JPH05165240A

JPH05165240A - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH05165240A
Application number: JP33353091A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Ono; 均小野; Atsuro Saida; 敦朗齋田; Junko Watabe; 純子渡部; Kozo Ishio; 耕三石尾
Original assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Current assignee: Mitsubishi Kasei Corp
Priority date: 1991-12-17
Filing date: 1991-12-17
Publication date: 1993-07-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有する感
光層を、導電性支持体上に有する電子写真用感光体にお
いて、電荷発生材料として、ジハロゲノスズフタロシア
ニン類を用い、かつ電荷輸送材料として一般式［Ｉ］で
表わされるアリールアミンヒドラゾン系化合物を含有す
る感光層を有する電子写真用感光体。例えば【効果】高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。又７５０〜８５０ｎｍの領
域の感度が高いことから、特に半導体レーザプリンタ用
感光体に適している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は可視光領域から近赤外の
波長領域に至るまで高い感度とすぐれた特性を有する電
子写真用感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及びその課題】従来、電子写真用感光体の
感光層にはセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の光導
電性物質が広く用いられている。又ポリビニルカルバゾ
ールに代表される有機系の光導電性物質を電子写真感光
体の感光層に用いる研究が進みその幾つかが実用化され
てきた。

【０００３】有機系の光導電性物質は無機系の材料に比
べて、軽量である成膜が容易である、感光体の製造が容
易である、材料は無公害である等の利点を有している。
近年、従来の白色光のかわりにレーザー光を光源とし
て、高速化、高画質化、ノンインパクト化を長所とした
レーザービームプリンター（ＬＢＰ）等が、情報処理シ
ステムの進歩と相まって広く普及するに至りその要求に
耐えうる材料の開発が要望されている。

【０００４】特にレーザー光の中でも近年コンパクトデ
ィスク、光ディスク等への応用が増大し技術進展が著る
しい半導体レーザーはコンパクトでかつ信頼性の高い光
源材料としてプリンター分野でも積極的に応用されてき
た。この場合該光源の波長は８００ｎｍ前後である事か
ら８００ｎｍ前後の長波長光に対して高感度な特性を有
する感光体の開発が強く望まれている。

【０００５】この目的に合致する材料として特開昭６２
−１１９５４７号公報等に記載されたジハロゲノスズフ
タロシアニン類が知られている。しかしながら、長波長
光に対して高感度で、かつ他の実用上電気特性（帯電
性、残留電化、繰返し安定性等）も良好な電子写真用感
光体が求められていた。本発明者らはジハロゲノスズフ
タロシアニン類を用いる電子写真感光体につき鋭意検討
した結果、ジハロゲノスズフタロシアニン類を電化発生
材料とし、かつ特定のヒドラゾン類を電荷輸送材料とし
て感光体を作成した場合、所望の目的を達成して、帯電
性、感度、暗減衰、残留電化等が良好なバランスの取れ
た電子写真用感光体を提供できることを見出し、本発明
を完成させるに至った。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有する感光層を、導
電性支持体上に有する電子写真用感光体において、電荷
発生材料として、ジハロゲノスズフタロシアニン類を用
い、かつ電荷輸送材料として下記一般式〔Ｉ〕

【０００７】

【化３】

【０００８】（式中、Ｘは水素原子又は一般式〔II〕−
Ｃ（Ｒ⁸）＝Ｎ−Ｑ²で示される基を表わし；Ｑ¹は下
記一般式〔III 〕〜〔VII 〕で示されるいずれかの基を
表わし；Ｑ²は下記一般式〔IV〕〜〔VIII〕で示される
いずれかの基を表わし；

【０００９】

【化４】

【００１０】Ｙは置換基を有していてもよい２価の炭化
水素残基又は酸素原子を表わし、炭化水素残基中に１個
又は２個以上の酸素原子が介在していてもよく；ｎは０
または１を表わし；Ａｒ¹およびＡｒ²はそれぞれ置換
基を有していてもよいアリール基又は複素環基であり、
これらは互いに同一でも異なっていてもよく；Ｒ¹，Ｒ
²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁹はそれぞれ水素原子、
置換基を有していてもよい低級アルキル基、ハロゲン原
子、または置換基を有していてもよい低級アルコキシ基
を表わし、これらは互いに同一でも異なっていてもよ
く；Ｒ⁶およびＲ ⁸はそれぞれ水素原子、メチル基、ま
たは置換基を有していてもよいフェニル基を表わし、こ
れらは互いに同一でも異なっていてもよく；Ｒ⁷および
Ｒ¹⁰はそれぞれ置換基を有していてもよいアリール基も
しくは複素環基を表す。）で示されるアリールアミンヒ
ドラゾン系化合物を用いることを特徴とする電子写真用
感光体に存する。

【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
電子写真用感光体を形成する材料のうち電荷発生材料と
して使用されるジハロゲノスズフタロシアニン類は特開
昭６２−１１９５４７号公報に記載された如く、ジハロ
ゲノスズフタロシアニン及びその芳香環に置換基を有す
るフタロシアニン化合物を示し、特にはジクロロスズフ
タロシアニンが好ましい。また、そのＸ線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角（２θ±０．２°）８．４°，１
２．２°，１３．８°，１９．１°，２２．４°，２
８．２°，及び３０．０°に主たる回折ピークを有する
ことが好ましい。

【００１２】使用されるジハロゲノスズフタロシアニン
類の粉末Ｘ線スペクトルの例を図１に示す。図の如く、
ブラッグ角（２θ±０．２°）８．４°，１２．２°，
１３．８°，１９．１°，２２．４°，２８．２°及び
３０．０°の回折ピークが主たるピークであり、これら
の強度比あるいはこれらのピーク以外は細かい条件によ
って種々ふれる。

【００１３】本発明に用いるジハロゲノスズフタロシア
ニンの製造方法は特に限定されないが、例えば以下の方
法で製造される。

【００１４】

【化５】

【００１５】（上記反応式中、Ｘは水素原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基、アリルオキシ基、ニトロ
基、シアノ基、水酸基、ベンジルオキシ基又はハロゲン
原子を表わし、Ｙはハロゲン原子を表わし、ｌは２，３
又は４の整数を表わし、ｍは０〜４の整数を表わしベン
ゼン環の置換基Ｘの数を示す。）有機溶剤としては、キ
ノリン、α−クロロナフタレン、β−クロロナフタレ
ン、α−メチルナフタレン、メトキシナフタレン、ジフ
ェニルエーテル、ジフェニルメタン、ジフェニルエタ
ン、エチレングリコール、ジアルキルエーテル、高級脂
肪族アミン等の反応に不活性な高沸点有機溶剤が望まし
く、反応温度は通常１５０°〜３００℃が望ましい。ま
た、場合によっては無溶媒でも１６０℃以上に加熱する
と反応は進行する。

【００１６】上記反応式に従ってジハロゲノスズフタロ
シアニン化合物の粗製品が製造できる。なお原料のフタ
ロニトリル類としては公知の如く、ｏ−ジカルボン酸
類、フタル酸無水物類、フタルイミド類、フタル酸ジア
ミド類等も原料として使用できる。

【００１７】上述のようにして得られた粗ジハロゲノス
ズフタロシニアン化合物の精製は、一般の有機顔料と同
様に昇華精製、再結晶精製、有機溶剤処理、高沸点有機
溶剤による熱懸濁精製、硫酸溶剤後の再沈澱法、アルカ
リ洗浄法等公知の方法に従って行うことができる。精製
に際し、有機溶剤処理、および熱懸濁精製に用いられる
有機溶剤としてはキシレン、ナフタレン、トルエン、モ
ノクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ｏ−ジクロロ
ベンゼン、クロロホルム、テトラクロロエタン、α及び
β−クロロナフタレン、α及びβ−メチルナフタレン、
α−メトキシナフタレン、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチルピロリドン等の他に、前述した反応に用いた有
機溶剤類、水、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール、ピリジン、アセトン、メチルエチルケ
トン、テトラヒドロフラン等の有機溶剤が使用可能であ
るが、特に熱懸濁精製には、高沸点有機溶剤が望まし
い。

【００１８】電荷輸送材料は一般式〔Ｉ〕で示される化
合物を用いる。式中Ｘは水素原子又は一般式〔II〕−Ｃ
（Ｒ⁸）＝Ｎ−Ｑ²で示される基を表わし；Ｑ¹は下記
一般式〔III 〕〜〔VII 〕で示されるいずれかの基を表
わし；Ｑ²は下記一般式〔IV〕〜〔VIII〕で示されるい
ずれかの基を表わす。

【００１９】

【化６】

【００２０】Ｙはメチル基、エチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基、塩
素原子、臭素原子等のハロゲン原子及びフェニル基、ナ
フチル基等のアリール基等の置換基を有していてもよい
２価の炭化水素残基又は酸素原子を表わし、炭化水素残
基中に１個又は２個以上の酸素原子が介在していてもよ
い。炭化水素残基中に酸素原子が介在する場合は、エー
テル結合の形をとる。

【００２１】又、ｎは０又は１を表わす。Ａｒ¹および
Ａｒ²はメチル基、エチル基等の低級アルキル基、メト
キシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基、フェニル基
等の置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基
等のアリール基又は同様の置換基を有してもよいピロリ
ル基、チオフェニル基、フリル基、カルバゾリル基等の
複素環基を表わしこれらは互いに同一でも異なっていて
もよい。

【００２２】Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁹
は水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロゲ
ン原子；メチル基、エチル基等の低級アルキル基；メト
キシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基を表わし、低
級アルキル基、低級アルコキシ基は置換基を有してもよ
くこれらは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ⁶お
よびＲ⁸は水素原子；メチル基；フェニル基；トリル
基、アニシル基、クロロフェニル基等の置換基を有して
もよいフェニル基を表わし、これらは互いに同一でも異
なっていてもよい。

【００２３】Ｒ⁷およびＲ¹⁰はフェニル基、ナフチル基
等のアリール基；トリル基、アニシル基、クロロフェニ
ル基等の置換基を有していてもよいアリール基又はピロ
リル基、チオフェニル基、フリル基、カルバゾリル基等
の複素環基を表す。そしてＲ ⁷，Ｒ¹⁰は互いに同一でも
異なっていてもよい。前記一般式〔Ｉ〕で表わされるア
リールアミンヒドラゾン系化合物は公知の方法を用いて
製造できる。

【００２４】例えば、アリールアミン系化合物を原料と
して用いて、公知なカルボニル導入反応を行ない、次い
で所望のヒドラジン類との脱水反応を行なう事により目
的の化合物を得る方法である。（Ａ−１）一般式
〔Ｉ〕中、Ｒ⁶およびＲ⁸が水素原子である場合、下記
の様に

【００２５】

【化７】

【００２６】一般式〔IX〕（一般式〔IX〕および〔Ｘ〕
中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ａｒ ¹，Ａｒ²，Ｙおよ
びｎは前示一般式〔Ｉ〕におけると同一の意義を有し、
一般式〔Ｘ〕中のＺは水素原子もしくは−ＣＨＯ基を表
わす。）で表わされるアリールアミン系化合物をオキシ
塩化リンの存在下に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ−メチルホルムアニリド等のホルミル化剤と反応させ
ると一般式〔Ｘ〕で示されるアルデヒド体が得られる。
（ウイルスマイヤー反応）ホルミル化剤を大過剰に用い
て反応溶媒を兼ねることもできるが、ｏ−ジクロルベン
ゼン、ベンゼン等の反応に不活性な溶媒を用いる事もで
きる。

【００２７】（Ａ−２）次いで得られた一般式〔Ｘ〕
の化合物を下記一般式〔XI〕ａ，ｂで表わされるヒドラ
ジン類と脱水縮合反応する事により一般式〔Ｉ〕で表わ
されるアリールアミンヒドラゾンを製造できる。ここで
〔XI〕ａ，ｂのＲ⁷とＲ⁵、Ｒ⁹とＲ¹⁰が窒素原子を含
んだ前記の一般式〔IV〕，〔Ｖ〕，〔VI〕，〔VII 〕で
示される複素環を形成していてもよい。

【００２８】

【化８】

【００２９】脱水縮合反応は必要によっては５０℃〜１
５０℃の加熱下、メタノール、エタノール、テトラヒド
ロフラン、セロソルブ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ベンゼン、トルエン等の反応に不活性な溶剤の中、
所望により反応促進剤としてパラトルエンスルホン酸、
塩酸、酢酸ナトリウム等の助剤を用いてもよい。（ヒド
ラゾン化反応）なお、〔XI〕ａ，〔XI〕ｂは単独でも混
合してもよく又、場合によっては段階的に反応させても
よい。

【００３０】（Ｂ−１）一般式〔Ｉ〕中、Ｒ⁶および
Ｒ⁸が水素原子以外の場合、下記の様に

【００３１】

【化９】

【００３２】一般式〔IX〕（一般式〔XII 〕中、Ｒ¹，
Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴，Ａｒ¹，Ａｒ²，Ｙおよびｎは一般
式〔Ｉ〕におけると同一の意義を有し、一般式〔XII 〕
中、Ｗは水素原子もしくは−Ｃ（Ｒ⁸）＝Ｏ基を表わ
し、Ｒ⁶およびＲ⁸は一般式〔Ｉ〕におけると同一の意
義を有する。Ｒ⁶およびＲ⁸は同一でも異なっていても
よい。）で表わされるアリールアミン系化合物を塩化ア
ルミニウム、塩化鉄、塩化亜鉛等のルイス酸存在下、ニ
トロベンゼン、ジクロルメタン、四塩化炭素等の溶媒
中、一般式Ｃｌ−ＣＯ−Ｒ⁶もしくはＣｌ−ＣＯ−Ｒ⁸
で表わされる酸塩化物と反応させることにより一般式
〔XII 〕で表わされるケトン体が得られる。

【００３３】Ｒ⁶およびＲ⁸は互いに同一でも異なって
いてもよく、Ｒ⁶≠Ｒ⁸の場合は加える酸塩化物を混
合、もしくは段階的に加わえる事によって達成される。
（Ｂ−２）（Ａ−２）と同様の反応で達成できる。こ
れらの反応において、場合によっては、各工程終了後、
あるいは、全工程終了後、再結晶精製、昇華精製、カラ
ム精製等の公知の精製手段により高純度体を得る事も可
能である。

【００３４】本発明の感光体につき更に詳細に説明する
と本発明の感光体は導電性支持体上に電荷発生材料と電
荷輸送材料を含有する。具体的には通常、電荷発生材料
を直接蒸着あるいはバインダーとの分散液として塗布し
て電荷発生層を作成し、その上に有機溶剤溶液からのキ
ャストとかバインダーとの溶解・分散液塗布により電荷
輸送材料を含有する電荷輸送層を作成して成る積層型感
光体であるが、電荷発生層と電荷輸送層の積層順序は逆
の構成でもよい。

【００３５】又、電荷発生材料と電荷輸送材料とがバイ
ンダー中に分散、溶解した状態で導電性支持体上に塗布
した一層型感光体であってもよい。又、これらの他に、
接着層、ブロッキング層等の中間層や、保護層など、電
気特性、機械特性の改良のための層を設けてもよい。導
電性支持体としては周知の電子写真感光体に採用されて
いるものがいずれも使用できる。具体的には例えばアル
ミニウム、ステンレス、銅等の金属ドラム、シートある
いはこれらの金属箔のラミネート物、蒸着物が挙げられ
る。更に、金属粉末、カーボンブラック、ヨウ化銅、高
分子電解質等の導電性物質を適当なバインダーとともに
塗布して導電処理したプラスチックフィルム、プラスチ
ックドラム、紙、紙管等が挙げられる。また、金属粉
末、カーボンブラック、炭素繊維等の導電性物質を含有
し、導電性となったプラスチックのシートやドラムが挙
げられる。

【００３６】又、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性
金属酸化物で導電処理したプラスチックフィルムやベル
トが挙げられる。これらの導電性支持体上に形成する電
荷発生層は、本発明のジハロゲノスズフタロシアニン類
粒子とバインダーポリマーおよび必要に応じ有機光導電
性化合物、色紫、電子吸引性化合物等を溶剤に溶解ある
いは分散して得られる塗布液を塗布乾燥して得られる。
バインダーとしては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニ
ル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ビニ
ルアルコール、エチルビニルエーテル等のビニル化合物
の重合体および共重合体、ポリビニルアセタール、ポリ
カーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、セルロースエステル、セルロースエーテル、フェノ
キシ樹脂、けい素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
ジハロゲノスズフタロシアニンとバインダーポリマーと
の割合は、特に制限はないが、一般には、ジハロゲノス
ズフタロシアニン１００重量部に対し、５〜５００重量
部、好ましくは、２０〜３００重量部のバインダーポリ
マーを使用する。

【００３７】電荷発生層の膜厚は、０．０５〜５μｍ、
好ましくは０．１〜２μｍになる様にする。電荷発生層
から電荷キャリヤーが注入される。なお、ジハロゲノス
ズフタロシアニン以外の電荷発生材料を併用することも
可能であり、この場合にはジハロゲノスズフタロシアニ
ンの使用量をそれに応じて減少させる。

【００３８】電荷発生層は、キャリヤーの注入効率と移
動効率の高い電荷輸送材料を含有する。電荷輸送層には
必要に応じバインダーポリマーが用いられる。バインダ
ーポリマーとしては、上記電荷輸送材料との相溶性が良
く、塗膜形成後に電荷輸送材料が結晶化したり、相分離
することのないポリマーが好ましく、それらの例として
は、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エ
ステル、メタクリル酸エステル、ブタジエン等のビニル
化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアセター
ル、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、
ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース
エステル、セルロースエーテル、フェノキシ樹脂、けい
素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。バインダーポリ
マーの使用量は、通常電荷輸送材料１００重量部に対し
５０〜３０００重量部、好ましくは７０〜１０００重量
部の範囲である。電荷輸送層にはこの他に、塗膜の機械
的強度や、耐久性向上のための種々の添加剤を用いるこ
とができる。

【００３９】この様な添加剤としては、周知の可塑剤
や、種々の安定剤、流動性付与剤、架橋剤等が挙げられ
る。

【００４０】

【発明の効果】この様にして得られる本発明の電子写真
用感光体は高感度で、残留電位が低く帯電性が高く、か
つ、繰返しによる変動が小さく、特に、画像濃度に影響
する帯電安定性が良好であることから、高耐久性感光体
として用いることができる。又７５０〜８５０ｎｍの領
域の感度が高いことから、特に半導体レーザプリンタ用
感光体に適している。

【００４１】

【実施例】以下に製造例および実施例をあげて本発明を
更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、
製造例および実施例中〔部〕とあるは〔重量部〕を表
す。

【００４２】製造例１フタロジニトリル２５．０部とＳｎＣｌ₄１２．７部を
α−クロロナフタレン１６０部中に仕込み、１２０℃で
溶解させた。その後、反応温度を徐々に昇温し、２１０
℃で３．５時間加熱撹拌を続けた。反応終了後、放冷
し、反応系の温度が１００℃に下った時点で熱濾過し、
次いでメタノール熱懸濁、熱水煮沸懸濁、Ｎ−メチルピ
ロリドンにより１５０℃で２時間熱懸濁を行い、次いで
熱濾過し、メタノールで熱懸濁し、濾過した後、減圧で
乾燥することにより青色粉末（化合物Ｎｏ．１）１０部
を得た。

【００４３】化合物Ｎｏ．１の元素分析値は以下のとお
りであった。No. １ＰｃＳｎＣｌ₂として

【表１】Ｃ％Ｈ％Ｎ％Ｃｌ％計算値５４．７０２．２８１５．９５９．９７実測値５４．８８２．４１１６．１３１０．０１又、赤外吸収スペクトル測定結果は特開昭６２−１１９
５４７号公報図１に示すのと同様であった。

【００４４】元素分析値及び赤外吸収スペクトルの測定
結果から、製造例１で得られたスズフタロシアニン化合
物はＰｃＳｎＣｌ₂であることがわかった。尚、粉末Ｘ
線回折の測定結果は図１に示す通りであった。又、化合
物Ｎｏ．１と同様にして、表１に示した化合物Ｎｏ．２
〜１１のジハロゲノスズフタロシアニン類を合成した。

【００４５】

【化１０】

【００４６】

【表２】表１化合物No. ＸｍＹ２ −Ｈ０Ｆ３ −Ｈ０Ｉ４ −Ｈ０Ｂｒ５ −ＣＨ₃ １Ｃｌ６ −ＯＨ１Ｃｌ７３−ＮＯ₂ １Ｃｌ８ −ＯＣＨ₃ ４Ｃｌ９Ｃｌ４Ｃｌ１０ −ＯＣＨ₂−Ｃ₆Ｈ₅ ４Ｃｌ１１ −ＣＮ１Ｃｌ

【００４７】製造例２ビス（ｐ−ジフェニルアミノ）−１，３−ジフェニルプ
ロパン

【００４８】

【化１１】

【００４９】５．２ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
５２ｍｌに溶解させ、その後、オキシ塩化リン１．９ｍ
ｌを加え、その後、６０℃で１時間３０分反応させた。
放冷後、反応液を氷水２００ｇ中に放出し、水酸化ナト
リウムにより加水分解し、更に常法により濾過、精製処
理を行なうことにより、黄色油状物のモノホルミル化合
物２．２ｇと、黄色油状物のビスホルミル化合物２．９
ｇを得た。これらの化合物は、下記元素分析値、質量分
析測定及び赤外吸収スペクトル測定により、各々下記構
造式で表される化合物であることが判明した。

【００５０】モノホルミル化合物（元素分析値）Ｃ₄₀Ｈ₃₄ＯＮ₂として

【表３】Ｃ％Ｈ％Ｎ％計測値８５．９９６．１３５．０１実測値８５．９０６．２４４．９５（質量分析測定結果）Ｃ₄₀Ｈ₃₄ＯＮ₂としてＭＷ＝５５８Ｍ⁺＝５５８

【００５１】

【化１２】

【００５２】ビスホルミル化合物（元素分析値）Ｃ₄₁Ｈ₃₄Ｏ₂Ｎ₂として

【表４】Ｃ％Ｈ％Ｎ％計測値８９．９３５．８４４．７７実測値８３．６９６．０１４．７１（質量分析測定結果）Ｃ₄₁Ｈ₃₄Ｏ₂Ｎ₂としてＭＷ＝５８６Ｍ⁺＝５８６

【００５３】

【化１３】

【００５４】製造例３製造例２で合成したモノホルミル化合物２．２ｇと、
１，１−ジフェニルヒドラジン１．５ｇを酢酸触媒下、
テトラヒドロフラン１３ｍｌとメタノール６ｍｌの混合
溶液中、室温下、１２時間反応させた。その後、反応液
をメタノール５００ｍｌ中に注加し、更に、常法により
濾過、精製処理を行なうことにより黄色結晶１．７ｇ
（融点６７−６８℃）を得た。この化合物は下記元素分
析値、質量分析測定及び赤外吸収スペクトル測定（図
２）により下記構造式で表されるアリールアミンモノヒ
ドラゾン系化合物であることが判明した。

【００５５】（元素分析値）Ｃ₅₂Ｈ₄₄Ｎ₄として

【表５】Ｃ％Ｈ％Ｎ％計測値８６．１５６．１２７．７３実測値８６．０１６．３５７．６１（質量分析測定結果）Ｃ₅₂Ｈ₄₄Ｎ₄としてＭＷ＝７２４Ｍ⁺＝７２４

【００５６】

【化１４】

【００５７】製造例４製造例２で合成したビスホルミル化合物２．９ｇと、
１，１−ジフェニルヒドラジン３．６ｇを酢酸触媒下、
テトラヒドロフラン１７ｍｌとメタノール１６ｍｌの混
合溶液中、室温下、１２時間反応させた。その後、反応
液をメタノール５００ｍｌ中に注加し、更に、常法によ
り濾過、精製処理を行なうことにより黄色結晶３．６ｇ
（融点２０５−２０５．５℃）を得た。この化合物は、
下記元素分析値及び赤外吸収スペクトル測定（図３）に
より下記構造式で表されるアリールアミンビスヒドラゾ
ン系化合物であることが判明した。

【００５８】（元素分析値）Ｃ₆₅Ｈ₅₄Ｎ₆

【表６】Ｃ％Ｈ％Ｎ％計測値８４．９４５．９２９．１４実測値８５．０４５．９０９．０３

【００５９】

【化１５】

【００６０】実施例１製造例１で製造したジクロロスズフタロシアニン０．４
ｇ、ポリビニルブチラール０．２ｇを４−メトキシ−４
−メチル−２−ペンタノン３０ｇと共に、サンドグライ
ンダーで分散し、この分散液をポリエステルフィルム上
に蒸着したアルミ蒸着層の上にフィルムアプリケータに
より乾燥膜厚が０．３ｇ／ｍ²となる様に塗布、乾燥
し、電荷発生層を形成した。

【００６１】この電荷発生層の上に製造例３で製造した
アリールアミンモノヒドラゾン系化合物９０部、ポリカ
ーボネート樹脂（三菱ガス化学社製、ユーピロンＥ−２
０００）１００部からなる膜厚１７μｍの電荷輸送層を
積層し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得
た。この感光体の感度として半減露光量（Ｅ１／２）を
静電複写紙試験装置（川口電機製作所製モデルＳＰ−４
２８）により測定した。すなわち、暗所でコロナ電流が
５０μＡになる様に設定した印加電圧によるコロナ放電
により感光体を負帯電させた。次いで２０ｌｕｘの照
度を持つ白色光からフィルターを用いて７．７５ｎｍの
光（相当する照度２．４ｌｕｘ）を取り出し、この光
により露光し、表面電位が−５００Ｖから−２５０Ｖに
半減するのに要した露光量（Ｅ１／２）を求めたところ
２．７５ｌｕｘ・ｓｅｃであった。この時の感光体の
帯電圧（初期表面電位）は−６８０Ｖであり、露光１０
秒後の表面電位（残留電位）は−１０Ｖであった。

【００６２】実施例２実施例１で用いたジクロロスズフタロシアニンのかわり
に化合物Ｎｏ．２のジハロゲノスズフタロシアニンを用
いたほかは実施例１と全く同様にして電荷発生層を作成
し、かつ、実施例１で用いた電荷輸送材料のかわりに製
造例４で製造したアリールアミンビスヒドラゾン系化合
物を用いて実施例１の方法に準拠して感光体を作成し実
施例１と同様の方法にして半減露光量（Ｅ１／２）を測
定したところ２．６４ｌｕｘ・ｓｅｃであった。

【００６３】実施例３以下実施例１で用いたアリールアミンモノヒドラゾン系
化合物の代りに下記表に示されるアリールアミンヒドラ
ゾン系化合物を用いて実施例１の方法と同様にして感光
体を作成し、実施例１と同様にして感度を測定した。結
果を下記の表にまとめる。

【００６４】

【表７】

【００６５】

【表８】

【００６６】

【表９】

【００６７】

【表１０】

【００６８】

【表１１】

【００６９】

【表１２】

【００７０】

【表１３】

【００７１】

【表１４】

【００７２】

【表１５】

【００７３】

【表１６】

【００７４】

【表１７】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いたジクロロスズフタロシアニンの
粉末Ｘ線回折スペクトル図

【図２】製造例３で製造したアリールアミンモノヒドラ
ゾン系化合物の赤外吸収スペクトル図

【図３】製造例４で製造したアリールアミンビスヒドラ
ゾン系化合物の赤外吸収スペクトル図

フロントページの続き (72)発明者石尾耕三神奈川県横浜市緑区鴨志田町1000番地三菱化成株式会社総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電荷発生材料と、電荷輸送材料を含有す
る感光層を、導電性支持体上に有する電子写真用感光体
において、電荷発生材料として、ジハロゲノスズフタロ
シアニン類を用い、かつ電荷輸送材料として下記一般式
〔Ｉ〕【化１】（式中、Ｘは水素原子又は一般式〔II〕−Ｃ（Ｒ⁸）＝
Ｎ−Ｑ²で示される基を表わし；Ｑ¹は下記一般式〔II
I 〕〜〔VII 〕で示されるいずれかの基を表わし；Ｑ²
は下記一般式〔IV〕〜〔VIII〕で示されるいずれかの基
を表わし；【化２】Ｙは置換基を有していてもよい２価の炭化水素残基又は
酸素原子を表わし、炭化水素残基中に１個又は２個以上
の酸素原子が介在していてもよく；ｎは０または１を表
わし；Ａｒ¹およびＡｒ²はそれぞれ置換基を有してい
てもよいアリール基又は複素環基であり、これらは互い
に同一でも異なっていてもよく；Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ
⁴，Ｒ⁵およびＲ⁹はそれぞれ水素原子、置換基を有し
ていてもよい低級アルキル基、ハロゲン原子、または置
換基を有していてもよい低級アルコキシ基を表わし、こ
れらは互いに同一でも異なっていてもよく；Ｒ⁶および
Ｒ ⁸はそれぞれ水素原子、メチル基、または置換基を有
していてもよいフェニル基を表わし、これらは互いに同
一でも異なっていてもよく；Ｒ⁷およびＲ¹⁰はそれぞれ
置換基を有していてもよいアリール基もしくは複素環基
を表す。）で表わされるアリールアミンヒドラゾン系化
合物を含有する感光層を有することを特徴とする電子写
真用感光体。