JPH05121635A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH05121635A JPH05121635A JP28106291A JP28106291A JPH05121635A JP H05121635 A JPH05121635 A JP H05121635A JP 28106291 A JP28106291 A JP 28106291A JP 28106291 A JP28106291 A JP 28106291A JP H05121635 A JPH05121635 A JP H05121635A
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- JP
- Japan
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- wire
- semiconductor chip
- lead frame
- lead
- inner lead
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの電極にインナーリードが接近
している場合でもワイヤーが半導体チップのエッジ部分
に接触しないリードフレームを提供する。 【構成】 インナーリード１１の先端を加工して、その
先端部の高さが半導体チップ６の電極７の面とほぼ同一
の高さになるようにしている。この構成により、ワイヤ
ー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しなくなる。
している場合でもワイヤーが半導体チップのエッジ部分
に接触しないリードフレームを提供する。 【構成】 インナーリード１１の先端を加工して、その
先端部の高さが半導体チップ６の電極７の面とほぼ同一
の高さになるようにしている。この構成により、ワイヤ
ー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップをパッケ
ージに組立する際に用いられるリードフレームに関す
る。
ージに組立する際に用いられるリードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すように一般にリードフレーム
は、半導体チップを搭載するダイパッド１，そのダイパ
ッド１を機械的に支持する吊りリード２，半導体チップ
とワイヤーで接続するインナーリード３，リード間を機
械的に支持するダイバー４，リードの最外端および吊り
リード２を接続したフレーム部５等からなっている。こ
れらを熱硬化性樹脂で必要とするパッケージ外形に成形
して、樹脂封止型半導体パッケージに仕上げる。この樹
脂部分には、半導体チップを搭載したダイパッド１，ダ
イパッド１を機械的に支持する吊りリード２、そしてリ
ードのインナーリード部が封じ込まれる。図３に示すよ
うに通常このインナーリード３は、吊りリード２やダイ
パッド１と同じ高さか、やや高く位置するように設けら
れている。インナーリード３がダイパッド１よりやや高
く位置するようなリードフレーム加工は、ダイパッド１
部をプレスするディプレス加工により実施される。図３
において、６は半導体チップ、７はその半導体チップ６
上に形成された電極パッド、８はインナーリード３への
接続用ワイヤーである。
は、半導体チップを搭載するダイパッド１，そのダイパ
ッド１を機械的に支持する吊りリード２，半導体チップ
とワイヤーで接続するインナーリード３，リード間を機
械的に支持するダイバー４，リードの最外端および吊り
リード２を接続したフレーム部５等からなっている。こ
れらを熱硬化性樹脂で必要とするパッケージ外形に成形
して、樹脂封止型半導体パッケージに仕上げる。この樹
脂部分には、半導体チップを搭載したダイパッド１，ダ
イパッド１を機械的に支持する吊りリード２、そしてリ
ードのインナーリード部が封じ込まれる。図３に示すよ
うに通常このインナーリード３は、吊りリード２やダイ
パッド１と同じ高さか、やや高く位置するように設けら
れている。インナーリード３がダイパッド１よりやや高
く位置するようなリードフレーム加工は、ダイパッド１
部をプレスするディプレス加工により実施される。図３
において、６は半導体チップ、７はその半導体チップ６
上に形成された電極パッド、８はインナーリード３への
接続用ワイヤーである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成では、
電極パッド７にインナーリード３が接近している場合、
電極パッド７とインナーリード３の高さが異なるためワ
イヤー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しやすく
ショートするという欠点を有していた。
電極パッド７にインナーリード３が接近している場合、
電極パッド７とインナーリード３の高さが異なるためワ
イヤー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しやすく
ショートするという欠点を有していた。
【０００４】本発明は上記課題を解決するもので、電極
パッド７にインナーリード３が接近している場合でもワ
イヤー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しないリ
ードフレームを提供することを目的とする。
パッド７にインナーリード３が接近している場合でもワ
イヤー８が半導体チップ６のエッジ部分に接触しないリ
ードフレームを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、インナーリード先端を加工し、電極パッド
と同じ高さにした構成である。
に本発明は、インナーリード先端を加工し、電極パッド
と同じ高さにした構成である。
【０００６】
【作用】この構成によって、電極パッドとインナーリー
ド先端との段差が少なくなるため、半導体チップのエッ
ジ部分にワイヤーが接触することなくワテヤーボンディ
ングができる。
ド先端との段差が少なくなるため、半導体チップのエッ
ジ部分にワイヤーが接触することなくワテヤーボンディ
ングができる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例について図１を参照しながら
説明する。図１はリードフレームのインナーリード近傍
の部分断面図である。従来例の図３と同一部分には同一
番号を付し、説明を省略する。すなわち、本発明の特徴
はインナーリード１１にある。すなわちインナーリード
１１の先端をプレス加工によって曲げ、半導体チップ６
の電極パッド７と同じ高さになるように加工しているこ
とである。さらにインナーリード１１の先端はワイヤー
８をボンディングするために必要な幅を平らにしてい
る。そのため従来のリードフレームの構造では問題のあ
る短いワイヤーリングやワイヤーのたるみなどによる半
導体チップ上面エッジ部やダイパッドエッジ部へのワイ
ヤーの接触を防止しうる構造となっている。
説明する。図１はリードフレームのインナーリード近傍
の部分断面図である。従来例の図３と同一部分には同一
番号を付し、説明を省略する。すなわち、本発明の特徴
はインナーリード１１にある。すなわちインナーリード
１１の先端をプレス加工によって曲げ、半導体チップ６
の電極パッド７と同じ高さになるように加工しているこ
とである。さらにインナーリード１１の先端はワイヤー
８をボンディングするために必要な幅を平らにしてい
る。そのため従来のリードフレームの構造では問題のあ
る短いワイヤーリングやワイヤーのたるみなどによる半
導体チップ上面エッジ部やダイパッドエッジ部へのワイ
ヤーの接触を防止しうる構造となっている。
【０００８】
【発明の効果】以上のように本発明は、インナーリード
の先端を加工し、電極と同じ高さにし、段差を無くすこ
とにより、短いワイヤーや長いワイヤーのワイヤー変
形，ワイヤーたるみなどにより、ワイヤーが半導体チッ
プのエッジ部分に接触することなく、ワイヤーボンディ
ングすることができるリードフレームを提供できる。
の先端を加工し、電極と同じ高さにし、段差を無くすこ
とにより、短いワイヤーや長いワイヤーのワイヤー変
形，ワイヤーたるみなどにより、ワイヤーが半導体チッ
プのエッジ部分に接触することなく、ワイヤーボンディ
ングすることができるリードフレームを提供できる。
【図１】本発明の一実施例におけるリードフレームの部
分断面図
分断面図
【図２】従来のリードフレームの平面図
【図３】図２のリードフレームの部分断面図
１ ダイパッド ６ 半導体チップ ７ 電極パッド（電極） ８ ワイヤー １１ インナーリード
Claims (1)
- 【請求項１】 先端部の高さが、半導体チップの電極の
面とほぼ同一の高さになるように加工したインナーリー
ドを少なくとも有することを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28106291A JPH05121635A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28106291A JPH05121635A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121635A true JPH05121635A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17633784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28106291A Pending JPH05121635A (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614101B2 (en) | 1999-11-25 | 2003-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame with raised leads and plastic packaged semiconductor device using the same |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28106291A patent/JPH05121635A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614101B2 (en) | 1999-11-25 | 2003-09-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame with raised leads and plastic packaged semiconductor device using the same |
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