JPH0518173B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気記録媒体に関するもの
である。 従来例の構成とその問題点 磁気記録の高密度化に重要な役割を果たす、強
磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体は
長手記録用と垂直記録用とに大別される。 いずれの媒体も1μｍ以下の記録波長で用いる
ことを前提として開発されているため、分離損失
の面から表面がより平滑になり、磁気ヘツドとの
高速摺接に対する抵抗力が弱まり、実用化のため
の大きな課題になつている。 そのため各方面で保護膜の検討が進められ、多
くの提案がなされている。しかしスパツタリング
法により得られる酸化物薄膜、窒化物薄膜、テフ
ロン膜、イオンプレーテイング法により得られる
金膜、MoS₂膜、湿式塗布法により得られる脂肪
酸、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、フツ素化合
物等の薄膜、プラズマ重合法により得られるシラ
ンの重合膜等の単一又は複合系のいずれも、1μ
ｍ以下の記録波長では分離損失が大きくなる厚み
である0.05μｍ以上を必要とするため、本来の高
密度磁気記録が達成されない問題点がある。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、磁気
ヘツドとの高速摺接に対する抵抗力の改良された
高密度磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、磁気記録層を構成す
る強磁性薄膜が、強磁性層を形成する際、モノマ
ーガスを導入しながら強磁性金属を蒸着、イオン
プレーテイング、またはスパツタリングすること
で得られる、前記モノマーガスの重合被膜で被覆
された、強磁性金属柱状結晶から成ることを特徴
とし、磁気ヘツドとの高速摺接に対して優れた耐
久力を有するものである。 実施例の説明 以下図面を参照しながら本発明の実施例を説明
する。第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面
図、第２図は強磁性金属薄膜の模式図である。 第１図に於て１は高分子基板、２は軟磁性層、
３は垂直磁化膜である。第２図に於て、４は強磁
性金属柱状結晶で、これは、少くとも表面が重合
膜５で被覆されている。 本発明に用いることの出来る高分子基板は、ポ
リエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリプロピレン等のポリオレフイン類、セルロー
ストリアセテート、ニトロセルロース等のセルロ
ース誘導体、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポ
リパラバニツク酸、ポリイミド等が挙げられる。 本発明に用いることの出来る強磁性金属薄膜と
しては、電子ビーム蒸着法、スパツタリング法、
イオンプレーテイング法、等で形成した、Co、
Fe、Ni、Co−Ni、Co−Fe、Co−Ce、Co−Cr、
Co−Cu、Co−Ｂ、Co−Bi、Co−Ge、Co−La、
Co−Mg、Co−Mn、Co−Mo、Co−Ｐ、Co−
Pt、Co−Ru、Co−Rh、Co−Sn、Co−Sm、Co
−Si、Co−Ti、Co−Ta、Co−Ｖ、Co−Ｗ、Co
−Ni−Cr、Co−Cr−Rh、Co−Ni−Ｐ及びそれ
らの部分酸化膜、部分窒化膜等で磁化容易軸の方
向とは無関係である。 これらの薄膜を構成する柱状結晶の表面は重合
膜で被覆されているが、重合膜の中に磁性粒子が
分散している状態とは違うものである。 重合膜を得るのに用いられるモノマーとしては
ポリテトラフルオロエチレン、弗素化ポリエチレ
ンの如きフルオロカーボン類、ポリクロロトリフ
ルオロエチレン等のクロロフルオロハイドロカー
ボン類、ポリ弗化ビニリデン、ポリ弗化ビニル等
のフルオロハイドロカーボン類、ポリアミド類、
ポリイミド類、ポリカーボネート類、ポリフエニ
レンオキサイド類、ポリエチレンのような炭化水
素類、アリルアミン、アクリルアミド類、ピリジ
ン、エチレンオキサイド等のヘテロ原子を含む環
状有機化合物、テトラアルキルシラン、トリアル
キルシラン等のシラン類、等の単一又は混合物
で、材料に限定はない。 重合膜の厚みは10Åから300Å、好ましくは50
Åから100Åで、重合膜の形成は、蒸着、イオン
プレーテイング、スパツタリングによる強磁性薄
膜の形成と同時過程であることは勿論で、明解に
はなつてないが、この製造プロセスによつても本
発明の効果がでているものと思われる。 即ち、従来より極めて薄い100Å程度で、必要
な耐久性が得られるのは、表面に保護層として層
状に構成したものでは得られない付着強度があ
り、それは恐らく、相互拡散層が存在するためと
考えられる。 又耐久性の他に、耐食性が著しく改良され、垂
直磁化膜、面内磁化膜のいずれでも磁気特性が改
良され、特に抗磁力が大きくなるのも、個々の柱
状結晶が重合膜で被覆されていることに起因して
いることが推定出来る。 以下、更に具体的な一実施例で本発明を詳しく
説明する。 厚さ12μｍのポリアミド基板上に高周波スパツ
タリング法でパーマロイ薄膜を0.45μｍ形成しそ
の上に、同じく高周波スパツタリング法で垂直磁
化膜を形成した。用いたターゲツトはCo−Ｖ
（V19.8wt％）で、高周波電源は13.56MHz最大出
力1.6KWを用いた。導入ガスを変化させて、Co
−Ｖ膜を0.15μｍ形成し、８mm幅の磁気テープを
得た。夫々のテープをCo−Ｂ系の非晶質合金ヘ
ツドで0.6μｍの記録再生を行つた。 スチル状態で再生出力が初期から3dB低下する
までの時間で耐久性を比較した。

【表】 ＊１ 相対出力は比較例を基準とした。
本発明品の出力が比較例より高いのは、抗磁力
が大きくなつた効果であり、垂直抗磁力が比較例
が800〔Oe〕なのに比して本発明品は900〜1000
〔Oe〕であつた。 又、60℃90％RHで１ケ月保存後の磁束の減少
率を比較したが、本発明品は、測定誤差内で変化
は認められなかつたが、比較例は、20％近い減少
がみられた。 以上のように本発明の実施例によれば、強磁性
金属柱状結晶の表面を重合膜で被覆することで磁
気ヘツドとの高速摺接での耐久性が、従来品の10
倍以上に改良され、同時に出力も大きく、かつ耐
食性も良好である磁気記録媒体が得られる。 なお、本実施例以外の前述の材料の組み合わせ
でも同様の効果を確認し、磁気テープ以外のデイ
スク、シートの形態でもその効果を確認した。 発明の効果 以上のように、本発明は強磁性金属薄膜からな
る磁気記録層を重合被膜で被覆した柱状結晶で構
成することにより、磁気ヘツドとの高速摺接によ
る記録再生での耐久性が改良され、その実用的効
果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、
第２図は本発明の磁気記録層の模式図である。 １……高分子基板、４……強磁性金属柱状結
晶、５……重合被膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 強磁性層を形成する際、モノマーガスを導入
   しながら強磁性金属を蒸着、イオンプレーテイン
   グ、またはスパツタリングすることで得られる、
   強磁性金属柱状結晶の表面が、前記モノマーガス
   の重合被膜で被覆されたことを特徴とする強磁性
   金属薄膜からなる磁気記録媒体。