JPH0561683B2 - - Google Patents
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- JPH0561683B2 JPH0561683B2 JP59189034A JP18903484A JPH0561683B2 JP H0561683 B2 JPH0561683 B2 JP H0561683B2 JP 59189034 A JP59189034 A JP 59189034A JP 18903484 A JP18903484 A JP 18903484A JP H0561683 B2 JPH0561683 B2 JP H0561683B2
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体
に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録の高密度化に原理的に適した垂
直磁気記録方式が注目され、研究が活発に行われ
その特徴が明らかになると同時に実用化する為の
多くの課題が明らかになつてきている。それらの
課題の中に磁気ヘツドの感度不足の問題が挙げら
れる。一方長手記録と考えられる現在実用になつ
ている磁気記録方式で用いられているリング型の
磁気ヘツドは感度が最も良好であり、逆にリング
ヘツドにより更に記録密度を向上できる磁気記録
媒体を見出すことができれば有用であるのは明ら
かである。 現状では、飽和磁束密度の大きい金属薄膜で長
手方向の保磁力を大きくすることで減磁界を受け
ても必要な感度が得られるようにする方向が主流
であるが、雑音が予想以上に大きく、機器設計に
必要な信号対雑音比(S/N)を高密度で得るこ
とが出来ず、垂直記録が目標にしている108ビツ
ト/cm2をクリアすることが出来ず改良が望まれて
いる。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、高密
度記録をリング型磁気ヘツドにより行うことの出
来る磁気記録媒体を提供するのが目的である。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、微細突起を有する基
板上に形成した磁気記録層の垂直方向の保磁力が
長手方向の保磁力の1.2倍から1.7倍の範囲にある
ことを特徴とし、リング型磁気ヘツドにより高密
度記録再生で優れたS/Nを得ることができるも
のである。 実施例の説明 以上図面を参照しながら本発明を説明する。 第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第1図で1は高分子基板、2は微粒子、3
は該微粒子を固定する樹脂層、4は磁気記録層で
ある。 第2図は、本発明の磁気記録層の磁化曲線の一
例である。5は磁気記録層に垂直方向の磁化曲線
で6は磁気記録層と平行でかつ長手方向の磁化曲
線であり、H1,H2はそれぞれ保磁力を示すもの
で、本発明の磁気記録層はH2/H1が1.2から1.7
の範囲にあることを条件としている。 本発明に用いることの出来る高分子基板はポリ
エチレンテレフタレート,ポリカーボネート,ポ
リアミド,ポリイミド等で、これらのフイルムの
上にSiO2,CaCo3,BaSO4,TiO2等の微粒子を
1μm角に1ケから50ケ、ポリエステル,エポキシ
等の樹脂で固定したものが基板として適してい
る。 用いられる微粒子の作用効果のひとつは、実効
的な接触面積を減らして、摩擦力を軽減すること
で金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化を可能にした点が挙げられるが、S/Nでみ
ると不均一性が微視的には増大し、雑音が増大
し、S/N低下が起つており、記録密度の実用限
界が107ビツト/cm2近くでとまつてしまつていた
のであるが、本発明の保磁力の関係を満足するこ
とで108ビツト/cm2が可能になつたものである。 勿論、保磁力の比率だけが問題ではなく、その
値も常識的な値である必要があるのは当然であ
る。 ヘツド材質、ギヤツプ長などにもよるが、長手
方向の保磁力は800〔O¨e〕から2000〔O¨e〕好まし
くは1000〔O¨e〕から1500〔O¨e〕である。 本発明に用いられる磁気記録層は、Co,Fe,
Co−Fe,Co−Ni,Co−B,Co−Cu+Co−Ce,
Co−Dy,Co−F,Co−Ge,Co−Hf,Co−La,
Co−Mg,Co−Mn,Co−Mo,Co−Nd,Co−
Os,Co−p,Co−Ru,Co−Rh,Co−Sm,Co
−Si,Co−Sn,Co−Ti,Co−Ta,Co−V,Co
−W,Co−Y,Co−Zn,Co−Zr,Co−Ni−P,
Co−O,Co−Ni−O,Co−Ni−Zn−P等で、
磁化容易軸には無関係である。 本発明の磁気記録層の要件によりS/Nが改良
されるのは、リングヘツドの作る磁界がベクトル
的であり、記録磁化量が最大になる範囲が垂直磁
気記録の時も長手記録の時も純粋に一記録過程で
考えられず、合成であり、保磁力の比率が(垂
直)/(長手)で1.2から3.3の間にあり、雑音を
抑制するには、垂直記録的の時は、長手の保磁力
が必要で、逆に長手記録的の時は垂直の保磁力が
必要で、その良好な抑制範囲が(垂直)/(長
手)が0.9から1.7の範囲であり、この両方から本
発明の条件がでてくるもので、それにより、Sが
最大でNが最小とできS/Nが改良されるものと
考えられるものである。 微細突起の大きさが平均粒子径50Åから500Å
の範囲であれば、前述の条件でよいが、それ以外
の微細突起では、別のフアクタが入つてくるもの
と考えられ必ずしも本発明の要件のみで目的を達
成できるとは限らないが、これについては現在不
明である。 以下さらに具体的に本発明の一実施例について
説明する。 (実施例) 厚み12μmのポリアミドフイルムの上に、平均
粒子径100ÅのTiO2粒子を紫外線硬化のエポキシ
樹脂で平均密度13個/(μm)2となる様分散固定
した基板を用い、基板温度を−20℃に保持して、
高周波スパツタリング法により、Co−Cr−V三
元系合金薄膜を形成し、その後熱処理を行い、各
種の磁気記録層を得た。 それらの磁気特性を振動試料型磁束計で測定す
ると共に、リング型磁気ヘツドで5×107ビツ
ト/cm2108ビツト/cm2の2つの記録密度でのS/
Nを評価した。S/Nは45dB以上であれば実用
水準とみなした。 条件と測定結果を表にまとめて示した。
に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、磁気記録の高密度化に原理的に適した垂
直磁気記録方式が注目され、研究が活発に行われ
その特徴が明らかになると同時に実用化する為の
多くの課題が明らかになつてきている。それらの
課題の中に磁気ヘツドの感度不足の問題が挙げら
れる。一方長手記録と考えられる現在実用になつ
ている磁気記録方式で用いられているリング型の
磁気ヘツドは感度が最も良好であり、逆にリング
ヘツドにより更に記録密度を向上できる磁気記録
媒体を見出すことができれば有用であるのは明ら
かである。 現状では、飽和磁束密度の大きい金属薄膜で長
手方向の保磁力を大きくすることで減磁界を受け
ても必要な感度が得られるようにする方向が主流
であるが、雑音が予想以上に大きく、機器設計に
必要な信号対雑音比(S/N)を高密度で得るこ
とが出来ず、垂直記録が目標にしている108ビツ
ト/cm2をクリアすることが出来ず改良が望まれて
いる。 発明の目的 本発明は上記事情に鑑みなされたもので、高密
度記録をリング型磁気ヘツドにより行うことの出
来る磁気記録媒体を提供するのが目的である。 発明の構成 本発明の磁気記録媒体は、微細突起を有する基
板上に形成した磁気記録層の垂直方向の保磁力が
長手方向の保磁力の1.2倍から1.7倍の範囲にある
ことを特徴とし、リング型磁気ヘツドにより高密
度記録再生で優れたS/Nを得ることができるも
のである。 実施例の説明 以上図面を参照しながら本発明を説明する。 第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図で
ある。第1図で1は高分子基板、2は微粒子、3
は該微粒子を固定する樹脂層、4は磁気記録層で
ある。 第2図は、本発明の磁気記録層の磁化曲線の一
例である。5は磁気記録層に垂直方向の磁化曲線
で6は磁気記録層と平行でかつ長手方向の磁化曲
線であり、H1,H2はそれぞれ保磁力を示すもの
で、本発明の磁気記録層はH2/H1が1.2から1.7
の範囲にあることを条件としている。 本発明に用いることの出来る高分子基板はポリ
エチレンテレフタレート,ポリカーボネート,ポ
リアミド,ポリイミド等で、これらのフイルムの
上にSiO2,CaCo3,BaSO4,TiO2等の微粒子を
1μm角に1ケから50ケ、ポリエステル,エポキシ
等の樹脂で固定したものが基板として適してい
る。 用いられる微粒子の作用効果のひとつは、実効
的な接触面積を減らして、摩擦力を軽減すること
で金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の実
用化を可能にした点が挙げられるが、S/Nでみ
ると不均一性が微視的には増大し、雑音が増大
し、S/N低下が起つており、記録密度の実用限
界が107ビツト/cm2近くでとまつてしまつていた
のであるが、本発明の保磁力の関係を満足するこ
とで108ビツト/cm2が可能になつたものである。 勿論、保磁力の比率だけが問題ではなく、その
値も常識的な値である必要があるのは当然であ
る。 ヘツド材質、ギヤツプ長などにもよるが、長手
方向の保磁力は800〔O¨e〕から2000〔O¨e〕好まし
くは1000〔O¨e〕から1500〔O¨e〕である。 本発明に用いられる磁気記録層は、Co,Fe,
Co−Fe,Co−Ni,Co−B,Co−Cu+Co−Ce,
Co−Dy,Co−F,Co−Ge,Co−Hf,Co−La,
Co−Mg,Co−Mn,Co−Mo,Co−Nd,Co−
Os,Co−p,Co−Ru,Co−Rh,Co−Sm,Co
−Si,Co−Sn,Co−Ti,Co−Ta,Co−V,Co
−W,Co−Y,Co−Zn,Co−Zr,Co−Ni−P,
Co−O,Co−Ni−O,Co−Ni−Zn−P等で、
磁化容易軸には無関係である。 本発明の磁気記録層の要件によりS/Nが改良
されるのは、リングヘツドの作る磁界がベクトル
的であり、記録磁化量が最大になる範囲が垂直磁
気記録の時も長手記録の時も純粋に一記録過程で
考えられず、合成であり、保磁力の比率が(垂
直)/(長手)で1.2から3.3の間にあり、雑音を
抑制するには、垂直記録的の時は、長手の保磁力
が必要で、逆に長手記録的の時は垂直の保磁力が
必要で、その良好な抑制範囲が(垂直)/(長
手)が0.9から1.7の範囲であり、この両方から本
発明の条件がでてくるもので、それにより、Sが
最大でNが最小とできS/Nが改良されるものと
考えられるものである。 微細突起の大きさが平均粒子径50Åから500Å
の範囲であれば、前述の条件でよいが、それ以外
の微細突起では、別のフアクタが入つてくるもの
と考えられ必ずしも本発明の要件のみで目的を達
成できるとは限らないが、これについては現在不
明である。 以下さらに具体的に本発明の一実施例について
説明する。 (実施例) 厚み12μmのポリアミドフイルムの上に、平均
粒子径100ÅのTiO2粒子を紫外線硬化のエポキシ
樹脂で平均密度13個/(μm)2となる様分散固定
した基板を用い、基板温度を−20℃に保持して、
高周波スパツタリング法により、Co−Cr−V三
元系合金薄膜を形成し、その後熱処理を行い、各
種の磁気記録層を得た。 それらの磁気特性を振動試料型磁束計で測定す
ると共に、リング型磁気ヘツドで5×107ビツ
ト/cm2108ビツト/cm2の2つの記録密度でのS/
Nを評価した。S/Nは45dB以上であれば実用
水準とみなした。 条件と測定結果を表にまとめて示した。
【表】
尚、他に垂直保磁力と長手保磁力の比率が0.7
と2.5のものについてCo−B非晶質合金ヘツド
(ギヤツプ長0.17μm)で録再した時の1×108ビ
ツト/cm2でのS/Nは37dBで、表より明らかに、
本発明品によれば、リング型磁気ヘツドでの録再
によりS/Nとして45dB以上の値を1×108ビツ
ト/cm2で確保できることがわかる。 尚、本発明品はこの例に限らず、前述の他の材
料の組み合わせでもほぼ同様のS/Nを達成でき
ることを確認した。 発明の効果 以上のように本発明の磁気記録媒体は垂直保磁
力を長手保磁力の1.2倍から1.7倍の範囲に構成し
た磁気記録層を用いることで、リング型磁気ヘツ
ドにより高密度記録再生を良好なS/Nで行うこ
とができるものでその実用性は大きい。
と2.5のものについてCo−B非晶質合金ヘツド
(ギヤツプ長0.17μm)で録再した時の1×108ビ
ツト/cm2でのS/Nは37dBで、表より明らかに、
本発明品によれば、リング型磁気ヘツドでの録再
によりS/Nとして45dB以上の値を1×108ビツ
ト/cm2で確保できることがわかる。 尚、本発明品はこの例に限らず、前述の他の材
料の組み合わせでもほぼ同様のS/Nを達成でき
ることを確認した。 発明の効果 以上のように本発明の磁気記録媒体は垂直保磁
力を長手保磁力の1.2倍から1.7倍の範囲に構成し
た磁気記録層を用いることで、リング型磁気ヘツ
ドにより高密度記録再生を良好なS/Nで行うこ
とができるものでその実用性は大きい。
第1図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、
第2図は本発明の磁気記録層に用いる磁化曲線の
一例を示す図である。 1…高分子基板、2…微粒子、4…磁気記録
層。
第2図は本発明の磁気記録層に用いる磁化曲線の
一例を示す図である。 1…高分子基板、2…微粒子、4…磁気記録
層。
Claims (1)
- 1 微細突起を有する基板上に形成した磁気記録
層の垂直方向の保磁力が長手方向の保磁力の1.2
倍から1.7倍の範囲にあることを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18903484A JPS6166221A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18903484A JPS6166221A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6166221A JPS6166221A (ja) | 1986-04-05 |
JPH0561683B2 true JPH0561683B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=16234187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18903484A Granted JPS6166221A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6166221A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992428A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS5994227A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP18903484A patent/JPS6166221A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992428A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS5994227A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6166221A (ja) | 1986-04-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |