JPH05226471A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH05226471A JPH05226471A JP4029846A JP2984692A JPH05226471A JP H05226471 A JPH05226471 A JP H05226471A JP 4029846 A JP4029846 A JP 4029846A JP 2984692 A JP2984692 A JP 2984692A JP H05226471 A JPH05226471 A JP H05226471A
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- JP
- Japan
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- functional blocks
- data path
- bus
- wiring
- integrated circuit
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ上に設けた機能ブロック間のバス
配線を機能ブロックをまとめたユニットのトランジスタ
領域内に含めてバス配線用の配線領域や空き領域を削減
して集積度を向上させる。 【構成】機能ブロックのコントロール部を一つにまとめ
てコントロールユニット3を構成し、且つバス配線4,
5,6をコントロールユニット3のトランジスタ領域内
に配置配線することによりバス配線用の配線領域及び機
能ブロックの配置に関連する空き領域を削減する。
配線を機能ブロックをまとめたユニットのトランジスタ
領域内に含めてバス配線用の配線領域や空き領域を削減
して集積度を向上させる。 【構成】機能ブロックのコントロール部を一つにまとめ
てコントロールユニット3を構成し、且つバス配線4,
5,6をコントロールユニット3のトランジスタ領域内
に配置配線することによりバス配線用の配線領域及び機
能ブロックの配置に関連する空き領域を削減する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体集積回路は、図2に示すよ
うに、半導体チップ1上に設けた複数の機能ブロック、
例えばACU,EAG,EXU,DCUのデータパス部
(複数ビットのデータの演算を行なうための類似回路の
繰返しにより構成される回路群)からなる機能ブロック
ACU−D,EAG−D,EXU−D,DCU−Dをま
とめて構成したデータパスユニット2及びACU,EA
G,EXU,DCUのそれぞれのコントロール部(デー
タパス部を制御する信号を生成する回路群)からなる機
能ブロックACU−C,EAG−C,EXU−C,DC
U−Cと、データパス部とバス配線4,5,6を介して
接続した機能ブロックICHE,IDU,MROMと、
データパス部の機能ブロック間を接続するバス配線7,
8とを備えて構成している。
うに、半導体チップ1上に設けた複数の機能ブロック、
例えばACU,EAG,EXU,DCUのデータパス部
(複数ビットのデータの演算を行なうための類似回路の
繰返しにより構成される回路群)からなる機能ブロック
ACU−D,EAG−D,EXU−D,DCU−Dをま
とめて構成したデータパスユニット2及びACU,EA
G,EXU,DCUのそれぞれのコントロール部(デー
タパス部を制御する信号を生成する回路群)からなる機
能ブロックACU−C,EAG−C,EXU−C,DC
U−Cと、データパス部とバス配線4,5,6を介して
接続した機能ブロックICHE,IDU,MROMと、
データパス部の機能ブロック間を接続するバス配線7,
8とを備えて構成している。
【0003】なお、ACUはアドレスバスの制御つまり
アドレスのインクリメント、デクリメント等を行なうブ
ロックであり、DCUはデータバスの制御つまりオペラ
ンドのアライン、バスサイジング制御等を行なうブロッ
クであり、EAGは実行アドレスの計算を行なうブロッ
クである。またEXUは各種データの演算等を行なうブ
ロックでALU、レジスターファイル、シフター、乗算
器、浮動小数点演算機等さらに細かい機能ブロックより
構成される。ICHEは命令キャッシュ用RAMで、I
DUは命令をデコードするブロックで、MROMはマイ
クロ命令の入ったROMである。
アドレスのインクリメント、デクリメント等を行なうブ
ロックであり、DCUはデータバスの制御つまりオペラ
ンドのアライン、バスサイジング制御等を行なうブロッ
クであり、EAGは実行アドレスの計算を行なうブロッ
クである。またEXUは各種データの演算等を行なうブ
ロックでALU、レジスターファイル、シフター、乗算
器、浮動小数点演算機等さらに細かい機能ブロックより
構成される。ICHEは命令キャッシュ用RAMで、I
DUは命令をデコードするブロックで、MROMはマイ
クロ命令の入ったROMである。
【0004】ここで、データパス部の機能ブロック間を
接続するバス配線7,8はデータパス部を構成するトラ
ンジスタ領域中を通過させていたが、データパス部と他
の機能ブロック間を接続するバス配線4,5,6はトラ
ジスタ領域を通していないため配線領域を必要とし、ま
た、各データパス部に対するコントロール部のトランジ
スタ数が不揃いのため機能ブロックACU−C,EAG
−C,EXU−C,DCU−Cの外形寸法がそれぞれの
データパス部と比例せず、不揃いとなって無駄な空き領
域が形成される。
接続するバス配線7,8はデータパス部を構成するトラ
ンジスタ領域中を通過させていたが、データパス部と他
の機能ブロック間を接続するバス配線4,5,6はトラ
ジスタ領域を通していないため配線領域を必要とし、ま
た、各データパス部に対するコントロール部のトランジ
スタ数が不揃いのため機能ブロックACU−C,EAG
−C,EXU−C,DCU−Cの外形寸法がそれぞれの
データパス部と比例せず、不揃いとなって無駄な空き領
域が形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体集積
回路では、データパス部を一つのユニットとし、データ
パス部と他の機能ブロック間のバス配線を配線領域に設
けており、更に外形の異なるコントロール部の配置配線
との相互関係により無駄な空き領域が形成され、そのた
め、半導体集積回路の集積度の向上を阻害し、チップサ
イズを大きくしなければならないという問題点があっ
た。
回路では、データパス部を一つのユニットとし、データ
パス部と他の機能ブロック間のバス配線を配線領域に設
けており、更に外形の異なるコントロール部の配置配線
との相互関係により無駄な空き領域が形成され、そのた
め、半導体集積回路の集積度の向上を阻害し、チップサ
イズを大きくしなければならないという問題点があっ
た。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、半導体チップ上に設けた複数の機能ブロックと、前
記機能ブロックのデータパス部をまとめたデータパスユ
ニットと、前記データパス部と前記データパス部以外の
機能ブロック間を接続するバス配線と、前記バス配線を
トランジスタ領域内に含めて配置配線し且つ前記機能ブ
ロックのコントロール部をまとめたコントロールユニッ
トとを有する。
は、半導体チップ上に設けた複数の機能ブロックと、前
記機能ブロックのデータパス部をまとめたデータパスユ
ニットと、前記データパス部と前記データパス部以外の
機能ブロック間を接続するバス配線と、前記バス配線を
トランジスタ領域内に含めて配置配線し且つ前記機能ブ
ロックのコントロール部をまとめたコントロールユニッ
トとを有する。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0008】図1は本発明の一実施例を示す半導体集積
回路のレイアウト図である。
回路のレイアウト図である。
【0009】図1に示すように、半導体チップ1上に設
けたACU,EAG,EXU,DCUのデータパス部で
32ビットの類似回路の繰返しで構成される機能ブロッ
クACU−D,EAG−D,EXU−D,DCU−Dを
一つにまとめたデータパスユニット2と、データパス部
とバス配線4,5,6を介して接続する機能ブロックI
CHE,IDU,MROMと、バス配線4,5,6をト
ランジスタ領域中に配置し、且つACU,EAG,EX
U,DCUのコントロール部を一つにまとめて配置した
コントロールユニット3と、データパス部の機能ブロッ
ク間を接続するバス配線7,8とを有して構成される。
けたACU,EAG,EXU,DCUのデータパス部で
32ビットの類似回路の繰返しで構成される機能ブロッ
クACU−D,EAG−D,EXU−D,DCU−Dを
一つにまとめたデータパスユニット2と、データパス部
とバス配線4,5,6を介して接続する機能ブロックI
CHE,IDU,MROMと、バス配線4,5,6をト
ランジスタ領域中に配置し、且つACU,EAG,EX
U,DCUのコントロール部を一つにまとめて配置した
コントロールユニット3と、データパス部の機能ブロッ
ク間を接続するバス配線7,8とを有して構成される。
【0010】近年、半導体集積回路の設計は自動化が進
んでおりコントロール部のような類似回路の繰り返しで
はないランダム回路は、レイアウトパターン設計の自動
化に適している。
んでおりコントロール部のような類似回路の繰り返しで
はないランダム回路は、レイアウトパターン設計の自動
化に適している。
【0011】自動レイアウトは、いくらかのトランジス
タを組み合わせ、基本となるセルを予め用意しておき、
それらの基本セルを自動的に配置配線させるものであ
る。
タを組み合わせ、基本となるセルを予め用意しておき、
それらの基本セルを自動的に配置配線させるものであ
る。
【0012】コントロールユニット3を構成しているト
ランジスタに直接入出力していない無関係なバス配線
4,5,6を、コントロールユニット3の領域内に配置
して通過させるためには、コントロールユニット3を単
体で自動レイアウトするのではなく、データパスユニッ
ト2の機能ブロックACU−D,EAG−D,EXU−
D,DCU−Dと接続する機能ブロックICHE,ID
U,MROMとを同等レベルの基本セルと考え、コント
ロールユニット3のレイアウトとバス配線4,5,6の
配置配線を同時に自動レイアウトすることにより容易に
実現できる。このバス配線4,5,6はそれぞれX方向
が第1配線層,Y方向が第2配線層で形成される。
ランジスタに直接入出力していない無関係なバス配線
4,5,6を、コントロールユニット3の領域内に配置
して通過させるためには、コントロールユニット3を単
体で自動レイアウトするのではなく、データパスユニッ
ト2の機能ブロックACU−D,EAG−D,EXU−
D,DCU−Dと接続する機能ブロックICHE,ID
U,MROMとを同等レベルの基本セルと考え、コント
ロールユニット3のレイアウトとバス配線4,5,6の
配置配線を同時に自動レイアウトすることにより容易に
実現できる。このバス配線4,5,6はそれぞれX方向
が第1配線層,Y方向が第2配線層で形成される。
【0013】このように、各機能ブロックのコントロー
ル部をまとめて一つのコントロールユニット3とするこ
とにより、従来のようなコントロール部の各機能ブロッ
クの外形の大きさが異なることによるチップ上の無駄な
空き領域がなくなる。さらに一つにまとめたコントロー
ルユニット3のトランジスタ領域内を通過するバス配線
を設ける事により従来のような配線だけの領域を削減す
る事ができ、集積度が向上できる。
ル部をまとめて一つのコントロールユニット3とするこ
とにより、従来のようなコントロール部の各機能ブロッ
クの外形の大きさが異なることによるチップ上の無駄な
空き領域がなくなる。さらに一つにまとめたコントロー
ルユニット3のトランジスタ領域内を通過するバス配線
を設ける事により従来のような配線だけの領域を削減す
る事ができ、集積度が向上できる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、複数の機
能ブロックのデータパス部を制御する信号を生成するコ
ントロール部をその機能ブロック別に分割せず、一つの
ユニットとし、そのコントロール部のトランジスタ領域
内に複数ビットの信号よりなるバス配線を通過させる事
によりバス配線用の専用配線領域を削減でき、従来のコ
ントロール部の各機能ブロックの外形の不揃いによる無
駄な空き領域を削減でき、集積度を向上させてチップサ
イズを小さくできるという効果を有する。
能ブロックのデータパス部を制御する信号を生成するコ
ントロール部をその機能ブロック別に分割せず、一つの
ユニットとし、そのコントロール部のトランジスタ領域
内に複数ビットの信号よりなるバス配線を通過させる事
によりバス配線用の専用配線領域を削減でき、従来のコ
ントロール部の各機能ブロックの外形の不揃いによる無
駄な空き領域を削減でき、集積度を向上させてチップサ
イズを小さくできるという効果を有する。
【図1】本発明の一実施例を示すレイアウト図。
【図2】従来の半導体集積回路の一例を示すレイアウト
図。
図。
1 半導体チップ 2 データパスユニット 3 コントロールユニット 4,5,6,7,8 バス配線 ACU−D,EAG−D,EXU−D,DCU−D,A
CU−C,EAG−C,EXU−C,DCU−C,IC
HE,IDU,MROM 機能ブロック
CU−C,EAG−C,EXU−C,DCU−C,IC
HE,IDU,MROM 機能ブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 U 8427−4M A 8427−4M D 8427−4M
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップ上に設けた複数の機能ブロ
ックと、前記機能ブロックのデータパス部をまとめたデ
ータパスユニットと、前記データパス部と前記データパ
ス部以外の機能ブロック間を接続するバス配線と、前記
バス配線をトランジスタ領域内に含めて配置配線し且つ
前記機能ブロックのコントロール部をまとめたコントロ
ールユニットとを有することを特徴とする半導体集積回
路。 - 【請求項2】 バス配線がX方向では第1配線層、前記
X方向と直交するY方向では第2配線層に形成した請求
項1記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029846A JP2786043B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4029846A JP2786043B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05226471A true JPH05226471A (ja) | 1993-09-03 |
JP2786043B2 JP2786043B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=12287363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4029846A Expired - Lifetime JP2786043B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2786043B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134599A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置、およびそのレイアウト方法 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP4029846A patent/JP2786043B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004134599A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置、およびそのレイアウト方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2786043B2 (ja) | 1998-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980421 |