JPH0520011Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0520011Y2 JPH0520011Y2 JP20126786U JP20126786U JPH0520011Y2 JP H0520011 Y2 JPH0520011 Y2 JP H0520011Y2 JP 20126786 U JP20126786 U JP 20126786U JP 20126786 U JP20126786 U JP 20126786U JP H0520011 Y2 JPH0520011 Y2 JP H0520011Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency power
- ceramic substrate
- circuit
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、主面に高周波電力増幅回路が形成さ
れたセラミツク基板を金属基板に接着してなる高
周波電力増幅回路装置に関する。
れたセラミツク基板を金属基板に接着してなる高
周波電力増幅回路装置に関する。
（従来の技術）
従来の高周波電力増幅回路装置として、第２図
示のように、放熱用の金属基板ａの上に、上主面
にそれぞれ高周波電力増幅回路の回路ブロツク
b1，b2が形成されたセラミツク基板c1，c2を下主
面に形成された金属層を介して接着し、前記両回
路ブロツクb1とb2を金属リボンｄで接続したもの
が知られている。
示のように、放熱用の金属基板ａの上に、上主面
にそれぞれ高周波電力増幅回路の回路ブロツク
b1，b2が形成されたセラミツク基板c1，c2を下主
面に形成された金属層を介して接着し、前記両回
路ブロツクb1とb2を金属リボンｄで接続したもの
が知られている。
前記回路ブロツクb1及びb2は、それぞれトラン
ジスタｅ、抵抗体ｆ、コンデンサｇ及び配線導体
ｈにより第１段及び第２段の増幅回路を構成して
おり、前記回路ブロツクb1の配線導体ｈから入力
端子i1及び電源端子i2が導出され、前記回路ブロ
ツクb2の配線導体ｈから出力端子i3及び電源端子
i2が導出されている。また、前記回路ブロツクb2
にはアツテネータｊが介入されている。
ジスタｅ、抵抗体ｆ、コンデンサｇ及び配線導体
ｈにより第１段及び第２段の増幅回路を構成して
おり、前記回路ブロツクb1の配線導体ｈから入力
端子i1及び電源端子i2が導出され、前記回路ブロ
ツクb2の配線導体ｈから出力端子i3及び電源端子
i2が導出されている。また、前記回路ブロツクb2
にはアツテネータｊが介入されている。
（考案が解決しようとする問題点）
前述した従来の高周波増幅回路装置によれば、
セラミツク基板を２枚c1，c2に分割したので、セ
ラミツク基板c1，c2と金属基板ａとの熱膨脹係数
の差に基づくセラミツク基板のクラツクの発生を
防止することができるが、前記金属リボンｄは金
属基板ａから離れているので、金属基板ａからの
距離がばらつき易く、そのためそのインピーダン
スが一定にならない。また２つのセラミツク基板
をそれぞれ一定間隔に配置して金属基板ａに接着
しなければならないから工数が多い。
セラミツク基板を２枚c1，c2に分割したので、セ
ラミツク基板c1，c2と金属基板ａとの熱膨脹係数
の差に基づくセラミツク基板のクラツクの発生を
防止することができるが、前記金属リボンｄは金
属基板ａから離れているので、金属基板ａからの
距離がばらつき易く、そのためそのインピーダン
スが一定にならない。また２つのセラミツク基板
をそれぞれ一定間隔に配置して金属基板ａに接着
しなければならないから工数が多い。
したがつて量産性が悪い不都合がある。また金
属リボンｄのインピーダンスが大きいため、高周
波電力増幅回路とこれに接続される伝送線間にミ
スマツチングが生ずるから、インピーダンスを安
定にするために、前述のように回路ブロツクb2に
アツテネータｊを介入する必要があり、更に予め
複数のセラミツク基板c1，c2に分割して高周波電
力増幅回路を形成するため、構造上の制約を受け
て回路設計の自由度が少ない。
属リボンｄのインピーダンスが大きいため、高周
波電力増幅回路とこれに接続される伝送線間にミ
スマツチングが生ずるから、インピーダンスを安
定にするために、前述のように回路ブロツクb2に
アツテネータｊを介入する必要があり、更に予め
複数のセラミツク基板c1，c2に分割して高周波電
力増幅回路を形成するため、構造上の制約を受け
て回路設計の自由度が少ない。
本考案は、従来のこのような不都合を解消する
高周波電力増幅回路装置を提供することをその目
的としたものである。
高周波電力増幅回路装置を提供することをその目
的としたものである。
（問題点を解決するための手段）
本考案は、上述の目的を達成するために、主面
に高周波電力増幅回路が形成されたセラミツク基
板を金属基板に接着してなる高周波電力増幅回路
装置において、前記高周波電力増幅回路は複数の
回路ブロツクから成り、該複数の回路ブロツクを
相互に仕切るように前記セラミツク基板に厚さ方
向に該基板を二つには分離しないようなスリツト
を形成し、互いに隣接する回路ブロツクを該スリ
ツトの形成部を跨ぐリボン、ワイヤ等の金属接続
体で接続したことを特徴とする。
に高周波電力増幅回路が形成されたセラミツク基
板を金属基板に接着してなる高周波電力増幅回路
装置において、前記高周波電力増幅回路は複数の
回路ブロツクから成り、該複数の回路ブロツクを
相互に仕切るように前記セラミツク基板に厚さ方
向に該基板を二つには分離しないようなスリツト
を形成し、互いに隣接する回路ブロツクを該スリ
ツトの形成部を跨ぐリボン、ワイヤ等の金属接続
体で接続したことを特徴とする。
（作用）
本案装置の作動時において、金属基板に接着さ
れたセラミツク基板には金属基板とセラミツク基
板との間の熱膨脹係数の差により応力が作用す
る。該セラミツク基板の主面に形成された高周波
増幅回路の複数の回路ブロツク間に回路ブロツク
相互を仕切るようにセラミツク基板の厚さ方向に
スリツトを形成し、該スリツト形成部を他部より
応力に対して弱く形成したので、該応力によりセ
ラミツク基板のスリツト形成部にクラツクが発生
する。該スリツト形成部には隣接する回路ブロツ
ク相互を接続するリボン、ワイヤ等の金属接続体
が跨いでいるので、クラツクのために回路ブロツ
クの相互の接続が破壊されない。
れたセラミツク基板には金属基板とセラミツク基
板との間の熱膨脹係数の差により応力が作用す
る。該セラミツク基板の主面に形成された高周波
増幅回路の複数の回路ブロツク間に回路ブロツク
相互を仕切るようにセラミツク基板の厚さ方向に
スリツトを形成し、該スリツト形成部を他部より
応力に対して弱く形成したので、該応力によりセ
ラミツク基板のスリツト形成部にクラツクが発生
する。該スリツト形成部には隣接する回路ブロツ
ク相互を接続するリボン、ワイヤ等の金属接続体
が跨いでいるので、クラツクのために回路ブロツ
クの相互の接続が破壊されない。
（実施例）
以下本考案の実施例を図面につき説明する。
第１図において、１は高周波増幅回路を上主面
に形成した例えばアルミナから成るセラミツク基
板で、該セラミツク基板１は下主面に形成された
金属層を半田付けすることにより金属基板２に接
着されている。セラミツク基板１の上主面上に形
成された高周波増幅回路は、図示の例では、３つ
の増幅段から成り、各増幅段を構成する回路ブロ
ツク３1，３2，３3は金属リボン４1，４2により互
いに接続されている。各回路ブロツク３1，３2，
３3はいずれも、トランジスタ５、コンデンサ６
及び抵抗体７が印刷配線導体８で相互に接続され
た周知の高周波増幅回路で、回路ブロツク３1は
入力端子９及び電源端子１０、回路ブロツク３2
は電源端子１０、回路ブロツク３3には電源端子
１０及び出力端子１１をそれぞれ有する。
に形成した例えばアルミナから成るセラミツク基
板で、該セラミツク基板１は下主面に形成された
金属層を半田付けすることにより金属基板２に接
着されている。セラミツク基板１の上主面上に形
成された高周波増幅回路は、図示の例では、３つ
の増幅段から成り、各増幅段を構成する回路ブロ
ツク３1，３2，３3は金属リボン４1，４2により互
いに接続されている。各回路ブロツク３1，３2，
３3はいずれも、トランジスタ５、コンデンサ６
及び抵抗体７が印刷配線導体８で相互に接続され
た周知の高周波増幅回路で、回路ブロツク３1は
入力端子９及び電源端子１０、回路ブロツク３2
は電源端子１０、回路ブロツク３3には電源端子
１０及び出力端子１１をそれぞれ有する。
セラミツク基板１の回路ブロツク３1と３2間及
び回路ブロツク３2と３3間には、隣接する回路ブ
ロツクを仕切るように、セラミツク基板１に下主
面に達する深さあるいはその途中までの深さのス
リツト１２が点線状に形成されている。
び回路ブロツク３2と３3間には、隣接する回路ブ
ロツクを仕切るように、セラミツク基板１に下主
面に達する深さあるいはその途中までの深さのス
リツト１２が点線状に形成されている。
かくて、本装置を放熱器に取り付けて作動し、
回路の発熱でセラミツク基板１に応力が生じた場
合、セラミツク基板１のスリツト１２の形成部に
クラツクが発生する。しかし、スリツト１２の形
成部を跨つて配設された金属リボン４1，４2は所
定の強度を有するものであるから、クラツクによ
つても切断されない。
回路の発熱でセラミツク基板１に応力が生じた場
合、セラミツク基板１のスリツト１２の形成部に
クラツクが発生する。しかし、スリツト１２の形
成部を跨つて配設された金属リボン４1，４2は所
定の強度を有するものであるから、クラツクによ
つても切断されない。
尚、前記実施例では、スリツト１２を点線状に
形成したが、下主面に達しない深さのスリツトを
線状に形成してもよい。
形成したが、下主面に達しない深さのスリツトを
線状に形成してもよい。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案によるときは、セ
ラミツク基板に高周波電力増幅回路を形成し、該
増幅回路の回路ブロツク間に複数の回路ブロツク
を相互に仕切るようにスリツトを形成し、隣接す
る回路ブロツクをワイヤ等の接続導体で相互に接
続したので、セラミツク基板に応力が生じても高
周波増幅回路は切断等の故障を発生することがな
く、量産性が高く、回路設計の自由度も大きい等
の効果を有する。
ラミツク基板に高周波電力増幅回路を形成し、該
増幅回路の回路ブロツク間に複数の回路ブロツク
を相互に仕切るようにスリツトを形成し、隣接す
る回路ブロツクをワイヤ等の接続導体で相互に接
続したので、セラミツク基板に応力が生じても高
周波増幅回路は切断等の故障を発生することがな
く、量産性が高く、回路設計の自由度も大きい等
の効果を有する。
第１図は本考案の１実施例の斜視図、第２図は
従来の装置の斜視図である。 １……セラミツク基板、２……金属基板、３1，
３2，３3……回路ブロツク、４1，４2……金属リ
ボン、１２……スリツト。
従来の装置の斜視図である。 １……セラミツク基板、２……金属基板、３1，
３2，３3……回路ブロツク、４1，４2……金属リ
ボン、１２……スリツト。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 主面に高周波電力増幅回路が形成されたセラ
ミツク基板を金属基板に接着してなる高周波電
力増幅回路装置において、前記高周波電力増幅
回路は複数の回路ブロツクから成り、該複数の
回路ブロツクを相互に仕切るように前記セラミ
ツク基板の厚さ方向に該基板を二つには分離し
ないようなスリツトを形成し、互いに隣接する
回路ブロツクを該スリツトの形成部を跨ぐリボ
ン、ワイヤ等の金属接続体で接続したことを特
徴とする高周波電力増幅回路装置。 ２ 前記スリツトを点線状に形成したことを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の高
周波電力増幅回路装置。 ３ 前記セラミツク基板の厚さより短い深さの前
記スリツトを線状に形成したことを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第１項記載の高周波電
力増幅回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126786U JPH0520011Y2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126786U JPH0520011Y2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108215U JPS63108215U (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0520011Y2 true JPH0520011Y2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=31164558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20126786U Expired - Lifetime JPH0520011Y2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520011Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP20126786U patent/JPH0520011Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63108215U (ja) | 1988-07-12 |
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