JPH0160545B2 - - Google Patents
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- JPH0160545B2 JPH0160545B2 JP3184281A JP3184281A JPH0160545B2 JP H0160545 B2 JPH0160545 B2 JP H0160545B2 JP 3184281 A JP3184281 A JP 3184281A JP 3184281 A JP3184281 A JP 3184281A JP H0160545 B2 JPH0160545 B2 JP H0160545B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属薄膜、半導体薄膜などの活性表
面を周囲環境から保護するための保護膜の形成方
法に関し、特に、プラスチツクフイルム上に強磁
性金属薄膜を形成させた金属薄膜型磁気記録媒体
の表面を保護するのに適した方法に関する。金属
薄膜、半導体薄膜などを応用した各種機能素子、
記録媒体などにおいて、これらの表面を周囲環境
から保護するための薄膜状の安定な保護膜が各分
野において要求されている。金属薄膜型磁気記録
媒体においては、その特徴である高密度記録を生
かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極力小さ
くすることが要求されているが、金属薄膜自体を
周囲環境に露出すると湿気、腐食性ガスなどの作
用で、その表面が腐食されやすく、また、磁気ヘ
ツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすいため、
その表面に保護膜を形成させることが必要である
が、この場合、上記の要求を考慮して、スペーシ
ングロスを小さくするため、膜厚を1000Å以下、
好ましくは、数百Å以下にしなければらない。
面を周囲環境から保護するための保護膜の形成方
法に関し、特に、プラスチツクフイルム上に強磁
性金属薄膜を形成させた金属薄膜型磁気記録媒体
の表面を保護するのに適した方法に関する。金属
薄膜、半導体薄膜などを応用した各種機能素子、
記録媒体などにおいて、これらの表面を周囲環境
から保護するための薄膜状の安定な保護膜が各分
野において要求されている。金属薄膜型磁気記録
媒体においては、その特徴である高密度記録を生
かすために媒体と磁気ヘツドとの間隔を極力小さ
くすることが要求されているが、金属薄膜自体を
周囲環境に露出すると湿気、腐食性ガスなどの作
用で、その表面が腐食されやすく、また、磁気ヘ
ツドとの摺動によつて、摩耗を生じやすいため、
その表面に保護膜を形成させることが必要である
が、この場合、上記の要求を考慮して、スペーシ
ングロスを小さくするため、膜厚を1000Å以下、
好ましくは、数百Å以下にしなければらない。
従来、金属、あるいは、無機化合物をターゲツ
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
トとして不活性ガスイオン衝撃により相手物質上
に保護膜を形成させることはいくつか提案されて
おり、これらをプラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体に適用すべく検討した
が、可とう性に劣り磁気ヘツドの走行で亀裂を生
じたり、磁気ヘツドとの相性が悪く削れたりする
ものがほとんどであつた。またテトラフロロエチ
レン重合体をターゲツトとして物質表面に保護膜
を形成することも公知であり、これを金属薄膜型
磁気記録媒体の表面保護層として検討したが、耐
食性が劣ることが判明した。
本発明者は以上のような点に鑑み、これまでに
例のない重合体をターゲツトとすることを試みた
結果、アクリル系重合体をターゲツトとし還元性
ガスと不活性ガスの混合雰囲気中でスパツタした
場合に所望の保護膜が形成されることが明らかに
なつた。ここで、アクリ系重合体としては、ポリ
アクリル酸エステルすなわちポリアクリル酸メチ
ル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸プロ
ピル、ポリアクリル酸ブチルとポリメタクリル酸
エステル、すなわち，ポリメタクリル酸メチル、
ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロ
ピル、ポリメタクリル酸ブチルなどがある。
例のない重合体をターゲツトとすることを試みた
結果、アクリル系重合体をターゲツトとし還元性
ガスと不活性ガスの混合雰囲気中でスパツタした
場合に所望の保護膜が形成されることが明らかに
なつた。ここで、アクリ系重合体としては、ポリ
アクリル酸エステルすなわちポリアクリル酸メチ
ル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸プロ
ピル、ポリアクリル酸ブチルとポリメタクリル酸
エステル、すなわち，ポリメタクリル酸メチル、
ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロ
ピル、ポリメタクリル酸ブチルなどがある。
このアクリル系重合体をフイルムに成型したも
の、あるいはアルミニウム板上に塗膜として形成
したものをターゲツトとし、アルゴン、クリプト
ン、キセノンなどの不活性ガスと水素、炭化水素
シラン、ホスフインなどの還元性ガスの混合雰囲
気中でイオン衝撃により上記ターゲツトを蒸発さ
せ、保護すべき基板表面に被着せしめる。すなわ
ち、スパツタする。なお、還元性ガスは生成した
膜中の活性な点と反応し、安定化させる作用を有
する。
の、あるいはアルミニウム板上に塗膜として形成
したものをターゲツトとし、アルゴン、クリプト
ン、キセノンなどの不活性ガスと水素、炭化水素
シラン、ホスフインなどの還元性ガスの混合雰囲
気中でイオン衝撃により上記ターゲツトを蒸発さ
せ、保護すべき基板表面に被着せしめる。すなわ
ち、スパツタする。なお、還元性ガスは生成した
膜中の活性な点と反応し、安定化させる作用を有
する。
スパツタの方法としては、通常のRFまたはDC
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr、ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni、それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属薄膜上に直接、あるいは、Al，Crな
どの非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで
膜厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、
金属薄膜の耐食性、磁気ヘツドに対する耐摩耗性
の著しい向上が見られる。以下、このことにつき
具体例で示す。
スパツタ法、マグネトロン型RFまたはDCスパツ
タ法、イオンビームスパツタなどの公知の方法が
可能であるが、プラスチツクフイルムを基板とす
る金属薄膜型磁気記録媒体への保護膜形成におい
てはマグネトロン型RFスパツタ法が最適である。
このマグネトロン型RFスパツタ法の場合には、
混合ガス圧力；10-4〜10-2Torr、ターゲツト電
力0.5〜5W／cm2の条件でFe，Co，Ni、それらの
合金、またはそれらと他の金属との合金から成る
強磁性金属薄膜上に直接、あるいは、Al，Crな
どの非磁性層を介して成膜速度１〜50Å／secで
膜厚50Å〜1000Åの保護膜を形成させた場合に、
金属薄膜の耐食性、磁気ヘツドに対する耐摩耗性
の著しい向上が見られる。以下、このことにつき
具体例で示す。
実施例
厚さ15μmの長尺ポリエステルフイルム上に厚
さ0.2μmのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法に
より形成し、テープに切断し、これを試料Ａとし
た。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚さ
100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂと
した。
さ0.2μmのCo強磁性薄膜を連続真空斜め蒸着法に
より形成し、テープに切断し、これを試料Ａとし
た。この試料Ａに下記の条件でスパツタし、厚さ
100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料Ｂと
した。
ターゲツト；ポリメタクリル酸メチルフイルム
（三菱レーヨン(株)製、商品名アクリプレン）、厚さ
100μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｃとした。
（三菱レーヨン(株)製、商品名アクリプレン）、厚さ
100μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｃとした。
ターゲツト；ポリメタクリル酸エチルフイル
ム、厚さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記条件でスパツタし、
厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料
Ｄとした。
ム、厚さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記条件でスパツタし、
厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを試料
Ｄとした。
ターゲツト；ポリメタクリル酸―ｉ―プロピル
のフイイルム，厚さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｅとした。
のフイイルム，厚さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｅとした。
ターゲツト；ポリアクリル酸メチルのフイル
ム，厚さ70μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｆとした。
ム，厚さ70μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｆとした。
ターゲツト；ポリアクリル酸ｉ―プロピル、厚
さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｇとした。（比較例） ターゲツト；ポリメタクリル酸メチルフイルム
（三菱レーヨン(株)製、商品名アクリプレン）、厚さ
100μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar スパツタ時間；60sec これらの試料Ａ〜Ｇを40℃，90％RH中に放置
し、耐湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁
性面に錆発生が確認されるまでに要した放置日数
は下記の通りであつた。
さ75μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar＋H2（10％） ターゲツト電力；2.5W／cm2 スパツタ時間；30sec 別の試料Ａを用いて、下記の条件でスパツタ
し、厚さ100Åの保護膜を形成せしめた。これを
試料Ｇとした。（比較例） ターゲツト；ポリメタクリル酸メチルフイルム
（三菱レーヨン(株)製、商品名アクリプレン）、厚さ
100μm 雰囲気；４×10-2Torr，Ar スパツタ時間；60sec これらの試料Ａ〜Ｇを40℃，90％RH中に放置
し、耐湿テストを行なつた結果、光学顕微鏡で磁
性面に錆発生が確認されるまでに要した放置日数
は下記の通りであつた。
試料Ａ；12日（比較例）
試料Ｂ；50日
試料Ｃ；40日
試料Ｄ；45日
試料Ｅ；40日
試料Ｆ；40日
試料Ｇ；20日（比較例）
また、別途に、上記各試料を市販の家庭用ビデ
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにて、スチル時間を測定した結果は下記
の通りであつた。
オテープレコーダーと同様の機能を有するスチル
テスターにて、スチル時間を測定した結果は下記
の通りであつた。
試料Ａ；30分（比較例）
試料Ｂ；80分
試料Ｃ；60分
試料Ｄ；75分
試料Ｅ；60分
試料Ｆ；55分
試料Ｇ；50分（比較例）
上記の例からも明らかなように、本発明によれ
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて、強
磁性薄膜の耐食性、耐摩耗性を大巾に改善するこ
とができる。しかも本発明は他に金属薄膜、半導
体薄膜などの保護にも適用でき工業的に非常に有
用なものである。
ば膜厚100Å程度のスパツタ膜形成によつて、強
磁性薄膜の耐食性、耐摩耗性を大巾に改善するこ
とができる。しかも本発明は他に金属薄膜、半導
体薄膜などの保護にも適用でき工業的に非常に有
用なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 化学構造式 で表わされるアクリル系重合体から成るターゲツ
トを還元性ガスと不活性ガスの混合雰囲気中にお
けるスパツタリング法により蒸発させ保護すべき
表面に被着せしめることを特徴とする保護膜の形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184281A JPS57145980A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3184281A JPS57145980A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57145980A JPS57145980A (en) | 1982-09-09 |
| JPH0160545B2 true JPH0160545B2 (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=12342300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184281A Granted JPS57145980A (en) | 1981-03-04 | 1981-03-04 | Formation of protective film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57145980A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171030A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1981
- 1981-03-04 JP JP3184281A patent/JPS57145980A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57145980A (en) | 1982-09-09 |
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