JPH05231381A - ドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその装置並びにドライ真空ポンプおよび半導体製造用真空処理装置 - Google Patents

ドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその装置並びにドライ真空ポンプおよび半導体製造用真空処理装置

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JPH05231381A
JPH05231381A JP3937192A JP3937192A JPH05231381A JP H05231381 A JPH05231381 A JP H05231381A JP 3937192 A JP3937192 A JP 3937192A JP 3937192 A JP3937192 A JP 3937192A JP H05231381 A JPH05231381 A JP H05231381A
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pressure
vacuum pump
intake pressure
intake
inverter
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Shigeru Kurauchi
繁 倉内
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空排気容量を制御可として、ドライ真空ポ
ンプを経済的に運転すること。 【構成】 ドライ真空ポンプ1の吸気口4での実吸気圧
力を検出した上、真空排気容量制御装置17で設定吸気
圧力と比較し、その比較の偏差を以てインバータ7での
出力周波数、したがって、ポンプ1での回転数を制御す
るようにしたものである。この結果、ポンプ1によって
真空チャンバ9を真空排気する際には、自動圧力調整バ
ルブは不要とされ、また、実吸気圧力を到達圧力より高
い圧力で使用する場合には、回転数の低下により省エネ
ルギ効果を期待し得るものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、吸気口における実吸気
圧力が設定吸気圧力と一致すべくドライ真空ポンプの真
空排気容量が制御されるドライ真空ポンプの真空排気容
量制御方法とその装置、更には吸気口における実吸気圧
力が設定吸気圧力と一致すべく真空排気容量が制御可と
されたドライ真空ポンプそのもの、更にはまた、そのド
ライ真空ポンプを真空排気手段として具備してなる半導
体製造用真空処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】真空ポンプの利用分野は種々考えられる
が、例えば半導体製造用真空処理装置に実際に適用され
ているのが実情である。図4はその装置の一例での概要
構成を示したものである。これによる場合、一般に真空
ポンプ(本体)1はポンプ部2と駆動部3から構成され
ており、駆動部3によって駆動されるポンプ部2では、
ケーシング6の一端開口部としての吸気口4から吸い込
まれた気体は圧縮された上、他端開口部としての排気口
5から大気圧力下に排気されるものとなっている。その
際、ポンプ部2内の気体通過部には油や水などの液体は
存在しなく、これがためにこの種の真空ポンプは一般的
にドライ真空ポンプと称されているわけであるが、その
ポンプ部2としては種々な形式のものが考えられるもの
となっている。そのうちでも、特に小形、かつ高速回転
形のものにはタ−ボ形、スクリュ−形のものが挙げられ
るが、例えばタ−ボ形についてはその詳細は特開昭61
−247893号公報に記載されたものとなっている。
ところで、ポンプ部2として高速回転形のものが具備さ
れてなるドライ真空ポンプでは、駆動部として高周波電
動機(同期電動機、あるいは誘導電動機)が用いられて
いることから、交流電源8を直接電源として使用し得ず
交流電源8と高周波電動機との間にはインバータ7が介
在されるものとなっている。電源装置としてのインバ−
タ7からの、周波数が可変とされた電圧が印加されるこ
とによって、定格状態では高周波電動機は高速回転され
ているのが一般的となっている。
【0003】さて、以上のようにしてなるドライ真空ポ
ンプは、半導体製造上での排気ポンプとして好適なもの
とされ、半導体製造用真空処理装置に一体的に付属され
た上、例えばウェハに対しては、真空雰囲気状態下で真
空蒸着処理やスパッタリング処理によってその表面に成
膜処理が施されるものとなっている。図示のように、ウ
ェハ14が内部に収容せしめられている真空チャンバ9
は、真空ポンプ1により自動圧力調整バルブ11を介し
その内部が高真空状態となるべく真空排気された状態
で、真空チャンバ9内にはプロセスガスが流量調整バル
ブ13でその流量が一定量に調整された状態で送り込ま
れるものとなっている。成膜処理後のガスは自動圧力調
整バルブ11を介し真空ポンプ1から大気圧力下に排気
されているものである。ところで、ウェハ14に成膜処
理が行われるに際しては、成膜処理条件として、プロセ
スガス流量と真空チャンバ9内圧力とを一定に維持する
ことが重要であるが、プロセスガス流量はコントロ−ラ
10により流量調整バルブ13が制御されることで、一
定流量に維持されるものとなっている。また、真空チャ
ンバ9内圧力は真空チャンバ9吐出側に設けた圧力検出
器12により実圧力が検出された上、コントローラ10
により設定圧力となるべく自動圧力調整バルブ11が制
御されることで、設定圧力に維持されるものとなってい
る。吸気圧力の最小値(到達圧力)は回転数を一定とす
れば真空ポンプの排気特性と吸込流量の交点となり、吸
込流量が多い場合は到達圧力が高くなり少ない場合は低
くなるが、真空チャンバ9内圧力は到達圧力に、真空ポ
ンプ1と真空チャンバ9間の圧損を加えたものとなるこ
とから、自動圧力調整バルブ11を開閉し圧損を調整す
ることで、真空チャンバ9内圧力は制御可とされている
ものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来技
術に係る半導体製造用真空処理装置では、真空ポンプは
常に全負荷状態として運転されている一方、自動圧力調
整バルブを開閉し圧損を増減させることで、真空チャン
バ内圧力が調整されるようになっている。したがって、
真空チャンバ内圧力を高く設定する程に流路の圧損を大
きくしなければならず、徒に電力が消費されるものとな
っている。このような不具合に加え、真空チャンバ内圧
力を調整すべく自動圧力調整バルブが必要とされている
ことから、半導体製造用真空処理装置が経済的に構成さ
れ得ないものとなっている。
【0005】本発明の第1の目的は、真空ポンプの真空
排気容量を制御可として、真空ポンプが経済的に運転さ
れ得るドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその
装置を供するにある。本発明の第2の目的は、真空排気
容量が容易に制御可とされたドライ真空ポンプを供する
にある。本発明の第3の目的は、ドライ真空ポンプでの
消費電力が少なくて済まされ、しかも経済的な構成の半
導体製造用真空処理装置を供するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的である真
空排気容量制御方法としては、吸気口における実吸気圧
力を検出した上、設定吸気圧力と比較し、その比較の偏
差を以てインバータからの出力周波数を設定上下限値内
で制御することで達成され、また、真空排気容量制御装
置としては、吸気口における実吸気圧力を検出する吸気
圧力検出手段と、所望の吸気圧力が任意に設定される吸
気圧力設定手段と、吸気圧力設定手段からの設定吸気圧
力と上記吸気圧力検出手段からの実吸気圧力との間の圧
力偏差を検出する圧力偏差検出手段と、該圧力偏差検出
手段からの圧力偏差を以てインバータからの出力周波数
を制御する際に、該出力周波数が設定上下限値内で制御
されるべく該圧力偏差を一定範囲内に制限するリミッタ
手段と、とから構成することで達成される。
【0007】上記第2の目的であるドライ真空ポンプは
また、高周波電源としてのインバータと、そのインバー
タにより高周波電動機を介しケーシング内部にて駆動軸
をステータ周りに回転駆動せしめることによって、その
ケーシングの一端開口部としての吸気口から吸込まれた
気体は圧縮された上、他端開口部としての排気口を介し
大気圧力下に排気されるべくなしたドライ真空ポンプ本
体と、吸気口における実吸気圧力を検出した上、設定吸
気圧力と比較し、その比較の偏差を以て上記インバータ
からの出力周波数を設定上下限値内で制御する真空排気
容量制御装置と、から構成することで達成される。
【0008】上記第3の目的である半導体製造用真空処
理装置としては、高周波電源としてのインバータと、そ
のインバータにより高周波電動機を介しケーシング内部
にて駆動軸をステータ周りに回転駆動せしめることによ
って、そのケーシングの一端開口部としての吸気口から
吸込まれた気体は圧縮された上、他端開口部としての排
気口を介し大気圧力下に排気されるべくなしたドライ真
空ポンプ本体と、吸気口における実吸気圧力を検出した
上、設定吸気圧力と比較し、その比較の偏差を以て上記
インバータからの出力周波数を設定上下限値内で制御す
る真空排気容量制御装置とからなるドライ真空ポンプ
を、全開、全閉の何れかに制御可とされたメインバルブ
を介し真空雰囲気状態で半導体製品に対し蒸着処理、ス
パッタリング処理等が行われる真空チャンバに接続せし
めることで達成される。
【0009】
【作用】要は、吸気口における実吸気圧力を検出した
上、設定吸気圧力と比較し、その比較の偏差を以てイン
バータからの出力周波数、したがって、真空ポンプでの
回転数を設定上下限値内で制御しようというものであ
る。真空ポンプでの回転数を制御すること自体は、結果
的に真空排気容量を制御することでもあるが、真空排気
容量が制御可とされたドライ真空ポンプを半導体製造用
真空処理装置に真空排気手段として採用する場合には、
真空ポンプは真空チャンバ内での設定圧力如何にも拘ら
ず経済的に運転され得るものである。即ち、真空ポンプ
はタ−ボ型のため、ある範囲内において排気速度は回転
数に比例し、真空チャンバからの吸込流量を一定として
おけば、回転数の低下に伴い排気速度も低下し、到達圧
力が上昇する一方、これとは逆に回転数の上昇に伴い排
気速度は上昇し、到達圧力は低下するようになってい
る。したがって、真空チャンバ側設定圧力に応じて設定
吸気圧力を設定した上、これと実吸気圧力との間での比
較結果として、実吸気圧力が設定吸気圧力より大きい場
合は、回転数を上昇させるべく制御する一方、これと逆
の場合には回転数を低下させるべく制御すればよいもの
である。以上の制御の結果として、真空チャンバ内での
設定圧力が高い場合には、真空ポンプでの回転数は低下
されるものである。回転数の低下によって排気速度が小
さくされる結果として、真空ポンプ側での圧力上昇が図
れるものである。回転数の低下により動力が低減され、
その分、省エネルギ効果を期待し得るものである。
【0010】
【実施例】以下、本発明を図1から図3により説明す
る。先ず本発明によるドライ真空ポンプについて説明す
れば、図1はそのドライ真空ポンプが真空排気手段とし
て具備されてなる半導体製造用真空処理装置の概要構成
を示したものである。図示のように、真空チャンバ9は
メインバルブ15を介し吸気口4に接続された状態で、
真空ポンプ1により真空排気されることで、その内部は
低圧力状態に維持されるものとなっている。ところで、
本発明に係る真空ポンプ1ではその回転数が定格回転数
にある場合を含め任意可変に設定可とされているが、真
空ポンプ1がある設定回転数状態にある場合には、それ
に応じた真空排気性能が発揮されることから、メインバ
ルブ15は真空ポンプ1が設定回転状態にある場合には
全開状態におかれるも、それ以外の場合は全閉におかれ
た上、真空ポンプ1側から真空チャンバ9への大気の逆
流は防止されるようになっている。通常、真空チャンバ
9と真空ポンプ1は同一装置内のものとして、一体的に
収容構成されていることから、これらを接続する真空排
気用配管は短くされ、また、口径の大きいものが用いら
れ真空排気用配管による圧損は低減可されたものとなっ
ている。したがって、メインバルブ15や真空排気用配
管がそのように構成されている場合には、真空チャンバ
9内の圧力は吸気口4での実吸気圧力にほぼ等しくなる
ものとなっている。
【0011】さて、本発明の実施上、吸気口4での実吸
気圧力Pは吸気口4に近傍設けられている吸気圧力検出
器16により検出された上、インバータ7からの出力周
波数が制御されるべく真空排気容量制御装置17で設定
吸気圧力(真空チャンバ9内設定圧力にほぼ同一)P′
と比較されるものとなっている。真空排気容量制御装置
17ではその比較偏差Ps (=P−P′)を出力周波数
制御信号として、その値が正となる場合にはその大きさ
に応じてインバータ7での出力周波数、したがって、真
空ポンプ1での回転数が大きくなるべく制御する一方、
これとは逆に、その値が負となる場合にはその大きさに
応じてインバータ7での出力周波数、したがって、真空
ポンプ1での回転数が小さくなるべく制御すべく動作す
るものとなっている。インバータ7での出力周波数は、
具体的には、インバータ7側に設けられている電圧制御
型発振器(VCO)により制御されているものである。
なお、真空排気容量制御装置17の具体的構成例につい
ては後述するところである。
【0012】図2は上記真空ポンプ1での一般的な排気
特性をX軸(対数目盛),Y軸(対数目盛)にそれぞれ
実吸気圧力P、排気速度Sをとって示したものである。
真空ポンプ1が定格回転数N0 の運転状態にある場合で
の排気特性aに比し、その回転数を順次N1 ,N2 へと
低下させていけば、排気特性はb,cへと回転数に応じ
て低下されるが、排気速度Sは以下の式により表される
ものとなっている。
【0013】
【数1】
【0014】したがって、吸気流量Qが一定であるとす
れば、排気速度Sは実吸気圧力Pに反比例することか
ら、図2中に示す排気特性eのようになり、排気特性
e,aの交点Aが真空ポンプ1の動作点となる(その際
での実吸気圧力P0 を到達圧力と称す)。真空チャンバ
9内での圧力を実吸気圧力P0 からP1 ,P2 と変化さ
せるためには、これまでにあっては、真空チャンバ9と
吸気口4との間に設けられていた自動圧力調整バルブの
開度を調整することによって、圧損ΔP1 ,ΔP2を生
じせしめることで対処していたものである。
【0015】しかしながら、本発明では、実吸気圧力P
をP0 からP1 に変化させるべく、真空ポンプ1での回
転数をN0 からN1 に低下させ、排気特性をaからbに
移行せしめることによって、排気特性b,eの交点Bに
おける実吸気圧力がP1 となるようにしているものであ
る。これと同様に、実吸気圧力PをP2 とするために
は、回転数をN2 とし、その際での排気特性cがeと交
わる点Cでの実吸気圧力がP2 となるようにすればよい
ものである。このように、インバータ7での出力周波
数、したがって、真空ポンプ1での回転数を制御する場
合には、実吸気圧力Pを設定吸気圧力P′に一致すべく
制御することが可能となることから、高価な自動圧力調
整バルブは不要とされ、その分半導体製造用真空処理装
置が経済的に構成され得るものである。
【0016】また、真空ポンプ1の動力Lはポンプやブ
ロワと同様に、回転数の3乗に比例する。したがって、
図2において、実吸気圧力PをP0 からP1 とした場合
の動力L1 は下式により表される。
【0017】
【数2】
【0018】したがって、実吸気圧力を到達圧力より高
い圧力で使用する場合には、回転数は低下されるから、
自動圧力調整バルブによる圧力調整方法と比し、下式で
示される動力分ΔLだけ動力が低減化されるものであ
る。
【0019】
【数3】
【0020】最後に、既述の真空排気容量制御装置17
について説明すれば、図3はその一例での具体的構成を
示したものである。図示のように、差分増幅器173で
は吸気圧力検出器16からの実吸気圧力と、スイッチ1
72からの設定吸気圧力(吸気圧力設定器171からの
設定吸気圧力、あるいは外部からの計装信号による外部
設定吸気圧力)との間の偏差が差分増幅された上、既述
の比較偏差Ps (出力周波数制御信号)として得られる
ものとなっている。スイッチ172の外部側への切替接
続によって、上位装置からの外部設定吸気圧力が設定吸
気圧力として任意に設定される場合には、使い勝手が向
上されるものである。また、差分増幅器173の出力段
にリミッタ174を設けることによって、真空ポンプ1
での回転数を、機械的強度から決まる最大回転数Nmax
以下、かつ高真空側で排気速度が低下することにより決
まる性能を維持し得る最小回転数Nmin (図2に示す回
転数N3 に相当)以上とする回転数上での制限を行うこ
とによって、安全性の向上に併せて、使い勝手の向上が
図られるものとなっている。更に、最終段にスイッチ1
75を設け、そのオン/オフ状態を所望に切替する場合
には、オン時には吸気圧力制御を行う一方、オフ時には
吸気圧力制御が行われないように選択することが可能と
なる。
【0021】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項1〜4に
よる場合は、真空ポンプの真空排気容量を制御可とし
て、真空ポンプが経済的に運転され得るドライ真空ポン
プの真空排気容量制御方法とその装置が、また、請求項
5による場合には、真空排気容量が容易に制御可とされ
たドライ真空ポンプが、更に、請求項6によれば、ドラ
イ真空ポンプでの消費電力が少なくて済まされ、しかも
経済的な構成の半導体製造用真空処理装置がそれぞれ得
られるものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明によるドライ真空ポンプが真空
排気手段として具備されてなる半導体製造用真空処理装
置の概要構成を示す図
【図2】図2は、真空ポンプでの一般的な排気特性を示
す図
【図3】図3は、本発明によるドライ真空ポンプの真空
排気容量制御装置の一例での具体的構成を示す図
【図4】図4は、真空ポンプが具備された半導体製造用
真空処理装置の一例での概要構成を示す図
【符号の説明】
1…真空ポンプ(本体)、2…ポンプ部、3…駆動部、
4…吸気口、5…排気口、6…ケ−シング、7…インバ
−タ、8…交流電源、9…真空チャンバ、15…メイン
バルブ、16…吸気圧力検出器、17…真空排気容量制
御装置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波電源としてのインバータにより高
    周波電動機を介しケーシング内部にて駆動軸をステータ
    周りに回転駆動せしめることによって、該ケーシングの
    一端開口部としての吸気口から吸込まれた気体は圧縮さ
    れた上、他端開口部としての排気口を介し大気圧力下に
    排気されるべくなしたドライ真空ポンプの真空排気容量
    制御方法であって、吸気口における実吸気圧力を検出し
    た上、設定吸気圧力と比較し、該比較の偏差を以てイン
    バータからの出力周波数を設定上下限値内で制御するよ
    うにしたドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法。
  2. 【請求項2】 高周波電源としてのインバータにより高
    周波電動機を介しケーシング内部にて駆動軸をステータ
    周りに回転駆動せしめることによって、該ケーシングの
    一端開口部としての吸気口から吸込まれた気体は圧縮さ
    れた上、他端開口部としての排気口を介し大気圧力下に
    排気されるべくなしたドライ真空ポンプの真空排気容量
    制御方法であって、吸気口における実吸気圧力を検出し
    た上、外部からの計装信号により任意に設定可とされて
    いる設定吸気圧力と比較し、該比較の偏差を以てインバ
    ータからの出力周波数を設定上下限値内で制御するよう
    にしたドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法。
  3. 【請求項3】 高周波電源としてのインバータにより高
    周波電動機を介しケーシング内部にて駆動軸をステータ
    周りに回転駆動せしめることによって、該ケーシングの
    一端開口部としての吸気口から吸込まれた気体は圧縮さ
    れた上、他端開口部としての排気口を介し大気圧力下に
    排気されるべくなしたドライ真空ポンプの真空排気容量
    制御装置であって、吸気口における実吸気圧力を検出す
    る吸気圧力検出手段と、所望の吸気圧力が任意に設定さ
    れる吸気圧力設定手段と、該吸気圧力設定手段からの設
    定吸気圧力と上記吸気圧力検出手段からの実吸気圧力と
    との間の圧力偏差を検出する圧力偏差検出手段と、該圧
    力偏差検出手段からの圧力偏差を以てインバータからの
    出力周波数を制御する際に、該出力周波数が設定上下限
    値内で制御されるべく該圧力偏差を一定範囲内に制限す
    るリミッタ手段と、からなるドライ真空ポンプの真空排
    気容量制御装置。
  4. 【請求項4】 高周波電源としてのインバータにより高
    周波電動機を介しケーシング内部にて駆動軸をステータ
    周りに回転駆動せしめることによって、該ケーシングの
    一端開口部としての吸気口から吸込まれた気体は圧縮さ
    れた上、他端開口部としての排気口を介し大気圧力下に
    排気されるべくなしたドライ真空ポンプの真空排気容量
    制御装置であって、吸気口における実吸気圧力を検出す
    る吸気圧力検出手段と、所望の吸気圧力が外部からの計
    装信号により任意に設定される吸気圧力設定手段と、該
    吸気圧力設定手段からの設定吸気圧力と上記吸気圧力検
    出手段からの実吸気圧力との間の圧力偏差を検出する圧
    力偏差検出手段と、該圧力偏差検出手段からの圧力偏差
    を以てインバータからの出力周波数を制御する際に、該
    出力周波数が設定上下限値内で制御されるべく該圧力偏
    差を一定範囲内に制限するリミッタ手段と、該リミッタ
    手段による周波数制御機能の有効化、無効化の何れかを
    任意に選択する周波数制御機能選択手段と、からなるド
    ライ真空ポンプの真空排気容量制御装置。
  5. 【請求項5】 高周波電源としてのインバータと、該イ
    ンバータにより高周波電動機を介しケーシング内部にて
    駆動軸をステータ周りに回転駆動せしめることによっ
    て、該ケーシングの一端開口部としての吸気口から吸込
    まれた気体は圧縮された上、他端開口部としての排気口
    を介し大気圧力下に排気されるべくなしたドライ真空ポ
    ンプ本体と、吸気口における実吸気圧力を検出した上、
    設定吸気圧力と比較し、該比較の偏差を以て上記インバ
    ータからの出力周波数を設定上下限値内で制御する真空
    排気容量制御装置と、からなるドライ真空ポンプ。
  6. 【請求項6】 高周波電源としてのインバータと、該イ
    ンバータにより高周波電動機を介しケーシング内部にて
    駆動軸をステータ周りに回転駆動せしめることによっ
    て、該ケーシングの一端開口部としての吸気口から吸込
    まれた気体は圧縮された上、他端開口部としての排気口
    を介し大気圧力下に排気されるべくなしたドライ真空ポ
    ンプ本体と、吸気口における実吸気圧力を検出した上、
    設定吸気圧力と比較し、該比較の偏差を以て上記インバ
    ータからの出力周波数を設定上下限値内で制御する真空
    排気容量制御装置とからなるドライ真空ポンプを、全
    開、全閉の何れかに制御可とされたメインバルブを介し
    真空雰囲気状態で半導体製品に対し蒸着処理、スパッタ
    リング処理等が行われる真空チャンバに接続せしめてな
    る半導体製造用真空処理装置。
JP3937192A 1992-02-26 1992-02-26 ドライ真空ポンプの真空排気容量制御方法とその装置並びにドライ真空ポンプおよび半導体製造用真空処理装置 Pending JPH05231381A (ja)

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