JPH0112834B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0112834B2 JPH0112834B2 JP3184181A JP3184181A JPH0112834B2 JP H0112834 B2 JPH0112834 B2 JP H0112834B2 JP 3184181 A JP3184181 A JP 3184181A JP 3184181 A JP3184181 A JP 3184181A JP H0112834 B2 JPH0112834 B2 JP H0112834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective film
- thin film
- metal thin
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000035936 sexual power Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜、半導体薄膜などの活性表
面を周囲環境から保護するための保護膜の形成方
法に関し、特に、プラスチツクフイルム上に強磁
性金属薄膜を形成させた金属薄膜型磁気記録媒体
の表面を保護するのに適した方法に関する。
面を周囲環境から保護するための保護膜の形成方
法に関し、特に、プラスチツクフイルム上に強磁
性金属薄膜を形成させた金属薄膜型磁気記録媒体
の表面を保護するのに適した方法に関する。
金属薄膜、半導体薄膜などを応用した各種機能
素子、記録媒体などにおいて、これらの表面を周
囲環境から保護するための薄膜状の安定な保護膜
が各分野において要求されている。金属薄膜型磁
気記録媒体においては、その特徴である高密度記
録を生かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極
力小さくすることが要求されているが、金属薄膜
自体を周囲環境に露出すると湿気、腐食性ガスな
どの作用で、その表面が腐食されやすく、また、
磁気ヘツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすい
ため、その表面に保護膜を形成させることが必要
であるが、この場合、上記の要求を考慮して、ス
ペーシングロスを小さくするため、膜厚を1000Å
以下、好ましくは、数百Å以下にしなければなら
ない。
素子、記録媒体などにおいて、これらの表面を周
囲環境から保護するための薄膜状の安定な保護膜
が各分野において要求されている。金属薄膜型磁
気記録媒体においては、その特徴である高密度記
録を生かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極
力小さくすることが要求されているが、金属薄膜
自体を周囲環境に露出すると湿気、腐食性ガスな
どの作用で、その表面が腐食されやすく、また、
磁気ヘツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすい
ため、その表面に保護膜を形成させることが必要
であるが、この場合、上記の要求を考慮して、ス
ペーシングロスを小さくするため、膜厚を1000Å
以下、好ましくは、数百Å以下にしなければなら
ない。
従来、金属、あるいは、無機化合物をターゲツ
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
本発明者は以上のような点に鑑みこれまでに例
のない重合体をターゲツトとすることを試みた結
果、オレフイン重合体をターゲツトとし還元性ガ
スと不活性ガスの混合雰囲気中でスパツタした場
合に所望の保護膜が形成されることが明らかにな
つた。
のない重合体をターゲツトとすることを試みた結
果、オレフイン重合体をターゲツトとし還元性ガ
スと不活性ガスの混合雰囲気中でスパツタした場
合に所望の保護膜が形成されることが明らかにな
つた。
ここで、オレフイン重合体としては、ポリエチ
レン、ポリプロプレンなどがある。
レン、ポリプロプレンなどがある。
このオレフイン重合体をフイルム状に成形した
もの、あるいはアルミニウム板上に塗膜として形
成したものをターゲツトとし、アルゴン、クリプ
トン、キセノンなどの不活性ガスと水素、炭化水
素、シラン、ホスフインなどの還元性ガスの混合
雰囲気中でイオン衝撃により上記ターゲツトを蒸
発させ、保護すべき基板表面に被着せしめる。す
なわち、スパツタする。なお還元性ガスは生成し
た膜中の活性な点と反応し、安定化させる作用を
有する。
もの、あるいはアルミニウム板上に塗膜として形
成したものをターゲツトとし、アルゴン、クリプ
トン、キセノンなどの不活性ガスと水素、炭化水
素、シラン、ホスフインなどの還元性ガスの混合
雰囲気中でイオン衝撃により上記ターゲツトを蒸
発させ、保護すべき基板表面に被着せしめる。す
なわち、スパツタする。なお還元性ガスは生成し
た膜中の活性な点と反応し、安定化させる作用を
有する。
スパツタの方法としては、通常のRFまたはDC
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr、ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni、それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属膜上に直接、あるいは、Al，Crなど
の非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで膜
厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、金
属薄膜の耐食性、磁気ヘツドに対する耐摩耗性の
著しい向上が見られる。以下、このことにつき具
体例で示す。
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr、ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni、それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属膜上に直接、あるいは、Al，Crなど
の非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで膜
厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、金
属薄膜の耐食性、磁気ヘツドに対する耐摩耗性の
著しい向上が見られる。以下、このことにつき具
体例で示す。
実施例
厚さ15μｍの長尺ポリエステルフイルム上に厚
さ0.2μｍのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法
により形成し、テープに切断し、これを試料Ａと
した。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚
さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂ
とした（実施１）。
さ0.2μｍのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法
により形成し、テープに切断し、これを試料Ａと
した。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚
さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂ
とした（実施１）。
ターゲツト；ポリエチレンフイルム
厚さ100μｍ
雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％）
ターゲツト電力；2.5W／cm2
スパツタ時間；30sec
別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｃとした（実施例２）。
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｃとした（実施例２）。
ターゲツト；ポリプロピレンフイルム、
厚さ75μｍ
雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％）
ターゲツト電力；2.5W／cm2
スパツタ時間；30sec
別の試料Ａを用いて、下記条件でスパツタし厚
さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｄ
とした。（比較例） ターゲツト；ポリエチレンフイルム、 厚さ100μｍ 雰囲気；４×10-2Torr，Ar ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；60sec これらの試料を40℃，90％RH中に放置し、耐
湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁性面に
錆発生が確認されるまでに要した放置日数は、下
記の通りであつた。
さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｄ
とした。（比較例） ターゲツト；ポリエチレンフイルム、 厚さ100μｍ 雰囲気；４×10-2Torr，Ar ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；60sec これらの試料を40℃，90％RH中に放置し、耐
湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁性面に
錆発生が確認されるまでに要した放置日数は、下
記の通りであつた。
試料Ａ；12日（比較例）
〃Ｂ；60日
〃Ｃ；65日
〃Ｄ；35日（比較例）
また、別途に、上記各試料を市販の家庭用ビデ
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにてスチル時間を測定した結果は下記の
通りであつた。
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにてスチル時間を測定した結果は下記の
通りであつた。
試料Ａ；30分（比較例）
〃Ｂ；70分
〃Ｃ；75分
〃Ｄ；50分（比較例）
上記の例からも明らかなように、本発明によれ
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて強磁
性薄膜の耐食性、耐摩耗性を大巾に改善すること
ができ、工業的に非常に有用なものである。
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて強磁
性薄膜の耐食性、耐摩耗性を大巾に改善すること
ができ、工業的に非常に有用なものである。
Claims (1)
- １ 金属薄膜型磁気記録媒体に保護膜を形成する
方法であつて、ポリエチレンまたはポリプロピレ
ンから成るターゲツトを、還元性ガスと不活性ガ
スの混合雰囲気中におけるスパツタリング法によ
り蒸発させ、前記金属薄膜表面に被着せしめるこ
とを特徴とする保護膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184181A JPS57145979A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184181A JPS57145979A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57145979A JPS57145979A (en) | 1982-09-09 |
| JPH0112834B2 true JPH0112834B2 (ja) | 1989-03-02 |
Family
ID=12342273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184181A Granted JPS57145979A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57145979A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549361B2 (ja) * | 1984-01-26 | 1996-10-30 | 電気化学工業株式会社 | 磁気記憶媒体 |
| JPH0467447A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Sharp Corp | 光磁気ディスク及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-03-04 JP JP3184181A patent/JPS57145979A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57145979A (en) | 1982-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8009387B2 (en) | Forming an aluminum alloy oxynitride underlayer and a diamond-like carbon overcoat to protect a magnetic recording head and/or media | |
| JPS6180527A (ja) | 磁気記録媒体用耐摩耗・耐腐蝕性膜の作成方法 | |
| JPH0112834B2 (ja) | ||
| JPH0112832B2 (ja) | ||
| JPH0160545B2 (ja) | ||
| JPS63191314A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0112833B2 (ja) | ||
| US20030224216A1 (en) | Magnetic recording medium and process for producing same | |
| JPH021222B2 (ja) | ||
| JPS58222441A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0612568B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60121526A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS58188333A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH048509B2 (ja) | ||
| JPH0621343B2 (ja) | 高耐食薄膜の形成方法 | |
| JPH049870B2 (ja) | ||
| JPH0239017B2 (ja) | ||
| JPH07111773B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH049868B2 (ja) | ||
| JPS58194138A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6059729B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60145532A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH05159266A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH02183416A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS593725A (ja) | 磁気記録媒体 |