JPH05124836A

JPH05124836A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPH05124836A
Application number: JP30274491A
Authority: JP
Inventors: Takashi Naito; 内藤　　孝; Takashi Namekawa; 滑川　　孝; Akira Kato; 加藤　　明; Yasutaka Suzuki; 康隆鈴木; Yasuyuki Arikawa; 康之有川; Tsukasa Ohata; 司大畑; Shigeki Yamamura; 茂樹山村; Hideki Gunji; 秀樹郡司
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-10-23
Filing date: 1991-10-23
Publication date: 1993-05-21
Anticipated expiration: 2012-11-12
Also published as: JP2674390B2; EP0538852B1; EP0538852A1; DE69222256D1; DE69222256T2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、量産性及び信頼性に優れる高
性能の磁気ヘッドを提供することにある。【構成】支持体２，２′に形成した高飽和磁束密度の磁
性膜１，１′からなる一対の磁気コアを、磁気ギャップ
３を介して対向させ、バナジウム元素を主要構成元素の
一つとする酸化物系ガラス４，４′で接合した構造をも
つ磁気ヘッドの、接合用ガラスと被接合材との間に、少
なくとも接合用ガラスの構成元素のうち一種以上を含む
介在層５，５′を施す。【効果】本発明によれば、接合用ガラスの優れた特性を
充分に生かすことができ、量産性及び信頼性に優れる高
性能の磁気ヘッドが得られる。また、接合用ガラスに従
来ガラスを用いた場合にも、本発明で規定する介在層は
有効である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に搭
載される磁気ヘッドに係り、特に量産性，信頼性に優れ
る高性能の磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の高密度記録化
を図るために、情報記録媒体の高保持力化，記録再生周
波数の広帯域化，記録テープやディスクの高速化等が進
められるようになり、従来のフェライトヘッドでは追随
が不可能となってきている。このため、磁気コアにフェ
ライトより飽和磁束密度が高いＣo 系非晶質合金，セン
ダスト系合金，Ｆe−Ｃ系材，Ｆe−Ｎ系材等の磁性膜が
注目されるようになった。これらの磁性膜の飽和磁束密
度はフェライトの約２倍以上なので、このような磁性膜
を用いた磁気ヘッドによって顕著な高密度記録化が期待
された。しかし、これらの磁性膜はフェライトより耐熱
性が低いため、従来のフェライトヘッドの接合用ガラス
はもはや使用することはできない。そこで、現状では低
温ガラス接合が可能であるＰbＯ−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラスのよ
うな鉛元素を主要構成元素とする酸化物系ガラスが主に
使用されている。このガラスは低温接合用ガラスの中で
も化学的安定性が良好であることから使用されている
が、それでも耐水性や耐湿性等の化学的安定性及び加工
性等の機械的性質に乏しく、しかも磁性膜を侵食しやす
いため、量産性及び信頼性に優れる高性能の磁気ヘッド
が得られにくいという問題があった。そこで、このよう
な問題を解決するために、特開昭62−78128 号，特開昭
62−88109 号及び特開平2−225336 号等において、ガラ
ス組成物及び磁気ヘッドが提案された。これらの発明
は、低温ガラス接合が可能でしかも化学的安定性，機械
的性質及び磁性膜への侵食を改善又は改良したバナジウ
ム元素を主要構成元素の一つとする酸化物系ガラス、及
びこのガラスを用いて微小な磁気ギャップを介して対向
した一対の磁気コアを接合し、信頼性を向上させた高性
能の磁気ヘッドに関するものである。また、この磁気ヘ
ッドの接合用ガラスは使用する磁性膜の熱膨張係数や耐
熱性を考慮し、いろいろと使いわけることができる。一
方、従来のＰbＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスのような鉛元素を主
要構成元素とする酸化物系ガラスなどを用いた磁気ヘッ
ドでは、ガラスそのものが持つ特性は替えられないもの
の、磁性膜の侵食を防止又は抑制するために、Ｃr やＳ
iＯ₂ガラスの層を施している。さらに、Ｃr 層は従来ガ
ラスとぬれ性が良いために、ガラス充填時やガラス接合
時での気泡残留量が極めて少ない。また、ＳiＯ₂ガラス
層は従来ガラスと反応性が高いために、接着強度の向上
を図ることができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、磁気
ヘッドのガラス充填時やガラス接合時に発生する気泡に
ついて配慮されていなかったために、良好な特性をもつ
バナジウム元素を主要構成元素の一つとする酸化物系接
合用ガラスの特徴を充分に生かした磁気ヘッドが歩留ま
り良く得られてはいなかった。特に被接合材に付着する
ような気泡が大きな問題であった。磁気ヘッドの摺動面
に気泡が残留していると、記録テープ等を走行させたと
きにその気泡に記録媒体がつまり、磁気ヘッドの性能が
劣化するという問題が生ずる。このような磁気ヘッドは
不良品であり、製品に搭載することはできない。また、
磁気ヘッドのガラス接合面に気泡が多数存在している
と、期待するヘッドチップ強度が得られず、ヘッドチッ
プの加工組立時や記録テープ等の走行時に磁気ヘッドが
壊れることがある。

【０００４】また、ＰbＯ−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラスのような鉛
元素を主要構成元素とする酸化物系ガラスなどを用いた
従来技術におけるＣｒやＳｉＯ₂ ガラスは、磁性膜への
侵食防止と接着強度の向上とを両立したものではなかっ
た。従来のガラスはＣr 層とはほとんど反応しないの
で、高い接着強度が得られない。また、ＳiＯ₂ガラス層
とは高い反応性を持つので、この層を通し磁性膜を侵食
してしまう。さらに、これらの層を施しても従来ガラス
はギャップに入り込み、磁気ヘッドの最も重要な部分で
あるギャップ部の磁性膜を侵食してしまうことがある。

【０００５】本発明の目的は、バナジウム元素を主要構
成元素の一つとする酸化物系ガラスを用いる磁気ヘッド
のガラス充填時やガラス接合時に発生する気泡をうまく
脱泡させることによって、残留気泡の低減を図り、量産
性及び信頼性に優れる高性能の磁気ヘッドを提供するこ
とにある。

【０００６】また、その他の目的としては従来のＰbＯ
−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラスのような鉛元素を主要構成元素とす
る酸化物系ガラスなどを用いた磁気ヘッドにおいても、
磁性膜への侵食を少しでも抑制し、しかも少しでも接着
強度が高い磁気ヘッドを提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、支持体に形成した高飽和磁束密度の磁性
膜からなる一対の磁気コアを、磁気ギャップを介して対
向させ、バナジウム元素を主要構成元素の一つとする酸
化物系ガラスで接合した構造をもつ磁気ヘッドの、接合
用ガラスと被接合材との間に、少なくとも接合用ガラス
の構成元素のうち一種以上を含む介在層を施した。ここ
で、この介在層は少なくともバナジウム元素又は鉛元素
を含むことが好ましく、更に酸化物より構成されること
が望ましい。また、介在層は更に少なくとも酸化珪素の
融点またはそれ以上の温度を融点にもつ酸化物を形成可
能な元素を含むことが望ましい。

【０００８】また、本発明は、支持体に形成した高飽和
磁束密度の磁性膜からなる一対の磁気コアを、磁気ギャ
ップを介して対向させ、ガラスで接合した構造をもつ磁
気ヘッドの、接合用ガラスと被接合材との間に、少なく
ともバナジウム元素を含む介在層を施した。この接合用
ガラスは従来から使用されている鉛元素を主要構成元素
とする酸化物系ガラスなどである場合にも使用できる。

【０００９】ところで、ここで規定する介在層は、支持
体に形成した高飽和磁束密度の磁性膜からなる一対の磁
気コアを、磁気ギャップを介して対向させ、ガラスで接
合した構造を有する磁気ヘッドの、磁性膜と接合用ガラ
スとの間に存在し、かつ接合用ガラスと直接接している
層を意味する。

【００１０】

【作用】本発明は、支持体に形成した高飽和磁束密度の
磁性膜からなる一対の磁気コアを、磁気ギャップを介し
て対向させ、バナジウム元素を主要構成元素の一つとす
る酸化物系ガラスで接合した構造をもつ磁気ヘッドの、
接合用ガラスと被接合材との間に、少なくとも接合用ガ
ラスの構成元素のうち一種以上を含む介在層を施すこと
によって、ガラス充填時やガラス接合時に発生する気
泡、特に被接合材に付着するような気泡が移動しやすく
なり、残留気泡の低減を著しく図ることができる。これ
は介在層に接合用ガラスの構成元素を含有させることに
よってぬれ性が向上するためである。このように気泡量
が少なくなると、接合用ガラスの優れた特性を充分に生
かすことができ、量産性及び信頼性に優れる高性能の磁
気ヘッドが得られる。この効果は介在層に接合用ガラス
の主要構成元素であるバナジウム元素又は鉛元素が含ま
れるときに特に顕著である。また、介在層が酸化物より
構成されると、接合用ガラスとの反応性が向上し、これ
によって接着強度が大きくなり、磁気ヘッドはより壊れ
にくくなる。接合用ガラスは従来のＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガ
ラスのような鉛元素を主要構成元素とする酸化物系ガラ
スより前記磁性膜を侵食しにくい。しかし、より高性能
の磁気ヘッドを得るにはこの侵食を更に抑制する必要が
ある。このためには、耐熱性の向上を図る必要があり、
介在層は更に少なくとも酸化珪素の融点またはそれ以上
の温度を融点にもつ酸化物を形成可能な元素を含むこと
が有効である。また、このような高融点酸化物は硬度も
ある程度高いので、記録テープやディスクを摺動させた
ときに磁気ヘッドの耐摩耗性にも貢献する。

【００１１】また、本発明は、支持体に形成した高飽和
磁束密度の磁性膜からなる一対の磁気コアを、磁気ギャ
ップを介して対向させ、ガラスで接合した構造をもつ磁
気ヘッドの、接合用ガラスと被接合材との間に、少なく
ともバナジウム元素を含む介在層を施すことによって、
磁性膜への反応を抑制することができる。具体的には、
例えば従来から使用されている鉛元素を主要構成元素と
する酸化物系ガラスと反応性が高いＳiＯ₂ガラス介在層
中にバナジウム元素を含有させると、適度に反応し、更
に磁性膜への侵食を抑制する。このため、適度な接着強
度も得られる利点がある。

【００１２】

【実施例】本発明を実施例により説明する。図１に代表
的な磁気ヘッドの斜視図を示す。１，１′は高飽和磁束
密度の磁性膜、２，２′はこの磁性膜を形成するための
支持体、３は磁気ギャップ，４，４′は接合用ガラス、
５，５′は接合用ガラスと被接合材との間の介在層、６
はコイル巻線窓である。この場合の磁気ヘッドにおける
被接合材は磁性膜である。

【００１３】次に図１で示した磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。図１の磁気ヘッドでは、先ず図２に示
すように、支持体２にコイル巻線窓用の溝７とトラック
溝８を設け、ギャップ突合わせ面を形成する。これを充
分に洗浄後、図３に示すように、ギャップ突合わせ面に
磁性膜１と更にその上に介在層５をスパッタし、この磁
性膜の耐熱温度以下の温度でトラック溝８に接合用ガラ
ス４を充填する。次に、図４に示すように、不要なガラ
スと磁性膜とを研磨し除去することによって、コイル巻
線窓用の溝７と所要のトラック幅ｔとをギャップ突合わ
せ面に形成し、一点鎖線Ａで示す位置で切断し、一対の
磁気コアブロック９，９′を製造する。これらの磁気コ
アブロックを充分に洗浄後、ギャップ突合わせ面にそれ
ぞれ非磁性ギャップ材１０を所定量スパッタし、図５に
示すように突合わせ、磁性膜の耐熱温度以下で接合す
る。次に、一点鎖線Ｂ及びＢ′で示す位置で順次切断す
ることによって、図１に示した磁気ヘッドを製造する。

【００１４】実施例に用いた磁性膜を表１に示す。ま
た、比較のために、ＶＴＲ等の磁気ヘッドによく用いら
れる単結晶Ｍｎ−Ｚｎフェライトも合わせて示す。Ｃｏ
系非晶質合金及びセンダス系合金はフェライトより著し
く高い飽和磁束密度をもつため、磁気ヘッドの高性能化
に与える影響は大きい。しかし、耐熱温度が低いため、
ガラス充填やガラス接合はその耐熱温度以下で行う必要
がある。

【００１５】実施例に用いた支持体を表２に示す。磁気
ヘッドの支持体としては耐摩耗性の点で、マイクロビッ
カース硬さＨv は６００以上であることが望ましい。更
に、支持体は磁性膜の熱膨張係数にある程度合わせる必
要があるので、実施例では表１に示した磁性膜Ａには表
２のａとｂの支持体、及び磁性膜Ｂにはｃの支持体を用
いた。

【００１６】実施例に用いた接合用ガラスを表３に示
す。なお、表中の充填・接合温度は磁気ヘッドに使用す
ることを想定し、ガラスの粘度が１０⁴ ポイズ程度とな
る温度とした。マイクロビッカース硬さＨｖは圧子荷重
１００ｇｆ及び荷重時間１５sec の条件で測定した。そ
の際にガラスに割れが発生しない場合には○、発生した
場合には×とし、脆さも同時に評価した。耐水性は一辺
が５mmの立方体に加工したガラス片を７０℃の蒸留水４
０ｃｃに２時間浸漬したときのガラスの表面変化と重量
変化で評価した。表面変化と重量変化とがともにほとん
ど認められない場合には○、どちらか一方でも明らかに
認められた場合には×でランク付けした。表３から分か
るように、バナジウム元素を主要構成元素の一つとする
酸化物系ガラスであるＮo.１〜３のガラスは、従来から
の鉛元素を主要構成元素とする酸化物系ガラスであるＮ
o.４やＮo.５のガラスより機械的性質や耐水性が良好で
ある。実施例では、使用する磁性膜の熱膨張係数と耐熱
温度とを考慮し、適切な充填・接合温度と熱膨張係数と
を持つと思われるガラスを選択した。すなわち、表１に
示した磁性膜Ａには表３のＮo.１，Ｎo.２及びＮo.４の
ガラス、及び磁性膜ＢにはＮo.３とＮo.５のガラスを用
いた。

【００１７】実施例では、接合用ガラスと被接合材との
間の介在層に表４の材料（スパッタ用ターゲット）をス
パッタリング法によって、約２０００オングストローム
の厚さに形成した膜を用いた。ＩのＳiＯ₂ガラスとIIの
Ｃrは従来のＰbＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスのような鉛元素を主
要構成元素とする酸化物系ガラスなどとぬれ性が良いた
め、現状のアモルファス合金ヘッドやセンダストヘッド
の介在層として用いられていることから、比較のために
用いた。また、これらの介在層はぬれ性だけでなく、従
来のガラスが磁性膜を侵食することを防止するためにも
用いられている。しかし、ギャップ部近傍ではギャップ
内にガラスが融け込み、磁性膜を侵食してしまうことが
頻繁にある。VI〜VIIIのスパッタ用ターゲットは表中の
組成で作製したガラス製のターゲットである。また、IX
〜XII のスパッタ用ターゲットはＳｉＯ₂ ガラス粉末、
Ａl₂Ｏ₃粉末又はＺrＯ₂ 粉末と、表３中のＮo.２ガラス
粉末とを混合成形し、ホットプレスにより焼結し作製し
た。Ｉ〜IVのスパッタ用ターゲットには市販品を用い
た。

【００１８】表１の磁性膜，表２の支持体，表３の接合
用ガラス及び表４の介在層を用いて、図１で示した磁気
ヘッドを作製し評価した。

【００１９】

【表１】

【００２０】

【表２】

【００２１】

【表３】

【００２２】

【表４】（実施例１）磁性膜Ａ，支持体ａ，接合用ガラスＮo.１
とＮo.４、及び表４中の介在層を用いて図１の磁気ヘッ
ドを作製した。その作製温度、すなわちガラス充填温度
及びガラス接合温度は表３で示した各ガラスの充填・接
合温度に準じた。また、加熱雰囲気は磁性膜の酸化を防
止するために窒素中で行った。作製した磁気ヘッドの実
装結果を表５に示す。ここで、気泡不良率はヘッド摺動
面のガラス接合部に１μｍ以上の気泡が観察されたヘッ
ド数の割合、ヘッドチップ強度はヘッドチップにどの程
度の荷重で破損するかを測定したもの、及び磁性膜への
侵食は顕微鏡観察にて判定したものである。

【００２３】

【表５】表５の比較例から分かるように、従来からアモルファス
合金磁気ヘッドに使用されているような鉛元素を主要構
成元素とする酸化物系接合用ガラスＮo.４は磁性膜であ
るアモルファス合金を顕著に侵食するために、磁性膜と
接合用ガラスとの間に介在層が必要である。しかし、介
在層がＳiＯ₂ガラス(Ｉ)であると、その介在層ＩとＮo.
４のガラスとの反応性が高いため、介在層がない場合ほ
どではないが、全体的に磁性膜は侵食される。その点、
介在層がＣｒ(II)であると、Ｎo.４のガラスとほとんど
反応しないので、磁性膜のギャップ部近傍以外は侵食さ
れない。しかし、磁気ヘッドの心臓部である磁気ギャッ
プ部が侵食されるということは、磁気ヘッドの性能劣化
に与える影響が大きい。更に、介在層IIはＮo.４のガラ
スとぬれ性が良いため、気泡不良率が非常に小さいとい
う特徴があるが、前述したように両者の反応性が低く、
しかも接合用ガラスそのものの機械的性質が乏しいた
め、接合部より壊れやすく、高いヘッドチップ強度をも
った磁気ヘッドが得られない。また、Ｎo.４のガラスは
表３で示したように耐水性も乏しいため、磁気ヘッドの
信頼性も低い。一方、バナジウム元素を主要構成元素と
する酸化物系接合用ガラスＮo.１は、磁性膜であるアモ
ルファス合金への侵食量が極めて少ないという特徴があ
るため、従来の前記介在層Ｉ及びIIがあれば磁性膜への
侵食を心配する必要はない。しかし、Ｉ及びIIの介在層
とＮo.１のガラスのぬれ性が悪いため、多数の気泡が介
在層に付着しており、気泡不良率が著しく大きかった。
すなわち、Ｉ及びIIの介在層とＮo.１のガラスとの組合
わせでは、ヘッド製造歩留まりが低く、量産性が悪い。
また、Ｎo.１のガラスはＮo.４のガラスより機械的性質
に優れているが、上記気泡が接合部に多数存在している
こと、及び介在層Ｉ及びIIとの反応性が乏しいことから
期待していたほどのヘッドチップ強度が得られなかっ
た。しかし、前記従来の磁気ヘッドの場合よりヘッドチ
ップ強度は大きい傾向があり、しかもＮo.１のガラスは
耐水性にも良好であるので、磁気ヘッドの信頼性として
は高いものと考えられる。

【００２４】上記比較例に対し、本実施例ではバナジウ
ム元素を主要構成元素とする酸化物系接合用ガラスＮo.
１に、このガラスの構成元素を含む介在層III〜XIIを用
いているので、ぬれ性が改善され、気泡不良率が著しく
小さくなった。すなわち、これらの介在層を用いること
によってヘッド製造歩留まりが向上し、量産性を上げる
ことができる。特に、Ｖ，VI及びIX〜XII の介在層を用
いた場合にはその効果が非常に大きい。また、気泡不良
率の低下にともなってヘッドチップ強度も向上し、中で
もVI及びIX〜XII の介在層を用いた場合に大きな強度を
持った磁気ヘッドが得られた。磁性膜のアモルファス合
金への侵食に関してはほとんど問題はないが、VIとVIII
の介在層を用いた場合には介在層がない場合と同様に若
干の侵食が認められた。これはＮo.１のガラスとVIの介
在層との反応性が非常に富んでいること、及びVIIIの介
在層が充填・接合温度が低いＮo.１のガラス膜であるこ
とが原因である。しかし、これらの介在層と磁性膜との
間にバナジウム元素を主要構成元素とする酸化物系接合
用ガラスと反応しにくい層、例えばＳiＯ₂ガラスのよう
な膜を更に介在させれば、上記のような磁性膜への侵食
は容易に防止できる。以上より、VI及びIX〜XII の介在
層を用いた場合に特に良好な結果が得られており、これ
らの介在層はＮo.１のガラスとぬれ性がよく、しかも適
度な反応性と耐熱性をもっている。IX〜XIIの介在層で
はそのスパッタ用ターゲットに充填・接合温度が低いＮ
o.1のガラスとＳiＯ₂ガラス，Ａl₂Ｏ₃又はＺrＯ₂の混合
体を用いている。Ｎo.１のガラスは介在層のぬれ性向上
と反応性促進の働きがあるのに対し、ＳiＯ₂ガラス，Ａ
l₂Ｏ₃及びＺrＯ₂ は介在層の耐熱性向上と反応性抑制の
効果がある。すなわち、介在層のスパッタ用ターゲット
に含まれるＳiＯ₂ガラス，Ａl₂Ｏ₃及びＺrＯ₂ はこれら
に限定されることなく、高融点物質であればなんでもよ
い。

【００２５】次に、実施例として、鉛元素を主要構成元
素とする酸化物系接合用ガラスＮo.４とバナジウム元素
を含む介在層IXを用いて図１のアモルファス合金磁気ヘ
ッドを作製した結果、接合用ガラスと介在層との反応が
抑制されたため、ＳiＯ₂ガラス介在層Ｉより磁性膜への
侵食が抑制され、しかもＣｒ介在層IIのようにヘッドチ
ップ強度の低下は認められなかった。このように従来か
らの接合用ガラスを用いた場合にも本発明による介在層
は有効である。しかし、IIの介在層を用いた場合と同様
に、ギャップ部には磁性膜への侵食が観察された。この
侵食を防止するには、ギャップ材にもIXの介在層と同様
なバナジウム元素を含むギャップ材を使用すればよい。

【００２６】ここで、本発明で規定する介在層について
説明する。

【００２７】接合用ガラスと介在層とが同組成の場合
（表３のＮo.１ガラスと表４のVIII介在層との組合わ
せ）における接合界面部の粒子構造を、ＳＥＭにより観
察したときの観察写真を図６，図７及び図８に示す。

【００２８】ただし、ここでは実際の磁気ヘッドを用い
たのではなく、Ｎo.１ガラスと同組成のスパッタ用ター
ゲットを用いたVIII介在層を約７０００オングストロー
ムにスパッタしたフェライト基板上でＮo.１ガラス板を
窒素ガス中４６０℃で溶融させ、その切断面を観察した
ものである。

【００２９】図６，図７及び図８からわかるように、VI
II介在層はＮo.１ガラスバルク材に比べて、色の濃淡の
点でより黒っぽく観察され、接合前と同様に約７０００
オングストロームの厚みの層として残っていた。また、
VIII介在層をＥＤＸにより分析すると、Ｎo.１ガラスバ
ルク材の組成に比べてバナジウムの量が減少していた。
これは、介在層と接合用ガラスとを同一の組成にしよう
としても、一般的にスパッタ法では非常に困難なため、
若干の組成のずれが生じたためと考えられる。さらに、
接合用Ｎo.１ガラスとVIII介在層との境（接合界面部）
には、厚み2000オングストローム程度の白い筋が観察さ
れた。この白い筋の層をＥＤＸにより分析すると、アン
チモンの量が増加していることがわかった。これは、ア
ンチモンの自由エネルギーが小さいために、アンチモン
が接合界面部に集合したものと考えられる。

【００３０】以上のように、本発明で規定する介在層
は、接合用ガラスと非接合材との間で、それらとの接合
界面で適度に反応することはあっても、ひとつの層とし
て明らかに存在していることがわかる。

【００３１】なお、介在層と接合用ガラスとが異なる組
成である場合には、より明確に介在層の存在が確認でき
る。

【００３２】（実施例２）磁性膜Ａ，支持体ｂ，接合用
ガラスＮo.２、及び表４中の介在層を用いて図１の磁気
ヘッドを作製した。作製した磁気ヘッドの実装結果を表
６に示す。なお、磁気ヘッドの評価方法は実施例１と同
様である。

【００３３】

【表６】表６の比較例から分かるように、バナジウム元素を主要
構成元素とする酸化物系接合用ガラスＮo.２に、従来か
らの介在層Ｉ及びIIを用いると、実施例１の比較例と同
様に磁性膜への侵食は認められなかったが、気泡不良率
が大きく、しかも期待するヘッドチップ強度が得られな
かった。この比較例に対し、本実施例ではバナジウム元
素を主要構成元素とする酸化物系接合用ガラスＮo.２
に、このガラスの構成元素を含む介在層IV，VI，IX及び
Ｘを用いているので、ぬれ性が改善され、気泡不良率が
著しく小さくなった。すなわち、これらの介在層を用い
ることによって、ヘッド製造歩留まりが向上し、量産性
を上げることができる。また、気泡不良率の低下にとも
なってヘッドチップ強度も大きくなったことから、磁気
ヘッドの信頼性向上を図ることができる。更に、磁性膜
への侵食の影響も認められなかったことから、磁性膜の
特性を十分生かした高性能の磁気ヘッドが得られる。

【００３４】（実施例３）磁性膜Ｂ，支持体ｃ，接合用
ガラスＮo.３とＮo.５、及び表４中の介在層を用いて図
１の磁気ヘッドを作製した。作製した磁気ヘッドの実装
結果を表７に示す。なお、磁気ヘッドの評価方法は実施
例１と同様である。

【００３５】

【表７】表７から分かるように、センダスト合金磁気ヘッドにお
いても実施例１と実施例２で示したアモルファス合金磁
気ヘッドと同様な結果が得られた。比較例で用いた鉛元
素を主要構成元素とする酸化物系ガラスＮo.５は磁性膜
であるセンダスト合金を顕著に侵食するために、磁性膜
と接合用ガラスとの間に介在層が必要である。しかし、
従来のＩ及びIIの介在層を施しても磁性膜への侵食を食
い止めることはできなかった。しかし、Ｎo.５のガラス
とIIの介在層との組合わせにおける気泡不良率に関して
は良好な結果が得られた。一方、バナジウム元素を主要
構成元素の一つとする酸化物系接合用ガラスＮo.３と介
在層Ｉ及びIIとの組合わせでは磁性膜への侵食をほぼ完
全に阻止することができた。また、ヘッドチップ強度も
Ｎo.５のガラスを用いた場合より大きく、良好な結果が
得られた。しかし、気泡不良率が大きいために、ヘッド
製造歩留まりが低く、量産性が悪い。

【００３６】上記比較例に対し、本実施例ではバナジウ
ム元素を主要構成元素の一つとする酸化物系接合用ガラ
スＮo.３に、このガラスの構成元素を含む介在層III ，
VI，VII、及びIX〜XIIを用いているので、ぬれ性が改善
され、気泡不良率が著しく小さくなった。特に、実施例
１と同様にVI及びIX〜XII の介在層を用いた場合には、
Ｎo.５のＰbＯ−Ｂ₂Ｏ₃系ガラスとII の介在層Ｃｒとの
組合わせと、同程度の気泡不良率にまで低減できた。す
なわち、これらの介在層を用いることによって、ヘッド
製造歩留まりが向上し、量産性を上げることができる。
また、気泡不良率の低下にともなってヘッドチップ強度
も大きくなったことから、磁気ヘッドの信頼性向上を図
ることができる。更に、磁性膜への侵食の影響も認めら
れなかったことから、磁性膜の特性を十分生かした高性
能の磁気ヘッドが得られる。

【００３７】次に、実施例として、鉛元素を主要構成元
素とする酸化物系ガラスＮo.５とバナジウム元素を含む
介在層Ｘを用いて図１のセンダスト合金磁気ヘッドを作
製した結果、実施例１で述べた場合と同様に、接合用ガ
ラスと介在層との反応が抑制されるため、ＳiＯ₂ガラス
介在層Ｉより磁性膜への侵食が抑制され、しかもＣｒ介
在層IIのようにヘッドチップ強度の低下は認められなか
った。このように、従来からの接合用ガラスを用いた場
合にも本発明による介在層は有効である。しかし、IIの
介在層を用いた場合と同様に、ギャップ部には磁性膜へ
の侵食が観察された。この侵食を防止するには、ギャッ
プ材にＸの介在層と同様なバナジウム元素を含むギャッ
プ材を使用すればよい。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、ガラス充填時やガラス
接合時に発生する気泡、特に被接合材に付着するような
気泡が移動しやすくなり、残留気泡の低減を著しく図る
ことができる。さらに本発明で用いる接合用ガラスは低
温接合が可能であるにもかかわらず、従来からの酸化鉛
を主要構成元素とする酸化物系接合用ガラスより耐水性
や機械的性質に優れ、しかも高飽和磁束密度の磁性膜を
侵食しにくい。このため、本発明で示す介在層によって
気泡量が少なくなると、接合用ガラスの優れた特性を充
分に生かすことができ、量産性及び信頼性に優れる高性
能の磁気ヘッドが得られる。

【００３９】また、本発明によれば、接合用ガラスと介
在層とが適度に反応するために、磁性膜への反応を抑制
し、しかも適度な接着強度を有する磁気ヘッドが得られ
る。更に、介在層はギャップ部の磁性膜の侵食を防止す
るので、ギャップ材としても有効である。

【００４０】上記本発明の磁気ヘッドにおけるガラス接
合技術は、従来のフェライトヘッドにも適用することが
できる。また、磁気ヘッド以外の分野における低温ガラ
ス接合にも十分応用が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例で用いた磁気ヘッドの斜視図で
ある。

【図２】本発明の磁気ヘッドの製造方法における各工程
の説明図である。

【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法における各工程
の説明図である。

【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法における各工程
の説明図である。

【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法における各工程
の説明図である。

【図６】本発明で規定する介在層の接合界面部の粒子構
造を示す写真である。

【図７】本発明で規定する介在層の接合界面部の粒子構
造を示す写真である。

【図８】本発明で規定する介在層の接合界面部の粒子構
造を示す写真である。

【符号の説明】

１，１′…高飽和磁束密度の磁性膜、２、２′…磁性膜
を形成するための支持体、３…磁気ギャップ、４，４′
…接合用ガラス、５，５′…接合用ガラスと被接合材と
の間の介在層、６…コイル巻線窓、１１…接合用ガラ
ス、１２…フェライト基板、１３…介在層、１４…接合
部、１５…アンチモン成分、１６…バナジウム成分、１
７…鉄成分。

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性膜が形成された一対の磁気コアが、磁
気ギャップを介して対向し、少なくともバナジウム元素
を有する酸化物系ガラスで接合された磁気ヘッドであっ
て、前記ガラスと前記磁気コアとの間に、少なくとも前
記ガラスを構成する元素を一種以上を含む介在層を有す
ることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】前記介在層が、バナジウム元素を含むこと
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】前記介在層が、酸化物で構成されることを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記介在層が、少なくとも酸化珪素の融点
と同じ温度またはそれ以上の温度の融点をもつ酸化物を
形成可能な元素を含むことを特徴とする請求項１乃至３
記載の磁気ヘッド。
【請求項５】磁性膜が形成された一対の磁気コアが、磁
気ギャップを介して対向し、ガラスで接合された磁気ヘ
ッドであって、前記ガラスと前記磁気コアとの間に、少
なくともバナジウム元素を含む介在層を有することを特
徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】前記ガラスが、鉛元素を含む酸化物系ガラ
スであることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。