パッド６ａ上に留まることとなり、したがって接続パ
ッド６ａ上から引出線６ｂ上への流出が防止される。こ
の後、ＩＣチップ１１を樹脂からなる封止材（図示せ
ず）で封止する。かくして、配線基板２１上にＩＣチッ
プ１１が搭載される。
【００１１】ところで、この配線基板２１では、引出線
６ｂの凹部８およびこの凹部８の近傍を補強膜９で被
い、かつ接続パッド６ａの側面およびその近傍を補強膜
９で被っているので、接続パッド６ａおよびその近傍の
引出線６ｂの機械的強度や基板１への密着度を高めるこ
とができる。この結果、ファインピッチ（５０〜８０μ
ｍ）化を図っても、接続パッド６ａおよびその近傍の引
出線６ｂが基板１から剥がれにくいようにすることがで
きる。また、基板１上に補強膜９を設けることにより、
ＩＣチップ１１搭載面を平坦化することができるので、
樹脂からなる封止材をサイドポッティング等の方法によ
り形成する場合、ＩＣチップ１１下への封止材の注入を
容易とすることができる。
６ｂの凹部８およびこの凹部８の近傍を補強膜９で被
い、かつ接続パッド６ａの側面およびその近傍を補強膜
９で被っているので、接続パッド６ａおよびその近傍の
引出線６ｂの機械的強度や基板１への密着度を高めるこ
とができる。この結果、ファインピッチ（５０〜８０μ
ｍ）化を図っても、接続パッド６ａおよびその近傍の引
出線６ｂが基板１から剥がれにくいようにすることがで
きる。また、基板１上に補強膜９を設けることにより、
ＩＣチップ１１搭載面を平坦化することができるので、
樹脂からなる封止材をサイドポッティング等の方法によ
り形成する場合、ＩＣチップ１１下への封止材の注入を
容易とすることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、引出線の接続パッドの近傍に凹部を設けているの
で、引出線と接続パッドとの境界に段差ができ、これに
よって一旦溶融した半田が表面張力によりこの段差から
流出することなく接続パッド上に留まることとなり、し
たがって接続パッド上から引出線上への半田の流出を防
止することができる。また、少なくとも凹部および該凹
部の近傍を補強膜で被っているので、接続パッドおよび
その近傍の引出線の機械的強度や基板への密着度を高め
ることができる。
ば、引出線の接続パッドの近傍に凹部を設けているの
で、引出線と接続パッドとの境界に段差ができ、これに
よって一旦溶融した半田が表面張力によりこの段差から
流出することなく接続パッド上に留まることとなり、し
たがって接続パッド上から引出線上への半田の流出を防
止することができる。また、少なくとも凹部および該凹
部の近傍を補強膜で被っているので、接続パッドおよび
その近傍の引出線の機械的強度や基板への密着度を高め
ることができる。
【図１】この発明の一実施例における配線基板の製造に
際し、基板上に導体薄膜を形成した状態の斜視図。
際し、基板上に導体薄膜を形成した状態の斜視図。
【図２】この配線基板の製造に際し、導体薄膜上にフォ
トレジスト膜を形成した状態の斜視図。
トレジスト膜を形成した状態の斜視図。
【図３】この配線基板の製造に際し、フォトレジスト膜
を露光した状態の斜視図。
を露光した状態の斜視図。
【図４】この配線基板の製造に際し、現像してフォトレ
ジストパターンを形成した状態の斜視図。
ジストパターンを形成した状態の斜視図。
【図５】この配線基板の製造に際し、エッチングして配
線パターンを形成した状態の斜視図。
線パターンを形成した状態の斜視図。
【図６】この配線基板の製造に際し、未露光状態にある
フォトレジストパターンを露光した状態の斜視図。
フォトレジストパターンを露光した状態の斜視図。
【図７】この配線基板の製造に際し、現像して不要なフ
ォトレジストパターンを除去した状態の斜視図。
ォトレジストパターンを除去した状態の斜視図。
【図８】この配線基板の製造に際し、エッチングして凹
部をを形成した状態の斜視図。
部をを形成した状態の斜視図。
【図９】この配線基板の製造に際し、フォトレジストパ
ターンを剥離した状態の斜視図。
ターンを剥離した状態の斜視図。
【図１０】この配線基板の製造に際し、補強膜をを形成
した状態の斜視図。
した状態の斜視図。
【図１１】この配線基板の製造に際し、補強膜をライト
エッチングした状態の斜視図。
エッチングした状態の斜視図。
【図１２】配線基板上にＩＣチップを搭載した状態の断
面図。
面図。
１ 基板 ６ 配線パターン ６ａ 接続パッド ６ｂ 引出線 ８ 凹部 ９ 補強膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の上面に形成された配線パターンの
接続パッドから引き出された引出線の前記接続パッドの
近傍に凹部を設け、少なくとも前記凹部および該凹部の
近傍を補強膜で被ったことを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】 基板の上面に接続パッドおよび該接続パ
ッドから引き出された引出線を含む配線パターンを形成
し、前記引出線の前記接続パッドの近傍に凹部を形成
し、少なくとも前記凹部および該凹部の近傍を補強膜で
被うようにしたことを特徴とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313996A JPH07142849A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5313996A JPH07142849A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142849A true JPH07142849A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=18047973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5313996A Pending JPH07142849A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142849A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7807932B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-10-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Printed circuit board and method for manufacturing the same |
| WO2014061483A1 (ja) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | 株式会社デノヴ | 導電パターン部材及び導電パターン部材の製造方法 |
| JP2015228472A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-17 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置およびその製造方法 |
| US10999927B2 (en) | 2016-11-11 | 2021-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic substrate and method for manufacturing ceramic substrate |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP5313996A patent/JPH07142849A/ja active Pending
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