JPH0519448A - 半導体装置製造用フオトレテイクル - Google Patents

半導体装置製造用フオトレテイクル

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JPH0519448A
JPH0519448A JP3198385A JP19838591A JPH0519448A JP H0519448 A JPH0519448 A JP H0519448A JP 3198385 A JP3198385 A JP 3198385A JP 19838591 A JP19838591 A JP 19838591A JP H0519448 A JPH0519448 A JP H0519448A
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    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31767—Step and repeat

Abstract

(57)【要約】 【目的】 同一データを複数露光して作成された多面付
けフォトレティクルの端部と内部との位置をウェハ上で
判別できるようにして、レティクルの目合わせ精度を向
上させる。 【構成】 ２面付けレティクルを作成するには、図示さ
れたレイアウトデータにより２回ＥＢ露光を行う。ロー
テーションマークＩ、IIが図示の位置に配置されたレイ
アウトデータにより露光を行うと、ノギスマーク４、５
がレティクル上で白抜きとなる反転パターンであるもの
とすると、レティクルの中央部ではノギスマークがスク
ライブ線センタ３から離れて形成され、その端部ではノ
ギスマークがスクライブ線に接して形成される。このレ
ティクルを用いてステッパにてウェハ上を露光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造用フォト
レティクルに関し、特に同一レティクル上に複数のチッ
プパターンが形成されている多面付けレティクルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化、高集積化が進むに
つれ、半導体ウェハ上への露光時のローテーションや
Ｘ、Ｙ方向への目ずれに対する要求が厳しくなってきて
いる。このローテーションや目ずれ量をモニターするた
めに、レティクルにはスクライブ線内にノギスやローテ
ーションマークを配置している。
【０００３】一方、半導体装置の微細化によりチップサ
イズが小さくなり、同一レティクル上に複数のチップパ
ターンが形成された多面付けレティクルを使用すること
が可能となった。その場合、その多面付けレティクルの
スクライブ線内にノギスとローテーションマークを配置
してローテーションや目ずれ量をモニターする。図７は
１チップの従来のレイアウト図であって、同図におい
て、１はリピートマージン（露光リピート時の重なり
部）、２はスクライブ領域、３はスクライブ線センタ、
７、８は、それぞれローテーションマークα、βにおい
て用いられるノギスマークである。これらローテーショ
ンマークα、βはチップパターンの上下左右に存在する
スクライブ領域内に配置される（図では、上下のローテ
ーションマークは省略されている）。
【０００４】２面付けレティクルを例に挙げて説明する
と、図７に示すレイアウトデータに基づいて２面付けレ
ティクルを作成し、このレティクルを用いてステッパに
よりウェハ上を露光する。その露光結果を図８に示す。
図示した例はステッパ上でローテーションの生じた場合
であるが、この場合、同一レティクル上のパターンであ
るＡ−Ｂ間のＰではローテーションは発生せず、異なる
露光がリピートマージン部で重なるＢ′−Ａ、Ｂ−Ａ″
間のＱ1 、Ｑ2 でローテーションマークα、βの重なり
によってローテーションが検出できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例の半導
体装置用のフォトレティクルを用いてステッパ上でウェ
ハを露光した際に、ステッパ上でのレティクルのローテ
ーションや前工程に対する目ずれが生じた場合、ローテ
ーションは図８中のＱ1 、Ｑ2 の箇所でないと判別不可
能であるが、一方、前工程に対する目ずれは、ローテー
ションの影響の少ないＰの位置で判断するのが好まし
い。ところが、従来のローテーションマークではＰの箇
所も、Ｑ1 、Ｑ2 の箇所もマークが重なり合っているの
で、わずかなローテーションが生じている場合ウェハ上
でＰとＱ1 、Ｑ2 との箇所を判別することは困難であ
り、前記目ずれやローテーションを高精度に検出するこ
とは不可能なことであった。
【０００６】これに対し、多面付けレティクル全体を１
つのデータとし、Ｐの箇所に独特のマークを挿入すれば
上記不都合は解消する。しかし、この場合、チップ内の
データ本体も多重化しなければならなくなり、データ量
が増大するので、実用的ではない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
用フォトレティクルは、同一データを複数回パターニン
グして、同一レティクル上に複数個のチップパターンを
形成してなる多面付けレティクルであって、前記複数個
のチップパターンの境界に設けられるスクライブ線内の
目合わせパターンがレティクルの内部と端部で異なって
いることを特徴としている。具体的には、レティクル内
部の目合わせパターンはスクライブ線センタから離れて
いるのに対し、端部の目合わせパターンはスクライブ線
センタに接して形成されている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例のレイアウトデー
タを示す図である。同図において、１はリピートマージ
ン、２はスクライブ領域、３はスクライブ線センタ、４
はローテーションマークＩにおけるノギスマーク、５は
ローテーションマークIIにおけるノギスマーク、６は前
工程におけるノギスマーク（仮想的に記したもの）であ
り、ローテーションマークＩ、IIは、図１に示すよう
に、チップのパターン本体の上下、左右に配置される。
本実施例で特徴的な点は、ノギスマーク４、５がスクラ
イブ線センタ３からはみ出していない点である。
【０００９】図１のレイアウトデータを用いて図２に示
す２面付けレティクルを作成する。まず、図２のＡの部
分をＥＢ露光する。このとき、図１のハッチング部分
（ノギスマーク部分）は露光されないため、それ以外の
部分が露光され、黒化される。図３、図４はこの段階で
のレティクルのスクライブ線センタ近傍の拡大図であっ
て、図２のＱ1 の部分が図３に、同Ｐの部分が図４に示
されている。
【００１０】続いて、図２のＢの部分の露光を行うので
あるが、このとき、２つのレイアウトパターンのスクラ
イブ線センタ同士が重なり合うようにＥＢ露光を行う。
図２のＰの部分では、先の露光でスクライブ線センタ３
の右側のリピートマージン部は既に黒化されており、ま
た、今回の露光でスクライブ線センタ３の左側部分の一
部が黒化するため、Ｐの部分でのパターンは図５に示す
ものとなる。一方、Ｑ2 の部分のパターンは図４の通り
である。
【００１１】作成されたレティクルを用いステッパにて
ウェハへの露光を行う。ウェハ上でのパターンはレティ
クル内部では図５に示したものとなるが異なる露光で作
成される、レティクル端部同士が突き合わされる部分で
は、図６に示す、スクライブ線センタでオンラインのパ
ターンとなる。
【００１２】ウェハで図５のパターンと図６のパターン
とは簡単に識別することができるので、図５のパターン
部分で前工程との目合わせずれを、また図６のパターン
部分でステッパ上でのローテーションを検出することに
より、正確なモニタリングが容易に行えるようになる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、レティ
クル上に同一データを複数回パターニングして同一レテ
ィクル上で複数個のチップパターンを作成した多面付け
レティクルにおいて、レティクル内部の目合わせパター
ンはスクライブ線センタに達しておらずかつレティクル
端部の目合わせパターンはスクライブ線センタに到達す
るようにしたものであるので、本発明によれば、ウェハ
上でレティクル内部のパターンとレティクル端部のパタ
ーンとの識別が容易となる。従って、本発明によればス
テッパ上でのローテーションや前工程との目合わせずれ
を誤りなく検出することができ、微細化された半導体装
置を信頼性高く製造することができる。また、本発明の
レティクルは、必要最小限のレイアウトデータにより作
成することができるので、データ作成のコストは従来例
の場合と同程度に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を作成するためのレイアウト
パターン図。
【図２】本発明の一実施例を示す概略平面図。
【図３】図２のＱ1 の部分のレイアウト図。
【図４】図２のＱ2 の部分のレイアウト図。
【図５】図２のＰの部分のレイアウト図。
【図６】図２のレティクルによって露光した際のウェハ
上のパターンを示す図。
【図７】レティクルを作成するための従来のレイアウト
パターンを示す図
【図８】図７のレティクルを用いて露光したときのウェ
ハ上の状態を示す図。
【符号の説明】
１…リピートマージン ２…スクライブ領域 ３…スクライブ線センタ ４、５…ノギスマーク ６…前工程のノギスマーク ７、８…ノギスマーク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スクライブ領域に囲まれたチップパター
    ンを複数個有し、スクライブ領域に目合わせパターンが
    形成されている多面付けレティクルにおいて、レティク
    ル端部の目合わせパターンはスクライブ領域端部に達し
    ておりかつレティクル内部の目合わせパターンはスクラ
    イブ領域端部に達していないことを特徴とする半導体装
    置製造用フォトレティクル。
  2. 【請求項２】 チップパターンおよび目合わせパターン
    は１個のチップのパターンデータに基づいて形成されて
    いる請求項１記載の半導体装置製造用フォトレティク
    ル。
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