JPH05218289A - 半導体パワー・ダイを保護する方法およびパワー・デバイスのリード部に装着した保護回路 - Google Patents

半導体パワー・ダイを保護する方法およびパワー・デバイスのリード部に装着した保護回路

Info

Publication number
JPH05218289A
JPH05218289A JP4303185A JP30318592A JPH05218289A JP H05218289 A JPH05218289 A JP H05218289A JP 4303185 A JP4303185 A JP 4303185A JP 30318592 A JP30318592 A JP 30318592A JP H05218289 A JPH05218289 A JP H05218289A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
semiconductor power
gate
control
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4303185A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert B Davies
ロバート・ビー・デイビス
David F Mietus
デビッド・エフ・ミータス
Paul T Bennett
ポール・ティー・ベネット
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH05218289A publication Critical patent/JPH05218289A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/4813—Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体パワー・ダイを保護する方法を提供す
る。 【構成】 この方法は、半導体パワー・ダイを含むパッ
ケージのゲート用リード部と半導体パワー・ダイの現行
のゲート端子との間にＩＣダイを挿入することを伴うも
のである。この結果、パッケージのゲート用リード部に
流れ込む電流は半導体パワー・ダイに入る前にこのＩＣ
ダイを通過しなければならなくなる。これによってＩＣ
ダイが半導体パワーダイを監視し制御することが可能と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路に関し、特にパワー
・デバイスのリード部に装着する保護回路に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】パワーデバイスは、例えば、自動回路の
如く高い電圧及び電流の容量を必要とする回路用途に数
多く使用されている。しかしこのパワーデバイス自体
も、このデバイスを破損し得る大きなサージ電流から保
護しなくてはならない。
【０００３】典型的な従来技術では、外部回路を利用し
てパワーデバイスに流れる電流を監視することによって
パワーデバイスを保護するようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この外
部回路のために集積回路とパッケージ処理を追加しなけ
ればならず、回路基板上の貴重な空間を使用することに
なり、コスト高になるという欠点があった。
【０００５】それ故に、パワーデバイスの保護回路を、
そのパワーデバイスのパッケージ内に集積することによ
って、パッケージや空間を追加する必要をなくすように
することが要求されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】簡潔に述べると、ゲー
ト，ドレイン，ケルビン（ｋｅｌｖｉｎ）およびソース
端子を有する半導体パワー・ダイを保護するための方法
が提供され、前記半導体パワー・ダイはゲート，ソース
およびドレイン用リード部を有するパッケージに納めら
れ、このソースおよびドレイン用リード部が前記半導体
パワー・ダイのソースおよびドレイン端子にそれぞれ結
合されており、前記方法は、コントロール・ダイをパッ
ケージの中でパッケージのゲート用リード部と半導体パ
ワー・ダイのゲート端子との間に挿入して、ゲート用リ
ード部を流れる電流が全てそのコントロール・ダイを流
れるようにする段階と、前記コントロール・ダイを前記
半導体パワー・ダイの少なくともゲートおよびケルビン
端子と結合させる段階とからなるものである。
【０００７】本発明は、添付図面に関連した以下の詳細
な説明により、よりよく理解されるであろう。
【０００８】
【実施例】図面を参照すると、コントロール・ダイ１０
とパワー半導体ダイ１６とを備えた半導体パッケージ１
１を示している。パワー半導体ダイ１６にはＮ型電界効
果トランジスタなどのパワー・デバイスがあるものと考
えられる。
【０００９】半導体パッケージ１１からはゲート用リー
ド部１４，ドレイン用リード部１８，ソース用リード部
２０の３本のリード部が外に出ている。ゲート用リード
部１４はボンディングパッド１２に結合され、ソース用
リード部２０はボンディング・パッド２２に結合され、
さらにドレイン用リード部１８はボンディング・パッド
１７に結合されている。
【００１０】パワー半導体ダイ１６は、ボンディング・
パッド１７の上に、標準的なダイボンディング法により
装着されている。パワー半導体ダイ１６にはゲート端子
２４，ケルビン端子２５，センス端子２６およびソース
端子３０があり、このうちケルビン端子２５はソース端
子３０と電気的に結合している。
【００１１】コントロール・ダイ１０は、ボンディング
・パッド１２に、標準的なダイボンディング法によって
取付けられており、そこに含まれる端子３２〜３４は、
ワイヤーボンド３８〜４０によってそれぞれ端子２４〜
２６に結合されている。同様にパワー半導体ダイ１６の
ソース端子３０は、ワイヤーボンド４２〜４４を介し
て、ソース用リード部２０のボンディング・パッド２２
と結合している。端子３２〜３４はコントロール・ダイ
１０の表面に設けられていると理解する。同様に、端子
２４〜２６，３０はパワー半導体ダイ１６の表面に形成
されている。
【００１２】本発明はコントロール・ダイを、パワー・
デバイス・パッケージの既存のゲート用リード部とパワ
ー半導体ダイのゲート端子との間に、挿入する方法を記
述するものである。特に、コントロール・ダイ１０を、
ゲート用リード部１４とゲート端子２４との間に挿入す
る。これによりゲート用リード部１４を通って流れる電
流は、パワー半導体ダイ１６のゲートからソースへの容
量を満たす前に、全てコントロール・ダイ１０を通るこ
とになる。
【００１３】パワー半導体ダイ１６を通って流れる電流
を制御するためには、コントロール・ダイ１０は少なく
ともパワー半導体ダイ１６のゲート端子とケルビン端子
（端子２４，２５）とに結合されていなければならな
い。これにより、コントロール・ダイは、パワー半導体
ダイ１６のゲート−ソース間の最大電圧を、予め設定さ
れた値に固定させることが可能となる。パワー半導体ダ
イ１６のソース端子とケルビン端子は電気的に結合して
いるが、パワー半導体ダイ１６の主な電流経路はドレイ
ン用リード部からソース用リード部に至るものであるこ
とが理解される。さらに、ケルビン端子には実際には小
量の電流が流れるのみであるから、ケルビン端子とソー
ス端子との間の電圧降下は小さく、従って電圧を正確に
感知することができる。また、パワー半導体ダイ１６が
Ｎチャネル電界効果デバイスであるとすると、ケルビン
端子２５は、典型的にはパワー半導体ダイに印加される
最も低い負電圧に結合されている。
【００１４】さらに、端子３４，２６は任意に取付け
て、ドレインからソースへ流れる電流の大きさを監視さ
せたり、ドレインからソースへの電圧降下の大小を監視
させたり、パワー半導体ダイ１６の絶対的なダイの温度
を監視させるなど、種々の監視手段を実施するために利
用することができる。一例として、ダイの温度を監視す
る方法は、米国特許第５，０２５，２９８号、「ＳＥＭ
ＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＷＩＴＨ
ＣＬＯＳＥＬ ＣＯＵＰＬＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ
ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ ＳＥＮＳＥ ＥＬＥＭＥＮ
Ｔ」という名称で開示され、１９９１年６月１８日に特
許されている。上記のうち２つ以上の条件を監視するこ
とを望む場合には、端子を追加すればよいことは明らか
であろう。さらに、上述した監視手段により、コントロ
ール・ダイ１０に回路（図示せず）を設けて、監視中の
過負荷状態を検出し、次に順序正しくパワー半導体ダイ
１６への電力を遮断し、パワー半導体ダイへのいかなる
損傷をも防ぐようにする。
【００１５】本発明の重要な特徴は、コントロール・ダ
イ１０の入力がコントロール・ダイ１０の基板全体（裏
側）であることである。従って、コントロール・ダイ１
０の裏側をボンディング・パッド１２に装着することに
より、ゲート用リード部１４を流れる電流はコントロー
ル・ダイ１０の入力に流れ、コントロール・ダイに本質
的に電力を供給する。さらに、全ての保護回路（図示せ
ず）が、コントロール・ダイ１０の表面に作られるが、
このコントロール・ダイ１０はワイヤーボンド３８〜４
０を介してパワー半導体ダイ１６に、後に結合される。
したがって、電流がゲート用リード部１４とコントロー
ル・ダイ１０を流れる時に、パワー半導体ダイ１６のゲ
ート端子及びケルビン端子間に生ずる電圧は、コントロ
ール・ダイ１０上の回路（図示せず）により許容された
最大電圧に達するまで増加する。
【００１６】パワー半導体ダイ１６がＮ型電界効果トラ
ンジスタ・デバイスであり、電流を流すためにはゲート
電圧がソース電圧よりも大きくなければならない場合に
は、コントロール・ダイ１０は、電流を流すために、Ｎ
型基板の上に作らなければならないが、この場合基板が
コントロール・ダイ１０の最も高い正電位をもつ端子と
しての役割を果たすことは、注記するに値しよう。これ
は通常Ｐ型基板上に作られる殆どの典型的なＩＣと異な
る点である。一方、パワー半導体ダイ１６がＰ型デバイ
スである場合は、コントロール・ダイ１０はＰ型基板を
もつ標準的なＩＣでよく、この場合基板はコントロール
・ダイ１０の最も低い負電位をもつ端子としての役割を
果たす。
【００１７】本発明の大きな利点は、コントロール・ダ
イ１０をボンディング・パッド１２に装着する場合、標
準的な実装技術が利用できることである。すなわち、パ
ワー半導体１６のダイボンディングの完成時に、コント
ロール・ダイ１０を同時にボンディング・パッド１２に
装着するのである。このように、本発明の長所は、既存
のパワー・デバイスのパッケージを使用して、コントロ
ール・ダイ１０をボンディング・パッド１２へ装着する
ことと、ワイヤーボンド３８〜４０を追加するのみで保
護回路を取付けることができることである。換言すれ
ば、コントロール・ダイ１０は、パワー半導体ダイを持
つ既存のパッケージの内部に装着される。その結果、パ
ッケージの外部に回路を追加する必要がなく、またコン
トロール・ダイは回路基板上に追加空間を要することも
ない 以上の説明から、これがパワー・デバイスを保護する新
規な方法であることは明らかである。この新規な方法に
は、パワー・デバイス・パッケージのゲート用リード部
にＩＣダイを装着することと、このＩＣダイをワイヤー
ボンドを介してパワー半導体ダイに結合することが含ま
れる。
【００１８】
【発明の効果】従って、パワー・デバイスのゲート用リ
ード部に流れ込む電流は、すべてＩＣダイを通過しなけ
ればならないことになる。従って、このＩＣダイがその
パワー半導体ダイを制御することができるのである。
【００１９】更に、このＩＣダイはパワー半導体ダイに
現われる他の状態をも監視することができるので、それ
によって過剰応力状態を検出することができる。本発明
を特定の実施例に関して記述したが、当業者にとっては
前述の説明に鑑みて多くの改変、変形、変種が明白であ
ることは明らかである。よって、添付の請求範囲はその
ような全ての改変、変形、変種をも包含するものとす
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】パワー・デバイスのパッケージの制御用リード
部に装着した保護回路を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０ コントロール・ダイ １１ 半導体パッケージ １２，１７，２２ ボンディング・パッド １４ ゲート用リード部 １６ パワー半導体ダイ １８ ドレイン用リード部 ２０ ソース用リード部 ２４ ゲート端子 ２５ ケルビン端子 ２６ センス端子 ３０ ソース端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・ティー・ベネット アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イースト・セルス・ドライブ3412

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ゲート，ドレイン，ケルビンおよびソー
    ス、および少なくとも１つのセンス端子を有する半導体
    パワー・ダイを保護する方法で、前記半導体パワー・ダ
    イはゲート，ソースおよびドレイン用のリード部を有す
    るパッケージの中に納められており、前記ソースおよび
    ドレイン用リード部はそれぞれ半導体パワー・ダイのソ
    ースおよびドレイン端子に結合されており、前記方法
    は： （ａ）コントロール・ダイの裏側を、パッケージのゲー
    ト用リード部と半導体パワー・ダイのゲート端子との間
    にあるボンディング・パッド上に装着する段階であっ
    て、前記コントロール・ダイの裏側が前記コントロール
    ・ダイの入力となっており、前記パッケージのゲート用
    リード部を通る信号が前記コントロール・ダイを活性化
    して電力を供給し；および （ｂ）前記コントロール・ダイを前記半導体パワー・ダ
    イの少なくともゲートおよびケルビン端子に結合させる
    段階；とからなることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載した半導体パワー・ダイ
    を保護する方法において、更に：前記コントロール・ダ
    イを、前記半導体パワー・ダイの少なくとも一つのセン
    ス端子に結合する段階を含むことを特徴とする方法。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載した半導体パワー・ダイ
    を保護する方法において、前記コントロール・ダイをＮ
    型基板上に製作することを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 パッケージに納められた回路であって、
    前記パッケージは第１，第２および第３のリード部を有
    し、前記回路は：ゲート，ドレイン，ケルビン，ソース
    および少なくとも一つのセンス端子を有する半導体パワ
    ーダイであって、前記パッケージの第１及び第２のリー
    ド部が、前記半導体パワー・ダイのソースおよびドレイ
    ン端子にそれぞれ結合されている前記半導体パワー・ダ
    イ；および基板上に作られたコントロール・ダイであっ
    て、前記基板が前記コントロール・ダイの入力として働
    き、複数の端子が前記コントロール・ダイの上面に作ら
    れており、前記コントロール・ダイの基板は、前記パッ
    ケージの上記第３のリード部と前記半導体パワー・ダイ
    のゲート端子との間に存在するボンディング・パッド上
    に装着されており、前記第３のリード部を通る電流は前
    記コントロール・ダイの入力に流れ込んで前記コントロ
    ール・ダイに電力を与え、前記複数の端子の内の第１の
    端子が前記半導体パワー・ダイのゲート端子に結合され
    ており、前記複数の端子の内の第２の端子が上記半導体
    パワー・ダイの前記ケルビン端子に結合されている、前
    記コントロール・ダイ；とからなることを特徴とする回
    路。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載された回路であって、更
    に、前記複数の端子の内の第３の端子が、前記半導体パ
    ワーダイの少なくともセンス端子に結合されていること
    を特徴とする回路。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載された回路であつて、前
    記コントロールダイの前記基板がＮ型半導体であること
    を特徴とする回路。
JP4303185A 1991-11-04 1992-10-16 半導体パワー・ダイを保護する方法およびパワー・デバイスのリード部に装着した保護回路 Pending JPH05218289A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/787,165 US5170312A (en) 1991-11-04 1991-11-04 Protection circuit on a lead of a power device
US787165 1991-11-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05218289A true JPH05218289A (ja) 1993-08-27

Family

ID=25140611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4303185A Pending JPH05218289A (ja) 1991-11-04 1992-10-16 半導体パワー・ダイを保護する方法およびパワー・デバイスのリード部に装着した保護回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5170312A (ja)
EP (1) EP0540926B1 (ja)
JP (1) JPH05218289A (ja)
DE (1) DE69224264T2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69425819T2 (de) * 1994-06-24 2001-01-04 St Microelectronics Srl Schutz für integrierte Leistungsausgangsstufen mit multiplen Leistungsdrähten
US6066890A (en) * 1995-11-13 2000-05-23 Siliconix Incorporated Separate circuit devices in an intra-package configuration and assembly techniques
US5838072A (en) * 1997-02-24 1998-11-17 Mosel Vitalic Corporation Intrachip power distribution package and method for semiconductors having a supply node electrically interconnected with one or more intermediate nodes
US6351040B1 (en) * 1998-01-22 2002-02-26 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device
US20050230850A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Taggart Brian C Microelectronic assembly having a redistribution conductor over a microelectronic die
US7345499B2 (en) * 2006-01-13 2008-03-18 Dell Products L.P. Method of Kelvin current sense in a semiconductor package
US9754854B2 (en) * 2012-10-11 2017-09-05 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having sensing functionality
DE102015104990B4 (de) * 2015-03-31 2020-06-04 Infineon Technologies Austria Ag Verbindungshalbleitervorrichtung mit einem Abtastlead
EP3382378B1 (en) * 2017-03-29 2022-10-26 Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. Optical monitoring

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5299786A (en) * 1976-02-18 1977-08-22 Agency Of Ind Science & Technol Mos integrated circuit
EP0262530B1 (de) * 1986-09-23 1993-06-23 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelemente mit Leistungs-MOSFET und Steuerschaltung
IT1222152B (it) * 1987-07-28 1990-09-05 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo a piu' piastrine di materiale in contenitore di metallo e resina
US4818895A (en) * 1987-11-13 1989-04-04 Kaufman Lance R Direct current sense lead
DE8808805U1 (de) * 1988-07-08 1988-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leistungs-Mosfet mit Temperatursensor
JPH02201949A (ja) * 1989-01-30 1990-08-10 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0390872A (ja) * 1989-09-01 1991-04-16 Toshiba Corp 半導体装置
DE4031051C2 (de) * 1989-11-14 1997-05-07 Siemens Ag Modul mit mindestens einem Halbleiterschaltelement und einer Ansteuerschaltung
US5049973A (en) * 1990-06-26 1991-09-17 Harris Semiconductor Patents, Inc. Heat sink and multi mount pad lead frame package and method for electrically isolating semiconductor die(s)

Also Published As

Publication number Publication date
EP0540926B1 (en) 1998-01-28
DE69224264T2 (de) 1998-07-09
DE69224264D1 (de) 1998-03-05
US5170312A (en) 1992-12-08
EP0540926A1 (en) 1993-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6426484B1 (en) Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die
US6339210B1 (en) Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die
US4811155A (en) Protection circuit for a semiconductor integrated circuit having bipolar transistors
JPH07321628A (ja) ヒステリシストリガ回路を用いる静電放電保護
JP3116916B2 (ja) 回路装置、その製造方法
KR100861665B1 (ko) 정전기 방전 회로들을 포함하는 집적 회로, 이를 위한 제조 방법, 및 다중-칩 모듈
US6437447B1 (en) Dual-sided chip package without a die pad
JPH05218289A (ja) 半導体パワー・ダイを保護する方法およびパワー・デバイスのリード部に装着した保護回路
US4714876A (en) Circuit for initiating test modes
US4864373A (en) Semiconductor circuit device with voltage clamp
JPH09120974A (ja) 半導体装置
JP3886905B2 (ja) Ｅｓｄ保護を備える半導体部品
JPS6010767A (ja) 半導体装置
JPH11163247A (ja) 半導体装置およびリードフレーム
JP3692186B2 (ja) 半導体装置
JPS6038858A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61180470A (ja) 半導体集積回路装置
JPH06188380A (ja) 半導体集積回路装置
JPH02105562A (ja) 半導体集積回路装置
JP2972473B2 (ja) 半導体装置
JPS5913354A (ja) 半導体装置
JP2870923B2 (ja) 半導体集積回路の保護回路
JPH0621329A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS62166557A (ja) 半導体静電破壊保護装置
JPS60115253A (ja) 半導体集積回路装置