JPH05135344A

JPH05135344A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05135344A
Application number: JP12434092A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Ueda; 国博上田; Takanori Kobuke; 隆敬古武家
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-05-17
Filing date: 1992-04-17
Publication date: 1993-06-01
Also published as: US5472778A

Abstract

(57)【要約】【目的】強磁性金属膜を磁性層とする磁気記録媒体の
耐食性および耐久性を格段と向上させる。【構成】磁性層と基体との間に下地膜を設け、かつ磁
性層上にトップコート膜を設ける。下地膜とトップコー
ト膜は、各々、Ｓｉを含むプラズマ重合膜であり、この
膜中のＳｉ含有量が３０〜５０at% である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は強磁性金属薄膜を有する
磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年磁気テープはますます高密度化して
おり、中でもＣｏを主体としＮｉ等を添加した強磁性金
属薄膜を用いた磁気テープは、飽和磁束密度が大きくし
かも保磁力が高いので、盛んに研究されている。

【０００３】この型の磁気テープは種々の方法で製造さ
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成した
り、２層以上積層して多層構造としたりすることが提案
されている。

【０００４】磁気テープの非磁性基体としては、通常、
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。

【０００５】このような樹脂フィルム上に蒸着により磁
性層を形成すると、樹脂フィルムを通して水分や空気が
侵入し、磁性層が腐食して記録・再生時の電磁変換特性
等が劣化する。また、耐久性の点でも不十分である。

【０００６】これに対処するために、特開昭５９−７２
６５３号、特開昭５９−１５４６４１号には、磁性層上
に２０〜２７０A の膜厚のプラズマ重合膜を成膜する方
法が開示されている。

【０００７】また、特開昭６０−２１９６２６号にはフ
ッ素系のプラズマ重合膜を磁性層上に成膜する方法が開
示されている。

【０００８】しかし、いずれにおいても、磁性層上のト
ップコート膜としてのみの成膜であるので、基体側から
の水分等の侵入を阻止することができず、十分な防錆効
果を得ることができない。

【０００９】特に、フッ素系のプラズマ重合膜では、膜
質が弱く十分な耐久性が得られない。また、この耐久性
の不足を補うために潤滑材を塗布する方法を採用する
と、塗布溶媒をはじいてしまってプラズマ重合膜と潤滑
材との親和性が得られず、潤滑材層を設層することはで
きない。

【００１０】さらに、特開昭６１−２２４２０号には、
プラズマ重合膜をトップコート膜と基体裏面のバックコ
ート膜とに用いる方法が提案されている。

【００１１】しかし、このようなバックコート膜を設け
てもトップコート膜のみとしたとき以上の防錆効果は得
られない。

【００１２】従って、上記のような従来の方法では、水
分や酸素等の遮断が不十分で、耐食性や耐久性の点で不
十分である。特に、錆の発生によって磁気テープが巾方
向にわん曲するカッピングの問題は大きく、このカッピ
ングによりヘッドタッチが悪くなり、走行不良が生じて
くる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体の耐食
性および耐久性を格段と向上させることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の構成によって達成される。

【００１５】（１）非磁性の樹脂基体上に、下地膜と
強磁性金属薄膜とトップコート膜とを有する磁気記録媒
体において、前記下地膜およびトップコート膜が、それ
ぞれ、Ｓｉを含むプラズマ重合膜であり、この膜中のＳ
ｉ含有量が３０〜５０at% であることを特徴とする磁気
記録媒体。

【００１６】（２）前記プラズマ重合膜中のＳｉに対
するＯの原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．２〜１．９５である
上記（１）に記載の磁気記録媒体。

【００１７】（３）アノード分極曲線における電流の
変曲点がプラス電位に位置する上記（１）または（２）
に記載の磁気記録媒体。

【００１８】（４）前記プラズマ重合膜は、アルコキ
シシラン系の化合物と酸素ガスを原料とし、アルコキシ
シラン系の化合物と酸素ガスを原料とし、アルコキシシ
ラン系の化合物と酸素ガスの流量比（アルコキシシラン
系の化合物／酸素ガス）を０．１〜０．６として成膜し
たものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載
の磁気記録媒体。

【００１９】（５）前記下地膜の膜厚が１００〜１０
００A である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載
の磁気記録媒体。

【００２０】（６）前記トップコート膜の膜厚が１０
〜１００A である上記（１）ないし（５）のいずれかに
記載の磁気記録媒体。

【００２１】（７）前記強磁性金属薄膜は、Ｃｏを主
成分とし、斜め蒸着法により形成されたものである上記
（１）ないし（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。

【００２２】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２３】本発明の磁気記録媒体は、具体的には磁気
テープである。

【００２４】＜非磁性基体＞本発明に用いる非磁性基体
の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に
耐える各種フィルム、例えばポリエチレンテレフタレー
ト等を用いることができる。また特開昭６３−１０３１
５号公報に記載の各材料が使用可能である。

【００２５】＜下地膜およびトップコート膜＞本発明に
おいては、後述の磁性層を上下にはさみこむ形、いわゆ
るサンドイッチ構造で、基体と磁性層との間に下地膜
を、また磁性層上にトップコート膜を設ける。

【００２６】本発明における下地膜およびトップコート
膜は、それぞれ、Ｓｉを含むプラズマ重合膜であり、さ
らにＣとＨとＯとを含む。そして、膜中のＳｉ含有量は
３０〜５０at% 、好ましくは３５〜４５at% とすればよ
い。

【００２７】このように、下地膜およびトップコート膜
を設け、Ｓｉ含有量を上記範囲とし、膜組成を上記のよ
うにすることによって、防錆効果が大きくなり、本発明
の効果が得られる。

【００２８】すなわち、磁性層の上下にプラズマ重合膜
を設けることによって、磁性層上方および下方からの水
分と酸素を遮断することが可能となる。

【００２９】本発明の効果は、磁性層の上下にプラズマ
重合膜を設けることによってはじめて得られるものであ
り、例えば、特開昭５９−７２６２５３号、同５９−１
５４６４１号等に開示されるように、磁性層の上のみに
設けても、また下のみに設けても得られるものではな
い。

【００３０】また、Ｓｉ含有量が３０at% 未満となる
と、膜の密度が低下し、水分や酸素の遮断が不十分とな
る。一方、５０at% を超えても、同様に密度が低下し、
また成膜時にクラックが入るなどの問題が生じる。

【００３１】この場合、膜中におけるＣの含有量は５at
% 以下、好ましくは１at% 以下、またＨの含有量は、５
at% 以下、好ましくは１at% 以下、さらにＯの含有量は
７０at% 以下、好ましくは６０〜６５at% とするのがよ
い。このほか、場合によっては、Ｎ等を含有してもよ
い。

【００３２】また、Ｓｉに対するＯの原子比は、Ｏ／Ｓ
ｉが１．２〜１．９５、好ましくは１．６〜１．８５と
するのがよい。

【００３３】上記のように、膜中のＣ、Ｈ、Ｏ等を規制
し、Ｏ／Ｓｉを上記範囲とすることによって、本発明の
効果が向上する。

【００３４】すなわち、プラズマ重合膜を無機物に近い
組成とすることによって、酸素および水分を十分に遮断
することができ、高温多湿の雰囲気下でも防錆効果が十
分となる。

【００３５】なお、プラズマ重合膜中のＳｉ、Ｏ、Ｃ、
Ｈ等の含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分
析）やＡＥＳ（オージェ分光分析）等に従えばよい。

【００３６】ＳＩＭＳを用いる場合、プラズマ重合膜表
面にて、Ｓｉ等をカウントして算出すればよい。あるい
は、Ａｒ等でイオンエッチングを行ないながら、Ｓｉ等
のプロファイルを測定して算出してもよい。ＳＩＭＳの
測定については、表面科学基礎講座第３巻（１９８
４）表面分析の基礎と応用（Ｐ７０）“ＳＩＭＳおよび
ＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

【００３７】本発明におけるプラズマ重合膜の屈折率は
１．４４〜１．５５、好ましくは１．４５〜１．５０と
するのがよい。

【００３８】このような屈折率とすることによって、膜
の組成を最適にすることができ、本発明の効果が向上す
る。

【００３９】このような屈折率の測定には、エリプソメ
ーターを用いればよい。また、本発明では、磁気記録媒
体をアノード分極としたとき、アノード分極曲線におい
て、電流の変曲点がプラス電位、好ましくは、０V 以
上、特に好ましくは０．２V 以上となるように、プラズ
マ重合膜からなる下地膜およびトップコート膜を設ける
ことが好ましい。

【００４０】アノード分極曲線における電流の変曲点を
プラス電位とすることによって防錆効果が十分となる。
これに対し、マイナス電位となると、磁性層が侵されや
すくなり、防錆が十分でなくなる。

【００４１】なお、アノード分極曲線は、磁気テープサ
ンプルを、０．８cm×３cmの大きさに切断し、１Ｎ−硫
酸に浸漬し、これをアノードに分極して得たものであ
る。また、分極は、電位を与えることにより行ない、−
０．６〜２．０V の間で電位を変化させたものである。
このとき、対電極は、Ｐｔ電極、また参照電極はＡｇ／
ＡｇＣｌ電極を用いる。

【００４２】アノード分極は電気化学的に錆易いかどう
か、または、どのような過程を経て錆が発生するかを判
断する指標となる。

【００４３】例えば、純鉄を１Ｎ−硫酸に浸漬すると、
図１に示すように、まず溶解により電流が流れるが、
０．７V より流れなくなり、さらに１．７V よりふたた
び電流が流れるようになる。これは、０．７V では表面
に不動態層が生成することにりり、電流の流れがなくな
る。また、１．７V からはその不動態層が破壊されてま
た電流が流れるようになる。

【００４４】通常、鉄のような金属は、腐食の際にアノ
ードとなり電子が不足状態となり錆が発生する。それで
その不足した電子を補ってやれば腐食は起こらないこと
になる。これがアノード防食と呼ばれる。アノード分極
の測定を行なうときも電流が０、もしくはマイナス側か
ら始める。鉄の場合では−０．５V より表示されている
ことが多い。

【００４５】一方、本発明における磁性層の主成分とな
るコバルトの場合、硫酸では不動態層を形成しないの
で、浸漬した状態で電流は定常的に流れる。これでプラ
ズマ重合膜の保護性能がよければ、電流は定常的に流れ
続け、保護性能が悪いと磁性層が硫酸に溶解してしま
い、基板より剥離して電流はある電圧値より突然流れな
くなる（図２参照）。

【００４６】すなわち、図２中の電流の変曲点（Ｘ）を
すぎると、磁性層は急激に劣化し、基板より剥離してく
る。

【００４７】このような測定の結果に基づき、防錆効果
を検討したところ、上記変曲点（Ｘ）がプラス電位側に
あるときに防錆効果が十分となることが判明し、上記結
果に至ったものである。

【００４８】実際、変曲点をプラス電位側とするには、
Ｓｉ含有量等を前記のような範囲としたプラズマ重合膜
において、膜厚を制御するなどの方法によればよい。

【００４９】このようなプラズマ重合膜を形成する原料
ソースとしては、ケイ素と炭素と水素と酸素とを含有す
る種々のものを用いることができるが、具体的には、常
温で気体または液体である各種シランやシロキサンなど
の有機ケイ素化合物［例えばテトラメトキシシラン（Ｔ
ＭＯＳ）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、トリメ
チルメトキシシラン、トリメチルクロロシラン］を用い
る。また、主に、膜中のＳｉ含有量を前記範囲とするた
めに、このような有機ケイ素化合物の１種以上に、適
宜、有機原料ガスの１種以上を加えて原料ガスとして用
いることが好ましい。

【００５０】このような有機原料ガスとしては、Ｏ源と
して、Ｏ₂ 、Ｏ₃ 、Ｈ₂ Ｏ、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ など
のＮＯ_X 、ＣＯ、ＣＯ₂ 等が挙げられ、またＮ源とし
て、Ｎ₂ 、上記ＮＯ_X 、ＮＨ₃ 等が挙げられる。なかで
も、Ｏ源としてＯ₂ を用いることが好ましい。

【００５１】本発明においては、なかでも、上記の有機
ケイ素化合物としてテトラメトキシシラン、テトラエト
キシシラン、トリメトキシシラン等のアルコキシシラン
系の化合物を用い、これと酸素ガスとを原料とし、アル
コキシシラン系の化合物と酸素ガスとの流量比（アルコ
キシシラン系の化合物／酸素ガス）を０．１〜０．６、
好ましくは０．１２〜０．５５として成膜することが好
ましい。

【００５２】上記のように、原料を用いることによっ
て、プラズマ重合膜の組成が無機物に近くなり、水分お
よび酸素を十分に遮断することが可能となり、十分な防
錆効果を得ることができる。

【００５３】このような原料を用いて形成されるプラズ
マ重合膜の膜厚は、下地膜とするときは、１００〜１０
００A 、より好ましくは２００〜７００A とするのがよ
い。この範囲の膜厚では本発明の実効が極めて高い。膜
厚が１００A 未満では本発明の実効がなく、また、１０
００A をこえると量産上不利である。そして、膜厚を大
きくした場合、効果の向上はみられず、むしろ下地膜に
クラックが生じやすくなり、水や酸素等の遮断性が低下
してしまう。

【００５４】一方、トップコート膜とするときは、１０
〜１００A 、特に２０〜８０A とするのが好ましい。こ
の範囲の膜厚では本発明の実効が極めて高くなる。すな
わち、防錆効果という観点からは、通常、磁性層の表面
酸化層上に成膜するので、下地膜ほど膜厚を大きくする
必要がない。また、スペーシングロスの問題も生じな
い。膜厚が１００A をこえると本発明の効果は臨界的に
低下し、さらにはスペーシンググロスの問題が大きくな
る。また、膜厚を大きくするためには、高パワーでまた
は長時間、磁性層をプラズマにさらすことになるので、
磁性層にダメージを与える。また、膜厚が１０A 未満で
は本発明の実効が少なくなる。

【００５５】なお、膜厚の測定はエリプソメーター等を
用いればよい。このような膜厚の制御は、プラズマ重合
膜形成時の反応時間、原料ガス流量等を制限すればよ
い。

【００５６】プラズマ重合膜は公知の方法に従い、前述
の原料ガスの放電プラズマを基体や磁性層に接触させる
ことにより重合膜を形成するものである。電極配置、印
加電流、処理時間、動作圧力等は通常の条件とすればよ
い。

【００５７】なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ₂ 、
Ｈｅ、Ｈ₂ などを使用してもよい。プラズマ発生源とし
ては、高周波放電の他に、マイクロ波放電、直流放電、
交流放電等いずれでも利用できる。

【００５８】本発明において、下地膜やトップコート膜
とするとき、プラズマ重合膜は、基体や磁性層上、特に
プラズマ処理された基体や磁性層上に形成されることが
好ましい。基体や磁性層表面をプラズマ処理することに
よって、基体や磁性層との接着力が向上し、ひいてはこ
の基体や磁性層とプラズマ重合膜との接着力が向上す
る。基体や磁性層表面のプラズマ処理法の原理、方法お
よび形成条件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本
的にほぼ同一である。

【００５９】ただし、プラズマ処理は原則として、無機
ガスを処理ガスとして用い、他方、前述したプラズマ重
合法によるプラズマ重合膜の形成には原則として、有機
ガス（場合によっては無機ガスを混入させてもよい）を
原料ガスとして用いる。さらに、プラズマ処理電源の周
波数については、特に制限はなく、直流、交流、マイク
ロ波等いずれであってもよい。

【００６０】本発明では、プラズマ重合膜を用いた下地
膜およびトップコート膜は、前述のようなサンドイッチ
構造で用いることにより、他の下地膜や保護膜は用いる
必要はないが、場合によっては、他のものと併用するこ
とができる。

【００６１】＜磁性層＞本発明における磁性層は、Ｃｏ
を主成分とし、斜め蒸着法により形成される１層または
２層以上の強磁性金属薄膜から構成されることが好まし
い。そして、このような磁性層において本発明の効果が
大きくなる。

【００６２】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。

【００６３】この際、成膜時の強磁性金属成分の入射角
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行なわれ
る。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は８０〜９０度
であることが好ましく、θminは１０〜６０度であるこ
とが好ましい。

【００６４】磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、Ｎ
ｉを含有するＣｏ−Ｎｉ合金であることが好ましく、特
にモル比でＣｏを約８０％以上、Ｎｉを２０％以下含有
する合金が好適である。

【００６５】また、必要に応じてＣｒを１０％以下含有
していてもよく、特開昭６３−１０３１５号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。

【００６６】さらに、必要に応じて少量の酸素を各層の
表面層に含有させたり、このほか非磁性層を介在させた
りして、耐食性等を向上させることができる。

【００６７】磁性層全体の厚さは、１２００〜３０００
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に大
きくすることができる。

【００６８】蒸着金属粒子の入射角は蒸着初期のθmax
から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性基体表面
にＣｏを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状
一方向に成長させ、整列させるものである。磁性層を多
層構成とする場合は、この工程を繰り返し行なう。

【００６９】なお、本発明では、バックコート層等の種
々の構成を付加することもできる。

【００７０】

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。

【００７１】実施例１供給ロールから厚さ７μm のポリエチレンテレフタレー
トフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ、１０^-4Paの真空に引いた後、
テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）およびＯ₂ を原料ガ
スとしてプラズマ重合を行ない、下地膜を形成した。こ
のときのプラズマ重合条件は、ＴＭＯＳの流量３SCCM、
Ｏ₂ の流量２０SCCM、動作圧力０．０５Torr、プラズマ
出力５０Ｗ、プラズマ周波数１００kHz とした。

【００７２】得られた下地膜の膜厚は３００A であっ
た。なお、プラズマ重合膜の膜厚はエリプソメーターに
て測定した。また、エリプソメーターにて測定した屈折
率は１．４７であった。また、膜中におけるＳｉ含有量
は、３５at% であり、Ｏ／Ｓｉは、１．８５であった。
Ｓｉ、Ｏ等についてはＡＥＳにより分析した。

【００７３】この下地膜を成膜したポリエチレンテレフ
タレートフィルムを、１０^-4PaのＡｒ雰囲気で、供給ロ
ールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲
に添わさせて移動させ２０at% Ｎｉ−Ｃｏ合金を斜め蒸
着して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに巻き
取った。

【００７４】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、ＰＥＴフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、２層構成の磁性層を設層した。

【００７５】さらに、磁性層上に、ＴＭＯＳおよびＯ₂
を原料ガスとしてプラズマ重合を行ない、トップコート
膜を形成した。このときのプラズマ重合条件は、ＴＭＯ
Ｓの流量３SCCM、Ｏ₂ の流量２０SCCM、動作圧力０．０
５Torr、プラズマ出力５０Ｗ、プラズマ周波数１００kH
z とした。

【００７６】得られたトップコート膜の膜厚は５０A
で、屈折率は１．４７であった。また、膜中のＳｉの含
有量は、３５at% 、Ｏ／Ｓｉは１．８５であった。

【００７７】これを磁気記録媒体サンプルNo. １とす
る。

【００７８】また、サンプルNo. １において、トップコ
ート膜を形成しないものとするほかは同様にして、サン
プルNo. ２を得た。

【００７９】さらに、サンプルNo. １において、下地膜
を形成しないものとするほかは同様にして、サンプルN
o. ３を得た。

【００８０】また、下地膜およびトップコート膜を形成
しないものも作成し、サンプルNo.４を得た。

【００８１】さらに、サンプルNo. １において、下地膜
およびトップコート膜を以下の条件でプラズマに重合し
たものにかえて、サンプルNo. ５を得た。

【００８２】下地膜は、プラズマ重合条件を、ＴＭＯＳ
の流量２０SCCM、Ｏ₂ の流量２０SCCM、動作圧力０．０
５Torr、プラズマ出力１０Ｗ、プラズマ周波数１００kH
z として設層した。膜厚は３００A 、屈折率は１．３０
であった。また、膜中におけるＳｉ含有量は５５at% 、
Ｏ／Ｓｉは１．１であった。

【００８３】トップコート膜は上記と同じプラズマ重合
条件下で設層した。膜厚は３０A 、屈折率は１．３０で
あった。また、膜中におけるＳｉ含有量は５５at% 、Ｏ
／Ｓｉは１．１であった。

【００８４】また、サンプルNo. １において、トップコ
ート膜を、ＴＭＯＳの流量３SCCM、Ｏ₂ の流量２０SCC
M、動作圧力０．０５Torr、プラズマ出力５０Ｗ、プラ
ズマ周波数１００kHz のプラズマ重合条件下で設層し、
膜厚を５A とするほかは、同様にしてサンプルNo. ６を
作成した。

【００８５】また、サンプルNo. １において、下地膜
を、ＴＭＯＳの流量３SCCM、Ｏ₂ の流量２０SCCM、動作
圧力０．０５Torr、プラズマ出力５０Ｗ、プラズマ周波
数１００kHz のプラズマ重合条件下で設層し、膜厚を５
０A とするほかは、同様にしてサンプルNo. ７を作成し
た。

【００８６】さらに、サンプルNo. １において、ＴＭＯ
Ｓ、Ｏ₂およびＣＨ₄ を原料ガスとして、下地膜を、Ｔ
ＭＯＳの流量３SCCM、Ｏ₂ の流量２０SCCM、ＣＨ₄ の流
量１０SCCM、動作圧力０．０５Torr、プラズマ出力５０
Ｗ、プラズマ周波数１００kHz のプラズマ重合条件下で
設層し、一方、これと同じプラズマ条件下で、トップコ
ート膜を設層するほかは、同様にしてサンプルNo. ８を
作成した。

【００８７】このときの下地層、トップコート膜の膜厚
は、この順に３００A、５０A であり、膜中のＳｉ含有
量はともに２０at% 、Ｏ／Ｓｉはともに２．５、屈折率
はともに２．０であった。

【００８８】また、サンプルNo. １において、テトラエ
トキシシラン（ＴＥＯＳ）およびＯ₂ を原料ガスとし
て、下地膜を、ＴＥＯＳの流量３SCCM、Ｏ₂ の流量２０
SCCM、動作圧力０．０５Torr、プラズマ出力５０Ｗ、プ
ラズマ周波数１００kHz のプラズマ重合条件下で設層
し、一方、これと同じプラズマ条件下で、トップコート
膜を設層するほかは、同様にしてサンプルNo. ９を作成
した。このときの下地層、トップコート膜の膜厚は、こ
の順に３００A 、５０A であり、膜中のＳｉ含有量はと
もに３５at% 、Ｏ／Ｓｉはともに１．８９、屈折率はと
もに１．４５であった。

【００８９】なお、サンプルNo. １〜No. ９の下地膜、
トップコート膜において、Ｓｉ、Ｏのほかに膜中に含有
される元素は、実質的にＣ、Ｈのみであった。

【００９０】これらの磁気記録媒体サンプルNo. １〜N
o. ９を、８mmビデオデッキ（ソニー社製Ｓ９００）に
装填し、下記の評価を行なった。

【００９１】（１）△φｍ８０℃、９０％ＲＨにて１週間保存後の飽和磁化量φｍ
を測定し、初期のφｍに対する差を求めた。

【００９２】（２）カッピング６０℃、９０％ＲＨにて１週間保存した後、テープを平
面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定し
た。

【００９３】なお、カッピングはテープ幅方向の変形の
度合いを示す指標であり、カッピングが大きいとテープ
と磁気ヘッドのスペーシングが一定に保てなくなり、出
力変動を生じる。

【００９４】（３）走行摩擦経時変化８０℃、９０％ＲＨにて１週間保存後の動摩擦係数μを
測定し、初期のμに対する増加率を求めた。

【００９５】結果を表１に示す。表中には、Ｓｉ含有
量、Ｏ／Ｓｉ比、膜厚、屈折率等を併記する。

【００９６】

【表１】

【００９７】表１より、本発明の効果は明らかである。

【００９８】なお、サンプルNo. １において、下地膜の
膜厚を、１０００A をこえるものとする他は同様にして
サンプルNo. １０を作製した。このものでは、本発明の
効果の向上は見られず、むしろ膜厚を大きくするために
量産性に劣るばかりでなく、下地膜にクラックが発生し
やすくなり、水や酸素等の遮断性が悪化することがわか
った。

【００９９】また、サンプルNo. １において、トップコ
ート膜の膜厚を１００A をこえるものとする他は同様に
してサンプルNo. １１を作製した。このものでは、スペ
ーシングロスの問題が大きくなるばかりでなく、膜厚を
大きくするために、磁性層が長時間プラズマにさらされ
ることになるので、磁性層にダメージを与えることがわ
かった。

【０１００】実施例２実施例１のサンプルNo. １において、ＴＭＯＳとＯ₂ と
を原料とし、表２に示すように、下地膜とトップコート
膜をプラズマ重合により成膜して、サンプルNo. ２１〜
No. ２７を得た。

【０１０１】これらのサンプルNo. ２１〜No. ２７およ
び実施例１のサンプルNo. ４について、実施例１と同様
にして△φｍを求めた。また、水分透過性を以下のよう
にして求めた。なお、水分透過性はプラズマ重合膜自体
についてのものである。

【０１０２】水分透過性ＪＩＳＺ−０２０８の方法に準じて測定した。ただし、
測定は、６０℃、９０％の雰囲気下で行なった。結果を
表２に示す。

【０１０３】

【表２】

【０１０４】表２より、本発明の効果は明らかである。

【０１０５】実施例３実施例１のサンプルNo. １において、ＴＭＯＳとＯ₂ と
を原料とし、表３に示すように、下地膜とトップコート
膜をプラズマ重合により成膜して、サンプルNo. ３１〜
No. ３４を得た。

【０１０６】これらのサンプルNo. ３１〜No. ３４およ
び実施例１のサンプルNo. ４について、以下のようにし
て△φ′ｍ、表面性を評価した。また、表３中のアノー
ド分極曲線における電流の変曲点の電位は、前述のよう
に、１Ｎ−硫酸に０．８cm×３cmの大きさのサンプルを
浸漬し、これをアノードに分極して求めたアノード分極
曲線から得た。このときの対電極はＰｔ電極とし、また
参照電極はＡｇ／ＡｇＣｌ電極とし、電位は−０．６〜
２．０V の間で変化させて求めた。

【０１０７】（ｉ）△φ′ｍ１Ｎ−硫酸水溶液にサンプルを浸漬し、０．５V の電位
を１０秒間印加した後の飽和磁化量φ′ｍを測定し、初
期のφ′ｍに対する差を求めた。すなわち、磁性層の溶
解の割合を示す指標となる。

【０１０８】（ii）表面性１Ｎ−硫酸水溶液にサンプルを１０分間浸漬し、サンプ
ル表面を光学顕微鏡により観察し、目視にて５段階評価
を行なった。 ××：全溶解 × ：５０％以上が剥離 △ ：３０％以上が剥離 ○ ：１０％以上が剥離 ◎ ：１０％未満が剥離結果を表３に示す。なお、表３中のサンプルNo. ３３は
表２中のサンプルNo.２３と同じものである。

【０１０９】

【表３】

【０１１０】表３より、本発明の効果は明らかである。

【０１１１】

【発明の効果】本発明によれば、耐食性および耐久性が
格段と向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】アノード分極を説明するためのグラフである。

【図２】アノード分極を説明するためのグラフである。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年５月１３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項４

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１８】（４）前記プラズマ重合膜は、アルコキ
シシラン系の化合物と酸素ガスを原料とし、アルコキシ
シラン系の化合物と酸素ガスの流量比（アルコキシシラ
ン系の化合物／酸素ガス）を０．１〜０．６として成膜
したものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載の磁気記録媒体。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４１】なお、アノード分極曲線は、磁気テープサ
ンプルを、０．８ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断し、１Ｎ
−硫酸に浸漬し、これをアノードに分極して得たもので
ある。この際、分極曲線は、電位を−０．６から２．０
Ｖまで例えば１０ｍＶ／ｓｅｃのスイープ速度でスイー
プして測定すればよい。このとき、対電極は、Ｐｔ電
極、また参照電極はＡｇ／ＡｇＣ１電極を用いる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の樹脂基体上に、下地膜と強磁性
金属薄膜とトップコート膜とを有する磁気記録媒体にお
いて、前記下地膜およびトップコート膜が、それぞれ、Ｓｉを
含むプラズマ重合膜であり、この膜中のＳｉ含有量が３
０〜５０at% であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記プラズマ重合膜中のＳｉに対するＯ
の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．２〜１．９５である請求項
１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】アノード分極曲線における電流の変曲点
がプラス電位に位置する請求項１または２に記載の磁気
記録媒体。
【請求項４】前記プラズマ重合膜は、アルコキシシラ
ン系の化合物と酸素ガスを原料とし、アルコキシシラン
系の化合物と酸素ガスを原料とし、アルコキシシラン系
の化合物と酸素ガスの流量比（アルコキシシラン系の化
合物／酸素ガス）を０．１〜０．６として成膜したもの
である請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
【請求項５】前記下地膜の膜厚が１００〜１０００A
である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒
体。
【請求項６】前記トップコート膜の膜厚が１０〜１０
０A である請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気記
録媒体。
【請求項７】前記強磁性金属薄膜は、Ｃｏを主成分と
し、斜め蒸着法により形成されたものである請求項１な
いし６のいずれかに記載の磁気記録媒体。